2.2. SPECYFIKACJA FUNKCJONALNA ODCHYLANIA POZIOMEGO

Podobne dokumenty
2.3 SPECYFIKACJA FUNKCJONALNA ODCHYLANIA PIONOWEGO

2.10 BLOK FONII 1.0 WPROWADZENIE 2.0 OPIS FUNKCJONALNY 3.0 KLUCZOWE PODZESPOLY 4.0 SPECYFIKACJA. Strona 1/5 Data 16/09/99.

2.8 TOR CHROMINANCJI TX807 PFS WPROWADZENIE OPIS FUNKCJONALNY KLUCZOWE PODZESPOLY SPECYFIKACJA DOCELOWA 2.8.

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

SPECYFIKACJA FUNKCJONALNA WYROBU

Wzmacniacze operacyjne

Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2014/2015

Dioda półprzewodnikowa

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 17/17. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 03/18

Prostowniki. 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników. Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY

PL B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL

15. UKŁADY POŁĄCZEŃ PRZEKŁADNIKÓW PRĄDOWYCH I NAPIĘCIOWYCH

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

LABORATORIUM. Zasilacz impulsowy. Switch-Mode Power Supply (SMPS) Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki

Politechnika Białostocka

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy.

PL B BUP 14/05. Reszke Edward,Wrocław,PL WUP 05/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

OPIS PATENTOWY

Ćwiczenie 22. Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)

Zasilacze: Prostowniki niesterowane, prostowniki sterowane

Generatory przebiegów niesinusoidalnych

Ćwiczenie nr 28. Badanie oscyloskopu analogowego

Scalony stabilizator napięcia typu 723

PL B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1. (54) Tranzystorowy zasilacz łuku spawalniczego prądu stałego z przemianą częstotliwości

(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Przekształtniki napięcia stałego na stałe

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Budowa. Metoda wytwarzania

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Dokumentacja Techniczno-Ruchowa

Systemy i architektura komputerów

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

Ćwiczenie ELE. Jacek Grela, Łukasz Marciniak 3 grudnia Rys.1 Schemat wzmacniacza ładunkowego.

PL B1. Sposób podgrzewania żarników świetlówki przed zapłonem i układ zasilania świetlówki z podgrzewaniem żarników

Strona 1/9 Data 1116/09/99. TV PRODUCT DEVELOPMENT LABORATORIES Opracowal CHIASY 2.6 SPECYFIKACJA FUNKCJONALNA WYROBU TX807 MIKROPROCESOR WYDANIE 1.

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

Wysokiej jakości elementy renomowanych producentów takich jak WURTH, VISHAY, IR, MURATA zapewniają długą bezawaryjną pracę.

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

Przetwornica mostkowa (full-bridge)

PILIGRIM SMD wg SP5JPB

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

8.10. Podzial tranzystorów bipolarnych i ich zastosowanie

Zasilacz. Ze względu na sposób zmiany napięcia do wartości wymaganej przez zasilany układ najczęściej spotykane zasilacze można podzielić na:

Przetwornica SEPIC. Single-Ended Primary Inductance Converter z przełączanym jednym końcem cewki pierwotnej Zalety. Wady

Stabilizatory impulsowe

PL B1. Układ do redukcji zakłóceń występujących w sygnale pochodnej prądu roboczego silnika reluktancyjnego

(21) Numer zgłoszenia:

Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

(13) B1 A61Η 39/02 H03K 3/335. (54) Sposób i układ do stymulacji punktów akupunkturowych

Wzmacniacz operacyjny

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

Schemat połączeń (bez sygnału START) 250/ /400 Maks. moc łączeniowa dla AC1. 4,000 4,000 Maks. moc łączeniowa dla AC15 (230 V AC) VA

Badanie transformatora

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/15

Sterowane źródło mocy

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Krótka informacja o bateriach polimerowych.

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

Ćwiczenie: "Obwody ze sprzężeniami magnetycznymi"

- Przetwornica (transformator): służy do przemiany prądu zmiennego na stały (prostownik);

Rys. 1. Przebieg napięcia u D na diodzie D

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Laboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika podwyższającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński

UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH

Dr inż. Agnieszka Wardzińska 105 Polanka Konsultacje: Poniedziałek : Czwartek:

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

KIT ZR-01 Zasilacz stabilizowany V, 1.5A

Modelowanie diod półprzewodnikowych

Badanie transformatora

Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych cz. 3 podstawowe układy nieliniowe

ĆWICZENIE 1 JEDNOFAZOWE OBWODY RLC. Informatyka w elektrotechnice ZADANIA DO WYKONANIA

Teoria Przekształtników - kurs elementarny

SERIA 86 Moduły czasowe

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Transkrypt:

2.2. SPECYFIKACJA FUNKCJONALNA ODCHYLANIA POZIOMEGO 1. WPROWADZENIE 2. OPIS FUNKCJONALNY 2.1 STOPIEN STEROWANIA 2.2 STOPIEN ZASILANIA 2.3 TRANSFORMATOR POWROTU 2.4 OGRANICZNIK PRADU STRUMIENIA 2.5 UKLAD ZANIKU ODCHYLANIA POZIOMEGO I ZABEZPIECZENIA PRZED PROMIENIOWANIEM X 3. KLUCZOWE PODZESPOLY 4. SPECYFIKACJA DOCELOWA 5. SCHEMAT UKLADU

1.0 Wprowadzenie Uklad odchylania poziomego TX807 oparty jest na sprawdzonej technologii (transformator sterujacy, tranzystor wyjsciowy linii, FBT, etc) podobnej do znajdujacej sie w typoszeregu TX90. Zostal on mozliwie jak najbardziej uproszczony do uzyskania oszczednosci kosztów bez zmniejszenia odpornosci. Obwody malosygnalowe zostaly wszystkie scalone w procesorze wizji IC01. Na rys. 1 pokazano schemat ukladowy ukladu odchylania poziomego. 2.0 Opis funkcjonalny 2.1 Stopien sterowania Impulsy poziome H z wyprowadzenia 40 procesora wizji (IC01) zostaja sprzezone ze stopniem sterowania poprzez RV06. Transformator sterowania LL01 odizolowuje blok obróbki sygnalu od bloku zasilania i powoduje dopasowanie mocy. Stopien sterowania pracuje w trybie powrotu, t.zn. energia najpierw, gdy TL01 jest wlaczony, magazynowana jest w uzwojeniu pierwotnym transformatora LL01, a nastepnie przesylana jest na uzwojenie wtórne, gdy TL01 zostaje wylaczony. Gdy sygnal poziomu H jest w stanie wysokim, tranzystor sterujacy TL01 jest w nasyceniu i prad wzrasta liniowo w uzwojeniu pierwotnym LL01. Wskutek przeciwnej polaryzacji nawiniec pierwotnego i wtórnego tranzystor linii TL02 jest spolaryzowany zaporowo (t. zn. wylaczony). Po uruchomieniu zasilanie poczatkowe dla stopnia sterowania dostarczane jest poprzez TL03 z wyjscia UA zasilacza. W warunkach ustalonych zasilanie z UA zostaje odlaczone przez TL03 przy obecnosci VTU i zasilanie doprowadzane jest poprzez DL01 z wyjscia +13VP transformatora powrotu (FBT) LL05. Ma to zapobiec temu, aby fluktuacje wywolane przez obciazenie foniczne na UA oddzialywaly na odchylanie poziome. Jednoczesnie P (+13VP poprzez DL01 z FBT) jest pobierane z UA +13V do zasilania napieciem + 5VS dla microprocesora IR01 oraz napieciem +8.5VS dla IC01, celem zmniejszenia zuzycia mocy i zapobiezenia przegrzaniom transformatora SMT. Polaczenie to zmniejsza takze spadek napiecia na +13V UA z SMT w trakcie przechodzenia z trybu gotowosci STANDBY do normalnego. Gdy sygnal poziomu H wchodzi w stan niski, TL01 wylacza sie. Energia uprzednio magazynowana w pierwotnym uzwojeniu LL01 zostaje przekazana do uzwojenia wtórnego powodujac doplyw pradu do bazy tranzystora linii TL02, który zostaje teraz wprowadzony w nasycenie. Amplitude dodatniego pradu bazy wyznacza RL07, a pradu ujemnego kondensator CL07. CL01-RL02 obnizaja napiecie w kolektorze TL01 dzieki indukcyjnosci uplywu LL01, gdy TL01 wylacza sie. Gdy sygnal poziomy znów wchodzi w stan wysoki, TL01 zostaje wprowadzony w nasycenie i prad w uzwojeniu wtórnym powoduje zmiane biegunowosci. Szybkosc zmian dib/dt tego ujemnego pradu bazy reguluje indukcyjnosc uplywu uzwojenia wtórnego LL01 tak, aby spowodowac optymalne wylaczenie TL02.

2.2 Stopien zasilania Zastosowany tutaj tranzystor wyjsciowy linii TL02 zawiera w tej samej obudowie diode tlumiaca. W warunkach ustalonych S-kondensator CL05 jest stale ladowany poprzez LL03, cewki odchylania poziomego, pierwotne uzwojenie 1-2 FBT, indukcyjnosc LL09 do sredniego napiecia mniej wiecej równego napieciu zasilania B+. Jesli TL02 zostanie teraz wprowadzony w nasycenie przez stopien sterowania tak, jak to juz wyjasniono, dioda tlumiaca i kondensator strojenia (powrotu wiazki) CL04 zostaja zwarte do masy. Dzieki ladunkowi uzyskanemu przez S-kondensator CL05 napiecie mniej wiecej równe B+ przykladane jest poprzez cewke odchylania poziomego (HDY), w wyniku czego prad w HDY rosnie liniowo. Odpowiada to przesuwowi strumienia elektronów od srodka ku prawej krawedzi ekranu. Równoczesnie prad liniowy rosnie takze w pierwotnym uzwojeniu 1-2 FBT. Stopien sterowania wylacza TL02, gdy prad elektronowy osiaga prawa krawedz ekranu. Poniewaz prad odchylania w HDY oraz prad w uzwojeniu pierwotnym FBT nie moze juz plynac przez TL02, energia magnetyczna zmagazynowana w HDY oraz w uzwojeniu pierwotnym FBT powoduje powstanie oscylacji miedzy kondensatorem strojenia CL10, CL04 i indukcyjnoscia HDY, a indukcyjnoscia uzwojenia pierwotnego FBT. Oscylacja ta odpowiada czasowi powrotu strumienia. Podczas tej fazy oba prady beda ladowac CL04 i CL10 do wysokiego napiecia (napiecie powrotu), spadna do zera i przelacza biegunowosc (przy czym CL04 i CL10 rozladowuja sie do indukcyjnosci odczepu 2). Napiecie powrotu strumienia przeniesione na wtórne uzwojenie FBT zostaje wyprostowane i wygladzone tak, aby zasilac rózne zasilacze pomocnicze. Spadek i zmiana biegunowosci pradu HDY powoduja, ze strumien elektronów szybko powraca do lewej krawedzi ekranu. Gdy CL04 i CL10 sa calkowicie rozladowane, HDY dzialajac jako zródlo pradowe dazy do ponownego naladowania ich w przeciwnym kierunku. Powoduje to wlaczenie diody tlumiacej czyli DL04, która utrzymuje ten prad wsteczny az do jego spadku do zera. Faza ta odpowiada omiataniu przez strumien elektronowy lewej polowy ekranu. Nastepnie TL02 zostaje ponownie wlaczony i cykl powtarza sie. RL05, DL03,CL03 stanowia obwód opcjonalny do usuwania oscylacji wynikajacych z naglych zmian obciazenia FBT, co powoduje niepozadane efekty podobne do poziomej modulacji fazy. Jest to szczególnie widoczne w postaci zjawiska zebów myszy na wzorze kratownicy. DL08 jest takze podzespolem opcjonalnym do przesuwania obrazu w poziomie dla korygowania jego centrowania. Cewka liniowosci LL03 ma za zadanie poprawiac liniowosc pozioma obrazu. Dokladna analiza wykazala by, ze napiecie na HDY jest wyzsze w trakcie czasu przewodzenia diody tlumiacej, niz w trakcie przewodzenia tranzystora mocy. W wyniku tego obraz wyglada na bardziej scisniety po prawej, niz po lewej stronie; cewka liniowosci koryguje to, przeciwstawiajac wyzsza indukcyjnosc pradowi plynacemu w diodzie tlumiacej. W kierunku przeciwnym indukcyjnosc jest bardzo mala. Rezystor RL03 i CL33 przydlawiaja cewke liniowosci, zapobiegajac w ten sposób niepozadanym oscylacjom. Opcjonalny obwód LCR LL08-CL08-RL08 redukuje impedancje b. wysokiego napiecia (EHT) i usuwa zafalowania (zjawisko zaslaniania) na linii startu na obrazie. Wskutek indukcyjnosci i pojemnosci rozproszenia w FBT oscylacje generowane sa wewnatrz FBT i powoduja powstawanie widocznej interferencji na sygnale wizji. Obwód LCR redukuje te zjawiska.

Obwód modulatora diody DL04, DL05, DL06 i CL04 zostal dolaczony do schematu ukladu celem zminimalizowania zjawiska puchniecia (breathing) wynikajacego ze zlej regulacji EHT. Kompensacje puchniecia obrazu uzyskuje sie zmieniajac spadek napiecia na S-kondensatorze CL05 w obwodzie modulatora. TL02 winien do tych celów nie miec wbudowanej diody tlumiacej. 2.3 Transformator powrotu FBT wytwarza nastepujace napiecia : EHT/bardzo wysokie napiecie Napiecie ogniskowania Napiecie ekranu (Vg2) Napiecie zarzenia +180V do wzmacniacza wizji kineskopu +VTU do przelaczania TL03 i do tunera +13VP do pionowego omiatania dodatniego i do transformatora sterowania wyprowadzone z +13VP +12V do 9V1, do obróbki sygnalów 8.5VS do IV01 oraz do zasilania poziomych impulsów sterujacych 5.0VS dla up (??) -12VP dla pionowego omiatania ujemnego 5VR do zasilania tunera i teletekstu Pierwsze trzy napiecia, -12V i +13VP uzyskuje sie w trybie powrotu. Zarzenie, VTU i +180V sa w trybie przewodzenia. +180V dolaczone jest do uzwojenia wtórnego dla uzyskania lepszej regulacji. Kondensatory CL16, CL40, CL50 usuwaja niepozadana interferencje. Rezystory z bezpiecznikiem termicznym RL20-RL45-RL51-RL12 chronia przed przeciazeniem lub zwarciem. DL21 ma przesuwac IV01 do trybu gotowosci, gdy CL20 jest zwarty, oraz ma zapobiegac problemom przegrzewania TL02 podczas braku napiecia wizji. RL21 i 23 sa potrzebne do tego, aby wytworzyc sciezke do rozladowania CL20, gdy zasilanie zostanie wylaczone. Dwa rezystory zarzenia RL12 i RL14 stosowane sa dla zapobiegania nieprawidlowym wartosciom, a nowy rezystor z bezpiecznikiem termicznym jest potrzebny do uzyskania na zarzeniu 6.4V wartosci skutecznej niezaleznie od rodzaju obrazu i FBT. 2.4 Ogranicznik pradu strumienia

Celem unikniecia przeciazenia elektrycznego kineskopu niezbedne jest ograniczenie usrednionego pradu strumienia do pewnej okreslonej wartosci. Wartosc te wyznaczaja wymiar kineskopu i jego typ. Prad strumienia jest sledzony przez uklad ogranicznika pradu strumienia (BCL- Beam Current Limiter) pokazany na rys. 2. W trakcie normalnej pracy polaczenie RL65, RL63 i RL60 znajduje sie na potencjale ustalonym przez dzielnik napiecia RL62, RL65 i RL63. Jesli prad strumienia przekroczy pewna wartosc, zlacze staje sie bardziej ujemne ze wzgledu na kierunek przeplywu pradu, a wynikajace stad zmiany pradu strumienia podlegaja obróbce przez RL60, CL61 i DL60 przksztalcajac je w gladkie napiecie stale odbierane przez uklad scalony wizji TDA 8842 na wyprowadzeniu 22. Zatem uklad scalony TDA 8842 zmniejsza kontrast przeciwdzialajacy wszelkiemu dalszemu wzrostowi pradu strumienia. 2.5 Uklad zaniku odchylania poziomego oraz zabezpieczenia przed promieniowaniem X Zbudowano dzielnik napiecia, stosujac RL27 i RL29 do generowania sygnalu BLAD (FAULT) na wyprowadzenie 16 mikroprocesora. Zmiany na +180V sledzone sa przez mikroprocesor i przerzucaja uklad scalony wizji TDA 8842 poprzez szyne I 2 C do trybu gotowosci (STANDBY) przy pojawieniu sie stanu bledu. W przypadku rozwarcia obwodu stopnia odchylania (problem laczówek, zimny lut, etc...) +180V spada natychmiast i rozkaz BLAD powoduje, iz poziom napiecia spada w wyniku tego do +1.8V, wówczas wlacza sie zabezpieczenie przed zbyt niskim poziomem napiecia i zamyka sterowanie poziome, aby uniknac zagrozenia pozarem w wyniku powstania luku. W przypadku zamkniecia EHT powodujacego promieniowanie X, spadki napiecia na RL41 rosna wraz ze wzrostem +180V. Poniewaz poziom napiecia BLAD osiaga +4.2V, mikroprocesor przelacza TDA 8842 w tryb gotowosci. Celem zapobiezenia falszywych przelaczen wskutek przeskoku iskry na kineskopie, luku, szumów, etc... tryb gotowosci zostaje wlaczony w ciagu 6 sekund po wykryciu bledu.

3.0 Kluczowe podzespoly TBA/ :Do przydzielenia Miejsce Tocom Opis LL01 20814520 Transformator sterowania TL02 Tranzystor mocy 16004550 20578720 BUH515TH S2000N LL05 20820700 20840590 20801770 FBT 14 20 /21 20835940 LL03 80367500 Cewka liniowosci CL04 Kondensator strojeniowy CFS 80304700 6n6 CL05 43441500 20053100 43044300 S-kondensator CFS 360 nf 390 nf 470 nf ML03 20784700 Radiator (wspólny z pionowym ukladem scalonym)

4.0 Specyfikacja docelowa 1. 20-21 cali Napiecia wyjsciowe przy 750 µa, chyba ze podano inaczej EHT : 26.5±0.5 kv dla 20-21 cali @ 0 I strumienia Zakres napiec ogniskowania : 22.0% do 34.5% EHT Zakres Vg2 : 350 V do 1500 V Zasilanie wizji : 180±5 V -VNP : -12.0±0.5 V VP : 13.0±0.5 V 5VR : 5.0±0.5 V Napiecie zarzenia : 6.7±0.2 V wartosci skutecznej @ 0 I strumienia a. Impedancja EHT : EHT < 1.5 kv @ prad strumienia : 0 do 1100 µa b. Napiecie ruchu powrotnego strumienia : 1300 V przy pradzie strumienia : 1.1 ma c. Czas ruchu powrotnego : Tr : 11.3 ±0.3 µs dla kazdego strumienia d. Maksymalny prad strumienia : 1100 µa e. Zafalowania FBT po fazie roboczej (100-300 µa) : Λ 12%; 4-ty cykl Λ 1%. Zafalowania FBT po fazie roboczej (> 300 µa), Λ 12%; 4-ty cykl Λ 2 %. f. Szerokosc omiatania : kineskop mono 5.5 ±0.5 przy pradzie strumienia : 750 µa g. Zakladka w poziomie : 9%±3% h. Liniowosc w poziomie : < 10% i. Puchniecie obrazu : < 3% przy pradu strumienia : 100 µa do 1100 µa j. Napiecie tetnienia : -VNP tetnienia (50 + 100 Hz) : max 1.0 V miedzyszczytowego -VNP tetnienia (15 khz) : max 0.5 V miedzyszczytowego V13 tetnienia (50 + 100 Hz) : max 0.8V miedzyszczytowego V13 tetnienia (15 khz) : max 0.5 V miedzyszczytowego V5.0 tetnienia (15 khz) : max 0.1 V miedzyszczytowego V180 tetnienia ; (50 + 100 Hz) : max 1.0 V miedzyszczytowego V180 tetnienia : (15 khz) : max 0.5 V miedzyszczytowego

2. 14 cali. Napiecia wyjsciowe przy 600 µa, chyba ze podano inaczej EHT : 23.0±0.5 kv @ 0 I strumienia Zakres napiec ogniskowania : 22.0% do 32.0% EHT Zakres Vg2 : 300 V do 1500 V Zasilanie wizji : 160±5 V -VNP : -11.0±0.5 V V13 : 12.0±0.5 V Napiecie zarzenia : 6.7±0.2 V wartosci skutecznej @ 0 I strumienia a. Impedancja EHT : EHT < 1.5 kv @ prad strumienia : 0 do 800 µa b. Napiecie ruchu powrotnego strumienia : 1300 V przy pradzie strumienia : 800 µa c. Czas ruchu powrotnego : Tr : 11.3 ±0.3 µs dla kazdego strumienia d. Maksymalny prad strumienia : 800 µa e. Zafalowania FBT po fazie roboczej (100-300 µa) : Λ 12%; 4-ty cykl Λ 1%. Zafalowania FBT po fazie roboczej (> 300 µa), Λ 12%; 4-ty cykl Λ 2 %. f. Szerokosc omiatania : kineskop mono 5.5 ±0.5 przy pradzie strumienia : 600 µa g. Zakladka w poziomie : 9%±3% h. Liniowosc w poziomie : < 10% i. Puchniecie obrazu : < 3% przy pradu strumienia : 100 µa do 800 µa j. Napiecie tetnienia : -VNP tetnienia (50 + 100 Hz) : max 0.75 V miedzyszczytowego -VNP tetnienia (15 khz) : max 0.5 V miedzyszczytowego V13 tetnienia (50 + 100 Hz) : max 0.8 V miedzyszczytowego V13 tetnienia (15 khz) : max 0.5 V miedzyszczytowego V5.0 tetnienia (15 khz) : max 0.075 V miedzyszczytowego V160 tetnienia ; (50 + 100 Hz) : max 1.0 V miedzyszczytowego V160 tetnienia : (15 khz) : max 0.5 V miedzyszczytowego