Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Podobne dokumenty
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Dioda półprzewodnikowa

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET

Systemy i architektura komputerów

Dioda półprzewodnikowa

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

Wiadomości podstawowe

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Badanie tranzystora bipolarnego

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Politechnika Białostocka

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

Temat i cel wykładu. Tranzystory

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Politechnika Białostocka

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

Tranzystor bipolarny

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka

Tranzystory i ich zastosowania

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

Rozmaite dziwne i specjalne

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Wejścia logiczne w regulatorach, sterownikach przemysłowych

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 1 Pomiar wielkości elektrycznych z wykorzystaniem instrumentów NI ELVIS II

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

Politechnika Białostocka

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE WPROWADZENIE

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 22. Tranzystor i układy tranzystorowe

Budowa. Metoda wytwarzania

(57)czterech tranzystorów bipolarnych i pierwszego PL B 1 HG3K 1 7 / 3 0 H 0 3 G 1 1 / 0 6. Fig.8. Fig.4 H03K 5 / 0 8

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Politechnika Białostocka

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

Badanie diod półprzewodnikowych

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Włączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3

Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania: 01

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Ćwiczenie 16. Temat: Wzmacniacz w układzie Darlingtona. Cel ćwiczenia

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Liniowe układy scalone

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 26/16

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2017 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Inżynierii akustycznej. Wzmacniacze akustyczne

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

Transkrypt:

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny składa się z trzech obszarów półprzewodnika o przeciwnym typie przewodnictwa (n-p-n lub p-n-p), powoduje to powstanie dwóch złączy: n-p i p-n lub analogicznie p-n i n-p. Tak więc rozróżniamy dwa typy tranzystorów bipolarnych npn i pnp. Tranzystor PNP Tranzystor NPN

Budowa tranzystora bipolarnego [http://home.agh.edu.pl/~maziarz/labpe/bipolarne.html]

KOLEKTOR BAZA U BE Tranzystor PNP EMITER U BE Tranzystor NPN Gdy w tranzystorze NPN napięcie na bazie jest wyższe od napięcia na emiterze o około 0,7V, tranzystor zaczyna przewodzić. Gdy w tranzystorze PNP napięcie na bazie jest niższe od napięcia na emiterze o około 0,7V, tranzystor zaczyna przewodzić.

Charakterystyki pracy tranzystora [http://home.agh.edu.pl/~maziarz/labpe/bipolarne.html]

Sprawdź tę własność sporządzając ukłąd jak na rysunku. Dla potencjometru 1kOhm ustaw skok (Increment) co 1%

Zaobserwuj iż na początku napięcie na kolektorze jest praktycznie równe napięciu zasilania (tranzystor nie przewodzi prądu). W miarę wzrostu napięcia na bazie maleje ono aby osiągnąć wielkość rzędu kilkuset milivoltów. Jest to tzw. nasycenie tranzystora. Płynie duży prąd który powoduje odłożenie na rezystorze kolektorowym R2 napięcia prawie równego napięciu zasilania.

Stosunek I C / I B jest stały, co oznacza, że pewnej wartości prądu bazy I B odpowiada określona wartość prądu kolektora I C. Można zatem zmieniać prąd bazy po to aby uzyskiwać b-krotnie większe zmiany prądu kolektora. Uzyskuje się zatem wzmocnienie przez tranzystor mocy sygnału sterującego. Większą moc sygnału w obwodzie kolektora otrzymuje się kosztem mocy czerpanej z zasilacza. Parametr b (wzmocnienie prądowe jest bardzo ważnym parametrem tranzystora) Dla tranzystorów krzemowych NPN wynosi on około kilkaset (tranzystory małej mocy) do kilkadziesiąt tranzystory dużej mocy)

Tranzystor jako klucz Sporządź układ jak na rysunku, po uruchomieniu symulacji porównaj sygnał wejściowy na bazie tranzystora z napięciem na kolektorze tranzystora. Pojawienie się wysokiego napięcia na bazie tranzystora (powyżej 0,7V) powoduje załączenie tranzystora i przepływ prądu przez Rezystor R1, napięcie na kolektorze będzie prawie równe 0V.

Taki układ działa też jak negator sygnału, co jest wykorzystywane w technice cyfrowej: Na wejściu napięcie niskie, na wyjściu napięcie zasilania 5V i odwrotnie na wejściu napięcie 5V, na wyjściu napięcie prawie równe 0V. Tak więc podając napięcie na bazę tranzystora możemy go włączyć i wtedy napięcie na kolektorze jest prawie równe potnecjałowi emitera.

Aby zaobserwować te zależności w obwodzie kolektora umieść żarówkę z biblioteki Indicators. Taką samą żarówkę umieść w obwodzie bazy tranzystora. Obie mają mieć podpięty jeden biegun do zasilania 5V

Sporządź analogiczny schemat dla tranzystora PNP

Klucze tranzystorowe stosuje się często do sterowania silnikami prądu stałego lub przekaźnikami. Są to elementy indukcyjne, w których jest gromadzona energia. Przy przełączaniu klucza powstają napięcia wsteczne, mogące uszkodzić tranzystor. Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj te przepięcia. Przekaźnik znajdziesz w katalogu Basic, Relay.

Zaobserwuj przepięcia na przebiegu wyjściowym kolor czerwony

Tranzystor można zabezpieczyć dopinając równolegle do cewki przekaźnika diodę w kierunku zaporowym. Zmodyfikuj schemat do postaci na rysunku. Jak widać przepięcia zniknęły.

Zamień schemat stosując tranzystor PNP, a następnie dołącz diodę zabezpieczającą.

Tranzystor w układzie wzmacniacza napięciowego w układzie: wspólny emiter WE

Zbuduj układ jak na rysunku

Zmierz stosunek amplitudy sygnału wyjściowego do wejściowegowzmocnienie napięciowe. Zmodyfikuj wartość elementów do postaci na rysunku i ponownie zmierz wzmocnienie napięciowe układu. Który z elementów został zmieniony i jak wpłynęło to na wzmocnienie napięciowe układu.

Zwiększ amplitudę sygnału wejściowego, zobacz jak zniekształcony jest sygnał wyjściowy, dla jakiej amplitudy sygnał wyjściowy przybierze kształt sinusoidy.

Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru żarówka zaświeci się. Wartość rezystancji zależy od wzmocnienia tranzystora.

Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Połączenie dwóch tranzystorów jak na rysunku poniżej zapewnia załączanie klucza z większym wzmocnieniem - odpowiada to innemu ustawieniu suwaka potencjometru.

Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona W układzie Darlingtona wzmocnienie prądowe układu obu tranzystorów jest równe iloczynowi współczynników wzmocnienia obu tranzystorów. Umożliwiło to m.in. budowę tzw. czujników dotykowych. Do włączenia klucza tranzystorowego wystarczyło dotknięcie bazy układu Darlingtona i dodatniego bieguna źródła napięcia.

Część praktyczna

Podstawowym parametrem tranzystora bipolarnego jest tzw. współczynnik wzmocnienia prądowego. Jest to stosunek prądu kolektora (prądu sterowanego) do prądu bazy (prądu sterującego). Połączenie dwóch tranzystorów w tzw. układzie Darlingtona (Super Alfa) zapewnia, że współczynnik wzmocnienia takiego układu jest iloczynem współczynników wzmocnienia obu tranzystorów.