Zagrożenie dla urządzeń elektronicznych spowodowane wyładowaniami elektryczności statycznej

Podobne dokumenty
BADANIE WYŁADOWAŃ ELEKTROSTATYCZNYCH

Zasady oceny narażenia pracowników na pole elektrostatyczne

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU

Ładowarka samochodowa Typ LDR-10S

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

I0.ZSP APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ INSTRUKCJA OBSŁUGI (DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA)

XXIX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne

Ładowarka pakietów Typ LDR-10

LUPS-11ME LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r.

INSTRUKCJA OBSŁUGI. MINI MULTIMETR CYFROWY M M

LDPY-11 LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK POŁOŻENIA DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, czerwiec 1997 r.

LUPS-11MEU LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r.

Politechnika Białostocka

KTF 8 TESTER ELEKTRYCZNY

SEMINARIUM CZŁONKÓW KOŁA 43 SEP WROCŁAW r. PROWADZĄCY ANTONI KUCHAREWICZ

Pęseta R/C do SMD AX-503. Instrukcja obsługi

LDPS-11ME LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r.

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Maszyna elektrostatyczna [ BAP_ doc ]

OPIS OCHRONNY PL WZORU UŻYTKOWEGO

Moduły pamięci. Instrukcja obsługi

strona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI

DTR.ZSP-41.SP-11.SP-02 APLISENS PRODUKCJA PRZEMYSŁOWEJ APARATURY POMIAROWEJ I ELEMENTÓW AUTOMATYKI INSTRUKCJA OBSŁUGI

ELEKTRYCZNOŚĆ STATYCZNA (ESD)

LDPS-12ME LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, marzec 2003 r.

Jonizator 100A Instrukcja obsługi

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

INSTRUKCJA OBSŁUGI M9805G #02998 MULTIMETR CĘGOWY

Imię i nazwisko ucznia Data... Klasa...

Moduły pamięci Instrukcja obsługi

Czystość złączy światłowodowych a niezawodność sieci

Moduły pamięci. Instrukcja obsługi

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Politechnika Białostocka

Wzmacniacze prądu stałego

Moduły pamięci Instrukcja obsługi

GENERATORY KWARCOWE. Politechnika Wrocławska. Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

MULTIMETR CYFROWY AX-100

ETISURGE OGRANICZNIKI PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA W OSŁONIE POLIMEROWEJ OGRANICZNIKI PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA INZP W OSŁONIE POLIMEROWEJ ETISURGE

Podstawy fizyki wykład 8

LUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r.

PÓŁKA TELEKOMUNIKACYJNA TM-70 INSTRUKCJA OBSŁUGI

Moduły pamięci. Instrukcja obsługi

Trójfazowy wymuszalnik Wysokiego Napięcia " EMEX 2,5 kv " Instrukcja obsługi

Badania międzylaboratoryjne z zakresu właściwości elektrostatycznych materiałów nieprzewodzących stosowanych w górnictwie

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

DTR.SP-02 APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

INSTRUKCJA OBSŁUGI ZASILACZ PWS-100RB-2

Zjawiska w niej występujące, jeśli jest ona linią długą: Definicje współczynników odbicia na początku i końcu linii długiej.

Instrukcja obsługi miernika uniwersalnego MU-07L

Laboratoryjny multimetr cyfrowy Escort 3145A Dane techniczne

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM

Moduły pamięci Instrukcja obsługi

4. Funktory CMOS cz.2

Moduły pamięci Instrukcja obsługi

Klucz odpowiedzi. Konkurs Fizyczny Etap Rejonowy

Escort 3146A - dane techniczne

Instrukcja obsługi i montażu Modułu rezystora hamującego

Moduły pamięci Instrukcja obsługi

Przekładnik prądowy ISSN-70 Instrukcja eksploatacji

Pomiary rezystancji izolacji

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

Wzmacniacze operacyjne

Bezpieczne i niezawodne złącza kablowe średniego napięcia

Moduły pamięci. Instrukcja obsługi

Moduły pamięci Instrukcja obsługi

UKŁADY KONDENSATOROWE

Krótka informacja o bateriach polimerowych.

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Tranzystory i ich zastosowania

KIESZONKOWY MULTIMETR CYFROWY AX-MS811. Instrukcja obsługi

Porady dotyczące instalacji i użyteczności taśm LED

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Dodatki do wykładu. Franciszek Gołek

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

STACJA LUTOWNICZA 936. Instrukcja obsługi

KT 890 MULTIMETRY CYFROWE INSTRUKCJA OBSŁUGI WPROWADZENIE: 2. DANE TECHNICZNE:

TDWA-21 TABLICOWY DWUPRZEWODOWY WYŚWIETLACZ SYGNAŁÓW ANALOGOWYCH DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, listopad 1999 r.

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Politechnika Białostocka

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

Jonizator antystatyczny

Promieniowanie elektromagnetyczne w środowisku pracy. Ocena możliwości wykonywania pracy w warunkach oddziaływania pól elektromagnetycznych

Kondensator. Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych

Instytut Elektrotechniki i Automatyki Okrętowej. Część 11 Ochrona przeciwporażeniowa

INSTRUKCJA OBSŁUGI MIERNIK CĘGOWY #5490 DT-3368

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. RYSZARD KOPKA, Opole, PL WIESŁAW TARCZYŃSKI, Opole, PL

OGRANICZNIK PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA TYPU PROXAR-IN AC W OSŁONIE SILIKONOWEJ KARTA KATALOGOWA

Lekcja 43. Pojemność elektryczna

System MI 3295 pozwalający na pomiar napięć rażenia: napięcia krokowego i dotykowego firmy Metrel wykorzystuje nową metodę

Instrukcja obsługi ZM-PS Nr dok Strona 1/5 INSTRUKCJA OBSŁUGI

Transkrypt:

Leszek Kachel, Jan M. Kelner Instytut Telekomunikacji Wojskowa Akademia Techniczna Mieczysław Laskowski Instytut Radioelektroniki (WUSM) Politechnika Warszawska Zagrożenie dla urządzeń elektronicznych spowodowane wyładowaniami elektryczności statycznej W referacie omówiono stopień zagrożenia dla urządzeń elektronicznych ze strony ładunków elektrostatycznych. Impulsy ESD pomimo małej energii przenoszonej są zagrożeniem dla urządzeń, w których występują elementy półprzewodnikowe o dużej integracji. Dlatego omówiono sposoby postępowania podczas kontaktów z wrażliwą aparaturą. Są to zasady, których przestrzeganie gwarantuje pełne bezpieczeństwo podczas napraw, regulacji i normalnej eksploatacji aparatury. 1. Wprowadzenie Procesy związane z powstawaniem ładunku elektrostatycznego zachodzą bardzo często, choć nie zawsze są łatwe do zaobserwowania. Powstają one najczęściej w wyniku procesów fizykochemicznych związanych z pocieraniem o siebie dwóch różnych materiałów, rozdrabnianiem, gwałtownym rozdzielaniem lub łączeniem materiałów izolacyjnych. I tak chodząc po syntetycznym dywanie lub chodniku w butach ze skórzaną podeszwą ładujemy ciało ludzkie ładunkiem elektrycznym. Ciało człowieka traktowane jako pojemność elektryczna zostanie naładowane prądem o natężeniu wynoszącym od setek pa do kilku μa, a wypadkowy ładunek będzie wynosił od 0.1 do 5 μc. Przykładowo dla pojemności C = 150 pf i V = 15 kv energia nie przekracza 17 mj. Większość układów scalonych ulega całkowitemu zniszczeniu już przy oddziaływaniu znacznie mniejszych energii. Na rys.1 pokazano przykładowy proces ładowania człowieka poruszającego się po dywanie wykonanego z włókna syntetycznego. dywan z włókna syntetycznego Rys. 1. Proces ładowania się człowieka poruszającego się po dywanie wykonanym z włókna syntetycznego PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - ROCZNIK LXXXI - nr 8/9 2008 1367

2. Stopień zagrożenia dla urządzeń ze strony ładunków elektrostatycznych Napięcie, do jakiego ładuje się poruszająca się osoba, zależy od jej pojemności w stosunku do otoczenia. Pomiędzy krokami zawsze występuje wyładowanie. Po kilku sekundach zostaje osiągnięta równowaga między ładowaniem i rozładowaniem i jeżeli tak naładowana osoba dotknie dowolnego urządzenia, następuje rozładowanie. Proces rozładowania ciała ludzkiego (w zależności od warunków) może być bardzo gwałtowny, tak że można go zaobserwować jako iskrę. Jest to właśnie tzw. wyładowanie elektrostatyczne, które w skrócie określane jest mianem ESD i stanowi poważne zagrożenie dla czułych urządzeń elektronicznych. Kształt i parametry elektryczne impulsów ESD zależą od wielu czynników zewnętrznych. Jednym z nich jest kształt elektrody inicjującej impuls. Elektrodą tą jest najczęściej ludzka ręka, a ściślej mówiąc jeden z jej palców, wewnętrzna strona dłoni lub ostry metalowy przedmiot trzymany w ręce. Kształt impulsu ESD można opisać następującymi parametrami: a) wartością szczytową prądu; b) czasem czoła najkrótsze czasy czoła nie przekraczają wartości kilkuset pikosekund; c) czasem do półszczytu na grzbiecie udaru prądowego czas do półszczytu jest coraz częściej zastępowany wartością prądu osiąganego w czasie 30 ns i 60 ns. Głównymi parametrami opisującymi impuls ESD są: a) pojemność pomiary pojemności elektrycznej ludzkiego ciała wykazały, że zawarta jest w granicach od 80 do 500 pf (rys. 2); kobiety zazwyczaj mają większą pojemność elektryczną ze względu na noszone obuwie o cieńszej podeszwie; mężczyzna Kobieta 80 300 pf 150 500 pf 50 5000 Ω 50 5000 Ω Rys. 2. Zastępcze parametry elektryczne człowieka przy wyładowaniu elektrostatycznym b) amplituda napięcia człowiek najczęściej ładuje się do napięcia 10 15 kv, rzadko występują napięcia 20 25 kv, a maksymalna możliwa do uzyskania wartość wynosi 40 kv (powyżej tej wartości następują wyładowania koronowe i następuje samorozładowanie); człowiek nie odczuwa efektu związanego ze wzrostem napięcia jego ciała do wartości 3 4 kv i to stanowi największe niebezpieczeństwo podczas kontaktów z wrażliwą aparaturą elektroniczną; w tabeli 1 przedstawiono wartości napięcia w funkcji warunków ładowania, natomiast na rysunku 3 pokazano maksymalne napięcie do jakich może naładować się człowiek w standardowym pomieszczeniu biurowym, które wyłożono materiałem antystatycznym, wełnianym lub wykładziną syntetyczną; w każdym z tych przypadków maksymalne napięcie jest funkcją wilgotności powietrza. PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - ROCZNIK LXXXI - nr 8/9 2008 1368

Tabela 1. Amplitudy napięć ESD zmierzone przy względnej wilgotności 15-30% Średnio [kv] Maksymalnie [kv] Dywan 12 39 Płytki winylowe 4 13 Drewno 0,5 3 c) biegunowość polaryzacja impulsu ESD może być dodatnia (+) lub ujemna ( ), w zależności od rodzajów materiałów związanych z procesem ładowania; wiele urządzeń elektronicznych jak tranzystory bipolarne itp. jest dużo bardziej wrażliwych na impulsy o określonej polaryzacji; d) czas narastania impulsu zależy głównie od kształtu elektrody wyładowczej (ostro zakończony przedmiot powoduje powstanie najgroźniejszych impulsów) oraz od poziomu napięcia (przy wysokich napięciach wyładowanie koronowe poprzedzające właściwy impuls elektrostatyczny rozmazuje czoło impulsu); czasy narastania impulsów ESD wynoszą od kilkuset pikosekund do kilkunastu nanosekund; [kv] 15 np. pomieszczenie biurowe bez regulacji wilgotności (w zimie) syntetyczny 10 wełna antystatyczny 5 0 0 25 50 75 100 względna wilgotność [%] 15% 35% Rys. 3. Przebiegi maksymalnych napięć indukowanych przez człowieka w różnych warunkach e) energia energie impulsów ESD zawarte są w zakresie od kilku do kilkuset mj; w zależności od wartości parametrów impulsy podzielono na cztery klasy zagrożenia umieszczone w tabeli 2. Impulsy ESD, pomimo małej energii jaką przenoszą, są groźne dla urządzeń ze względu na bardzo krótkie czasy narastania, osiągające wartości rzędu 350 ps i mniejsze. W przypadku elementów półprzewodnikowych w urządzeniu elektronicznym źródłem zagrożenia jest nie tylko bezpośrednie wyładowanie do urządzenia ale też napięcia indukowane w pętlach tworzonych z przewodów obok których płynie prąd tego wyładowania. Energia wydzielana w przyrządach półprzewodnikowych w czasie odpowiadającym wyładowaniu elektrostatycznemu (rzędu nanosekund), powodująca trwałe uszkodzenia tych elementów mieści się w zakresie od kilku mikrodżuli do dziesiątków milidżuli. PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - ROCZNIK LXXXI - nr 8/9 2008 1369

Tabela 2. Cztery klasy energetyczne impulsów ESD Charakter impulsu Pojemność [pf] Napięcie [kv] Energia [mj] Przypadek ekstremalny 500 40 400 Przypadek najgorszy 250 25 78 Przypadek typowy 150 15 17 Minimum(warte zabezpieczenia) 100 6 2 3. Sposoby postępowania podczas kontaktów z wrażliwą aparaturą elektroniczną Podczas kontaktów z wrażliwą aparaturą elektroniczną należy stosować się do następujących zasad postępowania: najlepiej przyjąć zasadę, że wszystkie elementy elektroniczne są wrażliwe na ESD; podczas manipulacji z produktami wrażliwymi na wyładowania elektryczności statycznej (dotykanie, przenoszenie, wkładanie i wyjmowanie itp.) należy być podłączonym do uziemienia przez bransoletę oraz posiadać obuwie antystatyczne; ponad to stanowisko pracy powinno znajdować się na podłodze antystatycznej lub uziemionej macie podłogowej; należy podkreślić, że obuwie antystatyczne jest skuteczne tylko wtedy, gdy pracownik znajduje się w pozycji stojącej na macie lub uziemionej podłodze; pakiety podczas przenoszenia należy trzymać z płytę czołową lub krawędzie; nie dozwolone jest dotykanie jakichkolwiek podzespołów, elementów, ścieżek, łączy; należy bezwzględnie przestrzegać ostrzeżeń ESD umieszczonych na etykietach opakowań dotyczących zarówno elementów jak i całych paneli; rozpakowywanie można przeprowadzać wyłącznie na stanowisku pracy zabezpieczonym przed ESD, które musi być przystosowane do podłączenia bransolety uziemiającej oraz wyposażone w maty antystatyczne; po wyjęciu pakietu ze stojaka należy natychmiast umieścić pakiet w antystatycznym opakowaniu lub pojemniku; podczas przechowywania, przygotowywania pakietów lub urządzeń wrażliwych na ESD do wysyłki należy stosować pojemniki antystatyczne; na stanowisku pracy nie mogą znajdować się jakiekolwiek zbędne materiały, które mogą generować ładunki elektrostatyczne (np. folie, styropian itp.); prze każdorazowym przystępowanie do pracy należy za pomocą testera sprawdzać stan środków uziemiających (maty, bransolety); nie wolno używać niesprawdzonych lub uszkodzonych środków chroniących przed wyładowaniami elektryczności statycznej, takich jak bransolet, opakowań, obuwia oraz mat podłogowych. Podczas obsługi pakietów i komponentów elektronicznych należy stosować poniższe zasady ochrony przed skutkami wyładowań elektryczności statycznej: zawsze należy pracować na czystym stanowisku pracy; trzeba usunąć wszystkie niepotrzebne obiekty, szczególnie nie przewodniki; przed przystąpieniem do pracy należy założyć bransoletkę; bransoletkę należy skontrolować za pomocą testera; następnie należy bransoletkę podłączyć do uziemionego gniazda; PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - ROCZNIK LXXXI - nr 8/9 2008 1370

pakiety należy rozpakowywać i pakować zawsze na powierzchni antystatycznej lub na powierzchni pokrytej uziemioną matą dyssypatywną; do przemieszczania pakietów należy zawsze używać opakowań antystatycznych (worek, pudełka). Zawsze należy pamiętać, że nie wolno pracować na nieuporządkowanym stanowisku pracy; pracować bez uziemionej bransoletki; używać niesprawnej bransoletki; przenosić lub przewozić nie zabezpieczone pakiety; stosować niewłaściwych lub uszkodzonych opakowań; dotykać ścieżek, podzespołów oraz złączy na pakiecie. 4. Wnioski Przestrzeganie wymienionych zasad jest bardzo ważne, ponieważ odczucia ludzi związane z wyładowaniami elektryczności statycznej są subiektywne i zależą przede wszystkim od różnicy potencjałów występującej podczas wyładowania. Gwałtowny przepływ ładunków podczas wyładowania mogą spowodować: trwałe uszkodzenia wrażliwych elementów elektronicznych; przekłamania podczas pracy urządzeń cyfrowych, zmianę zawartości pamięci półprzewodnikowych; zwiększenie niebezpieczeństwa pożarowego. Uszkodzenia w aparaturze elektronicznej mogą wystąpić nie tylko w wyniku bezpośredniego przepływu prądu wyładowania przez dany obwód, ale również wskutek indukcji zakłóceń o zbyt dużej energii. Najskuteczniejszym sposobem zabezpieczającym urządzenia przed ESD jest niedopuszczanie do gromadzenia się ładunków na materiałach nieprzewodzących. Gromadzące się ładunki powinny być w sposób ciągły odprowadzane do ziemi lub masy urządzenia. Utrzymywanie właściwej wilgotności w miejscu pracy przyczynia się do zmniejszenia narażenia na niekontrolowane wyładowania elektryczności statycznej. Materiały antystatyczne powinny posiadać rezystancję powierzchniową rzędu 10 9...10 14 Ω/m 2. Gromadzeniu się ładunków można zapobiec przez stosowanie posadzek i przewodzących wykładzin o rezystancji rzędu 10kΩ...1MΩ. Wymieniona wartość rezystancji nie koliduje bowiem dotyczącymi bezpieczeństwa pracy z urządzeniami elektrycznymi. Chodzi o to, aby rozładowywanie zgromadzonych ładunków elektrostatycznych nie następowało zbyt gwałtownie. Jak wspomniano uprzednio energia wydzielana w złączach półprzewodnikowych podczas rozładowywania spowoduje trwałe uszkodzenia już w przypadku kilku mikrodżuli. Powszechne stosowanie polimerów w wykładzinach powierzchniowych mebli sprzyja powstawaniu ładunków elektrostatycznych podczas pocierania częścią garderoby. Bardzo duża rezystancja powierzchniowa wykładzin polimerowych nie sprzyja odprowadzaniu zgromadzonych ładunków. Dlatego podczas pracy z elementami elektronicznymi o dużej wrażliwości (np. układy CMOS o dużym stopniu integracji) należy rygorystycznie przestrzegać wymienione wcześniej zalecenia. W podsumowaniu można stwierdzić, że: w przypadku występowania ESD należy stosować w miejscu pracy właściwe zabezpieczenia, m.in. wykładziny antystatyczne, nawilgacanie pomieszczeń itp.; PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - ROCZNIK LXXXI - nr 8/9 2008 1371

wyładowania ESD uznawane potocznie dotychczas za niosące małą energię stanowią poważne zagrożenie dla urządzeń elektronicznych zawierających elementy półprzewodnikowe o dużej integracji; Literatura 1. D. J. Bem, Impulsowe narażenia elektromagnetyczne, Wydawnictwo Politechniki Wrocławskiej, Wrocław 1984. 2. T. W. Więckowski, Badanie odporności urządzeń elektronicznych na impulsowe narażenia elektromagnetyczne, Wydawnictwo Politechniki Wrocławskiej, Wrocław 1993. 3. Praca zbiorowa, Zakłócenia w aparaturze elektronicznej, Radioelektronik Sp. z o. o., Warszawa 1995. 4. Polska Norma numer PN-EN 61340-5-2:2002, Elektryczność statyczna. Część 5-2: Ochrona przyrządów elektronicznych przed elektrycznością statyczną. Przewodnik użytkownika, Polski Komitet Normalizacyjny, Warszawa 2002. PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - ROCZNIK LXXXI - nr 8/9 2008 1372