Sensory w systemach wbudowanych

Podobne dokumenty
Technika sensorowa. Czujniki mikromechaniczne cz. 2

Sensory gazów. 2. Produkcja rynkowa mikrosensorów gazów. 3. Rozwój technologii rezystancyjnych sensorów gazów. 4. Wpływ technologii mikromechanicznej

Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: pomiar i wyznaczenie parametrów metrologicznych czujnika i przetwornika ciśnienia

Wstęp. Wg. innego kryterium będą to czujniki realizujące pomiar dotykowy (np. termorezystory) bezdotykowy (np. pirometry)

Technika sensorowa. Czujniki piezorezystancyjne. dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel

Wybrane elementy elektroniczne. Rezystory NTC. Rezystory NTC

Czujniki temperatury

Odporny na korozję czujnik ciśnienia dla mikroreaktorów chemicznych

Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych cz. 2 wzmacniacze pomiarowe (instrumentacyjne)

Czujniki temperatur, termopary

Technika sensorowa. Czujniki gazów. dr inż. Wojciech Maziarz, prof. dr hab. T. Pisarkiewicz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel.

(zwane również sensorami)

SPECYFIKACJA HTC-VR, HTC-VVR-RH, HTC-VVR-T, HTCVVVR, HTC-VR-P, HTC-VVR-RH-P

Mikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt.

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Technika sensorowa. Czujniki mikromechaniczne - cz.1

Grafen materiał XXI wieku!?

SPECYFIKACJA HTC-VR, HTC-VVR-RH, HTC-VVR-T, HTC-VVVR, HTC-VR-P, HTC-VVR-RH-P

Wejścia analogowe w sterownikach, regulatorach, układach automatyki

Technika sensorowa. Czujniki temperatury. dr inż. Wojciech Maziarz, prof. dr hab. T. Pisarkiewicz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel.

Sensory w systemach wbudowanych

Projektowanie systemów pomiarowych

Sensory w systemach wbudowanych Dr inż. Cezary Worek

KA-Nucleo-Weather. Rev Źródło:

POMIARY WIELKOŚCI NIEELEKTRYCZNYCH

CZUJNIKI I UKŁADY POMIAROWE

projekt przetwornika inteligentnego do pomiaru wysokości i prędkości pionowej BSP podczas fazy lądowania;

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są

POMIARY WIELKOŚCI NIEELEKTRYCZNYCH

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

KA-NUCLEO-Weather. ver. 1.0

POMIARY WIELKOŚCI NIEELEKTRYCZNYCH

Odporny na korozję czujnik ciśnienia dla mikroreaktorów chemicznych

KONDUKCYJNA WYMIANA CIEPŁA - STYKOWY POMIAR TEMPERATURY

POMIARY WIELKOŚCI NIEELEKTRYCZNYCH

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

ZASADA DZIAŁANIA miernika V-640

M-1TI. PROGRAMOWALNY PRECYZYJNY PRZETWORNIK RTD, TC, R, U / 4-20mA ZASTOSOWANIE:

SERIA IV ĆWICZENIE 4_3. Temat ćwiczenia: Badanie termistorów i warystorów. Wiadomości do powtórzenia:

Elementy przełącznikowe

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

SENSORY W BUDOWIE MASZYN I POJAZDÓW

PODSTAWY AUTOMATYKI I. URZĄDZENIA POMIAROWE W UKŁADACH AUTOMATYCZNEJ REGULACJI. Ćwiczenie nr 1 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

SERWIS SERWIS gwarancyjny i pogwarancyjny. KONSERWACJA i przeglądy okresowe detektorów i mierników gazu. URUCHOMIENIA systemów.

Możliwości techniczne wojskowych ośrodków metrologii

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska. Zygmunt Kubiak 1

CHARAKTERYSTYKA PIROMETRÓW I METODYKA PRZEPROWADZANIA POMIARÓW

(62) Numer zgłoszenia, z którego nastąpiło wydzielenie:

Funkcje sterowania cyfrowego przekształtników (lista nie wyczerpująca)

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne

Budowa. Metoda wytwarzania

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej

MiAcz4 Czujniki i układy pomiarowe

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

Sensory w systemach wbudowanych

Dwukanałowy miernik mocy i energii optycznej z detektorami

LABORATORIUM PRZEMIAN ENERGII

BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH

Pomiary Elektryczne Wielkości Nieelektrycznych Ćw. 7

CZUJNIKI WIELKOŚCI NIEELEKTRYCZNYCH

POLITECHNIKA WROCŁAWSKA LABORATORIUM POMIARÓW WIELKOSCI NIEELEKTRYCZNYCH. Instrukcja do ćwiczenia. Pomiary temperatur metodami stykowymi.

MPI-8E 8-KANAŁOWY REJESTRATOR PRZENOŚNY

Liniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych

Technika sensorowa. Czujniki wielkości mechanicznych. dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel

Układ pomiaru temperatury termoelementem typu K o dużej szybkości. Paweł Kowalczyk Michał Kotwica

Wydział Elektryczny, Katedra Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Laboratorium Przetwarzania i Analizy Sygnałów Elektrycznych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie półprzewodnikowych elementów bezzłączowych

PROFESJONALNY MULTIMETR CYFROWY ESCORT-99 DANE TECHNICZNE ELEKTRYCZNE

NOWE METODY KSZTAŁTOWANIA CHARAKTERYSTYK CZUŁOŚCI WIDMOWEJ FOTOODBIORNIKÓW KRZEMOWYCH

European Electronic Controls Catalogue Catalogue Section A Product Bulletin HT-9000 Issue Date Seria HT-9000

Podstawowe układy elektroniczne

DIGITAL TEMPERATURE SENSORS CYFROWE CZUJNIKI TEMPERATURY

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Miernik przepływu powietrza Model A2G-25

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

OPBOX ver USB 2.0 Miniaturowy Ultradźwiękowy system akwizycji danych ze

Przetworniki. Przetworniki / Transducers. Transducers. Przetworniki z serii PNT KON PNT CON Series Transducers

Laboratoryjny multimetr cyfrowy Escort 3145A Dane techniczne

Nanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.

Wykaz urządzeń Lp Nazwa. urządzenia 1. Luksomierz TES 1332A Digital LUX METER. Przeznaczenie/ dane techniczne Zakres /2000/20000/ lux

JAK ZMIERZYĆ ILOŚĆ KWASÓW NUKLEINOWYCH PO IZOLACJI? JAK ZMIERZYĆ ILOŚĆ KWASÓW NUKLEINOWYCH PO IZOLACJI?

SiMod-X-(A1) Przetwornik parametrów powietrza z interfejsem RS485 (MODBUS RTU) oraz wyjściem analogowym (dotyczy wersji -A1)

SPECYFIKACJA HTC-K-VR. Kanałowy przetwornik CO2 z wyjściem analogowym V i progiem przekaźnikowym

Seria HT-9000 Elektroniczny Przetwornik Wilgotności. Cechy i Korzyści

Rozdział 21 Moduły analogowo - temperaturowe

SPECYFIKACJA PRZETWORNIK RÓŻNICY CIŚNIEŃ

WYBRANE ELEKTRYCZNE CZUJNIKI-PRZETWORNIKI TEMPERATURY

1. Charakterystyka zastosowanego termistora

Czujniki pomiarowe. Budowa i zasada działania

Analizator tlenu w spalinach BA 2000

Politechnika Białostocka

Miernik wielofunkcyjny z pamięcią DO Test-Therm

Escort 3146A - dane techniczne

Temat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych

Transkrypt:

Sensory w systemach wbudowanych Przegląd nowoczesnych czujników: cz. gazu, ciśnienia, wilgotności i temperatury dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel. 12 617 30 39 Kontakt: Wojciech.Maziarz@agh.edu.pl 1

Warto zajrzeć: http://zasoby1.open.agh.edu.pl/dydaktyka/automatyka/c_sensory_gazu/pdf/r5.pdf Czujniki gazu elektrochemiczne Przemiany elektrolitu pod wpływem zmieniającego się stężenia gazu. W trakcie tych przemian elektrony przechodzą z jednej fazy do drugiej fazy, a atomy, które bezpośrednio uczestniczą w tym procesie zmieniają stopień utlenienia. Przykład: 1. Elektrochemiczny czujnik tlenu sonda lambda (zastosowanie w samochodowych układach wydechowych) 2. Czujnik tlenku węgla Figaro TGS 5042 - idealny do detektorów zasilanych z baterii ponieważ nie pobiera energii podczas pracy; - sygnał wyjściowy od 1.2 do 2.4 na/ppm) - szybki 90% wartości ustalonej po 60 s - wymiar baterii AA 2

Sensor elektrochemiczne Charakterystyka sondy lambda w temp. pracy ok. 600 o C A/ F 15 λ - współczynnik nadmiaru powietrza A - ilość powietrza F ilość paliwa Palcowa tlenowa sonda lambda zainstalowana w rurze wydechowej 3

Czujniki elektrochemiczne Figaro recommends the following electrical parts: R1 : 1MΩ C1 : 1μF IC : AD708 (Ultralow Offset Voltage Dual Op Amp: U IOffset = 5 uv Drift: 0.1 uv/ o C; LT stability: 0.3 uv/month) NOTE: When voltage is applied to the sensor output terminal, the sensor may be damaged. Voltage applied to the sensor should be strictly limited to less than ±10mV. An additional resistor or FET is required to prevent polarization of the sensor when Vc is off. http://download.maritex.com.pl/pdfs/se/figtgs5042.pdf 4

Sensory optyczne CH 4 LED1 Detektor LED2 Układ dwudiodowy do pomiaru absorpcji w obszarze NIR Absorpcja metanu w głównym paśmie 3200 3400 nm 1 dioda LED1, 2 - dioda LED2 3 - detektor 5

Sensory optyczne Budowa scalonego sensora fluorescencyjnego sprzężonego ze strukturą mikrokanalikową μtas Widma absorpcji A i emisji fluorescencyjnej pochodnej pyrenu (DPB) w atmosferze azotu B oraz w atmosferze tlenu C 6

Czujniki gazu rodzaje Cz. optyczne, wykorzystujące absorpcję światła o określonej długości fali przez gazy (np. dla gazów z wiązaniem C-H 3,4 um) 7

Edinburgh Sensors Gascard NG: For CO2, CO and CH4 8

Sensory pelistorowe Pelistor z katalizatorem powierzchniowym (średnica rzędu 1 mm) Pelistor zamocowany w obudowie 9

Sensor mikrokatalityczny Membrana: LPCVD azotek krzemu (0.5 µm) wym. ~ 1 x 1 mm Grzejnik: Pt (0.3 µm), kilkadziesiąt Ohm, TWR > 3000 ppm/k Katalizator: metal szlachetny (Pd, Rh), grub. ~ mikrometrów wymiar ~ 1/3 wymiaru membrany Konsumpcja mocy < 100 mw dla T = 500 o C 10

Sensory termokonduktometryczne (katarometry) G T 2 d 0 M 0 λ G - przewodność cieplna gazu M 0 - masa cząsteczkowa d 0 - średnica cząsteczki Zdjęcie mikroskopowe SEM przedstawiające fragment kanału przepływowego i zawieszonego termorezystora Pt (powiększenie 212 razy) [J. Łysko ITE Warszawa] System μtas z kolumną separacyjną i detektorem TCD do analizy składu chemicznego mieszaniny gazowej 11

Struktury z efektem polowym Tranzystor typu MISFET jako czujnik gazu. Metal bramki najczęściej Pd Zmiana napięcia progowego tranzystora polowego w wyniku oddziaływania z gazem. 12

Półprzewodnikowe rezystancyjne czujniki gazu - budowa Sensor MGS 1100 firmy Motorola do detekcji CO 13

Reakcja jonosorpcji z wychwytem elektronu: 1 2 k1, k 1 S e O2 O S Mechanizm działania sensora rezystancyjnego Reakcja redukcji jonu tlenu: k O R 2 RO e S Konduktancja: WH 1 x 0 G L H (a), (c) qv q N G G exp( ) G exp( ) N k T 2 2 S S 0 0 kbt 2 0 D B (b), (d) 14

Czujniki gazu - charakterystyki Charakterystyki TGS 2442 firmy Figaro czujnika tlenku węgla 15

Czujniki gazu przykład sterowania 1 Sterowanie impulsowe Przykład podpięcia typowego czujnika, stałe napięcie zasilania grzejnika V H 16

Czujniki gazu przykład sterowania -2 TGS 2442 R A = najbliższa do Rs w punkcie kalibracji R B = 300kΩ, R C = 10kΩ Signal Processing and Calibration Techniques for CO Detectors Using TGS2442: http://www.figarosensor.com/products/signal.pdf 17

Czujniki gazu kalibracja i kompensacja temperatury R D = 20kΩ VR adj = 100kΩ Thermistor: R (25 C) = 15kΩ, B constant = 4200 Signal Processing and Calibration Techniques for CO Detectors Using TGS2442: http://www.figarosensor.com/products/signal.pdf 18

Obliczanie stężenia gazu przykład- 1 a. Obliczenie Rs: f(rs) = ( 5 - V 1 ) / V 1 b. Kompensacja wpływu temp. zewn: KTemp = Rs/Ro, ƒ(rs 1 ) = ƒ(rs) / KTemp c. Kompensacja rozrzutu parametrów egz.: ƒ(rref) = ( 5 - V3 ) / V3 ƒ(rs 2 ) = ƒ(rs 1 ) / ƒ(rref) d. Kompensacja rozrzutu nachylenia ch-ki e. Obliczenie stężenia gazu C: Signal Processing and Calibration Techniques for CO Detectors Using TGS2442: http://www.figarosensor.com/products/signal.pdf 19

Obliczanie stężenia gazu przykład- 2 Przed i po kompensacji wpływu temp. zewnętrznej Signal Processing and Calibration Techniques for CO Detectors Using TGS2442: http://www.figarosensor.com/products/signal.pdf 20

Obliczanie stężenia gazu przykład- 3 Signal Processing and Calibration Techniques for CO Detectors Using TGS2442: http://www.figarosensor.com/products/signal.pdf 21

W. Maziarz, Zintegrowany sensor gazów wytworzony w technologii mikromechanicznej, Rozprawa doktorska, Kraków 2006 Czujniki wytwarzane w procesach zintegrowanych Półprzewodnikowy czujnik gazu wersja I 22

W. Maziarz, Zintegrowany sensor gazów wytworzony w technologii mikromechanicznej, Rozprawa doktorska, Kraków 2006 Czujniki wytwarzane w procesach zintegrowanych Podłoża czujników gazu płytka Si przed wycięciem struktur Sensor gazu w obudowie TO-5 23

Czujniki wytwarzane w procesach zintegrowanych Wytworzenie półprzewodnikowego czujnika gazu wersja III W. Maziarz, Zintegrowany sensor gazów wytworzony w technologii mikromechanicznej, Rozprawa doktorska, Kraków 2006 24

Moduł sensorowy z możliwością programowania Moduł MSGS 3000 z dwoma sensorami gazu (Microsens) http://www.microsens.ch/products/pdf/msgs.pdf 25

Mikrosystem pomiarowy MGSM 4000 (Microsens) 1 6 półprzewodnikowych czujników gazu, dedykowany interfejs (ASIC), 8-bitowy mikrokontroler. 26

Czujnik gazu wykorzystujący mikrobelki Matryca mikrobelek z zakończeniami, z których jedno pokryte jest materiałem gazoczułym. Detekcja częstotliwościowa (zmiana masy) lub optyczna 27

Zastosowania mikrodźwigni Bardzo czułe wskaźniki zmian substancji biochemicznych (gazów, cieczy, oparów). Reakcja biochemiczna na mikrobelce może skutkować ugięciem belki, zmianą temperatury lub naprężeń powierzchniowych Detekcja: zmiana częstotliwości rezonansowej lub kąta odbicia. Belka pokryta substancją aktywną. 28

Zastosowania mikrodźwigni wzrost nanostruktur Wzrost CNT na końcu mikrobelki Zmiana częst. rezonansowej umożliwia wyznaczenie masy osadzonych CNT z dokł. ~4 pg (4x 10-12 g). Możliwy wzrost i pomiar wagi CNT w tym samym czasie Growing Nanostructures on Micro Cantilever Provides New Platform for Materials Discovery, http://phys.org/news68736004.html 29

Czujnik wilgotności wykorzystujący mikrobelki Mikrobelki SiO 2 Czułość większa niż dla Si nieczuły na pary etanolu Wytworzone w kombinowanym procesie suchego trawienia izotropowego i anizotropowego 30 Microfabrication and Characterization of SiO 2 Microcantilever for High Sensitive Moisture Sensor, Qi Chen i inni, http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=4388683

Czujnik gazów szkodliwych wykorzystujący mikrobelki Tanie, miniaturowe, bardzo czułe. Możliwa detekcja wielu związków jednocześnie. Warstwy gazoczułe: polimery, enzymy Detekcja na poziomie ppb Safer and More Secure through Science: Aiding Homeland Security with Chemical Sensors, http://research.latech.edu/news/92 31

Bioczujnik wykorzystujący mikrobelki wykrywanie wirusowego zapalenia wątroby mikrobelka 150um x 50um pokryta związkiem (receptor molekuł) wyłapującym helikazę HCV zmiana częst. rezonansowej mikrobelki Nanomechanical microcantilever operated in vibration modes with use of RNA aptamer as receptor molecules for label-free detection of HCV helicase, Biosensors and Bioelectronics, Volume 23, Issue 4, 30 November 2007, Pages 459 465 32

Zastosowanie mikrobelek w AFM wykorzystuje siły oddz. międzyatomowych Igła przemiata (skanuje) powierzchnię Rozdzielczość rzędu pojedynczych atomów http://pl.wikipedia.org/wiki/mikroskop_sił_atomowych Schemat mikroskopu sił atomowych (AFM) z optyczną detekcją ugięcia mikrobelki 33

Mikrosonda Mikroskopu AFM (Atomic Force Microscope) L 1 = 175 m L 2 = 75 m w = 20 m b = 90 m l = 2 m 34

Czujniki wytwarzane w procesach zintegrowanych Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia 35

Czujniki wytwarzane w procesach zintegrowanych Połączenie krzem - szkło Mostek z piezorezystorami (przekrój) 36

Proces technologiczny wytwarzania piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia 37

Czujniki wytwarzane w procesach zintegrowanych Czujnik ciśnienia z piezoelektryczną warstwą ZnO T ox tlenek termiczny (izolacja od podłoża) ZnO technologia rozpylenia 38

Czujniki wytwarzane w procesach zintegrowanych Czujniki ciśnienia firmy Motorola X - ducer 39

Czujniki wytwarzane w procesach Zintegrowane układy kompensacji zintegrowanych w czujniku tradycyjnym w czujniku X - ducer 40

Czujniki wytwarzane w procesach zintegrowanych Czujnik ciśnienia firmy Motorola - budowa Pomiar ciśnienia bezwzględnego Pomiar ciśnienia różnicowego 41

http://www.freescale.com/webapp/sps/site/prod_summary.jsp?code=mpl115a Czujnik ciśnienia MPL115A (Freescale) Fabrycznie skalibrowany 50 kpa do 15 kpa (bezwzgl.) dokładność 1 kpa zintegrowany cz. Temp. do ustalenia współcz. programowej korekcji pomiaru ciśnienia Zasilanie 2.375-5.5 V zintegrowany DAC 10-bit interfejs SPI lub I²C 42

Czujnik ciśnienia MPL3115A (Freescale) skompensowany (program niepotrzebny), wyniki mianowane zakres 20-110 kpa rozdzielczość 30 cm pomiar ciśnienia: 20-bitów (Pa) pomiar wysokości: 20-bitów (m) pomiar temperatury : 12-bitów inteligencja na pokładzie zintegrowany przetwornik A/C interfejs SPI lub I²C częst. próbkowania do 128 Hz 32 rejestry FIFO (32 bit) Auto wake and sleep mode enable the application to switch modes depending on activity level- activating interrupts Adjustable and intelligent user controls allow the sample rate to be adjusted according to the environment for intelligent contextual sensing Programmable functions allow user to specify conditions for waking a host processor via interrupts Communication between sensor and host processor is minimized through smart FIFO functionality and intelligent interrupts Compensation and calibration of sensor data is enabled via local computation capability on the MPL3115A2 ASIC 43 http://www.freescale.com/webapp/sps/site/prod_summary.jsp?code=mpl115a

Czujnik ciśnienia LPS331AP (STM) Features 260 to 1260 mbar absolute pressure range High-resolution mode: 0.020 mbar RMS Low power consumption: Low resolution mode: 5.5 μa High resolution mode: 30 μa High overpressure capability: 20x full scale Embedded temperature compensation Embedded 24-bit ADC Selectable ODR from 1 Hz to 25 Hz SPI and I2C interfaces Supply voltage: 1.71 to 3.6 V High shock survivability: 10,000 g Gotowe wyniki w kodzie U2 w rejestrach 44

Czujniki temperatury Sensory rezystancyjne można w ogólności podzielić na metalowe i półprzewodnikowe (termistory). Rezystancja sensorów metalicznych w wąskim zakresie temp. może być przedst. w postaci liniowej zależności: R(t) = R o [1 + α(t - t o )] α TWR R o rezyst. w temp. t o (na ogół 0 lub 25 o C) W szerszym zakr. temp. trzeba stos. przybliżenia w post. wielomianów wyższych rzędów. Przykładowo dla platyny dobrym przybliżeniem w zakr. od temp. 0 0 C do 850 0 C (PN-EN 60751 zgod. z ITS90) jest wielomian drugiego stopnia R(Ω) = R o (1 + 39,083 10-4 T 5,775 10-7 T 2 ) R o rez. w 0 0 C T temp. w skali Kelvina Zmiany rezystancji: Pt 100 : ~ 0,4 Ω/K Ni 100 : ~ 0,6 Ω/K Pt 1000: ~ 445 Ω/K

Półprzewodnikowe czujniki termorezystorowe (termistory) Nazwą tą określa się rezystory półprzewodnikowe w postaci spieków tlenków, siarczków i selenków pierwiastków takich jak Co, Mn, Ti, Fe, Ni, Cu, Al, wytwarzanych w formie pręcików, kuleczek, kropelek, dysków itp., a także grubych warstw. Dwie grupy: NTC (negative temperature coefficient) PTC (positive temperature coefficient) Charakterystyki termistorów NTC i PTC w porównaniu do RTD 46

Pomiar rezystancji termorezystorów U dla R U w yj w yj UzR IR R R T / R 1 T RT Uz( 1 ) R 47

Termopary Typowe termopary wykonywane są jako tzw. termoelementy płaszczowe Z wykorzystaniem technologii mikromechanicznej wytwarzane są termopary na membranie. Ich mała pojemność cieplna i dobra izolacja termiczna umożliwiają pomiary promieniowania temperaturowego. W przedstawionym rozwiązaniu złącze zimne znajduje się na podłożu dobrze przewodzącym ciepło. Złącze gorące umieszczone jest w centralnej części membrany o małym przewodnictwie cieplnym. Dodatkowo absorber umieszczony jest tak aby ogrzewać złącze gorące. 48

Złącze p/n jako czujnik temperatury Polaryzujemy złącze p/n diody (wytw. z tranzystora) w kierunku przewodzenia. I = I S [exp(qu BE /kt) 1] dla qu BE >> kt U BE = (kt/q) ln (I/I S ) dla I = const uzysk. dobrą liniowość w zakr. - 50 0 C do + 150 0 C Dla tranzystorów krzemowych U BE / T - 2,25 mv/k dla T=300 K i I=10 μa I S zależy jednak nieznacznie od temperatury. Poprawę liniowości uzyskuje się w układzie różnicowym 49

Przedstawiony układ jest praktyczną realizacją omawianej metody różnicowej z wykorzystaniem złączy p/n. Wytwarzany jest często jako element scalony w podłożu krzemowym w układach wymagających regulacji temperatury (np. w mikromechanicznych cz. ciśnienia). Tranzystory Q 3 i Q 4 tworzą tzw. lustro prądowe zapewniające równość I C1 = I C2 = I Napięcie V T na rezyst. I T R jest równe V T Złączowy czujnik temperatury, układ V V be1 be2 2 k ln r T q scalony a zatem jest proporcjonalne do temp. bezwzględnej. Tego typu czujniki temp. nazywane są PTAT. 50

Low Voltage Operation (+2.7 V to +5.5 V) Calibrated Directly in C 10 mv/8 C Scale Factor (20 mv/8 C on TMP37) ±2 C Accuracy Over Temperature (typ) ±0.5 C Linearity (typ) Stable with Large Capacitive Loads Specified -40 C to +125 C, Operation to +150 C Less than 50 µa Quiescent Current Shutdown Current 0.5 µa max Scalony czujnik temperatury LM35 (TI) / TMP35 (AD) http://www.analog.com/static/imported-files/data_sheets/ad22103.pdf 51 Podobne: LM135/LM235/LM335

http://www.analog.com/static/imported-files/data_sheets/ad22103.pdf Scalony czujnik temperatury AD22103 Zasilanie 3.3V TC: 28 mv/c Zakres 0-100C Dokł. 2.5% Uwyj ~Temp*Vs (proporcjonalny) Mały współcz. samonagrzewania 52

http://www.analog.com/static/imported-files/data_sheets/ad594_595.pdf Scalony wzmacniacz do termopary AD594/AD595 53

Scalony czujnik temperatury i wilgotności SHT 71/75 (Sensirion) Czujnik + układy kondycjonujące + ADC + I 2 C Każdy czujnik kalibrowany indywidualnie w fabryce Uwaga: wrażliwy na światło słoneczne i UV ;) (starzenie) 54

Scalony cyfrowy czujnik temperatury DS18S20 (Maxim) interfejs 1-wire możliwość pracy bez zasilania Vpu (parasite power mode) zasilanie okresowe podczas wysokiego stanu na DQ 64 bitowy ROM zawiera unikalny kod urządzenia możliwość dołączenia nieograniczonej liczby czujników Tryb zasilania pasożytniczego ±0.5 C Accuracy from -10 C to +85 C rejestry alarmu T L i T H rozdzielczość 9-bitów Schemat blokowy 55

Materiały dodatkowe, źródła W. Maziarz, Wspołczesne czujniki ciśnienia, Elektronik 1 (2002) 45 49. N. Maluf, An Introduction to Microelectromechanical Systems Engineering, Artech House, Inc., Boston, 2000. M. Gad-el-Hak, (red.), The MEMS handbook, The Mechanical Engineering Handbook Series. CRC Press, Boca Raton, 2002. S. Beeby, G. Ensell, M. Kraft i N. White, MEMS Mechanical Sensors, Microelectromechanical Systems (MEMS) Series. Artech House, Inc., Boston, 2004. J. Dziuban, Technologia i zastosowanie mikromechanicznych struktur krzemowych i krzemowoszklanych w technice mikrosystemow, Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, Wrocław, 2002. J. M. Łysko, Anizotropia trawienia i piezorezystancji w kryształach połprzewodnikow. Przykłady wykorzystania w przyrządach MEMS, Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa, 2004. Michael A. Cullinan i inni, Scaling electromechanical sensors down to the nanoscale, Sensors and Actuators A 187 (2012) 162 173 http://mems.sandia.gov/about/actuators.html http://www.bacteria-world.com/what-are-mems.htm http://e-fab.com/ http://www.dei.uminho.pt/pessoas/biomedica/ultra/01258171.pdf FILM: metoda LIGA - http://www.youtube.com/watch?v=oi0hgo_dmsg http://www.memsnet.org/mems/fabrication.html 56