Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A

Podobne dokumenty
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

Ćwiczenie 2. Analiza błędów i niepewności pomiarowych. Program ćwiczenia:

Ćwiczenie 2. Analiza błędów i niepewności pomiarowych. Program ćwiczenia:

Ćw. III. Dioda Zenera

Dioda półprzewodnikowa

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Ćwiczenie 2. Analiza błędów i niepewności pomiarowych. Program ćwiczenia:

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Badanie generatora RC

Ćwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych

Badanie diody półprzewodnikowej

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

Politechnika Białostocka

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Badanie diody półprzewodnikowej

Politechnika Białostocka

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

Ćwiczenie nr 4. Badanie filtrów składowych symetrycznych prądu i napięcia

POLITECHNIKA WARSZAWSKA Wydział Elektryczny Zakład Systemów Informacyjno-Pomiarowych

Politechnika Białostocka

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a

1 Ćwiczenia wprowadzające

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

EFEKT FOTOELEKTRYCZNY ZEWNĘTRZNY

Ćw. 8 Weryfikacja praw Kirchhoffa

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia

SERIA II ĆWICZENIE 2_3. Temat ćwiczenia: Pomiary rezystancji metodą bezpośrednią i pośrednią. Wiadomości do powtórzenia:

TRANZYSTORY BIPOLARNE

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Katedra Energetyki. Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Badanie obwodów z prostownikami sterowanymi

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

R X 1 R X 1 δr X 1 R X 2 R X 2 δr X 2 R X 3 R X 3 δr X 3 R X 4 R X 4 δr X 4 R X 5 R X 5 δr X 5

POMIARY REZYSTANCJI. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Ćwiczenie 14 Temat: Pomiary rezystancji metodami pośrednimi, porównawczą napięć i prądów.

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 9. Pomiar rezystancji metodą porównawczą.

Temat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych

ĆWICZENIE ZASILACZE. L a b o r a t o r i u m Elektroniki 2. Zakład EMiP I M i I B

POMIAR NAPIĘCIA STAŁEGO PRZYRZĄDAMI ANALOGOWYMI I CYFROWYMI. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia

ZASADY DOKUMENTACJI procesu pomiarowego

Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED)

LABORATORIUM ELEKTRONIKI OBWODY REZONANSOWE

Ćwiczenie 1. Sprawdzanie podstawowych praw w obwodach elektrycznych przy wymuszeniu stałym

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych prądu stałego i przemiennego

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

A-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych

Politechnika Białostocka

Transkrypt:

Instrkcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A Temat: Pomiar rezystancji dynamicznej wybranych diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie metod wyznaczania oraz pomiar rezystancji dynamicznej (róŝniczkowej) wybranych diod półprzewodnikowych. I. Wymagane wiadomości. 1. Równanie opisjące charakterystykę statyczną diody półprzewodnikowej. 2. Czynniki wpływające na przebieg I(U) w diodach przy polaryzacji zaporowej i w kiernk przewodzenia. 3. Elektryczne schematy zastępcze liniowe diod półprzewodnikowych dla wszystkich zakresów częstotliwości. 4. Interpretacja fizyczna elementów schematów zastępczych. 5. Definicja rezystancji dynamicznej i sposób jej wyznaczania na podstawie charakterystyk. 6. Znajomości metody pomiar rezystancji dynamicznej. II. Wykonanie ćwiczenia. 1. Opis kład pomiarowego. W skład stanowiska pomiarowego wchodzi: przystawka pomiarowa, zasilacz, dwa mierniki napięcia zmiennego (V541) (V, V 2 ), miernik napięcia stałego. Wewnątrz przystawki znajdje się obwód pomiarowy zawierający: źródło prąd stałego, o bardzo dŝej rezystancji, dostarczające prąd I D ; generator sygnał sinsoidalnego o częstotliwości f = 1 khz; elementy bierne: R = 50 Ω, C = 101 µf. Badaną diodę mieszcza się w podstawce wbdowanej na płycie czołowej przystawki. Schemat kład do pomiar rezystancji róŝniczkowej (dynamicznej) przedstawiono na rys. 1. Rezystancję dynamiczną moŝna mierzyć przy ob polaryzacjach diody, t.j. w kiernk przewodzenia lb zaporowym, dla wybranych pnktów pracy.

W kładzie moŝna wyróŝnić dwa obwody: stałoprądowy, w którym stala się pnkt pracy diody oraz zmiennoprądowy, przez który przepływa prąd pomiarowy. Rezystancję róŝniczkową diody mierzy się (w pnkcie pracy określonym przez I D oraz U D ) małym sygnałem zmiennym o amplitdzie I << I D. Woltomierz V = moŝliwia kontrolę napięcia stałego U D na diodzie D. (Przez I D oraz U D oznaczono ogólnie prąd i napięcie diody). V 1 R C I D V = U D D V 2 Gen. Rys. 1. Schemat kład do pomiar rezystancji dynamicznej diod półprzewodnikowych. Pomiar rezystancji róŝniczkowej w kładzie przedstawionym na rys. 1. dokonje się metodą pośrednią. Wartość rezystancji róŝniczkowej oblicza się ze wzor: r r 2 d = R = R gdzie R = 50 Ω (1) Przez d oznaczono napięcie zmienne na diodzie, równe róŝnicy napięć ( 2 - ). Prąd zmienny płynący przez diodę określany jest ze stosnk napięcia zmiennego do rezystancji R. 2. Pomiary rezystancji róŝniczkowej wybranych diod. W ćwiczeni przeprowadza się pomiary rezystancji róŝniczkowej spolaryzowanych w kiernk przewodzenia diod: prostowniczej germanowej, krzemowej; ostrzowej DOG16 lb DOG 20 oraz diody Zenera (stabilizacyjnej). Dioda Zenera badana jest równieŝ przy 2

polaryzacji zaporowej, w zakresie przebicia. Wszystkie pomiary przeprowadzane są w stalonych pnktach pracy. 2.1. Pomiar rezystancji róŝniczkowej diody spolaryzowanej w kiernk przewodzenia. 1. Dołączyć zasilacz do przystawki pomiarowej zgodnie z zaznaczoną polaryzacją. 2. Dołączyć miernik napięcia stałego U D i mierniki napięć oraz 2. 3. Umieścić badaną diodę D w przystawce pomiarowej zachowjąc właściwy kiernek polaryzacji. 4. Włączyć zasilacz i stawić napięcie zasilania równe 15 V. 5. Przy stawionej najmniejszej wartości prąd I D = I F odczytać wartość napięcia U D = U F i zanotować w tabeli 1. 6. Ustawić wartość sygnał zmiennego 2 na poziomie zgodnionym z prowadzącym zajęcia. 7. Odczytać i zanotować w tabeli wartości napięć oraz 2 z dokładnością do drgiego miejsca po przecink. 8. Ustawić kolejną wartość prąd I F, odczytać wartość napięcia U F i dla poprzednio stalonej wartości napięcia 2 odczytać wartość napięcia. Wyniki odczytów zanotować w tabeli (wedłg wzor Tabela1). 9. Na podstawie zaleŝności (1) obliczyć rezystancję róŝniczkową w poszczególnych pnktach pracy. Uwaga. Przed pomiarami rezystancji róŝniczkowej kaŝdej kolejnej diody naleŝy na przystawce pomiarowej stawić pokrętła reglacji I D oraz napięcia zmiennego w skrajnym, lewym połoŝeni oraz mieścić badaną diodę D w przystawce pomiarowej zachowjąc właściwy kiernek polaryzacji. 2.2. Pomiar rezystancji róŝniczkowej diody Zenera spolaryzowanej w kiernk zaporowym. Rezystancje róŝniczkową diody Zenera bada się przy polaryzacji zaporowej, w zakresie przebicia, dla stalonych wartości prąd stałego I D = I R = I Z. W tym cel naleŝy wykonać niŝej podane czynności. 1. Wykonać polecenia podane w podpnktach (1-4), zawartych w p.2.1. 2. Przy stawionej najmniejszej wartości prąd I D = I R odczytać wartość napięcia U D = U R i zanotować w tabeli 2. 3

3. Ustawić wartość sygnał zmiennego 2 na poziomie zgodnionym z prowadzącym zajęcia. 4. Odczytać i zanotować w tabeli wartości napięć oraz 2 z dokładnością do drgiego miejsca po przecink. 5. Ustawić kolejną wartość prąd I R, odczytać wartość napięcia U R i dla poprzednio stalonej wartości napięcia 2 odczytać wartość napięcia. Wyniki odczytów zanotować w tabeli (wedłg wzor Tabela 2). 6. Na podstawie zaleŝności (1) obliczyć rezystancję róŝniczkową w poszczególnych pnktach pracy badanej diody Zenera. III. Opracowanie wyników. 1. Na jednym kładzie współrzędnych narysować przebiegi rezystancji róŝniczkowej r r w fnkcji prąd I D wszystkich zbadanych diod. 2. Wskazać zakresy charakterystyk, w których zmierzona rezystancja dynamiczna posiada wartości zbliŝone do rzeczywistych. Tabela 1. Pomiar rezystancji róŝniczkowej przy polaryzacji diody w kiernk przewodzenia. I F [ma] U F [V] 2 [mv] [mv] d [mv] r r [Ω] 4

Tabela 2. Pomiar rezystancji róŝniczkowej r z diody Zenera przy polaryzacji w kiernk zaporowym. I R [ma] U R [V] 2 [mv] [mv] d [mv] r z [Ω] 5