EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016. Zadania z elektroniki na zawody I stopnia

Podobne dokumenty
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016. Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody III stopnia

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2016/2017. Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia

a) dolno przepustowa; b) górno przepustowa; c) pasmowo przepustowa; d) pasmowo - zaporowa.

Zaznacz właściwą odpowiedź

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Zaznacz właściwą odpowiedź (właściwych odpowiedzi może być więcej niż jedna)

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2014/2015. Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia

Zaznacz właściwą odpowiedź

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.

Politechnika Białostocka

X X. Rysunek 1. Rozwiązanie zadania 1 Dane są: impedancje zespolone cewek. a, gdzie a = e 3

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

TEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA:

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2017 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2013/2014

Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji. Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10.

Politechnika Białostocka

TEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA:

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

WYMAGANIA EDUKACYJNE I KRYTERIA OCENIANIA Z PRZEDMIOTU POMIARY W ELEKTROTECHNICE I ELEKTRONICE

U 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW

Projekt Układów Logicznych

Ćwiczenie 4 Badanie wpływu napięcia na prąd. Wyznaczanie charakterystyk prądowo-napięciowych elementów pasywnych... 68

Podstawowe informacje o przedmiocie (niezależne od cyklu) Podstawy elektroniki. Kod Erasmus Kod ISCED Język wykładowy

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

R 1 = 20 V J = 4,0 A R 1 = 5,0 Ω R 2 = 3,0 Ω X L = 6,0 Ω X C = 2,5 Ω. Rys. 1.

Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania: 01

LABORATORIUM ELEKTRONIKI I TEORII OBWODÓW

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2013/2014

1. Opis płyty czołowej multimetru METEX MS Uniwersalne zestawy laboratoryjne typu MS-9140, MS-9150, MS-9160 firmy METEX

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

Pomiar indukcyjności.

Sprzęt i architektura komputerów

Politechnika Białostocka

Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

PL B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

EGZAMIN MATURALNY Z MATEMATYKI

Tranzystor bipolarny wzmacniacz OE

MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia.

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

WFiIS CEL ĆWICZENIA WSTĘP TEORETYCZNY

TEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA:

Tranzystory bipolarne w układach CMOS

Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2

OCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWYCH MODELI DIOD SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

MGR Prądy zmienne.

Finał IV edycji konkursu ELEKTRON zadania ver.0

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

ELEKTROTECHNIKA. Zadanie 1. Zadanie 2. Zadanie 3. Urządzenie elektryczne, którego symbol przedstawia poniższy rysunek:

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/15

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2014/2015

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PISEMNA

Politechnika Białostocka

1 Ćwiczenia wprowadzające

Nanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Skrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet laboratoryjnych oraz zestawu elementów do budowy i badań układów elektronicznych

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Uniwersytet Pedagogiczny

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE. Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji LABORATORIUM.

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ARKUSZ EGZAMINACYJNY

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

1. Nadajnik światłowodowy

Cyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

Przetwarzania energii elektrycznej w fotowoltaice. Modelowanie autonomicznych systemów fotowoltaicznych przy użyciu oprogramowania PSpice

KONKURS FIZYCZNY DLA UCZNIÓW GIMNAZJÓW WOJEWÓDZTWA MAZOWIECKIEGO

Transkrypt:

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016 Zadania z elektroniki na zawody I stopnia Instrukcja dla zdającego 1. Czas trwania zawodów: 120 minut. 2. Test zawiera 16 zadań zamkniętych. 3. Do każdego zadania podane są cztery odpowiedzi: A, B, C, D. Tylko jedna odpowiedź jest poprawna. 4. Należy wybrać popraną odpowiedź i zaznaczyć ją krzyżykiem na karcie odpowiedzi. 5. Oceniane będą odpowiedzi tylko tych zadań, dla których zaznaczono tylko jedną odpowiedź (krzyżyk w odpowiedniej kratce). Zaznaczenie odpowiedzi, a potem jej przekreślenie będzie oceniane jako brak odpowiedzi. Z tego powodu, nie należy pochopnie udzielać odpowiedzi. 6. Za każdą prawidłową odpowiedź uzyskuje się jeden punkt. Maksymalna liczba punktów to 16. 7. Można korzystać z przyborów do pisania, rozdawanych kart brudnopisu, kalkulatorów i tablic matematycznych. Korzystanie z notebooków, telefonów komórkowych itp. jest zabronione. Życzymy powodzenia! Zadanie 1 Tranzystor MOS mocy o symbolu IRF840 pracuje w pewnym układzie elektronicznym w warunkach statycznych w punkcie pracy o współrzędnych U GS = 5 V, U DS =10 V oraz I D =5 A. Przy pomocy pirometru zmierzono temperaturę na obudowie tego tranzystora T c = 95 C. Wiedząc, że katalogowa wartość rezystancji termicznej tego tranzystora pomiędzy wnętrzem a obudową R thj-c jest równa 0,5 C/W, temperatura wnętrza T j tego tranzystora wynosi w przybliżeniu A. 70 C B. 95 C C. 120 C D. 132,5 C Zadanie 2 Akronim MESFET oznacza tranzystor polowy A. złączowy ze złączem p-n. B. złączowy ze złączem Schottky ego. C. z izolowaną bramką z kanałem wbudowanym. D. z izolowaną bramką z kanałem indukowanym.

Zadanie 3 Idealna dioda p-n pracuje w układzie jak na rysunku w temperaturze pokojowej. Wiedząc, że prąd nasycenia diody w tej temperaturze wynosi 10-10 A, napięcie u AB wynosi w przybliżeniu i = 1 A u AB A. 0 V B. 26 mv C. 0,6 V D. 0,8 V Zadanie 4 Wartość częstotliwości rezonansowej anteny typu dipol półfalowy o długości 1 m wynosi około A. 75 MHz B. 150 MHz C. 300 MHz D. 600 MHz Zadanie 5 Na rysunku pokazano prądowo-napięciową charakterystykę polikrystalicznego panelu fotowoltaicznego z zaznaczeniem punktu maksymalnej mocy (MPP) przy natężeniu napromienienia 1000 W/m 2 w temperaturze 25 C. Jaką sprawność ma ten panel, jeżeli jego powierzchnia wynosi 1,63 m 2. I (A) 9 8,4 MPP U (V) 31 38 A. 16% B. 21% C. 26% D. 34%

Zadanie 6 Jaką funkcję realizuje układ przedstawiony na rysunku? GND Y Z D0 D1 D2 S F( W, X, Y, Z) D3 2 1 2 0 W X A. F(W, X, Y, Z) (3, 5, 6, 7,11,13,15) B. F(W, X, Y, Z) (3, 5, 7,13, 15) C. F(W, X, Y, Z) (3, 4, 6, 7,11,13,15) D. F(W, X, Y, Z) (3, 6, 7,11,13,15) Zadanie 7 Zakładając, że wartość napięcia na diodzie w temperaturze 300 K wynosi Ud= 0,7 V, a temperaturowy współczynnik zmian tego napięcia wynosi -2mV/K, to wartość napięcia Ud na diodzie w temperaturze 420 K wynosi A. 0,94 V B. 0,46 V D. 0,36 V D. 0,78 V Zadanie 8 Indukcyjność dławika A. rośnie z kwadratem liczby zwojów. B. maleje z kwadratem liczby zwojów. C. maleje liniowo z liczbą zwojów. D. rośnie liniowo z liczbą zwojów. Zadanie 9 Częstotliwość rezonansu własnego cewki o indukcyjności L = 80 µh i pojemności własnej cewki Co = 40 pf wynosi A. ok. 28 MHz B. ok. 28 khz C. ok. 2,8 MHz D. ok. 2,8 GHz

Zadanie 10 Rezystancja dynamiczna diody Zenera, której charakterystykę przedstawiono na rysunku wynosi: U R [V] 12 10 3 19 I R [ma] A. 0,008 Ω B. 125 Ω C. 12,5 Ω D. 1000 Ω Zadanie 11 Układ z diodą LED o prądzie znamionowym równym 40 ma i napięciu znamionowym równym 2,8 V, która zasilana jest z 3 szeregowo połączonych baterii o napięciu 1,2 V każda, wymaga zastosowania rezystora szeregowego, zapewniającego poprawną pracę diody o wartości A. 160 Ω B. 20 Ω C. 58,3 Ω D. 70 Ω Zadanie 12. Rysunek przedstawia schemat translatora 4 bitowego naturalnego kodu binarnego na kod Gray a

Określić sygnał na wyjściach układu G 3, G 2, G 1, G 0, gdy na wejścia B 3, B 2, B 1, B 0 podamy odpowiednio sygnał 1 0 0 1 A.1 0 0 1 B. 1 0 1 1 C. 1 0 0 1 D. 1 1 0 1 Zadanie 13. Określić sygnał na wyjściu y (a, b, c, d) dla układu jak na rysunku a b c d y(a,b,c,d) A. b d a c B. b d a c C. b d a c D. b d a c Zadanie 14. Przerzutnik JK został połączony zgodnie z przedstawionym schematem, założyć że w chwili początkowej został on wyzerowany. GND "1" X J S CP K R Q Q X GND Układ A. zmienia swój stan po każdym opadającym zboczu zegarowym. B. podtrzymuje stan poprzedni. C. zmienia swój stan po każdym rosnącym zboczu zegarowym. D. przechodzi w stan 1 i w nim pozostaje.

Zadanie 15. Ile jest jedynek w zbiorze wyników funkcji "suma logiczna" opisanej na zbiorze trzech 1- bitowych liczb binarnych? A. 0 B. 1 C. 2 D. 7 Zadanie 16. Liczbę 46 10 w kodzie szesnastkowym zapisujemy jako A. 3 E 16 B. 2 F 16 C. 2 E 16 D. 2 D 16 Opracowali: Sprawdził: Zatwierdził: dr inż. Damian Bisewski Akademia Morska w Gdyni, dr inż. Kalina Detka Akademia Morska w Gdyni, dr inż. Krzysztof Kamiński Akademia Morska w Gdyni, dr inż. Krystyna Maria Noga Akademia Morska w Gdyni dr inż. Tomasz Talaśka Uniwersytet Technologiczno-Przyrodniczy w Bydgoszczy Przewodniczący Rady Naukowej Olimpiady dr hab. inż. Sławomir Cieślik, prof. nadzw. UTP