II edycja konkursu ELEKTRON

Podobne dokumenty
1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Spis treści Przełączanie złożonych układów liniowych z pojedynczym elementem reaktancyjnym 28

Finał IV edycji konkursu ELEKTRON zadania ver.0

Skrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet laboratoryjnych oraz zestawu elementów do budowy i badań układów elektronicznych

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

ELEKTROTECHNIKA. Zadanie 1. Zadanie 2. Zadanie 3. Urządzenie elektryczne, którego symbol przedstawia poniższy rysunek:

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Zaznacz właściwą odpowiedź

WZMACNIACZ OPERACYJNY. Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych. Rodzaj wzmacniacza Rezystancja wejściowa Rezystancja wyjściowa

Politechnika Białostocka

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

BADANIE FILTRÓW. Instytut Fizyki Akademia Pomorska w Słupsku

Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Politechnika Białostocka

Młody Super Elektryk Przykładowe pytania da gimnazjalistów na konkurs

Zjawiska w niej występujące, jeśli jest ona linią długą: Definicje współczynników odbicia na początku i końcu linii długiej.

Politechnika Białostocka

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody III stopnia

Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

TEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA:

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Wzmacniacz operacyjny

Dioda półprzewodnikowa

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2017 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?

Tranzystory i ich zastosowania

Politechnika Białostocka

TEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA:

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Tranzystor bipolarny wzmacniacz OE

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania: 01

symbol miernika amperomierz woltomierz omomierz watomierz mierzona

Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści

1 Układy wzmacniaczy operacyjnych

Tranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

TEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA:

Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE

Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2019 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

Sztuka elektroniki. Cz. 1 / Paul Horowitz, Winfield Hill. wyd. 10. Warszawa, Spis treści

Politechnika Białostocka

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

R 1 = 20 V J = 4,0 A R 1 = 5,0 Ω R 2 = 3,0 Ω X L = 6,0 Ω X C = 2,5 Ω. Rys. 1.

Dioda półprzewodnikowa

Konstrukcja mostka mocy typu "H" opartego o układ HIP4081A Robert Szlawski

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne

Powtórzenie wiadomości z klasy II. Przepływ prądu elektrycznego. Obliczenia.

Realizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych. Instytut Automatyki PŁ

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Scalony stabilizator napięcia typu 723

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Ćw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Elektronika. Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne

Zaznacz właściwą odpowiedź

Karta katalogowa V E3XB. Moduł wejść/wyjść Snap. 18 (podzielone na dwie grupy) Typ wejść

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

IV. TRANZYSTOR POLOWY

I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI

Wzmacniacze operacyjne

ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

12.7 Sprawdzenie wiadomości 225

Budowa. Metoda wytwarzania

Opis przedmiotu zamówienia

Transkrypt:

ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław 18 listopada 2009 Czas trwania konkursu: 75 minut Witamy Cię. Otrzymujesz od nas 112 punktów tyle ile masz decyzji do podjęcia. Za kaŝdą poprawną odpowiedź dopisujemy Ci jeszcze 1 punkt, za błędną zabieramy 1 punkt. Pamiętaj, Ŝe kaŝda z odpowiedzi A, B, C, D moŝe być fałszywa lub prawdziwa. W czasie konkursu nie wolno uŝywać słowników, notatek, podręczników itp.. śyczymy przyjemnej pracy. Powodzenia! 1) Pojemność kondensatora zaleŝy od: zgromadzonego w tym kondensatorze ładunku powierzchni okładzin tego kondensatora wartości przyłoŝonego napięcia parametrów fizycznych materiału znajdującego się między jego okładzinami 2) Jednostką reaktancji indukcyjnej X L jest: Ohm Tesla Herc Henr 3) Na rysunku przedstawiono filtr: C=4 uf L=10 mh dolnoprzepustowy górnoprzepustowy środkowozaporowy środkowoprzepustowy 4) Cztery kondensatory o pojemności C=4000 pf kaŝdy połączono szeregowo. Wypadkowa pojemność powstałego układu wynosi: 1 nf 16000 pf 4000 pf 4 nf Łowcy Talentów JERSZ, ul. Dębowa 2, WILCZYN 55-120 OBORNIKI ŚLĄSKIE www.mat.edu.pl strona 1/6

5) Cztery rezystory o jednakowej rezystancji R równej 4 kω połączono jak na poniŝszym rysunku. Rezystancja między zaciskami A B wynosi: 1000 Ω 2000 Ω 4000 Ω 16 kω 6) W stanie rezonansu w szeregowym obwodzie RLC charakterystyczne jest, Ŝe: X L <0 i Xc =0 X L = 0 i Xc > 0 X L > 0 i Xc < 0 X L = Xc 7) Przez przewodnik o rezystancji R=10 Ω płynie prąd o natęŝeniu I=2,5 A. Spadek napięcia na tym przewodniku wynosi: 4 V 25 V 0,25 V 0,025 V 8) W poniŝszym układzie najmniejsze natęŝenie ma prąd: I1 I2 I3 I4 9) Grzejnik o rezystancji 3 Ω przyłączono do akumulatora o napięciu 12 V i rezystancji wewnętrznej równej 1 Ω. NatęŜenie prądu płynącego przez grzejnik wynosi: 4 A 3 A 12 A 36 A 10) Zwiększając dwukrotnie rezystancję głośnika przyłączonego do wzmacniacza mocy klasy B spowodujemy, Ŝe moc wydzielana w tym głośniku: nie ulegnie zmianie zmaleje 2 razy wzrośnie 2 razy wzrośnie 4 razy JERSZ Łowcy Talentów strona 2/6

11) Na przedstawionym schemacie ideowym element oznaczony przez T1 to: tranzystor unipolarny JFET tranzystor bipolarny npn tranzystor unipolarny MOSFET tranzystor bipolarny pnp 12) Które z przedstawionych połączeń tranzystorów to układ Darlingtona? układ 1 układ 2 układ 3 układ 4 13) Na rysunku przedstawiono układ diodowy realizujący funkcję: iloczynu logicznego negacji iloczynu logicznego sumy logicznej negacji sumy logicznej 14) PoniŜszy schemat przedstawia wzmacniacz operacyjny pracujący w układzie: komparatora napięcia wzmacniacza odwracającego fazę sygnału wzmacniacza nieodwracającego o wzmocnieniu 5 wtórnika napięciowego JERSZ Łowcy Talentów strona 3/6

15) W przedstawionym poniŝej wzmacniaczu ujemne sprzęŝenie zwrotne realizuje rezystor: R1 R2 R3 R4 16) PoniŜszy rysunek przedstawia fragment schematu stabilizatora napięcia z ograniczeniem prądowym (zrealizowanym za pomocą elementów R5 i T4). Tranzystor T4 będzie w stanie przewodzenia, gdy: I 5 R5 = 0 I R 0, 1V 5 5 I R 0, 7V 5 5 I R 0V 5 5 < 17) Podstawowa komórka układu scalonego CMOS zbudowana jest z: dwóch tranzystorów MOSFET o przeciwnym typie kanałów dwóch tranzystorów JFET o przeciwnym typie kanałów dwóch tranzystorów MOSFET o jednakowym typie kanałów dwóch tranzystorów JFET o jednakowym typie kanałów 18) Tranzystor unipolarny moŝe zostać uŝyty jako: wzmacniacz prostownik klucz elektroniczny generator 19) Zapisana w systemie dwójkowym liczba 1001 ma w systemie dziesiętnym postać: 9 16 2 1001 20) Przesłanie pakietu o rozmiarze 2 bajtów przez łącze telekomunikacyjne o przepustowości 1 bit/s potrwa: 20 s 16 s 2 s 1 s JERSZ Łowcy Talentów strona 4/6

21) Przedstawiony poniŝej układ realizuje funkcję logiczną zapisaną równaniem: a b+ c a+ b c a b+ c a+ b c 22) Termin okno telekomunikacyjne : określa maksymalną szybkość przesyłu danych przez łącze telekomunikacyjne to nazwa specjalnego okienka w budynku, przez które wprowadza się do niego łącza telekomunikacyjne określa minimalny przekrój poprzeczny włókna światłowodowego konieczny do przesłania informacji z ustalonej liczby kanałów telekomunikacyjnych określa długość fali światła, dla której występuje lokalne minimum na charakterystyce tłumienia światłowodu kwarcowego 23) Technologia optycznego zapisu informacji Blu-ray Disc: jest nową nazwą rynkową standardu Compact Disc wymaga nośników o niebieskim kolorze warstwy słuŝącej do zapisu danych wykorzystuje do zapisu danych laser wysyłający promieniowanie o takiej długości fali, którą ludzkie oko postrzega jako barwę niebieską wykorzystuje do odczytu danych laser wysyłający promieniowanie o takiej długości fali, którą ludzkie oko postrzega jako barwę niebieską 24) Matryca światłoczuła (CC cyfrowego aparatu fotograficznego: jest układem mikroelektronicznym zawierającym bardzo duŝą liczbę fotorezystorów jest układem mikroelektronicznym, w którym występuje sprzęŝenie ładunkowe umoŝliwia rejestrację kolorowych obrazów poniewaŝ na jej powierzchni umieszczone są filtry barw: Ŝółtej, fioletowej, brązowej umoŝliwia rejestrację kolorowych obrazów poniewaŝ na jej powierzchni umieszczone są filtry barw: czerwonej, zielonej, niebieskiej 25) Podstawowym parametrem oceny jakości systemów cyfrowych jest: stopa błędów zniekształcenia tłumieniowe tłumienność skuteczna zniekształcenia opóźnieniowe JERSZ Łowcy Talentów strona 5/6

26) Średnica pola modu i apertura numeryczna to parametry charakterystyczne dla: modulatora optycznego złącza światłowodowego sprzęgacza optycznego włókna światłowodowego 27) Procesor (CPU) komputera osobistego (P wykonany w technologii 45 nm: posiada tylko 45 wyprowadzeń wykonuje 45 milionów operacji w ciągu sekundy zawiera tranzystory, których charakterystyczny wymiar wynosi 0,045 mikrometra zawiera 45 milionów tranzystorów 28) W jakiego rodzaju sieciach światłowodowych nie stosuje się światłowodów polimerowych: lokalnych sieciach telekomunikacyjnych lokalnych sieciach komputerowych sieciach telekomunikacyjnych dalekiego zasięgu sieciach czujnikowych w obiektach typu: statki, samoloty, samochody JERSZ Łowcy Talentów strona 6/6