TRNZYSTOR IOLRNY. WSTĘ Celem ćwiczenia jest rntowanie wiadomości dotyczącyc zasad działania i właściwości tranzystorów ipolarnyc. Zasadnicza część ćwiczenia poświęcona jest zdejmowani carakterystyk statycznyc tranzystora ipolarneo pracjąceo w zadanej konfiracji. Równocześnie ćwiczący moą zapoznać się metodyką adania elementów półprzewodnikowyc i podstawowymi tecnikami pomiarowymi (dokładny pomiar prąd / dokładny pomiar napięcia). Wyniki pomiarów (po selekcji) są podstawą do wykreślenia wspomnianyc carakterystyk oraz wyznaczenia w zadanym pnkcie pracy tranzystora, wartości parametrów małosynałoweo, małoczęstotliwościoweo model zastępczeo.. OIS UKŁDU OMIROWEGO odstawę kład pomiaroweo stanowi panel, na którym znajdją się dwa relowane dzielniki napięcia słżące do stalenia odpowiednic warnków zasilania tranzystora. Oprócz teo zrealizowane są połączenia pozwalające dołączyć przyrządy pomiarowe oraz adany tranzystor w dowolnej konfiracji pracy. Scemat kład połączeń panela przedstawia rys.. E Z E Z Rys.. Scemat połączeń panela kład do zdejmowania carakterystyk tranzystora ipolarneo.
3. RZEIEG ĆWICZENI 3. omiar carakterystyk statycznyc tranzystora ipolarneo ołączyć kład pomiarowy stosownie do zadanej konfiracji pracy i typ tranzystora. Na rysnkac i 3 przedstawiono przykład idei kład połączeń, w przypadk tranzystora p-n-p odpowiednio w konfiracji wspólnej azy i wspólneo emitera. E E E C Rys.. Scemat kład do zdejmowania carakterystyk statycznyc tranzystora ipolarneo pracjąceo w konfiracji wspólnej azy. E C E Rys. 3. Scemat kład do zdejmowania carakterystyk statycznyc tranzystora ipolarneo pracjąceo w konfiracji wspólneo emitera. rzeprowadzić pomiary carakterystyk: - wejściowyc U f ( I ) dla minimm wartości U const., - oddziaływania wsteczneo U f ( U ) dla wartości I const., - przejściowyc I f ( I ) dla wartości U const., - wyjściowyc I f ( U ) dla 3 wartości I const.. odczas pomiarów zwrócić waę na wielkość mocy wydzielającej się na kolektorze tranzystora ay nie przekroczyć wartości maksymalnej C max. Na podstawie wyników pomiarów wykreślić na oddzielnym wykresie każdą z rodzin carakterystyk. W trakcie wykreślania należy ocenić waę poszczeólnyc pnktów i odrzcić te które nie przystają do carakter zależności.
3.. Wyznaczanie wartości parametrów małosynałoweo, małoczęstotliwościoweo model tranzystora Korzystając z wykreślonyc carakterystyk tranzystora w zadanym pnkcie pracy wyznaczyć wartości parametrów małosynałoweo, małoczęstotliwościowo model tranzystora o strktrze mieszanej ( ij ). oniżej przedstawiono metodę wyznaczania tyc parametrów na przykładzie konfiracji wspólneo emitera. U const. (3..) e U const i e. ce 0 U const. (3..) U Rys. 4. Sposó wyznaczania parametr e z carakterystyk wejściowyc tranzystora U I const. (3..3) e e I const i const.. I const. ce (3..4)
a) ) U U U U Rys. 5. Sposó wyznaczania parametr e z carakterystyk a) oddziaływania zwrotneo, ) wejściowyc. U const. (3..5) C ic U const i C e. ce 0 U const. (3..6) a) ) I C I C I I C C Rys. 6. Sposó wyznaczania parametr e z carakterystyk a) przejściowyc, ) wyjściowyc.
I const. (3..7) C ic I const i C e. 0 I const. ce (3..8) I C C Rys. 7. Sposó wyznaczania parametr e z carakterystyk wyjściowyc, 3.3 Zależność parametrów model o strktrze mieszanej () w konfiracji wspólnej azy i wspólneo emitera Związki łączące wartości parametrów model o strktrze mieszanej () w konfiracji wspólneo emitera i wspólnej azy przedstawiają poniższe zależności (3.3.) (3.3.4): e e e e (3.3.) (3.3.) (3.3.3) (3.3.4) dzie:
3.4 Wyznaczenie parametrów model o strktrze admitancyjnej () z macierzy o strktrze mieszanej () Związek między parametrami model o strktrze mieszanej () i admitancyjnej () przedstawiają zależności (3.4.) (3.4.4). (3.4.) (3.4.) dzie: (3.4.3) (3.4.4)