spis urządzeń użytych dnia moduł O-01

Podobne dokumenty
Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E12FT. Elementy optoelektroniczne. Wersja 1.0 (18 marca 2016)

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.

Laboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.

PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA. Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej. Sprawozdanie

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Zworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED.

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

WZMACNIACZ OPERACYJNY

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

TRANZYSTORY BIPOLARNE

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Politechnika Białostocka

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Detektor Fazowy. Marcin Polkowski 23 stycznia 2008

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Ćw. III. Dioda Zenera

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa

BADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Elementy optoelektroniczne

1. Nadajnik światłowodowy

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Badanie właściwości multipleksera analogowego

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h)

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n

Ćwiczenie - 6. Wzmacniacze operacyjne - zastosowanie liniowe

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

PL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13

Laboratorium elektroniki i miernictwa

Politechnika Białostocka

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

Politechnika Białostocka

Ćwiczenie - 8. Generatory

Politechnika Białostocka

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Dioda półprzewodnikowa

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ

Imię i nazwisko (e mail) Grupa:

Wstęp. Doświadczenia. 1 Pomiar oporności z użyciem omomierza multimetru

Systemy i architektura komputerów

Politechnika Białostocka

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

POMIARY OSCYLOSKOPOWE. Instrukcja wykonawcza

Badanie układów aktywnych część II

Przetwarzanie AC i CA

E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa

Politechnika Białostocka

WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA

Ćw. 7 Przetworniki A/C i C/A

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

2.1. Charakterystyki statyczne i parametry fotodiody krzemowej

V. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

Ćwiczenie 21. Badanie właściwości dynamicznych obiektów II rzędu. Zakres wymaganych wiadomości do kolokwium wstępnego: Program ćwiczenia:

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Transkrypt:

Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie wybranych reprezentatywnych elementów optoelektronicznych nadajników światła (fotoemiterów), odbiorników światła (fotodetektorów) i transoptorów oraz zapoznanie się z pojęciem łącza optoelektronicznego. Podstawowe informacje Elementami optoelektronicznymi są przyrządy półprzewodnikowe, które emitują, wykrywają lub przetwarzają światło (a raczej promieniowanie elektromagnetyczne z zakresu ultrafioletu, promieniowania widzialnego lub podczerwieni). Podstawą ich działania są zjawiska fizyczne występujące w półprzewodnikach w wyniku wzajemnego oddziaływania fotonów i elektronów - przede wszystkim zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne oraz zjawisko elektroluminescencji. Zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne w przyrządach bezzłączowych przejawia się wzrostem przewodnictwa elektrycznego (fotokonduktancja), natomiast w złączach p-n powstawaniem SEM (zjawisko fotowoltaiczne). Zjawisko elektroluminescencji to luminescencja wywołana przepływem prądu elektrycznego, powodującego np. wstrzykiwanie nośników mniejszościowych do danego obszaru półprzewodnika przez złącze p-n. Pod względem funkcjonalnym przyrządy optoelektroniczne dzielimy na: Półprzewodnikowe źródła światła (promieniowania), czyli fotoemitery grupujące diody elektroluminescencyjne (DEL, LED light emitting diode) oraz lasery półprzewodnikowe. Półprzewodnikowe detektory światła (promieniowania), czyli fotodetektory grupujące fotooporniki (elementy bezzłączowe), fotodiody i fototranzystory (elementy złączowe) oraz fotoogniwa. Półprzewodnikowe przyrządy bazujące na sprzężeniu optycznym (para złożona z fotoemitera i fotodetektora) transoptory. Przetworniki promieniowania matryce półprzewodnikowe do analizy obrazu. Wykaz aparatury pomiarowej spis urządzeń użytych dnia 07.05.2010 moduł O-01 multimetr METEX M4650 J3-T6-260/4 multimetr METEX M4650 J3-T6-264/4 multimetr METEX M4660A J3-T6-259/5 zasilacz DF1731SB3A J3-T6-259/1 generator funkcyjny DF1641A J3-T6-261/2 oscyloskop GOS-620 J3-T6-257/2

Wyniki pomiarów i analiza wyników Charakterystyka prądowo-napięciowo-oświetleniowa diody elektroluminescencyjnej Do pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowo-oświetleniowych diod luminescencyjnych użyliśmy układu pomiarowego, zbudowanego w oparciu o moduł O-01, oraz multimetry METEX M4650 oraz METEXE 4660A, według poniższego schematu: Schemat 1. Schemat połączeń do wyznaczania charakterystyk prądowo-napięciowo-oświetleniowych diod Wybraliśmy 3 spośród 5 dostępnych diod: DEL 1 DEL 3 DEL 4 elektroluminescencyjnych. Otrzymaliśmy następujące pomiary:

nr diody DEL 1 (RED) DEL 3 (GREEN) DEL 4 (BLUE) I D [ma] U D [V] U F [V] 0,00 ± 0,03 1,499 ± 0,004 0,000 ± 0,003 2,06 ± 0,04 1,650 ± 0,004 0,013 ± 0,003 4,06 ± 0,05 1,719 ± 0,004 0,030 ± 0,003 6,09 ± 0,06 1,752 ± 0,004 0,048 ± 0,003 8,06 ± 0,07 1,773 ± 0,004 0,066 ± 0,003 10,02 ± 0,08 1,783 ± 0,004 0,084 ± 0,003 12,04 ± 0,09 1,789 ± 0,004 0,103 ± 0,003 14,09 ± 0,1 1,793 ± 0,004 0,122 ± 0,003 16,14 ± 0,1 1,796 ± 0,004 0,141 ± 0,003 18,16 ± 0,1 1,799 ± 0,004 0,160 ± 0,003 19,39 ± 0,1 1,801 ± 0,004 0,172 ± 0,003 0,00 ± 0,03 2,304 ± 0,004 0,000 ± 0,003 2,09 ± 0,04 2,802 ± 0,004 0,111 ± 0,003 3,99 ± 0,05 2,909 ± 0,004 0,191 ± 0,003 6,02 ± 0,06 2,992 ± 0,004 0,263 ± 0,003 8,19 ± 0,07 3,063 ± 0,005 0,336 ± 0,003 10,19 ± 0,08 3,120 ± 0,005 0,386 ± 0,003 12,01 ± 0,09 3,156 ± 0,005 0,431 ± 0,003 14,01 ± 0,1 3,211 ± 0,005 0,478 ± 0,003 16,15 ± 0,1 3,257 ± 0,005 0,523 ± 0,003 18,12 ± 0,1 3,297 ± 0,005 0,562 ± 0,003 19,34 ± 0,1 3,321 ± 0,005 0,585 ± 0,003 0,01 ± 0,03 2,280 ± 0,004-0,0070 ± 0,0003 2,02 ± 0,04 2,839 ± 0,004 0,0120 ± 0,0003 3,98 ± 0,05 2,902 ± 0,004 0,0295 ± 0,0003 6,18 ± 0,06 2,953 ± 0,004 0,0492 ± 0,0003 8,16 ± 0,07 2,991 ± 0,004 0,0663 ± 0,0003 10,09 ± 0,08 3,025 ± 0,005 0,0826 ± 0,0003 12,30 ± 0,09 3,059 ± 0,005 0,1005 ± 0,0004 13,99 ± 0,1 3,082 ± 0,005 0,1135 ± 0,0004 16,20 ± 0,1 3,110 ± 0,005 0,1299 ± 0,0004 17,83 ± 0,1 3,130 ± 0,005 0,1416 ± 0,0004 19,36 ± 0,1 3,147 ± 0,005 0,1523 ± 0,0004 Tabela 1. Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowo-oświetleniowych wybranych diod luminescencyjnych. Podczas dokonywania pomiarów szczególną uwagę należało zwrócić na światłowód, którego nieprawidłowe ułożenie powodowało zauważalne błędy w pomiarach. Na podstawie otrzymanych danych jesteśmy w stanie narysować wykresy charakterystyk prądowonapięciowo-oświetleniowych badanych diod:

Wykres 1. Charakterystyki prądowo-napięciowych I D = f 1(U D) badanych diod luminescencyjnych. Kolory charakterystyk odpowiadają kolorom badanych diod. Przedstawione zależności mają charakterystyki zbliżone do eksponencjalnych, co pokrywa się z przykładowymi charakterystykami z kart katalogowych. Na podstawie otrzymanych wyników możemy również wykreślić zależności napięcia na wyjściu fotodetektora od natężenia prądu, które są w przybliżeniu proporcjonalne do natężenia emitowanego światła:

0,6 0,5 0,4 Uf [V] 0,3 0,2 0,1 0,0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Id [ma] Wykres 2. Napięcia na wyjściu fotodetektora w funkcji natężenia prądu U f = f 2(I D) (kolory odpowiadają badanym diodom) Otrzymane charakterystyki napięcia fotodetektora w funkcji natężenia prądu mają charakter zbliżony do liniowego.

Charakterystyka prądowo-napięciowe fotodetektorów w zależności od natężenia światła Do pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowych fotodetektorów użyliśmy układu pomiarowego, zbudowanego w oparciu o moduł O-01, oraz multimetry METEX M4650, według poniższego schematu: Schemat 2. Schemat połączeń do wyznaczania charakterystyk prądowo-napięciowych fotodetektorów, w zależności od natężenia światła. Wybraliśmy następujące 2 z 3 dostępnych fotodetektorów: fotorezystor (FR) fotodioda (FD) Dokonaliśmy następujących pomiarów:

rodzaj fotoelementu fotorezystor FR fotodioda FD Φ 10% 90% 20% 100% U F [V] I F [ma] 0,000 ± 0,003 0,00 ± 0,03 1,055 ± 0,004 0,70 ± 0,03 2,032 ± 0,004 1,38 ± 0,04 3,029 ± 0,005 2,04 ± 0,04 4,360 ± 0,005 2,73 ± 0,04 5,060 ± 0,006 3,43 ± 0,05 6,065 ± 0,006 4,11 ± 0,05 7,068 ± 0,007 4,81 ± 0,05 8,028 ± 0,007 5,48 ± 0,06 0,000 ± 0,003 0,00 ± 0,03 0,337 ± 0,003 1,01 ± 0,04 0,673 ± 0,003 2,01 ± 0,04 1,015 ± 0,004 3,05 ± 0,05 1,398 ± 0,004 4,18 ± 0,05 1,686 ± 0,004 5,05 ± 0,06 2,001 ± 0,004 5,98 ± 0,06 2,313 ± 0,004 6,93 ± 0,06 2,712 ± 0,004 8,13 ± 0,07 2,998 ± 0,004 8,99 ± 0,07 3,413 ± 0,005 10,25 ± 0,08 0,000 ± 0,003 0,00 ± 0,03 1,027 ± 0,004 2,67 ± 0,04 2,071 ± 0,004 2,76 ± 0,04 3,041 ± 0,005 2,82 ± 0,04 3,995 ± 0,005 2,87 ± 0,04 5,017 ± 0,006 2,92 ± 0,04 6,003 ± 0,006 2,98 ± 0,04 7,062 ± 0,007 3,02 ± 0,05 8,068 ± 0,007 3,06 ± 0,05 9,058 ± 0,008 3,11 ± 0,05 10,010 ± 0,008 3,15 ± 0,05 11,062 ± 0,009 3,20 ± 0,05 12,325 ± 0,009 3,25 ± 0,05 0,000 ± 0,003 0,00 ± 0,03 0,097 ± 0,003 0,98 ± 0,03 0,130 ± 0,003 2,12 ± 0,04 0,152 ± 0,003 2,94 ± 0,04 0,184 ± 0,003 4,00 ± 0,05 0,230 ± 0,003 4,99 ± 0,05 0,312 ± 0,003 5,89 ± 0,06 0,412 ± 0,003 7,00 ± 0,07 0,527 ± 0,003 8,05 ± 0,07 0,647 ± 0,003 9,08 ± 0,08 0,757 ± 0,003 9,98 ± 0,08 dalej takie same wartości Tabela 2. Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowych wybranych fotodetektorów. Podczas dokonywania pomiarów należało zwrócić szczególną uwagę na światłowód, który źle ułożony nie przewodził sygnału świetlnego między częściami modułu. Dzięki dokonanym pomiarom możemy wykreślić charakterystyki prądowo-napięciowe wybranych fotodetektorów:

Wykres 3. Charakterystyka prądowo-napięciowa I f = f 3(U f) badanego fotorezystora Uzyskane zależności mają charakter liniowy. Wykres 4. Charakterystyka prądowo-napięciowa I f = f 3(U f) badanej fotodiody Zgodnie z przewidywaniami teoretycznymi otrzymana charakterystyka prądowo-napięciowa fotodiody, wraz ze wzrostem U f zbliża się do funkcji stałej.

Rysując pionowe proste linie odpowiadające ustalonej wartości napięcia U F oraz odczytując współrzędne I F punktów możemy określić, czy zmiany natężenia oświetlenia Φ wpływają liniowo na natężenie prądu I F. Dla obu fotodetektorów ustaliliśmy wartość napięcia U F = 2V. 10 8 If [ma] 6 4 2 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Φ [%] Wykres 5. Zależność natężenia I F od natężenia oświetlenia Φ (I F = f 4 (Φ)) badanego fototranzystora. 10 8 If [ma] 6 4 2 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Φ [%] Wykres 6. Zależność natężenia I F od natężenia oświetlenia Φ (I F = f 4 (Φ)) badanej fotodiody. Zarówna dla fototranzystora, jak i fotodiody uzyskane zależności są bardzo zbliżone do zależności liniowych. Mała liczba punktów pomiarowych nie umożliwia uzyskania pełnej charakterystyki powyższej zależności. W przypadku powtarzania ćwiczenia należałoby dokonać większej ilości pomiarów, dla różnych wartości natężenia oświetlenia- zarówno dla fototranzystora, jak i fotodiody.

Charakterystyka przejściowa transoptora Do pomiaru charakterystyk przejściowej transoptora użyliśmy układu pomiarowego, zbudowanego w oparciu o moduł O-01, oraz multimetry METEX M4650 oraz METEXE 4660A, według poniższego schematu: Schemat 3. Schemat połączeń do wyznaczania charakterystyk przejściowych transoptora. Dokonaliśmy następujących pomiarów: U CE [V] I i [ma] I O [ma] 4,899 ± 0,005 0,00 ± 0,03 0,00 ± 0,03 4,859 ± 0,005 1,19 ± 0,04 1,11 ± 0,04 4,899 ± 0,005 1,85 ± 0,04 2,08 ± 0,04 4,891 ± 0,005 2,43 ± 0,04 3,00 ± 0,05 4,915 ± 0,005 3,05 ± 0,05 4,00 ± 0,05 4,536 ± 0,005 3,67 ± 0,05 5,01 ± 0,06 4,919 ± 0,005 4,29 ± 0,05 6,04 ± 0,06 4,915 ± 0,005 4,87 ± 0,05 7,00 ± 0,07 4,911 ± 0,005 5,51 ± 0,06 8,02 ± 0,07 4,872 ± 0,005 6,15 ± 0,06 9,06 ± 0,08 4,886 ± 0,005 6,75 ± 0,06 10,00 ± 0,08 4,963 ± 0,005 7,40 ± 0,07 11,01 ± 0,09 4,915 ± 0,005 8,10 ± 0,07 12,00 ± 0,09 4,914 ± 0,005 8,87 ± 0,07 13,00 ± 0,1 4,885 ± 0,005 9,80 ± 0,08 14,00 ± 0,1 4,880 ± 0,005 11,03 ± 0,09 14,94 ± 0,1 4,399 ± 0,005 12,55 ± 0,09 16,01 ± 0,1 4,452 ± 0,005 14,42 ± 0,1 17,00 ± 0,1 4,373 ± 0,005 16,62 ± 0,1 17,98 ± 0,1 4,612 ± 0,005 19,26 ± 0,1 19,00 ± 0,1 4,494 ± 0,005 19,52 ± 0,1 19,07 ± 0,1 Tabela 3. Tabela pomiarów dla charakterystyk przejściowych transoptora. Na podstawie uzyskanych danych możemy wykreślić charakterystykę przejściową transoptora:

przekładnia transoptora N = Io/Ii 20 18 16 14 12 If [ma] 10 8 6 4 2 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Ii [ma] Wykres 5. Charakterystyka przejściowa transoptora I O = f 5(I i) Charakterystyka przejściowa pozawala na wyznaczenie wzmocnienia transoptora N: N = I O I i (1) 1,6 1,4 1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Ii [ma] Wykres 6. Wykres przekładni prądowej transoptora N = I O/I i w funkcji I i

Niemalże liniowa zależność prądu na wejściu od prądu na wyjściu w badanym transoptorze sugeruje dobrą jakość przenoszenia sygnału analogowego przez ten element optoelektroniczny. Stąd wniosek, że transoptory można wykorzystać do przenoszenia zarówno sygnałów analogowych, jak i cyfrowych, co z resztą szeroko jest wykorzystywane w praktyce. Badanie właściwości dynamicznych transoptora Do badania właściwości dynamicznych transoptora użyliśmy układu pomiarowego, zbudowanego w oparciu o moduł O-01, generatora funkcyjnego DF1641A oraz oscyloskopu GOS-620, według poniższego schematu: Schemat 4. Schemat połączeń do obserwacji zniekształceń sygnałów cyfrowych wnoszonych przez transoptor. Po wybraniu przebiegu prostokątnego, optymalnej amplitudy, przy (480 ± 4) Hz otrzymaliśmy wyraźny sygnał, bez zniekształceń Oscylogram 1. Sygnał bez zniekształceń przy f = 480 Hz CH1: 1V/DIV, CH2: 0,5V/DIV, TIME: 0.1mS/DIV Wyraźne zniekształcenia sygnału na wyjściu transoptora zaobserwowaliśmy przy częstotliwości f = (8,79 ± 0,07)kHz

Oscylogram 2. Sygnał zniekształcony, przy f = 8,79 CH1: 1V/DIV, CH2: 0,5V/DIV, TIME: 0.1mS/DIV Następnie połączyliśmy wejście oscyloskopu Y2 z wyjściem komparatora oraz podłączyliśmy wejścia komparatora przy użyciu zworek zgodnie z poniższym schematem: Schemat 5. Schemat połączeń do obserwacji odtwarzania kształtu sygnału cyfrowego przez komparator. Nie zmieniając częstotliwości na generatorze otrzymaliśmy następujący obraz przebiegu:

Oscylogram 3. Sygnał prostokątny f = odtwarzany przez komparator. CH1: 1V/DIV, CH2: 1V/DIV, TIME: 20μS/DIV Obracając gałką potencjometru P spróbowaliśmy uzyskać na wyjściu komparatora sygnał o kształcie wypełnienia zbliżonym do sygnału wejściowego: Oscylogram 4. CH1: 1V/DIV, CH2: 1V/DIV, TIME: 20μS/DIV Maksymalna zaobserwowana przez nas częstotliwość, dla której sygnał na wyjściu komparatora przypomina sygnał początkowy wynosi: f = (16,8 ± 0,4)kHZ Uzyskanych przebiegi nie są na tyle dokładne, by określić czas propagacji sygnały puszczonego przez układ transoptora z komparatorem. Układ można wysterować w taki sposób, by czas propagacji sygnału puszczonego przez ten układ był bliski czasowi propagacji oryginalnego przebiegu.