Repetytorium dyplomowe

Podobne dokumenty
1. Generator LC lub RC generuje na swoim wyjściu przebieg sinusoidalny ponieważ:

w układzie zastosowano obwód rezonansowy LC lub selektywny RC. DOBRA

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Wzmacniacze selektywne Filtry aktywne cz.1

Spis treści Przełączanie złożonych układów liniowych z pojedynczym elementem reaktancyjnym 28

Układy elektroniczne II. Modulatory i detektory

Wzmacniacze operacyjne

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze

f = 2 śr MODULACJE

Laboratorium Elektroniki

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające Wiadomości podstawowe Budowa wzmacniaczy pośredniej częstotliwości

Wzmacniacz operacyjny

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

Lekcja 20. Temat: Detektory.

1. Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkiej częstotliwości 2. Generatory drgań sinusoidalnych

Sztuka elektroniki. Cz. 1 / Paul Horowitz, Winfield Hill. wyd. 10. Warszawa, Spis treści

Przebieg sygnału w czasie Y(fL

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Realizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych. Instytut Automatyki PŁ

Politechnika Białostocka

1. Modulacja analogowa, 2. Modulacja cyfrowa

(1.1) gdzie: - f = f 2 f 1 - bezwzględna szerokość pasma, f śr = (f 2 + f 1 )/2 częstotliwość środkowa.

Wzmacniacz operacyjny

Demodulowanie sygnału AM demodulator obwiedni

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Politechnika Białostocka

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)

Politechnika Białostocka

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Kierunek: Elektronika i Telekomunikacja AGH Kraków

Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1.

Podstawowe układy elektroniczne

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE

WZMACNIACZ OPERACYJNY

Liniowe układy scalone. Filtry aktywne w oparciu o wzmacniacze operacyjne

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Demonstracja: konwerter prąd napięcie

Generatory. Podział generatorów

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ujemne sprzężenie zwrotne, WO przypomnienie

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Liniowe układy scalone

Politechnika Białostocka

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Politechnika Białostocka

Wzmacniacze operacyjne.

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy

Projekt z Układów Elektronicznych 1

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/12

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

ELEKTRONIKA W EKSPERYMENCIE FIZYCZNYM

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.

UNIWERSALNE ZESTAWY LABORATORYJNE. Dokumentacja. Katedra Systemów Telekomunikacyjnych i Optoelektroniki Politechnika Poznańska

Wzmacniacz operacyjny

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL

Detekcja synchroniczna i PLL

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Dobór współczynnika modulacji częstotliwości

Temat: Wzmacniacze selektywne

I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Własności dynamiczne przetworników pierwszego rzędu

Rozwinięcie funkcji modulującej m(t) w szereg potęgowy: B PM 2f m

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Generatory drgań sinusoidalnych LC

10. Demodulatory synchroniczne z fazową pętlą sprzężenia zwrotnego

Ogólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym

Spis treści 3. Spis treści

Liniowe układy scalone

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,

Transkrypt:

Repetytorium dyplomowe AUE I & AUE II Sylwia Borcuch Przemysław Stolarz

1. Wielkosygnałowy model Shichmana Hodgesa tranzystora N-MOS w obszarze liniowym obowiązuje w przedziale napięć: Przykładowa odpowiedź: dla UGS > UT i UDS > UGS UT POPRAWNA odpowiedź: dla UGS > UT i 0 < UDS < UGS UT Elementy i układy elektroniczne str. 102 1/47

2. Transkonduktancję gm w małosygnałowym modelu tranzystora MOSFET można wyznaczyć przy: Przykładowa odpowiedź: składowej stałej napięcia UDS = UGS UT POPRAWNA odpowiedź: składowej stałej napięcia UDS = const Elementy i układy elektroniczne str. 98 2/47

3. Częstotliwość graniczną ft tranzystora MOSFET wyznacza się przy: Przykładowa odpowiedź: galwanicznym zwarciu drenu ze źródłem dla składowej zmiennej POPRAWNA odpowiedź: składowej zmiennej napięcia Uds = 0 Częstotliwość odcięcia (cut-off) jest częstotliwością przy której prąd wejściowy jest równy prądowi źródła sterowanego tranzystora przy zwartym wyjściu. Elementy i układy elektroniczne str. 109 3/47

4. Charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w konfiguracji OE: Przykładowa odpowiedź: przecinają się z osią UCE w początku układu współrzędnych IC=f(UCE) POPRAWNA odpowiedź: ekstrapolowane charakterystyki wyjściowe tranzystora w konfiguracji OE przecinają się z osią Uce w punkcie Uan, gdzie Uan to napięcie Early ego. Elementy i układy elektroniczne str. 71 4/47

5. Dla małosygnałowego modelu tranzystora bipolarnego: Przykładowa odpowiedź: zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego β wyznacza się przy galwanicznym zwarciu na wyjściu kolektora z emiterem Elementy i układy elektroniczne str. 80-81, 84 POPRAWNA odpowiedź: konduktancja wejściowa jest dużo większa niż konduktancja wyjściowa 5/47

6. Pomiędzy częstotliwościami granicznymi fα, fβ, ft tranzystora bipolarnego zachodzą relacje: Przykładowa odpowiedź: fβ < fα < ft POPRAWNA odpowiedź: fβ < ft < fα Elementy i układy elektroniczne str. 86 6/47

8. Proste (Rys.1) i kaskodowe (Rys.2) lustro prądowe na tranzystorach bipolarnych. Minimalne napięcia wyjściowe w tych lustrach w przybliżeniu wynoszą: Rys.1Rys.2 Elementy i układy elektroniczne str. 164, 169 Przykładowa odpowiedź: Rys.1) UOUTmin = UEBP 0,7 V Rys.2) UOUTmin = 2UEBP 1,4 V 7/47

11. We wzmacniaczach RC, jeśli w tranzystorze nie uwzględnimy oddziaływania zwrotnego z wyjścia na wejście, to w konfiguracjach OE (Rys.5) lub OS (Rys.6) prawdziwe są zależności: Przykładowa odpowiedź: wraz ze zwiększaniem rezystancji źródła sterującego Rg rośnie rezystancja wejściowa wzmacniacza. Proponowane odpowiedzi: - rezystancja obciążenia RL nie ma wpływu na rezystancję wejściową wzmacniaczy, - wartości R1, R2 wpływają na skuteczne wzmocnienie napięciowe, - rezystancja RE ma wpływ na wzmocnienie dla małych częstotliwości - rezystancja wyjściowa nie zależy od obciążenia RL Elementy i układy elektroniczne str. 193, 194 8/47

12. W układzie na poniższym rysunku mamy: RC = 12 kω, RL = 12 kω, rbe = 4 kω, rce= 100 kω, rezystancje dzielnika R1 = 300 kω i R2 = 80 kω, Rg = 4 kω, współczynnik wzmocnienia prądowego β =100. Elementy i układy elektroniczne str. 193, 194 Skuteczne wzmocnienie napięciowe w tym układzie wynosi: Przykładowa odpowiedź: kus = 65 POPRAWNA odpowiedź: kus 70 (dokładnie - 68.58),, gdzie, gdzie skuteczne wzmocnienie napięciowe: 9/47

14. Wzmacniacz OS z obciążeniem aktywnym ze źródłem stałoprądowym na tranzystorach PMOS z kanałem wzbogacanym. Transkonduktancje tranzystorów są równe: gmn = 0,1 ms dla NMOS, gmp = 0,15 ms dla PMOS oraz konduktancje wyjściowe: gdsn = gdsp = 0,005 ms. Rezystancja obciążenia RL = 200 kω. Wzmocnienie i rezystancja wyjściowa układu są równe: Przykładowa odpowiedź: ku 10 ; rout 100 kω POPRAWNA odpowiedź: ku 6.67 ; rout = 100 kω 10/47

15. Inwerter CMOS jako małosygnałowy wzmacniacz OS. Transkonduktancje obydwóch tranzystorów są równe: gmn = 0,15 ms dla NMOS, gmp = 0,15 ms dla PMOS oraz konduktancje wyjściowe: gdsn = gdsp = 0,004 ms. Rezystancja obciążenia RL = 300 kω. Wzmocnienie i rezystancja wyjściowa układu są równe: Przykładowa odpowiedź: ku 13,28 ; rout 88,23 kω POPRAWNA odpowiedź: ku 26,47 ; rout = 125 kω 11/47

18. Wzmacniacz różnicowy z obciążeniem w postaci lustra prądowego na tranzystorach pnp (Rys. b)). Dla tego wzmacniacza poprawne są informacje: Przykładowa odpowiedź: Różnicowe napięcie na wyjściu niesymetrycznym Uo ma taką samą wartość jak napięcie różnicowe na wyjściu symetrycznym w układzie z obciążeniem symetrycznym (np. w postaci dwóch identycznych rezystorów RC). POPRAWNA odpowiedź: Składowa sumacyjna na wyjściu niesymetrycznym jest prawie całkowicie wyeliminowana, gdyż składowe sumacyjne tranzystorów T2 i T4 mają przeciwne znaki. Elementy i układy elektroniczne str. 251 12/47

19. Wzmacniacz różnicowy z obciążeniem w postaci lustra prądowego na tranzystorach PMOS (Rys. c)). Parametry wzmacniacza: gm1,2 = 0,2 ma/v ; gds1,2 = 0,002 ma/v ; gds3,4= 0,003 ma/v, układ zostanie obciążony rezystancją RL = 300 kω. Wzmocnienie dla sygnałów różnicowych UG1 = Ur ; UG2 = 0) i rezystancja wyjściowa wynoszą: k ur g ds2 g g m1 ds4 G L R o g ds2 1 g ds4 Przykładowa odpowiedź: kur 24,01 ; Ro 120,48 kω POPRAWNA odpowiedź: kur 24 ; Ro = 200 kω 13/47

20. Wzmacniacz operacyjny ze sprzężeniem prądowym, zrealizowanym na symetrycznym wzmacniaczu prądowym o częstotliwości granicznej 10 MHz i wzmocnieniu stałoprądowym ki = 4,1 w którym zastosowano: R1 = 10 kω, R2 = 50 kω (rysunek poniżej). 3dB-owa częstotliwość graniczna układu nieodwracającego wynosi: Przykładowa odpowiedź: fg = 50 MHz POPRAWNA odpowiedź: fg = 51 MHz f g f k 1 14/47

23. Symetryczny wtórnik emiterowy w klasie A (rysunek obok) : Spośród podanych informacji prawdziwe są? Elementy i układy elektroniczne str. 200 Przykładowa odpowiedź: Przy ui = 0, uo = UEBP 0 [V] Proponowane odpowiedzi: - napięcie ui może być dołączone poprzez kondensator sprzęgający, - w układzie zastosowano wstępną polaryzację tranzystorów za pomocą spadków napięć na diodach D1 i D2 15/47

24. We wzmacniaczu, którego wzmocnienie ku = 100, fg = 1 MHz zastosowano ujemne sprzężenie zwrotne, w którym transmitancja toru sprzężenia zwrotnego β = 0,01. Po zastosowaniu tego sprzężenia, parametry wzmacniacza będą wynosiły: Przykładowa odpowiedź: kuf = 10, fgf = 1,5 MHz POPRAWNA odpowiedź: kuf = 50, fgf = 2 Mhz Elementy i układy elektroniczne str. 220, 229 16/47

29. Wzmacniacze odwracający i nieodwracający, zrealizowano na wzmacniaczach operacyjnych (rysunek poniżej). Przy R1 = 10 kω; R2 = 100 kω; wzmocnienia układów wynoszą: układ odwracający; układ nieodwracający: Przykładowa odpowiedź: kuf = 10 kuf = 10 POPRAWNA odpowiedź: kuf = 10 kuf = 11 Elementy i układy elektroniczne str. 276, 279 Dla odwracającego: Dla nieodwracającego: 17/47

30. W integratorze (rysunek poniżej) zrealizowanym na rzeczywistym wzmacniaczu operacyjnym ( z kompensacją biegunem dominującym), ωg = 500 sec( ¹) ; ωt = 500 10⁵sec( ¹) ; R1 = 10 kω; C = 10 nf; całkowanie zachodzi w paśmie: Przykładowa odpowiedź: POPRAWNA odpowiedź: {0,5 10 {1 10 sec sec 50010 50010 sec sec 9 ( 1) 5 ( 1) 1 ( 1) 5 ( 1) } } 18/47

31. Transmitancje filtrów bikwadratowych są następujące: dolno-przepustowej, górno-przepustowej, środkowo-przepustowej, środkowo-zaporowej Przykładowa odpowiedź: Elementy i układy elektroniczne str. 290 błędna odpowiedź dla filtru górno-przepustowego 19/47

32. Częstotliwość rezonansowa stratnego obwodu rezonansowego jest równa f0=10mhz, zaś jego dobroć Q0=20. Moduł impedancji Z tego obwodu rezonansowego maleje o 3 db względem wartości f0 przy częstotliwościach: Przykładowa odpowiedź: f1 = 9,85 MHz; f2 = 10,15 MHz POPRAWNA odpowiedź: f1 = 9,75 MHz; f2 = 10,25 MHz Elementy i układy elektroniczne str. 334 20/47

37. W układzie z ograniczeniem prądu obciążenia (rysunek poniżej): UIN = 10 V, UOUT = 5 V, UZ2 = 3,3 V, UBEP = 0,7 V, UD = 0,7 V, IOUTmax = 0,5 A. Rezystancja R5 powinna być równa: Przykładowa odpowiedź: R5 = 6,6 Ω Elementy i układy elektroniczne str. 420 21/47

39. Podstawowy układ sterowanego kontrolera napięcia stałego obniżającego napięcie (rysunek poniżej). Przy: UIN = 340 V, aby wartość napięcia wyjściowego wynosiła 24 V współczynnik wypełnienia przebiegu sterującego γ powinien wynosić: Przykładowa odpowiedź: γ 0,0706 V POPRAWNA odpowiedź: γ 0,0706 U O U I Elementy i układy elektroniczne cz. II str. 382 22/47

40. Podstawowy układ konwertera podwyższającego napięcie wyjściowe (rysunek poniżej). Przy UIN = 12 V i współczynniku wypełnienia przebiegu sterującego γ = 0,4 wartość napięcia wyjściowego wynosi: Przykładowa odpowiedź: UO = 10 V POPRAWNA odpowiedź: UO = 20 V U O U I 1 T U I 1 T 1 Elementy i układy elektroniczne cz. II str. 387 23/47

42. Współbieżny konwerter napięcia stałego z pojedynczym kluczem i dodatkowym uzwojeniem z3 (rysunek poniżej). W układzie UIN = 320 V; z1 = z3; z2 = 0,1 z1. Przy współczynniku wypełnienia przebiegu sterującego γ = 0,4 wartość napięcia wyjściowego wynosi: Przykładowa odpowiedź: UO = 16,2 V POPRAWNA odpowiedź: UO = 12,8 V U O U p I dla I O I Okr Elementy i układy elektroniczne cz. II str. 396 24/47

44. W stabilizatorach impulsowych jako klucze stosuje się: Przykładowa odpowiedź: Najczęściej tranzystory mocy VDMOS przy dużych częstotliwościach kluczowania i diody Schottky ego. Proponowane odpowiedzi: - szybkie tranzystory bipolarne (nie przy dużych częstotliwościach i mocach), - tranzystory IGBT przy większych mocach Wykład 10. Zasilacze impulsowe slajd 42 25/47

I

I 3. Generatory kwarcowe. Prawdziwe są informacje: Przykładowa odpowiedź: W generatorach Pierce a rezonator kwarcowy pracuje jako zastępcza indukcyjność Lz, o wartości szybko rosnącej z częstotliwością (praca w przedziale pulsacji ωs ωm ). Proponowane odpowiedzi: -generatory, w których rezonator wykorzystany jest jako selektywny element sprzęgający o małej rezystancji (praca przy pulsacji ωs) to generatory Butlera, - generatory, w których rezonator pracuje jako zastępcza indukcyjność Lz, o wartości szybko rosnącej z częstotliwością (praca w przedziale pulsacji ωm ωr ) to generatory Pierce a. Elementy i układy elektroniczne cz. II str. 64 26/47

I 4. Generatory RC ze sprzężeniem zwrotnym. Prawdziwe są informacje? Przykładowa odpowiedź: W generatorze CR z mostkiem podwójne TT, ujemne sprzężenie zwrotne realizowane jest poprzez gałąź selektywną typu podwójne TT, a dodatnie poprzez dzielnik rezystancyjny w celu spełnienia warunku amplitudowego drgań oraz stabilizacji amplitudy tych drgań. Proponowane odpowiedzi: - częstotliwość w tych generatorach jest odwrotnie proporcjonalna do iloczynu RC - generatory RC nie są powszechnie stosowane jako generatory wzorcowej częstotliwości, ze względu na małą stabilność częstotliwościową - w generatorze RC z mostkiem Wiena, ujemne sprzężenie zwrotne realizowane jest poprzez nieliniowy dzielnik rezystancyjny w celu stabilizacji amplitudy drgań, a dodatnie sprzężenie zwrotne poprzez gałąź selektywną typu połowa mostka Wiena. Elementy i układy elektroniczne cz. II, str. 66 27/47

5. Układy transkonduktancyjne. Prawdziwe są informacje: Przykładowa odpowiedź: W układzie pojedynczo zrównoważonym Proponowana odpowiedź: W układzie podwójnie zrównoważonym AUE II T X u Y u 2, ; 2 2 2 0 0 2 T Y X C m T X C T X C y m R u u R g u R I u tgh R u g I u ; 4 2 2 2 0 0 2 Y X T C T X T X C R u u R I u tgh u tgh R I u T X u Y u 2, 28/47

I 6. Linearyzacja charakterystyk układu mnożącego w układzie Gilberta (rysunek poniżej) wymaga spełnienia warunków: Przykładowa odpowiedź: i i 2 1 i i A B Proponowana odpowiedź: i 1 i const, i 2 A i B const Elementy i układy elektroniczne cz. II, str. 88 29/47

I 7. Podstawowe układy logarytmiczne (rysunek poniżej). Prawdziwe są informacje? Przykładowa odpowiedź: Główną wadą prostego układu logarytmicznego jest silna zależność jego charakterystyki statycznej od temperatury, spowodowanej zmianami ϕt oraz IES. Proponowane odpowiedzi: - zmiana tranzystora npn na tranzystor pnp pozwala na realizację charakterystyki logarytmicznej dla ui < 0 (rys. b), - umieszczenie tranzystora w pętli sprzężenia zwrotnego wzmacniacza powoduje wzrost wzmocnienia napięciowego pętli i może być przyczyną niestabilności układu logarytmicznego. Elementy i układy elektroniczne cz. II, str. 98 30/47

I 9. Komparatory zatrzaskowe. Prawdziwe są informacje? Przykładowa odpowiedź: Współczesne komparatory zatrzaskowe charakteryzują się dużą szybkością działania, ale małą rozdzielczością. Elementy i układy elektroniczne cz. II, str. 121 Proponowane odpowiedzi: - w komparatorze zatrzaskowym stosuje się przedwzmacniacz poprzedzający stopień śledząco-zatrzaskowy dla uzyskania wyższej rozdzielczości, a także minimalizacji tzw. zjawiska szybkiego powrotu (kickback effects), - stopień śledząco-zatrzaskujący wzmacnia sygnał z wyjścia przedwzmacniacza do wyższego poziomu w fazie śledzenia, a następnie wzmacnia go jeszcze bardziej w fazie zatrzaskiwania, gdzie zastosowane jest dodatnie sprzężenie zwrotne, - w komparatorze zatrzaskowym w stopniu końcowym stosuje się dodatnie sprzężenie zwrotne, - zjawisko kickback w komparatorach zatrzaskowych oznacza transfer ładunku albo do lub z wejścia, gdy stopień śledząco-zatrzaskujący przechodzi z fazy śledzenia do fazy zatrzaskiwania i wywoływany przez ładunek potrzebny do załączenia tranzystorów w obwodzie dodatniego sprzężenia zwrotnego, a także przez ładunek który musi być usunięty z wyłącznych tranzystorów w obwodzie śledzącym. 31/47

I 10. Komparatory z histerezą odwracającą i nieodwracającą zostały zrealizowane na wzmacniaczach operacyjnych, w których VOL = 4 V; VOH = + 4 V; R1 = 5,5 kω ; R2 = 50 kω. Progowe napięcia przełączania VTRP+ i VTRP w obu układach (rysunek poniżej) wynoszą: Przykładowa odpowiedź: POPRAWNA odpowiedź: TRP odwracający: R1 TRP R1 V UOH 0.4; V UOL 0. 4 R R R R 1 2 1 2 nieodwracający: TRP R1 TRP R1 V UOL 0.44; V UOH 0. 44 R R 2 2 32/47

I 11. Skokowo (od 300 khz do 340 khz) zwiększono częstotliwość synchronizującą generatora VCO w pętli pierwszego rzędu, o parametrach: Napięcie sterujące na wejściu VCO zmieni się ze stałą czasową τ równą? o wartość ΔUO równą? Przykładowa odpowiedź: τ = 0,5 ms ; ΔUO = 1 V POPRAWNA odpowiedź: τ = 2 ms ; ΔUO = 0,5 V 1 K U O i O k G Wykład 4. Układy z fazową pętlą sprzężenia zwrotnego - slajdy 20-22 33/47

I 12. Pętla fazowa w której zastosowano: wzmocnienie generatora VCO: kg = 2π 1 [rad] [MHz] [1/V]; wzmocnienie detektora fazy: kd = 50 10 ⁴ [V/rad]; transmitancja filtru H(ω = 0) = 1. Zakres trzymania tej pętli fazowej wynosi: Przykładowa odpowiedź: ΔωT = 3,14 khz POPRAWNA odpowiedź: ΔωT = 31,4 khz T k G k D H(0) Elementy i układy elektroniczne cz. II, str. 133 34/47

I 16. W dwupołówkowym prostowniku Graetza z obciążeniem rezystancyjno-pojemnościowym (stała czasowa obciążenia τ = RC >> 20 ms), zasilanym z sieci 230 V poprzez transformator sieciowy o przekładni obniżającej n = 23 (pominąć rezystancje uzwojeń i diod) średnia wartość napięcia na rezystancji obciążenia w przybliżeniu wynosi: Przykładowa odpowiedź: 10 V u POPRAWNA odpowiedź: 14 V s u n we, ze względu na obciążenie rezystancyjno-pojemnościowe u O 1, 4 u s Elementy i układy elektroniczne cz. II, str. 364-366 35/47

17. W prostowniku trójfazowym z obciążeniem rezystancyjnoindukcyjnym (stała czasowa obciążenia τ = L/R >> 20 ms ), zasilanym bezpośrednio z sieci 3x230 V średnia wartość napięcia na rezystancji obciążenia w przybliżeniu wynosi: Przykładowa odpowiedź: 191 V AUE II U sm u u s1 us2 u s 3 POPRAWNA odpowiedź: 269 V 0 2 3 t 5 sin 3 6 3 3 O U sm sin x dx 3 U sm 2 2 6 U U 0, 83U 3 sm sm i 6 i 1 i2 i3 i 1 5 6 9 6 13 17 6 6 i O t Wykład 2. Prostowniki niesterowane slajd 15 36/47

I 18. Zaletą stosowania modulacji przy przesyłaniu sygnałów są: Przykładowa odpowiedź: Możliwość rozdzielenia równocześnie przesyłanych sygnałów na tej samej częstotliwości nośnej (modulatory kwadraturowe). Proponowane odpowiedzi: - możliwość przekazania sygnałów oryginalnych na duże odległości przez kanał transmisyjny; warunkiem sprawnej transmisji jest, aby sygnał nadawany był widmowo dopasowany do kanału, - możliwość uodpornienia transmitowanych sygnałów na szumy i zakłócenia, - możliwość zwielokrotnienia sygnałów oryginalnych przesyłanych przez kanały poprzez zwielokrotnienie częstotliwościowe i czasowe, -modulacje są stosowane nie tylko do transmisji sygnałów (również w pomiarach i automatyce do zwiększenia dokładności pomiarów i sterowania). Wykład 5. Modulacja i demodulacja amplitudy slajd 6 37/47

I 19. Podstawowe rodzaje modulacji analogowych i cyfrowych. Wybierz prawidłowo zakwalifikowane modulacje: Przykładowa odpowiedź: Wykład 5. Modulacja i demodulacja amplitudy slajd 9 38/47

I 20. Dane są 4 funkcje modulujące (tabela poniżej). Prawidłowy zestaw modulacji AM dwuwstęgowej, jednowstęgowej, z falą nośną i bez fali nośnej odpowiadający poszczególnym funkcjom to: Przykładowa odpowiedź: POPRAWNA odpowiedź: Wykład 5. Modulacja i demodulacja amplitudy slajd 17 Funkcja modulująca 1 kxt kxt xt jxˆ t xt jxˆ t AM DSB AM DSB SC AM SSB SC górna wstęga AM SSB SC dolna wstęga 39/47

21. Prawidłowa kombinacja różnych rodzajów modulacji dla rzeczywistych funkcji przebiegów zmodulowanych (tabela poniżej) to: Przykładowa odpowiedź: AUE II POPRAWNA odpowiedź: 40/47

22. Szerokość pasma sygnału FM, w którym dewiacja częstotliwości wynosi 75 khz, wyznaczona na podstawie przybliżonego wzoru Carsona dla sygnałów modulujących o różnych częstotliwościach: 1 khz, 4 khz i 8 khz, wynosi: Przykładowa odpowiedź: AUE II POPRAWNA odpowiedź: BFM 2 S - przybliżony wzór Carsona Wykład 6. Modulacja i demodulacja częstotliwości slajd 18 41/47

23. Szerokość pasma sygnału PM, w którym dewiacja fazy ΔψPM = mφ = 5 jest stała, wyznaczona na podstawie przybliżonego wzoru Carsona dla sygnałów modulujących o różnych częstotliwościach: 1 khz, 4 khz i 8 khz, wynosi: Przykładowa odpowiedź: AUE II POPRAWNA odpowiedź: PM B 2 m 1 f S Wykład 6. Modulacja i demodulacja częstotliwości slajd 25 42/47

I 24. Nieprawdziwe są informacje? Przykładowa odpowiedź: Znaczną poprawę stosunku sygnału do zakłócenia systemu FM uzyskuje się przez deemfazę charakterystyki częstotliwościowej po stronie nadawczej i preemfazę charakterystyki częstotliwościowej po stronie odbiorczej. Proponowane odpowiedzi: - analiza sygnału PM przebiega identycznie jak sygnału FM przy założeniu, że sygnał modulujący jest całką sygnału informacyjnego, - systemy AM charakteryzuje duża odporność na zakłócenia, szumy i zanik selektywny, - najważniejsza różnica, decydująca o przewadze systemu PM nad systemem FM polega na tym, że szerokość pasma sygnału PM jest w przybliżeniu stała (dla różnych częstotliwości sygnału modulującego), - w porównaniu do systemów AM, systemy FM i PM charakteryzują się mniejszą odpornością na zakłócenia. Wykład 6. Modulacja i demodulacja częstotliwości slajd 33 43/47

I 25. W modulatorze bezpośrednim, wykorzystującym generator LC z dwójnikiem reaktancyjnym w postaci diody pojemnościowej, pomiędzy dewiacją częstotliwości ΔF, a częstotliwością nośną F0 musi zachodzić związek: Przykładowa odpowiedź: Układy elektroniczne cz. II, str. 331 44/47

I 28. Nie są prawdziwe następujące cechy synchronicznego demodulatora kluczowanego AM, porównując go z konwencjonalnymi detektorami diodowymi: Przykładowa odpowiedź: W przypadku sygnałów z równoczesną modulacją AM i FM, wielkość produktów intermodulacji między nośnymi jest dużo mniejsza. Proponowane odpowiedzi: - posiada większe szumy przy małych sygnałach, - charakteryzuje się mniejszą liniowością, - na wyjściu układu mnożącego demodulatora występują również niepożądane składniki, których widma są skoncentrowane wokół trzeciej harmonicznej częstotliwości nośnej, jednak ich odfiltrowanie nie stwarza problemów, - posiada gorsze właściwości szumowe od detektora wartości szczytowej. Układy elektroniczne cz. II, str. 358 45/47

I 29. Nie są prawdziwe informacje, dotycząca koincydencyjnego demodulatora FM podwójnie zrównoważonego (rysunek poniżej): Wykład 6. Modulacja i demodulacja częstotliwości slajdy 51-53 Przykładowa odpowiedź: Funkcję przesuwnika fazowego pełni układ złożony z kondensatora C i obwodu rezonansowego LC1 dostrojonego do częstotliwości nośnej F0 sygnału FM. Proponowane odpowiedzi: - działanie tego układu opiera się na analogowym mnożeniu dwóch sygnałów FM, z których jeden jest przesunięty względem drugiego o stały kąt ψ = const, - jest trudny do realizacji w technice scalonej, - sygnał modulujący, otrzymywany na wyjściu demodulatora, jest dwa razy mniejszy niż w przypadku demodulatora FM pojedynczo zrównoważonego. 46/47

I 30. Nie są prawdziwe informacje, dotyczące przemiany częstotliwości: Przykładowa odpowiedź: Operacja przemiany częstotliwości jest operacją nieliniową, analogiczną do procesu AM-S.C., z tą różnicą, że rolę sygnału modulującego odgrywa tutaj pasmowy sygnał użytkowy w. cz. o częstotliwości środkowej fs, na wyjściu zaś wykorzystywana jest tylko jedna wstęga boczna. Układy elektroniczne cz. II, str. 385-388 Proponowane odpowiedzi: - idealna przemiana częstotliwości polega na przesunięciu sygnału na osi częstotliwości z punktu fs do częstotliwości fp, nazywaną częstotliwością pośrednią, która najczęściej jest równa: fp = fh + fs, - wadą mieszacza podwójnie zrównoważonego jest to, że w sygnale wyjściowym występują składowe o częstotliwościach: fh i fs oraz nie występuje częściowa kompensacja składowych o częstotliwościach kombinacyjnych, - operacja przemiany częstotliwości jest operacją liniową, - nie zawsze występuje realne niebezpieczeństwo, że na wejściu mieszacza oprócz sygnału użytecznego przemiany pojawi się również sygnał lustrzany o częstotliwości: fl = fh + fp. 47/47

Dziękujemy za uwagę!