ZASTOSOWANIE KOMPUTEROWYCH INSTRUMENTÓW WIRTUALNYCH DO KALIBRACJI BIOSENSORÓW WYKONANYCH NA BAZIE TRANZYSTORÓW ISFET



Podobne dokumenty
UKŁAD ELEKTRONICZNY DO POMIARU ph ZA POMOCĄ CZUJNIKA TYPU ISFET

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat.

Politechnika Białostocka

OCENA MOśLIWOŚCI ZASTOSOWANIA BIOSENSORÓW TYPU ISFET W PRZEMYŚLE SPOśYWCZYM

MODELING OF MEASURING SYSTEMS IN VEE PRO PROGRAMMING ENVIRONMENT WITH USE OF VIRTUAL INSTRUMENTS

Politechnika Białostocka

INSTRUMENT WIRTUALNY DO OCENY POPRZECZNEGO ROZKŁADU ROZPYLONEJ STRUGI W OPRYSKIWACZACH ROLNICZYCH

DOBÓR ŚRODKÓW TRANSPORTOWYCH DLA GOSPODARSTWA PRZY POMOCY PROGRAMU AGREGAT - 2

Tranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Politechnika Białostocka

InŜynieria Rolnicza 14/2005. Streszczenie

KOMPUTEROWE WSPOMAGANIE OCENY HAŁASU NA STANOWISKACH PRACY

MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG

SYSTEM MONITOROWANIA DECYZYJNEGO STANU OBIEKTÓW TECHNICZNYCH

BIOSENSORY SENSORY BIOMEDYCZNE. Sawicki Tomasz Balicki Dominik

TRANZYSTORY BIPOLARNE

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Podstawy elektroniki i metrologii

KOMPUTEROWE WSPOMAGANIE DOBORU OŚWIETLENIA NA STANOWISKACH PRACY

PROGRAM WSPOMAGAJĄCY OCENĘ INWESTYCJI MECHANIZACYJNYCH DOZEM 2

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

Politechnika Gdańska WYDZIAŁ ELEKTRONIKI TELEKOMUNIKACJI I INFORMATYKI. Katedra Metrologii i Optoelektroniki. Metrologia. Ilustracje do wykładu

AUTOMATYKA I POMIARY LABORATORIUM - ĆWICZENIE NR 13 WŁAŚCIWOŚCI METROLOGICZNE POTENCJOMETRYCZNYCH CZUJNIKÓW GAZOWYCH

Projektowanie i symulacja systemu pomiarowego do pomiaru temperatury

Półprzewodnikowe przyrządy mocy

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

Materiały używane w elektronice

Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali

KOMPUTEROWE WSPOMAGANIE CHEMICZNEJ OCHRONY ROŚLIN PRZY POMOCY PROGRAMU HERBICYD-2

Segmenty rynku sterowników

SPOSOBY POMIARU KĄTÓW W PROGRAMIE AutoCAD

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćw. 8 Bramki logiczne

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

1. Opis aplikacji. 2. Przeprowadzanie pomiarów. 3. Tworzenie sprawozdania

1. Instalacja modułu w systemie Windows.

Laboratorium: Systemy operacyjne czasu rzeczywistego. Temat: Wprowadzenie do karty DS1102 i oprogramowania Control Desk.

Research & Development Ultrasonic Technology / Fingerprint recognition

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

PL B1. Sposób badania przyczepności materiałów do podłoża i układ do badania przyczepności materiałów do podłoża

Budowa. Metoda wytwarzania

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 15/15

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

(zwane również sensorami)

OCENA SKUTKÓW ZMIAN ZASILANIA W OPTOELEKTRONICZNYM SYSTEMIE POMIARU WILGOTNOŚCI GLEBY

2.2 Opis części programowej

Wyposażenie do pomiaru momentu

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

IV. TRANZYSTOR POLOWY

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

DTR.AS.01 APLISENS PRODUKCJA PRZEMYSŁOWEJI APARATURY POMIAROWEJ I ELEMENTÓW AUTOMATYKI INSTRUKCJA OBSŁUGI (DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA) Edycja H

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

Rys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+)

Pomiar wilgotności cukru transportowanego do silosu

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

(54) (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 PL B1 C23F 13/04 C23F 13/22 H02M 7/155

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są

LB-471P, panel ciśnieniomierza z pętlą prądową 4..20mA INSTRUKCJA UśYTKOWANIA wersja instrukcji 1.1

WAT - WYDZIAŁ ELEKTRONIKI INSTYTUT SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH. Przedmiot: CZUJNIKI I PRZETWORNIKI Ćwiczenie nr 1 PROTOKÓŁ / SPRAWOZDANIE

AKADEMIA GÓRNICZO HUTNICZA Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

POMIAR ZALEśNOŚCI PRZENIKALNOŚCI ELEKTRYCZNEJ FERROELEKTRYKA OD TEMPERATURY SPRAWDZANIE PRAWA CURIE - WEISSA

Ćwiczenie 4 Badanie uogólnionego przetwornika pomiarowego

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

INSTYTUT ELEKTROENERGETYKI POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ BADANIE PRZETWORNIKÓW POMIAROWYCH

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

MODELOWANIE SYSTEMU OCENY WARUNKÓW PRACY OPERATORÓW STEROWNI

Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki

Analogowy sterownik silnika krokowego oparty na układzie avt 1314

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Opis. systemu. zliczania. obiektów. ruchomych. wersja. dla salonów. i sieci salonów.

Projekt rejestratora obiektów trójwymiarowych na bazie frezarki CNC. The project of the scanner for three-dimensional objects based on the CNC

METODY BADAŃ POMIAROWYCH W WIEJSKICH STACJACH TRANSFORMATOROWYCH

EKG (Elektrokardiogram zapis czasowych zmian potencjału mięśnia sercowego)

Politechnika Białostocka

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Laboratorium z Konwersji Energii. Ogniwo Paliwowe PEM

Zakład Zarządzania Produkcją 2010 r. Materiały pomocnicze do zajęć laboratoryjnych z przedmiotu CAD

BUDOWA PNEUMATYCZNEGO STEROWNIKA

Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia

METODYKA BADAŃ MAŁYCH SIŁOWNI WIATROWYCH

Podstawy obsługi aplikacji Generator Wniosków Płatniczych

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM

KOMPUTEROWA ANALIZA PRACY UKŁADÓW PROSTOWNICZYCH WYKORZYSTANYCH W PRZEMYŚLE ROLNO-SPOŻYWCZYM

KOMPUTEROWY MODEL UKŁADU STEROWANIA MIKROKLIMATEM W PRZECHOWALNI JABŁEK

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

Badanie właściwości łuku prądu stałego

Ćwiczenie 4 Badanie ładowania i rozładowania kondensatora

VIGOTOR VPT-13. Elektroniczny przetwornik ciśnienia 1. ZASTOSOWANIA. J+J AUTOMATYCY Janusz Mazan

Wagosuszarka MOC-120H. CENA: zł netto

To jeszcze prostsze, MMcc1100!

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

INTERFEJS TDM ZOLLER VENTURION 600 ZASTOSOWANIE W PRZEMYŚLE. Streszczenie INTERFACE TDM ZOLLER VENTURION 600 USE IN THE INDUSTRY.

Czujniki podczerwieni do bezkontaktowego pomiaru temperatury. Czujniki stacjonarne.

KOMPUTEROWY SPRAWDZIAN WIEDZY


Termometr LB-471T INSTRUKCJA UśYTKOWANIA wersja instrukcji 1.1

Transkrypt:

Marek Kuna-Broniowski Katedra Podstaw Techniki Akademia Rolnicza w Lublinie ZASTOSOWANIE KOMPUTEROWYCH INSTRUMENTÓW WIRTUALNYCH DO KALIBRACJI BIOSENSORÓW WYKONANYCH NA BAZIE TRANZYSTORÓW ISFET Streszczenie Czujniki biosensorowe oparte na strukturze tranzystorów ISFET, dzięki swojej dokładności oraz moŝliwości wykrywania i mierzenia zawartości skomplikowanych związków organicznych, zaczynają być obecnie stosowane w rolnictwie i przemyśle rolno-spoŝywczym do oceny jakości surowców i produktów. Utrudnienie w ich szerszym zastosowaniu stanowi między innymi wraŝliwość na warunki zasilania oraz zmiany dokładności spowodowane degradacją membrany lub powłoki czułej na jony. Zaproponowano rozwiązanie tego problemu przez utworzenie aplikacji wykonanej w języku programowania graficznego, która pozwala na przeprowadzenie kontroli stanu i kalibrację czujnika biosensorowego w sposób półautomatyczny. Słowa kluczowe: biosensor, ISFET Wprowadzenie Pierwsze zastosowanie czujników opartych na strukturach półprzewodnikowych do celów biologicznych i biomedycznych miało miejsce w latach siedemdziesiątych ubiegłego stulecia. Technologia ta szybko ujawniła swoje zalety, dzięki uzyskiwaniu danych pomiarowych w postaci sygnałów elektrycznych, małym wymiarom czujników i uzyskiwaniu wyników w krótkim czasie. RównieŜ powtarzalność charakterystyk czujników ulega poprawie dzięki zintegrowanej budowie, wykorzystującej jako bazę monokrystaliczne płytki krzemowe. Coraz większa dokładność osiągana przez przyrządy pomiarowe wyposaŝone w takie czujniki powoduje, iŝ z powodzeniem zastępują one pomiary dokonywane klasycznymi metodami chemicznymi. Pomiary z wykorzystaniem biosensorów jako detektorów związków chemicznych mają wiele zalet, do których naleŝy zwłaszcza szybkość pomiarów, dokonywanie pomiarów on-line oraz uzyskiwanie danych pomiarowych w postaci sygnałów elektrycznych, co pozwala na sprzęŝenie toru pomiarowego z komputerem i korzystanie z moŝliwości, jakie dają technologie 171

informatyczne. Najpopularniejszą metodą wytwarzania biosensorów jest technologia ISFET, polegająca na nanoszeniu odpowiednich powłok na zmodyfikowaną strukturę tranzystora polowego typu FET lub MOSFET. Na rysunku 1 przedstawiono schemat, w jaki sposób przekształca się strukturę tranzystora w sensor czuły na jony. Rys.1. a) Schemat budowy MOSFET, b)schemat budowy ISFET, c) Zastępczy schemat elektryczny MOSFET i ISFET Fig. 1. a) Scheme of the MOSFET construction, b) Scheme of the ISFET construction, c) Virtual electrical scheme of MOSFET and ISFET Metaliczna bramka MOSFET przedstawiona na rysunku 1.a w sensorze zostaje zastąpiona przez metalową elektrodę odniesienia, podczas gdy ciecz, w której ta elektroda jest umieszczona, tworzy kontakt z odkrytym izolatorem bramki (rys.1.b). Obydwa urządzenia mają taki sam elektryczny schemat zastępczy, pokazany na rysunku1c. MontaŜ mechaniczny obu tych urządzeń półprzewodnikowych jest jednak zupełnie inny. O ile typowy tranzystor MOSFET moŝe być całkowicie zamknięty w obudowie, to w przypadku sensora ISFET źródło i dren wraz z ich kontaktami elektrycznymi i doprowadzeniami muszą być szczelnie obudowane, to obszar bramki musi być odkryty, aby umoŝliwić kontakt z cieczą. Dzięki temu, Ŝe obydwa urządzenia mają identyczny zastępczy schemat elektryczny, równanie prądu drenu dla obszaru nienasyconego (poniŝej pinch-of) przybiera zarówno dla MOSFET jak i ISFET następującą postać wyraŝoną klasycznym równaniem [Tsividis 1987]: 172

I d = β(v gs V T 1 / 2 V ds )V ds (1) gdzie β jest parametrem określonym przez mobilność µ elektronów w warstwie, pojemność pomiędzy bramką a izolacją w odniesieniu do jednostki powierzchni C ox i stosunkiem szerokości do długości kanału przewodzącego w tranzystorze W/L opisanym poniŝszym wzorem: β = µ C ox W/L (2) Jak wynika z powyŝszych wzorów, prąd drenu jest funkcją napięcia przyłoŝonego do bramki tranzystora. Jednak w przypadku czujnika na bazie ISFET obszar bramki ma kontakt z otaczającym go roztworem bezpośrednio lub za pośrednictwem membrany selektywnej, przepuszczalnej tylko dla jonów wybranych związków chemicznych. Tak zwane napięcie progowe tranzystora zaleŝy wówczas zarówno od stanu otaczającego czujnik roztworu, jak i od rodzaju i stanu membrany selektywnej jono-przepuszczalnej. Mechanizm działania czujnika pochodzi z czułości na ph nieorganicznej bramki tlenkowej zbudowanej na bazie SiO 2 lub Ta 2 O 5 i jej oddziaływania z jonami przenikającymi pokrywającą bramkę membranę selektywną. JeŜeli nałoŝymy na górna powierzchnie bramki membranę wychwytującą enzymy, wówczas otrzymamy tzw. sensor enzymatyczny tak jak to pokazano na rysunku 2 [Jaffrezic-Renault 2001]. Istotną niedogodnością w stosowaniu takich czujników jest ich wraŝliwość na warunki przechowania, mała stabilność czasowa oraz rozrzut parametrów poszczególnych czujników. Stąd teŝ konieczność dokonywania częstej kalibracji tychŝe czujników. Problem ten jest na tyle powaŝny, Ŝe pojawiają się obecnie czujniki biosensorowe wyposaŝane we własną pamięć EPROM, do której wpisywana jest indywidualna charakterystyka uzyskiwana w trakcie kalibracji [Hye-Sung Lee i inn. 2001]. Aby moŝna było uznawać dane pomiarowe pochodzące z czujników biosensorycznych za wiarygodne, muszą być one często kalibrowane i sprawdzane zarówno przed zastosowaniem, jak i w trakcie eksploatacji. Pojawia się, zatem konieczność opracowania szybkiego, a jednocześnie zautomatyzowanego procesu sprawdzania biosensorów. 173

Rys.2. Schemat sensora z membraną modyfikowaną enzymatycznie i przekrój tego sensora. Wysokość membrany determinowana jest grubością osłony epoksydowej ok. 200 µm Fig. 2. Scheme of a sensor with enzymatically modified membrane and sensor s cross section. Membrane height is determined by thickness of epoxide coating (~200 µm) Metodyka badań W celu dokonywania szybkiej i kompleksowej oceny czujnika zastosowano tzw. jonowo-skokową metodę oceny stanu czujnika. Zasadniczą róŝnicą pomiędzy tą metodą a wieloma innymi jest fakt, Ŝe opiera się ona na pomiarze parametrów dynamicznych czujnika, podczas gdy metody tradycyjne dokonują pomiarów statycznych i wymagają uzyskania stanu równowagi elektrycznej i termodynamicznej. W metodzie skokowej stymulujemy skok koncentracji elektrolitu i obserwujemy dynamiczną odpowiedź elektryczną czujnika na tę zmianę (rys.3). Aby taka ocena mogła być dokonana szybko i pozwalała uzyskać powtarzalne wyniki, opracowano aplikację komputerową w postaci pomiarowego instrumentu wirtualnego, zaimplementowanego w komputerze. 174

Zaimplementowana aplikacja generuje poprzez kartę przetworników cyfrowo-analogowych serię napięć i bada odpowiedzi czujnika poprzez tę kartę. Ręczna część procedury kontrolno-kalibracyjnej sprowadza się wówczas do przygotowania odpowiedniego roztworu kalibrującego i umieszczenia w nim czujnika. Dzięki wyposaŝeniu aplikacji w przyjazny interfejs, uŝytkownik moŝe nadzorować przebieg procedur pomiarowych oraz sterujących i ingerować w nie w miarę potrzeby. Aplikacja umoŝliwia zapis przebiegu procedury do innych programów ze środowiska Windows i dokonanie pogłębionej analizy matematycznej. Rys.3. Krokowo- jonowa metoda pomiarowa - impuls chemiczny i odpowiedź chemo-elektryczna biosensora Fig. 3. Step ionic measuring method chemical impulse and chemico electric response of biosensors Wyniki pomiarów Badania przeprowadzono dla biosensora z odsłoniętą bramką jak na rysunku 4 w celu oceny poprawności pracy struktury półprzewodnikowej ISFET. 175

Zmianę koncentracji elektrolitu dokonywano przez kontrolowane dawkowanie kwasu octowego. Na rysunku 5 przedstawiono widok okna interfejsu uŝytkownika instrumentu wirtualnego, na którym uwidoczniono reakcję czujnika na skokową zmianę koncentracji elektrolitu. Rys.4. Powiększony widok biosensora z odkrytą bramką Fig. 4. Enlarged view of biosensor with uncovered gate Interfejs umoŝliwia nie tylko obserwację dynamicznej reakcji czujnika na zmianę koncentracji elektrolitu, ale równieŝ pozwala analizować wpływ parametrów zasilania na odpowiedź sygnałową czujnika. MoŜliwe jest to dzięki temu, Ŝe czujnik jest zasilany z poziomu aplikacji poprzez kartę przetworników analogowo-cyfrowych. Pozwala to na programowe sterownie poziomami wszystkich napięć występujących w obwodzie pomiarowym. 176

Rys.5. Widok interfejsu uŝytkownika aplikacji Fig. 5. View of application user s interface Wnioski Przeprowadzone badania wykazały przydatność wirtualnych przyrządów pomiarowych zaimplementowanych w komputerze do oceny czujników wykonanych na bazie ISFET. Szczególną przydatność wykazują one przy zastosowaniu jonowo-skokowej metody oceny stanu czujnika. Cyfrowy sposób rejestracji danych umoŝliwia łatwe zapamiętywanie wyników i porównywanie danych wzorcowych z rezultatami pomiarów. Analiza danych uzyskiwanych z odpowiedzi czujnika na skokowe zmiany impulsu wymuszającego pozwala skrócić czas pomiaru do niezbędnego minimum. Zasilanie obwodów pomiarowych bezpośrednio z komputera poprzez przetworniki cyfrowo-analogowe umoŝliwia pełną kontrolę warunków pomiarów, ich rejestrację w postaci pliku pomiarowego w pamięci komputera oraz łatwe odtworzenie w celu powtórzenia badań w tych samych warunkach. 177

Bibliografia Hye-Sung Lee, Young-Ah Kim, Duck Hwa Chung & Yong Tae Lee. 2001. Determination of carbamate pesticides by a cholinesterase-based flow injection biosensor. International Journal of Food Science & Technology, Volume 36, Issue 3, Page 263 Jaffrezic-Renault N. 2001. New Trends in Biosensors for Organophosphorous Pesticides. Sensors, 1: 60-74 Tsividis Y.P. 1987. Operation and modeling of the MOS transistors. McGraw-Hill, New York APPLICATION OF VIRTUAL COMPUTER INSTRUMENTS TO CALIBRATION OF BIOSENSORS BASED ON THE ISFET TRANSISTORS Summary Biosensors based on the ISFET transistor structure owing to their accuracy and possibilities of detecting and measuring the contents of complex organic compounds began to be applicable in agriculture and food processing industry to evaluating the quality of raw materials and products. However, their extensive use is being limited, among the others, by their sensitivity to conditions of power supply and changes in accuracy resulted from degradation of ion-sensible membrane or coating. This paper proposed to solve the problem in way of developing an application prepared in graphical programming language, that enables the semiautomatic control and calibration of biosensor. Key words: ISFET biosensor, semi-automatic calibration, computer programme Recenzent Jerzy Weres 178