Elektronika i techniki mikroprocesorowe
|
|
- Maksymilian Kuczyński
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 lektronika i techniki mikroprocesorowe lektronika Podstawowe elementy stosowane w elektronice Katedra nergoelektroniki, Napędu lektrycznego i obotyki Wydział lektryczny, ul. Krzywoustego 2
2 Jednostka organizacyjna prowadząca przedmiot: Katedra nergoelektroniki, Napędu lektrycznego i obotyki Wydział lektryczny, ul. Krzywoustego 2 Wymiar godzinowy przedmiotu: 1 godzina wykładu/tydzień 1 godzina laboratorium/tydzień Osoby prowadzące przedmiot: dr hab. inŝ. ogusław Grzesik, prof. Pol. Śl. dr inŝ. Marcin Zygmanowski dr inŝ. Jarosław Michalak dr inŝ. Arkadiusz Domoracki dr inŝ. Michał Jeleń dr inŝ. Aleksander odora mgr inŝ. Grzegorz Jarek mgr inŝ. Wojciech Jurczak mgr inŝ. Krzysztof odzek W1: lektronika 2
3 PLAN WYKŁAD ADÓW Wykład 1 Podstawowe elementy stosowane w elektronice Źródła energii, elementy bierne, elementy półprzewodnikowe, unipolarne i bipolarne, układy z tranzystorem bipolarnym Wykład 2 Wybrane układy elektroniczne Wzmacniacze operacyjne i ich zastosowania Zasilacze prądu stałego Wykład 3 Wybrane układy elektroniczne Generatory drgań sinusoidalnych Generatory drgań niesinusoidalnych Wykład 4 Podstawy techniki cyfrowej Zapis binarny, algebra oole a, podstawowe układy cyfrowe, technologie realizacji i ich charakterystyki, układy kombinacyjne W1: lektronika 3
4 PLAN WYKŁAD ADÓW Wykład 5 ZłoŜone układy cyfrowe kłady sekwencyjne: przerzutniki, rejestry, liczniki kłady programowalne: zalety, zastosowania, programowanie Wykład 6 kłady peryferyjne, mikroprocesory - podstawy Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe, pamięci półprzewodnikowe, technika mikroprocesorowa - podstawy, Wykład 7 Mikroprocesory, sterowniki programowalne Mikroprocesory i mikrokontrolery, sterowniki modułowe i dedykowane, rodzina MS 51, komunikacja z otoczeniem, budowa PL, zastosowania i metody programowania, W1: lektronika 4
5 LTATA 1. Horowitz P., Hill W.: Sztuka elektroniki, WKŁ Warszawa Thietze., Schenk.: kłady półprzewodnikowe, WNT Warszawa Głocki W.: kłady cyfrowe, WSiP Warszawa Wilkinson.: kłady cyfrowe, WKŁ Warszawa Pasierbiński J., Zbysiński P.: kłady programowalne w praktyce, WKŁ Warszawa Pełka.: Mikrokontrolery. Architektura, programowanie, zastosowania, WKŁ Warszawa 1999 W1: lektronika 5
6 Podział funkcjonalny elektroniki Ze względu na funkcjonalność elektronikę moŝna podzielić na elektronikę informatyczną i elektronikę mocy. lektronika informatyczna - przeznaczona jest do przenoszenia i przetwarzania (przekształcania i obróbki) sygnałów, których zadaniem jest przenoszenie informacji. Procesy te powinny odbywać się przy minimalnej mocy i maksymalnej sprawności. lektronika mocy - (obejmuje energoelektronikę) przeznaczona jest do przekształcania energii elektrycznej, w celu zasilania róŝnych odbiorników energii (w tym równieŝ układy elektroniki informatycznej). echą charakterystyczną tych układów jest fakt Ŝe elementy elektroniczne pracują w tym przypadku jak przełączniki. W1: lektronika 6
7 lektronika informatyczna Przykładowe urządzenia elektroniki informatycznej, to: odbiornik radiowy, komputer, telefon komórkowy Przykładowe układy elektroniki informatycznej, to: procesor, mikrokontroler, filtr aktywny, generator sinusoidalny, wzmacniacz A Najprostszy odbiornik radiowy (AM) L D i D F S i S i D i S t A antena; uziemienie;,l kondensator i cewka obwodu rezonansowego; D dioda; S słuchawka; F kondensator filtrujący; i D prąd wyprostowany, i S prąd w słuchawce (częstotliwość akustyczna). W1: lektronika 7
8 lektronika mocy Przykładowe urządzenia elektroniki mocy, to: zasilacze, falowniki Przykładowe układy elektroniki mocy, to: prostownik diodowy, przekształtnik D/D Najprostszy przekształtnik A/D D1 D2 u d i d ~M e u d i d e= m sin ωt M M e t D3 D4 mg Silnik prądu stałego zasilany z sieci napięcia przemiennego napędzający windę: e źródło napięcia przemiennego, D1-D4 prostownik, M silnik; mg - siła w linie windy; M e moment napędzający (elektromagnetyczny); u d napięcie wyprostowane, i d prąd wyprostowany (proporcjonalny do M e ) W1: lektronika 8
9 Źródło o napięcia a) (ŹÓDŁO NAPĘA STAŁGO) V u Podstawowe elementy elektroniczne 1. Źródła a energii elektrycznej u b) A i i u u= =const c) (ŹÓDŁO NAPĘA STAŁGO (ZZYWST)) V u w u d) i i A u= w i u=- u =- w i W1: lektronika 9
10 Źródło o prądu a) Podstawowe elementy elektroniczne 1. Źródła a energii elektrycznej i=j c) u i=j-g w u b) J (ŹÓDŁO PĄD STAŁGO) V u u=j i=j A i u (ŹÓDŁO PĄD STAŁGO (ZZYWST)) J J W1: lektronika 10 d) V J u G w i=j- i =J-G w u i=g w u i A u
11 Podstawowe elementy elektroniczne 1. Źródła a energii elektrycznej Źródło o napięcia - charakteryzuje się brakiem zmian napięcia (idealne źródło) lub niewielkimi zmianami napięcia (źródło rzeczywiste) przy zmianach prądu pobieranego ze źródła. Parametrami opisującymi źródło napięcia (rzeczywiste) są: - napięcie wyjściowe w stanie nieobciąŝonym - rezystancja wewnętrzna źródła w Źródło o prądu - charakteryzuje się brakiem zmian prądu (idealne źródło) lub niewielkimi zmianami napięcia (źródło rzeczywiste) przy zmianach prądu pobieranego ze źródła. Parametrami opisującymi źródło prądu (rzeczywiste) są: - prąd wyjściowy w stanie zwarcia J - konduktancja wewnętrzna źródła G w W1: lektronika 11
12 Podstawowe elementy elektroniczne 1. Źródła a energii elektrycznej Źródło o sterowane - przy analizie elementów półprzewodnikowych często wykorzystuje się sterowane źródła napięcia i prądu. u we i we k uu u wy =k uu u we k ui u wy =k ui i we ŹÓDŁO NAPĘA STOWAN NAPĘM ŹÓDŁO NAPĘA STOWAN PĄDM u we i we k iu i wy =k iu u we k ii i wy =k ii i we ŹÓDŁO PĄD STOWAN NAPĘM ŹÓDŁO PĄD STOWAN PĄDM W1: lektronika 12
13 Podstawowe elementy elektroniczne 2. lementy pasywne - rezystor ezystor- element rozpraszający energię - wykorzystywany w elektronice do dopasowywanie sygnałów między układami elektronicznymi, stabilizacji punktu pracy tranzystora, kształtowanie wzmocnienia we wzmacniaczach itp. SĆ NAPĘA PZMNNGO (A) (źródło napięcia) e i = (1/)u ciepło do otoczenia i u=e m m u= m sin ωt i= m sin ωt φ=0 10ms π 20ms 2π t ωt t ωt W1: lektronika 13
14 Podstawowe elementy elektroniczne 2. lementy pasywne - dławik Dławik- element gromadzący energię w polu magnetycznymwykorzystywany w elektronice do kształtowania charakterystyk filtrów elektronicznych, gromadzenia energii oraz do ograniczania pochodnej prądów w układach SĆ NAPĘA PZMNNGO (A) (źródło napięcia) e nergia gromadzona w polu magnetycznym L i u=e m m u= m sin ωt i= m sin ωt 10ms π 20ms 2π t ωt t ωt di/dt=(1/l)u φ=π/2 W1: lektronika 14
15 Podstawowe elementy elektroniczne 2. lementy pasywne - kondensator kondensator- element gromadzący energię w polu elektrycznymwykorzystywany w elektronice do do kształtowania charakterystyk filtrów elektronicznych, gromadzenia energii oraz do ograniczania pochodnej napięcia w układach SĆ NAPĘA PZMNNGO (A) (źródło napięcia) e du/dt=(1/)i nergia gromadzona w polu elektrycznym i u=e m u= m sin ωt i= m sin ωt φ=-π/2 10ms π 20ms 2π t ωt t ωt W1: lektronika 15
16 Podstawowe elementy elektroniczne 3. lementy półprzewodnikowe p przewodnikowe - dioda Dioda - nieliniowy element półprzewodnikowy, pozwalający na przepływ prądu tylko w jednym kierunku. Wykorzystywany w elektronice do prostowania (zamiany napięcia przemiennego na stałe), kształtowania nieliniowych charakterystyk wzmacniaczy, zabezpieczania wejść układów elektronicznych itp. harakterystyki statyczne i D i D u D u D Symbol diody s dioda idealna (eksponenta) dioda idealna (model) W1: lektronika 16
17 Podstawowe elementy elektroniczne 3. lementy półprzewodnikowe p przewodnikowe - dioda i D D u D Prostownik jednopołówkowy e= m sin ωt (SĆ NAPĘA PZMNNGO) e t i d 2 i d 1 u D t t 4 i d 1,3 u D u D W1: lektronika 17
18 Podstawowe elementy elektroniczne 3. lementy półprzewodnikowe p przewodnikowe - dioda Zenera Dioda Zenera - nieliniowy element półprzewodnikowy, który w kierunku przewodzenia zachowuje się jak klasyczna dioda, natomiast w kierunku zaporowym pozwala na stabilizację napięcia w układzie. Wykorzystywany w elektronice do stabilizacji napięcia na zaciskach odbiornika. harakterystyka statyczne z Symbol diody Zenera Model diody Zenera W1: lektronika 18
19 Podstawowe elementy elektroniczne 3. lementy półprzewodnikowe p przewodnikowe - dioda Zenera Stabilizator napięcia i DZ ma Z D A << s u DZ V A (=min) ( =0) D W1: lektronika 19
20 Podstawowe elementy elektroniczne 3. lementy półprzewodnikowe p przewodnikowe - tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny - (ang. ipolar Junction Transistor - JT), podstawowy sterowany element półprzewodnikowy, wykorzystywany w elektronice. Tranzystor moŝe pracować w trzech stanach pracy: odcięcia, aktywnym i nasycenia. Tranzystor bipolarny moŝna traktować jako źródło prądu sterowane prądowo i dzięki temu wpływać na większą moc za pomocą mniejszej (wzmacniacz). AZA KOLKTO MT Symbol tranzystora bipolarnego ZaleŜności opisujące tranzystor i = β * i i = i + i Podstawowym parametrem opisującym tranzystor bipolarny jest współczynnik wzmocnienia prądowego β. Parametr ten opisuje ile razy mniejszym prądem bazy i moŝna sterować prądem kolektora i c. W1: lektronika 20
21 ma Podstawowe elementy elektroniczne 3. lementy półprzewodnikowe p przewodnikowe - tranzystor bipolarny 0 harakterystyka statyczne =120 µa =10 µa =80 µa =60 µa =40 µa =20 µa Typowe wartości współczynnika wzmocnienia β zawierają się w zakresie ( ) V Model tranzystora Zastosowania tranzystora bipolarnego zostaną omówione w dalszej części wykładu W1: lektronika 21
22 Podstawowe elementy elektroniczne 3. lementy półprzewodnikowe p przewodnikowe - tranzystor MOSFT Tranzystor MOSFT - sterowany element półprzewodnikowy, który moŝna traktować jako źródło prądu sterowane napięciowo i dzięki temu, podobnie jak w przypadku tranzystora bipolarnego, moŝna wpływać na większą moc za pomocą mniejszej. MoŜe on pracować w trzech stanach pracy: odcięcia, aktywnym i rezystancyjnym. AMKA G u GS D DN i D S ŹÓDŁO u DS Symbol tranzystora MOSFT ZaleŜność opisująca tranzystor i D = g * u GS Podstawowym parametrem opisującym tranzystor MOSFT jest transkonduktancja g. Parametr ten opisuje jakim napięciem bramka-źródło u GS moŝna sterować prądem drenu i D. W1: lektronika 22
23 Podstawowe elementy elektroniczne 3. lementy półprzewodnikowe p przewodnikowe - tranzystor MOSFT Schemat zastępczy tranzystora MOSFT D D [ma] harakterystyka statyczna i D =u' GS u GS G G u' GS g S S Tranzystory MOSFT stopniowo wypierają bipolarne w elektronice informatycznej ze względu na mniejsze straty mocy, jednak przy duŝych mocach - częściej stosuje się tranzystory bipolarne, bądź tranzystory GT W1: lektronika 23
24 Podstawowe elementy elektroniczne 3. lementy półprzewodnikowe p przewodnikowe - tranzystor GT Tranzystor GT - sterowany element półprzewodnikowy, który moŝna traktować jako hybrydę tranzystora bipolarnego i tranzystora MOSFT. Jest on głównie stosowany w elektronice mocy. Łączy moŝliwość sterowania napięciem (zmniejszone straty w układzie sterowania) ze zmniejszoną rezystancją w stanie przewodzenia (mniejsze straty mocy). Symbol tranzystora KOLKTO [A] harakterystyka statyczna G5 > G4 > G3 > G2 > G1 Schemat zastępczy G G5 G4 AMKA MT G3 G2 G1 G [V] W1: lektronika 24
25 Podstawowe elementy elektroniczne 3. lementy półprzewodnikowe p przewodnikowe - tranzystor GT Zasilacz impulsowy D/D L GT s D Filtr dolnoprzepustowy obc /2 Tranzystory GT jest najczęściej wykorzystywany jako przełącznik w układach duŝej mocy. Pracuje on wtedy (jako klucz) w dwóch stanach - załączony i wyłączony. Dzięki temu ogranicza się straty w tranzystorze i zwiększa sprawność układu - przykładem zastosowania moŝe być zasilacz impulsowy D/D W1: lektronika 25
26 Podstawowe elementy elektroniczne 3. lementy półprzewodnikowe p przewodnikowe - tyrystor Tyrystor - półsterowalny element półprzewodnikowy (moŝna go w sposób kontrolowany załączyć a wyłącza się pod wpływem czyników zewnętrznych), który pracuje tylko jako łącznik. Stosowany jest w układach zasilanych z prądu przemiennego duŝych mocy. Najczęstsze zastosowanie - regulatory prądu przemiennego i prostowniki sterowane. A Symbol tyrystora i A AMKA G ANODA A i A K KATODA u AK Schemat zastępczy - obejmuje dwa klasyczne tranzystory bipolarne W1: lektronika 26 G 1 1 i G i 1 2 K 1 i i K
27 Podstawowe elementy elektroniczne 3. lementy półprzewodnikowe p przewodnikowe - tyrystor Przykład zastosowania tyrystora jednopołówkowy prostownik sterowany i d e u d u d t e W1: lektronika 27
28 Zastosowania tranzystorów w bipolarnych 1. Wzmacniacz Wzmacniacz ma za zadanie wzmocnić sygnał na wyjściu, przy zachowaniu kształtu sygnału wejściowego. Wzmacniane parametry elektryczne decydują o typie wzmacniacza, moŝna wyróŝnić: - wzmacniacz napięcia - wzmacniacz prądu - wzmacniacz mocy Wzmocnienie sygnału odbywa się kosztem poboru energii z zasilania, przy minimalnym (zerowym) obciąŝeniu wejścia. lektronika zna szeroką gamę rozwiązań układowych wzmacniaczy, które dzielone są na podstawowe klasy A,, A, D,. Wśród tych klas najpopularniejszymi są wzmacniacze klasy A i D. W1: lektronika 28
29 Zastosowania tranzystorów w bipolarnych 1. Wzmacniacz klasy A we 1 2 zas wy ZałoŜenie - tranzystor idealny, układ wspólnego emitera Zadania elementów: - kondensatory odcinają składową stałą - rezystory 1,, - stabilizują punkt pracy tranzystora - rezystor 2 - określa wraz z we prąd bazy W1: lektronika 29
30 Zastosowania tranzystorów w bipolarnych 1. Wzmacniacz klasy A ównania opisujące wzmacniacz = β = = = P + = β = β = ( + ) P P P P + β β we = β we we sterowanie W1: lektronika 30 Dzięki kondensatorom separującym stala PP tranzystor P = zmienna j = N 2 N 2 D 2 = β 1 P 1 D 1
31 Zastosowania tranzystorów w bipolarnych 1. Wzmacniacz klasy A Zaleta:małe zniekształcenia nieliniowe Wada:niska sprawność - około 50 % W1: lektronika 31
32 Zastosowania tranzystorów w bipolarnych 2. Tranzystor jako klucz Zastosowanie: układy przełączające, generatory, przetworniki 1-bitowe, falowniki itp. W1: lektronika 32
33 Zastosowania tranzystorów w bipolarnych 2. Tranzystor jako klucz a stan odcięcia c stan nasycenia W1: lektronika 33
34 Zastosowania tranzystorów w bipolarnych 2. Wzmacniacz klasy D Zalety: DuŜa sprawność - ponad 90 % (małe straty) Wady: układ jest bardziej skomplikowany niŝ wzmacniacz klasy A W1: lektronika 34
35 Zastosowania tranzystorów w bipolarnych 3. kład Darlingtona tranzystor zastępczy T T ( 1 + ) = ( β1 + 1) β = β ( β + 1) ( β2β1 + β2 ) + ( β β + β + β ) kład Darlingtona umoŝliwia uzyskanie większego współczynnika wzmocnienia. β ZASTPZ β W1: lektronika = β = = = 2 β 1 = = = β β β β β 1 β 2 β 1
36 Zastosowania tranzystorów w bipolarnych 4. Wtórnik emiterowy (β + 1) we = = we wy (β + 1) wy we we wy = 1 + = wy = wy we wy wy = 1 β wy 1 = β Tranzystor pracuje w układzie wspólnego kolektora k 1 we = ( β + 1) + W1: lektronika 36
37 KON WYKŁAD N 1 W1: lektronika 37
Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowo12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych
. Zasilacze Wojciech Wawrzyński Wykład z przedmiotu Podstawy Elektroniki - wykład Zasilacz jest to urządzenie, którego zadaniem jest przekształcanie napięcia zmiennego na napięcie stałe o odpowiednich
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoSpis treści Przełączanie złożonych układów liniowych z pojedynczym elementem reaktancyjnym 28
Spis treści CZE ŚĆ ANALOGOWA 1. Wstęp do układów elektronicznych............................. 10 1.1. Filtr dolnoprzepustowy RC.............................. 13 1.2. Filtr górnoprzepustowy RC..............................
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoPL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.
PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoWyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach
Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika Elementy sygnalizacyjne Wejścia logiczne (dwustanowe)
Bardziej szczegółowoWykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała
Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne Wojciech Świtała wojciech.switala@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/~wswitala Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill Układy półprzewodnikowe U.Tietze,
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoGdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...
Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoWłasności i zastosowania diod półprzewodnikowych
Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż i badanie wybranych układów,
Bardziej szczegółowoElementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści
Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, 2015 Spis treści Przedmowa 7 Wstęp 9 1. PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI 11 1.1. Prąd stały 11 1.1.1. Podstawowe
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach
Bardziej szczegółowoZestaw 1 1. Rodzaje ruchu punktu materialnego i metody ich opisu. 2. Mikrokontrolery architektura, zastosowania. 3. Silniki krokowe budowa, zasada działania, sterowanie pracą. Zestaw 2 1. Na czym polega
Bardziej szczegółowoSpis treści 3. Spis treści
Spis treści 3 Spis treści Przedmowa 11 1. Pomiary wielkości elektrycznych 13 1.1. Przyrządy pomiarowe 16 1.2. Woltomierze elektromagnetyczne 18 1.3. Amperomierze elektromagnetyczne 19 1.4. Watomierze prądu
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Bardziej szczegółowoXXXII Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. XXXII Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej
Zestaw pytań finałowych numer : 1 1. Wzmacniacz prądu stałego: własności, podstawowe rozwiązania układowe 2. Cyfrowy układ sekwencyjny - schemat blokowy, sygnały wejściowe i wyjściowe, zasady syntezy 3.
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoPodzespoły i układy scalone mocy część II
Podzespoły i układy scalone mocy część II dr inż. Łukasz Starzak Katedra Mikroelektroniki Technik Informatycznych ul. Wólczańska 221/223 bud. B18 pok. 51 http://neo.dmcs.p.lodz.pl/~starzak http://neo.dmcs.p.lodz.pl/uep
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR UNIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych
Tranzystory polowe Wiadomości podstawowe Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są równieŝ nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego
Bardziej szczegółowoPrzerywacz napięcia stałego
Przerywacz napięcia stałego Efektywna topologia układu zmienia się w zależności od stanu łącznika Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, lato 2018/19 1 Napięcie wyjściowe przerywacza prądu stałego Przełączanie
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoStabilizatory impulsowe
POITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ EEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory impulsowe 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Przekształtnik obniżający 4. Przekształtnik
Bardziej szczegółowoIMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego
Bardziej szczegółowo(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161056 (13) B2 (21) Numer zgłoszenia: 283989 (51) IntCl5: H02M 3/315 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.02.1990 (54)Układ
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoSztuka elektroniki. Cz. 1 / Paul Horowitz, Winfield Hill. wyd. 10. Warszawa, Spis treści
Sztuka elektroniki. Cz. 1 / Paul Horowitz, Winfield Hill. wyd. 10. Warszawa, 2013 Spis treści Spis tablic 9 Przedmowa 11 Przedmowa do pierwszego wydania 13 ROZDZIAŁ 1 Podstawy 15 Wstęp 15 Napięcie, prąd
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Co to jest pomiar? 2. Niepewność pomiaru, sposób obliczania. 3.
Bardziej szczegółowoBadanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie
LABORATORIUM ZASILANIE URZĄDZEŃ ELETRONICZNYCH Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie Opracował: Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Budowa, parametry i zasada działania
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoPrzekształtniki napięcia stałego na stałe
Przekształtniki napięcia stałego na stałe Buck converter S 1 łącznik w pełni sterowalny, przewodzi prąd ze źródła zasilania do odbiornika S 2 łącznik diodowy zwiera prąd odbiornika przy otwartym S 1 U
Bardziej szczegółowoPodstawowe informacje o przedmiocie (niezależne od cyklu) Podstawy elektroniki. Kod Erasmus Kod ISCED Język wykładowy
Nazwa Kod Erasmus Kod ISCED Język wykładowy Podstawowe informacje o przedmiocie (niezależne od cyklu) Podstawy elektroniki UNIWERSYTET MARII CURIE-SKŁODOWSKIEJ W LUBLINIE Projekt Zintegrowany UMCS Centrum
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoZasilacze: Prostowniki niesterowane, prostowniki sterowane
Zakład Napędów Wieloźródłowych Instytut Maszyn Roboczych Ciężkich Politechnika Warszawska Laboratorium Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie E1 - instrukcja Zasilacze: Prostowniki niesterowane, prostowniki
Bardziej szczegółowoDiagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych. 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne
Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych 1. Prąd stały 1.1. Obwód elektryczny prądu stałego 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne 1.1.2. Natężenie prądu
Bardziej szczegółowoPaństwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009
Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie 3 Temat: Badanie zasilaczy napięć stałych
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoWzmacniacze, wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania tranzystorów
kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions
Bardziej szczegółowoZbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.
Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Co to jest pomiar? 2. Niepewność pomiaru, sposób obliczania. 3.
Bardziej szczegółowoBadanie układów prostowniczych
Instrukcja do ćwiczenia: Badanie układów prostowniczych (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel ćwiczenia Poznanie budowy, zasady działania i właściwości podstawowych układów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoĆw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB
Ćw. 6 Generatory. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter wprowadzenia,
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230966 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 423324 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 31.10.2017
Bardziej szczegółowoProstowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoStabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723
LABORATORIUM Stabilizacja napięcia Prostowanie i Filtracja Zasilania Stabilizator scalony µa723 Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania: - Układy prostowników półokresowych i pełnookresowych. - Filtracja
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektroniki i miernictwa
Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa
Bardziej szczegółowoKanał automatyki układy wyjściowe
Kanał automatyki układy wyjściowe Andrzej URBANIAK Kanał automatyki układy wyjściowe (1) Głównym elementem struktury komputerowego systemu sterowania jest kanał automatyki. Na omówienie kanału automatyki
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób i układ tłumienia oscylacji filtra wejściowego w napędach z przekształtnikami impulsowymi lub falownikami napięcia
PL 215269 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215269 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 385759 (51) Int.Cl. H02M 1/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoProgram zajęć: Przedmiot Automatyzacja i robotyzacja procesów produkcyjnych Kierunek: Zarzadzanie i inżynieria produkcji (studia stacjonarne)ii rok
Program zajęć: Przedmiot Automatyzacja i robotyzacja procesów produkcyjnych Kierunek: Zarzadzanie i inżynieria produkcji (studia stacjonarne)ii rok TEMATY WYKŁADÓW 20 godzin 1. Pojęcia podstawowe, układ
Bardziej szczegółowo5. Elektronika i Energoelektronika
5. Elektronika i Energoelektronika 5.1. Nośnikami prądu w półprzewodnikach są: A) Elektrony i dziury B) Protony C) Jony D) Elektrony 5.2. Dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia, gdy: A) Wyższy
Bardziej szczegółowoPółprzewodnikowe przyrządy mocy
Temat i plan wykładu Półprzewodnikowe przyrządy mocy 1. Wprowadzenie 2. Tranzystor jako łącznik 3. Charakterystyki prądowo-napięciowe 4. Charakterystyki dynamiczne 5. Definicja czasów przełączania 6. Straty
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych
STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami
Bardziej szczegółowoWykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych
Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych Mgr inż. Łukasz Kirchner Lukasz.kirchner@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/lkirchner Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill kłady półprzewodnikowe.tietze,
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora
Bardziej szczegółowoProstowniki. 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników. Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Prostowniki 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników ELEKTRONIKA Jakub Dawidziuk sobota, 16
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Sterowanie fazowe
Część 2 Sterowanie fazowe Sterownik fazowy prądu przemiennego (AC phase controller) Prąd w obwodzie triak wyłączony: i = 0 triak załączony: i = ui / RL Zmiana kąta opóźnienia załączania θz powoduje zmianę
Bardziej szczegółowoAC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik
AC/DC Przekształtniki AC/DC można podzielić na kilka typów, mianowicie: prostowniki niesterowane; prostowniki sterowane. Zależnie od stopnia skomplikowania układu i miejsca przyłączenia do sieci elektroenergetycznej
Bardziej szczegółowoZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH
ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPEACYJNYCH. Wprowadzenie do wzmacniaczy operacyjnych. Wiadomości wstępne Wzmacniacz operacyjny jest wzmacniaczem charakteryzującym się bardzo duŝym wzmocnieniem i przeznaczonym
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 3 TRANZYSTOR BIPOLARNY
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoR 1 = 20 V J = 4,0 A R 1 = 5,0 Ω R 2 = 3,0 Ω X L = 6,0 Ω X C = 2,5 Ω. Rys. 1.
EROELEKR Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 9/ Rozwiązania zadań dla grupy elektrycznej na zawody stopnia adanie nr (autor dr inŝ. Eugeniusz RoŜnowski) Stosując twierdzenie
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowo5. Elektronika i Energoelektronika test
5. Elektronika i Energoelektronika test 5.1. Nośnikami prądu w półprzewodnikach są: A) Elektrony i dziury B) Protony C) Jony D) Elektrony 5.2. Dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia, gdy: A)
Bardziej szczegółowo2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.
1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.
Bardziej szczegółowoEGZAMIN DYPLOMOWY NA KIERUNKU ELEKTROTECHNIKA Specjalność: AUTOMATYKA I INŻYNIERIA KOMPUTEROWA Zakład Elektroniki Przemysłowej
EGZAMIN DYPLOMOWY NA KIERUNKU ELEKTROTECHNIKA Specjalność: AUTOMATYKA I INŻYNIERIA KOMPUTEROWA Zakład Elektroniki Przemysłowej Rok ak. 2010/2011 PRZEDMIOTY KIERUNKOWE (PODSTAWOWE) symbol EK EK-1.Dla danej
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
Bardziej szczegółowoPodstawy elektrotechniki i elektroniki Kod przedmiotu
Podstawy elektrotechniki i elektroniki - opis przedmiotu Informacje ogólne Nazwa przedmiotu Podstawy elektrotechniki i elektroniki Kod przedmiotu 06.9-WM-IB-P-29_15W_pNadGenE31RU Wydział Kierunek Wydział
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 4 TYRYSTOR I TRIAK
Bardziej szczegółowo