Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Robert P. Sarzała 1, Michał Wasiak 1, Maciej Kuc 1, Adam K. Sokół 1, Renata Kruszka 2, Krystyna Gołaszewska 2 1 Wydział FTIMS, Instytut Fizyki, Politechnika Łódzka, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź 2 Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
Plan prezentacji 1. Wcześniejsze wyniki 2. Struktura 3. Model 4. Własności cieplne 5. Własności elektryczne 6. Podsumowanie
Parametry materiałowe
Cieplny model trójwymiarowy Active layer Air bridge W płaszczyźnie warstwy czynnej; T max = 311.1 K
Przekładki i chłodnice
Lasery i ich matryce z y x
Efekty polaryzacyjne
Diody ZnO/GaN z kryształem fotonicznym
Modelowana struktura
Model
Charakterystyka prądowo-napięciowa
Rozkład temperatury
Właściwości cieplne
Właściwości cieplne
Właściwości cieplne
Właściwości cieplne
Optymalizacja kontaktów
Optymalizacja kontaktów
Nieistotne parametry Zmiana następujących nie powoduje istotnych zmian prądowych i termicznych parametrów diody: głębokość mesy szerokość kontaktu typu n odległość kontaktu typu n od mesy
Wnioski 1. Wyniki symulacji charakterystyki I-V dobrze zgadzają się z eksperymentem 2. Przepływ prądu zdeterminowany jest przez parametry kontaktu typu p 3. Możliwa jest optymalizacja średnicy mesy i geometrii kontaktu typu p 4. Oporność termiczna struktury jest relatywnie niewielka, co pozwala na pobudzanie jej w dużym zakresie
Podsumowanie Publikacje 17 Prace konferencyjne 36 Prace dyplomowe 2 Doktoraty 1