7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP

Podobne dokumenty
7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

Włączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;

Elementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Temat: Tyrystor i triak.

Rozmaite dziwne i specjalne

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE.

ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA

Rozmaite dziwne i specjalne

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR

Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Zasilacze: Prostowniki niesterowane, prostowniki sterowane

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

Zespół Szkół Technicznych im. J. i J. Śniadeckich w Grudziądzu

TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK

Półprzewodnikowe przyrządy mocy

DANE: wartość skuteczna międzyprzewodowego napięcia zasilającego E S = 230 V; rezystancja odbiornika R d = 2,7 Ω; indukcyjność odbiornika.

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Dioda półprzewodnikowa

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (IGBT)

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Wiadomości podstawowe

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy.

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Badanie układów prostowniczych

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

TYRYSTOROWY ŁĄCZNIK REGULATORA MOCY REZYSTANCYJNEGO URZĄDZENIA ELEKTROTERMICZNEGO

Dioda półprzewodnikowa

Ć w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH

Budowa. Metoda wytwarzania

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych

Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE WPROWADZENIE

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Przykładowe pytania do przygotowania się do zaliczenia poszczególnych ćwiczeń z laboratorium Energoelektroniki I. Seria 1

Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 12/17. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 05/18

ĆWICZENIE 3 BADANIE UKŁADÓW PROSTOWNICZYCH

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Białostocka

Przetwornica mostkowa (full-bridge)

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Stabilizatory impulsowe

5. Tranzystor bipolarny

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Diody półprzewodnikowe

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

Badanie diod półprzewodnikowych

Diody półprzewodnikowe

Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM

Modelowanie diod półprzewodnikowych

Rys. 1. Przebieg napięcia u D na diodzie D

Ćwicz. 4 Elementy wykonawcze EWA/PP

Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Transkrypt:

7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej rezystancji). 7.2. TYRYSTOR SCR Tyrystor, oznaczany symbolem SCR (Silicon Controlled Rectifier), jest przyrządem półprzewodnikowym o strukturze czterowarstwowej. Ma on trzy wyprowadzenia: anodę (A), katodę (K) i bramkę (G). Bramka jest elektrodą sterującą (rys.7.1). a) b) c) Rys. 7.1. Tyrystor: a) symbole graficzne, b) struktura, c) model dwutranzystorowy Charakterystyka prądowo-napięciowa tyrystora jest przedstawiona na rys.7.2. Wyróżnić w niej można zakresy dodatniej polaryzacji anody względem katody (pierwsza ćwiartka układu współrzędnych) i polaryzacji ujemnej (ćwiartka trzecia). W zakresie dodatniej polaryzacji anody tyrystor może znajdować się w dwóch stanach stabilnych, tj. stanie blokowania i stanie przewodzenia. W zakresie ujemnej polaryzacji anody tyrystor jest w stanie zaworowym. Stan zaworowy i blokowania są stanami wyłączenia tyrystora. Stan przewodzenia jest stanem włączenia tyrystora. W stanie zaworowym, przy ujemnym napięciu anoda-katoda, właściwości tyrystora są podobne do właściwości diody. Dopóki napięcie nie przekroczy pewnej granicznej dopuszczalnej wartości, dopóty przez tyrystor płynie niewielki prąd, którego wartość zależy od temperatury złącza. Zdolność zaworowa tyrystora jest ograniczona powtarzalnym szczytowym napięciem wstecznym URRM i niepowtarzalnym szczytowym napięciem wstecznym URSM. W stanie blokowania, przy dodatnim napięciu anoda-katoda, gdy prąd bramki nie płynie (IG=0), przebieg charakterystyki jest podobny jak w stanie zaworowym. Przekroczenie napięcia UBO powoduje przełączenie tyrystora w stan przewodzenia. Przełączenie tyrystora w stan przewodzenia przy napięciu mniejszym niż UBO wymaga przepływu prądu bramki o wartości tym większej, im mniejsze jest napięcie pomiędzy anodą a katodą tyrystora. Wojciech Wawrzyński Podstawy Elektroniki Tyrystory 1

Rys. 7.2. Charakterystyka prądowo napięciowa tyrystora Stan blokowania tyrystora charakteryzowany jest takimi parametrami, jak: powtarzalnym szczytowym napięciem blokowania UDRM i niepowtarzalnym szczytowym napięciem blokowania UDSM. Wartości te nie powinny być przekraczane w warunkach normalnej eksploatacji. W stanie przewodzenia minimalna wartość prądu, jaki musi popłynąć tuż po przełączeniu ze stanu blokowania jest określona przez prąd załączenia IHS. Natomiast wartość graniczna prądu przy przejściu ze stanu przewodzenia do stanu blokowania nosi miano prądu podtrzymania IH. Gdy prąd anodowy tyrystora zmniejszy się poniżej tej wartości tyrystor przechodzi ze stanu przewodzenia w stan blokowania, zatem jest wyłączany. Maksymalna obciążalność prądowa tyrystora jest ograniczona prądem granicznym ITAVM (nie jest zaznaczony na charakterystyce). Jest to największa średnia wartość prądu tyrystora w kształcie półfali sinusoidy o częstotliwości 50 Hz w określonych warunkach chłodzenia. Rys.7.3. Rozkłady napięć na złączach tyrystora w stanie: a) zaworowym, b) blokowania, c) przewodzenia W stanie zaworowym (rys.7.3a) złącza j1 i j3 są spolaryzowane w kierunku zaporowym, a złącze j2 w kierunku przewodzenia. W miarę zwiększania napięcia przy pewnej jego wartości następuje przebicie złącza, przy czym w pierwszej kolejności przebija się złącze j1, a następnie Wojciech Wawrzyński Podstawy Elektroniki Tyrystory 2

złącze j3. Dzieje się tak z uwagi na niesymetryczne właściwości złączy wynikające z technologii produkcji. Charakterystyka tyrystora w zakresie przebicia jest podobna do charakterystyki diody. W stanie blokowania (rys.7.3b) złącza j1 i j3 są spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze j2 w kierunku zaporowym. W stanie przewodzenia (rys.7.3c) wszystkie złącza są spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Napięcie na złączu j2 ma przeciwną biegunowość i odejmuje się od spadków napięć na złączach pozostałych. Zasada pracy czterowarstwowej struktury tyrystora może być wyjaśniona na podstawie modelu zastępczego złożonego z dwóch tranzystorów p1-n1-p2 i n1-p2-n2 (rys.7.1c), otrzymanego przez myślowe rozsunięcie struktury przeciętej wzdłuż linii przerywanej jak na rys.7.1b. Przy dodatniej polaryzacji anody tyrystora w stanie blokowania, jak wcześniej wspomniano, złącza j1 i j3 są spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze j2 w kierunku zaporowym. Można uznać, że złącza: pierwsze (p1-n1) i trzecie (p2-n2) pełnią funkcje złączy emiterowych obu tranzystorów, a złącze drugie (n1-p2) jest wspólnym złączem kolektorowym. Analizując schemat zastępczy z uwzględnieniem pracy tranzystorów, można napisać układ równań: I C1 = α 1 I E1 + I CB01 (7.1) I C2 = α 2 I E2 + I CB02 (7.2) gdzie: α1 i α2 - współczynniki wzmocnienia prądowego dla tranzystorów w konfiguracji WB, ICB01 i ICB02 - prądy nasycenia złączy kolektorowych. Suma prądów kolektorów musi być równa prądowi anodowemu tyrystora, a zatem: I C1 + I C2 = I A (7.3) Można zauważyć, że: I E1 = I A (7.4) I E2 = I K = I A + I G (7.5) Wprowadzając oznaczenia: I C0 = I CB01 + I CB02 (7.6) Otrzymujemy: I A = I C0 + α 2 I G (7.7) 1 (α 1 + α 2 ) Przy małych wartościach prądu emitera tranzystora krzemowego współczynnik wzmocnienia α jest bardzo mały. Szybko natomiast wzrasta przy wzroście prądu. W warunkach blokowania, gdy nie jest dostarczany prąd bramki (IG=0) suma α1+α2 jest bardzo mała i prąd między anodą i katodą tyrystora równy jest prądowi nasycenia tranzystorów T1 i T2. Oddziaływanie zewnętrzne poprzez dostarczanie prądu bramki IG, będącego składową prądu bazy tranzystora T2, powoduje wzrost prądu emitera, a to z kolei wzrost wartości współczynników wzmocnienia. Jeśli suma wartości współczynników wzmocnienia α1+α2 jest bliska jedności, to jak wynika ze wzoru (7.7), prąd anodowy wzrasta teoretycznie do nieskończoności, tzn. tyrystor przechodzi do stanu przewodzenia i jego prąd jest ograniczony wyłącznie przez parametry obwodu zewnętrznego. Sterowanie prądem bramki jest podstawowym sposobem włączenia tyrystora, tj. spowodowania, że przechodzi on ze stanu blokowania do stanu przewodzenia. Z przebiegu charakterystyki (rys.7.2) wynika, że w zależności od wartości Wojciech Wawrzyński Podstawy Elektroniki Tyrystory 3

prądu bramki włączenie tyrystora może mieć miejsce przy różnych wartościach napięcia anoda-katoda. Im większa jest wartość prądu bramki, tym mniejsze jest napięcie anoda-katoda, przy którym następuje włączenie tyrystora. Włączenie tyrystora może nastąpić nie tylko na skutek sterowania prądem bramki, lecz także w wyniku: 1) wzrostu napięcia anodowego w stanie blokowania tyrystora do wartości, przy której zostanie zapoczątkowany proces przebicia lawinowego w zaporowo spolaryzowanym złączu j2 (napięcie UB0, rys.7.2), powoduje to wzrost prądu i przełączenie tyrystora do stanu przewodzenia, 2) skokowych zmian napięcia anodowego o dużej stromości narastania zboczy dua/dt; zaporowo spolaryzowane złącze j2 w stanie blokowania tyrystora ma określoną pojemność i przy odpowiednio dużej wartości dua/dt składowa zmienna przepływa przez tę pojemność powodując chwilowy wzrost prądu i w konsekwencji włączenie tyrystora, 3) przekroczenia dopuszczalnej temperatury złączy; przy wysokiej temperaturze prąd generacji cieplnej obu tranzystorów wzrasta do wartości powodującej przełączenie tyrystora, 4) promieniowania świetlnego. Bezpośrednie naświetlenie struktury złącza j2 powoduje generację par elektron-dziura, przez co wzrasta prąd powodując włączenie tyrystora. Wykorzystywane jest to z reguły w fototyrystorach, gdzie funkcję sterującą bramki przejmuje strumień świetlny padający przez okno w obudowie tyrystora. Wykorzystanie fototyrystorów zapewnia dobrą izolację elektryczną obwodu sterującego od obwodu silnoprądowego anoda - katoda tyrystora. Wyłączanie tyrystora SCR, tj. przejście ze stanu przewodzenia do stanu blokowania możliwe jest tylko w jeden sposób. Następuje to po zmniejszeniu jego prądu anodowego poniżej wartości prądu podtrzymania IH. Zwykle wyłączenie tyrystora następuje wskutek zmiany polaryzacji napięcia przemiennego zasilającego obwód anoda-katoda tyrystora lub w wyniku przejmowania prądu tyrystora przez inny obwód równoległy znajdujący się w jego układzie pracy. 7.3. TYRYSTOR GTO Tyrystor GTO (Gate Turn-Off) może być zarówno włączany, jak i wyłączany prądem bramki. Dodatni prąd bramki włącza go, a wyłącza prąd bramki o kierunku przeciwnym. Symbole graficzne tyrystora GTO podano na rys.7.4. Podobnie jak wcześniej omówiony tyrystor konwencjonalny SCR, tyrystor GTO ma strukturę czterowarstwową, ale różnice konstrukcyjne są bardzo duże. Polegają one m.in. na podziale katody na wiele segmentów otoczonych metalizowanym obszarem bramki, złożonej konstrukcji anody itd. Sposób działania tyrystora GTO jest w zasadzie podobny do tyrystora SCR i może być zilustrowany takim samym dwutranzystorowym modelem zastępczym (rys.7.1c). Praca przyrządu w stanie blokowania, proces przełączania w stan przewodzenia i charakterystyki są takie same, jak w przypadku tyrystora SCR (rys. 7.2). Wojciech Wawrzyński Podstawy Elektroniki Tyrystory 4

Rys. 7.4. Symbole graficzne tyrystora wyłączanego prądem bramki GTO Warunki wyłączania tyrystora przy wykorzystaniu bramki można przedstawić na podstawie zastępczego schematu dwutranzystorowego (rys.7.1c). Gdy tyrystor znajduje się w stanie przewodzenia, wówczas oba tranzystory składowe są w stanie nasycenia. Spełnione są wtedy warunki: dla tranzystora T1 warunek nasycenia IB1>(IC1/β01) i dla tranzystora T2 warunek nasycenia IB2>(IC2/β02). Jeżeli prąd bazy tranzystora T2 będzie krótkotrwale mniejszy od ww. wartości podtrzymującej nasycenie, to istnieją warunki, aby tranzystor T2 przeszedł w aktywny zakres pracy i w efekcie spowodował przełączenie tyrystora w stan blokowania. Niemniej, aby spowodować przełączenie tyrystora prądem bramki, to do tej elektrody musi być doprowadzone ujemne napięcie, celem odprowadzenia nadmiarowego ładunku zgromadzonego w jego obszarach. Proces wyłączania prądem bramki rozpoczyna się od doprowadzenia do bramki krótkotrwałego impulsu o wartości ujemnej. Amplituda tego impulsu prądowego musi być bardzo duża (ok. 20-30% wartości prądu anodowego), ale czas jego trwania może być niewielki (kilka do kilkunastu mikrosekund). Układ sterujący pracą tyrystora od strony bramki musi być dostosowany do przepływu dużych wartości prądu przy wyłączaniu tyrystora GTO, co wpływa znacząco na złożoność jego budowy. 7.4. TRIAK Triak jest tyrystorem dwukierunkowym. W jego strukturze można wyróżnić dwa tyrystory SCR połączone odwrotnie równolegle, przy czym mają one tylko jedną bramkę sterującą. Struktury te to: p1-n1-p2-n2 i p2-n1-p1-n4 (rys.7.5b). Triak ma trzy wyprowadzenia: anodę pierwszą A1, anodę drugą A2 i bramkę G (rys.7.5). a) b) Rys. 7.5. Triak: a) symbol graficzny, b) struktura przyrządu Charakterystyka prądowo-napięciowa triaka jest symetryczna względem punktu początku układu współrzędnych, zatem zarówno przy polaryzacji UA2>UA1 jak i UA2<UA1 triak może być w stanach blokowania i przewodzenia (rys.7.6). Wojciech Wawrzyński Podstawy Elektroniki Tyrystory 5

Rys. 7.6. Charakterystyka prądowo napięciowa triaka Istnieją następujące metody włączania triaka: 1. Gdy UA2>UA1 wówczas struktura p1-n1-p2-n2 pracuje jak klasyczny tyrystor. Dodatni prądowy impuls bramkowy IG>0 powoduje wzrost współczynników wzmocnienia do wartości bliskiej jedności, co przełącza triak ze stanu blokowania w stan przewodzenia. 2. Gdy UA2>UA1 i prąd bramkowy jest ujemny IG<0 wówczas prąd bazy tranzystora n1-p2- n3 (rys.7.5d) wprowadza triak w stan przewodzenia. 3. Gdy UA2<UA1 wówczas struktura p2-n1-p1-n4 pracuje jako klasyczny tyrystor a bramką jest złącze n3-p2. Doprowadzenie impulsu ujemnego bramki IG<0 przełącza triak ze stanu blokowania do stanu przewodzenia. 4. Gdy UA2<UA1 i impuls bramkowy jest IG>0, wówczas bramką jest złącze p2-n2 i wzrost prądu bramki włącza triak. Najlepsze właściwości wykazuje triak włączany pierwszą metodą, a najgorsze włączany metodą czwartą. Ze względu na połączenie odwrotne równoległe dwóch tyrystorów w strukturze triaka, jest on bardziej wrażliwy na zmiany stromości napięcia anodowego dua/dt co ogranicza jego zastosowania. Pracuje on zwykle z obciążeniami rezystancyjnymi i w ograniczonym zakresie w układach zawierających indukcyjności. Wyłączanie triaka następuje, gdy wartość prądu anodowego zmniejszy się poniżej wartości prądu podtrzymania IH. Wojciech Wawrzyński Podstawy Elektroniki Tyrystory 6