DETEKTORY ŚWIATŁA. Parametry fotodetektorów
|
|
- Anna Krzemińska
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 DETEKTORY ŚWIATŁA Wyróżniamy: detektory termiczne i detektory fotonowe. Zaleta fotonowych: duża szybkość działania Wada: zależność sygnału detektora od częstotliwości promieniowania. Parametry fotodetektorów Najważniejsze parametry Czułość R,f i P, P I A Charakterystyka widmowa krzywa czułości C Czas narastania (opadania) Charakterystyka częstotliwościowa 1
2 R f R f 2 2 1/2, R 0 czułość w przypadku niezmodulowanego sygnału, stałą czasową odpowiedzi detektora. Czas martwy Prąd ciemny Relacja Richardsona Dushmana i t aat 2 exp e kt, gdzie: a stała, charakterystyczna dla materiału fotokatody (dla czystych metali Am 2 K 2 ), A pole fotokatody, praca wyjścia, T temperatura. Stosunek sygnału doszumu(ang. SNR signal to noise ratio) Moc równoważnej szumom (ang. NEP noise equivalent input power) Kryterium sygnał szum S N 1. Mniejsza wartość NEP detektora mniejsza moc jego szumów. 2
3 Zdolność detekcyjna lub wykrywalność D A f NEP, gdzie: A jest powierzchnią detektora, a f jest jego szerokością pasma. Jednostka Jons [mhz 1/2 ]. Dynamika (w [db]) maksymalny zakres zmian natężenia promieniowania, dla którego odpowiedź detektora jest liniowa. Wydajność kwantowa: liczba uwolnionych elektronów liczba padających fotonów. Szum Szum śrutowy Przyczyna: ziarnistość nośników prądu i fluktuacjami fotonów Niech I średnie natężenie światła. Liczba fotonów padających na detektor N I h średni prąd 3
4 ī e h I A, wydajność kwantowa, A powierzchnia detektora. Średni prąd szumowy 0 Moc prądu szumowego 0: i 2 N 2e2 N f 2eī f, h f szerokość pasma detektora. Czyli S N ī 2 R L I A P i 2 N R L 2h f 2h f, R L rezystancja obciążenia. Stosunek sygnału doszumuśrutowego bezpośrednią granicą detekcji Minimalny mierzalny sygnał, przys/n 1 i 1: P min 2h f. Szum Johnsona (Nyquista) Przyczyna: ruchliwość ładunków w temperaturze powyżej zera bezwzględnego lokalne 4
5 fluktuacje gęstości prądu szum termiczny (szum Johnsona): i 2 N R 4kT R f, gdzie: R rezystancją detektora. S N R 4kT f ep h Szum generacyjnorekombinacyjny i szum 1/f Przyczyna: statystyczny charakter dyfuzji ładunków statystyczne fluktuacje liczby rekombinacji elektron dziura. i 2 N g 4 i 2 N f 2 2, gdzie: i prąd polaryzacji detektora, czas rekombinacji, N średnia liczbą nośników. Przyczyna szumu 1/f : nie znana. i 2 N f K i f, f gdzie: K, i są stałymi dla typowych półprzewodników: 2 i
6 Inne rodzaje szumów Szum modowy Szum wybuchowy Szum wzmacniacza Szum laserowy 6
7 Oko Oko potrafi wykryć po adaptacji około 6 fotonów/s. Szerokość spektralna pasma od 400 do 700 nm), Wady: niewielka szybkość działania, niewielkie pasmo (może zaleta), brakmożliwości zapisu informacji. Średnia średnica ok. 2.4 cm. Komora przednia Komora tylna Tarcza nerwu wzrokowego Budowa oka. Tęczówka kolor oczu, aperturę oka od 2 do 8 mm. Siatkówka: zwiera elementy fotoczułe. 7
8 Na zewnętrznej części więcej pręcików (ok. 125 mln.) (odpowiadają za widzenie zmierzchowe skotopowe) niż czopków (widzenie dzienne fotopowe) (razem ok. 6 mln) Plamka żółta największa ostrość. Plamka ślepa miejsce wychodzenia nerwów. Krzywa czułości oka zależy od natężenia oświetlenia 100 Czułość względna Pręciki Czopki Długość fali [nm] Krzywa czułości czopków i pręcików Rogówka: n 1.37, nie jest kulista jest bardziej płaska na zewnątrz Ciało wodniste n 1.33). Soczewka (średnica ok. 10 mm), n od 1.40 w środkudon 1.38 na zewnątrz. Mięień rzęskowy poprzez wiązadła 8
9 akomodacja oka Kąt widzenia wynosi 120 o w poziomie i 90 o w pionie. Obszar maksymalnej zdolności rozdzielczej : 20 o i 15 o Odległość najlepszego widzenia 25 30cm. Niewielka wrażliwość oka na polaryzację światła. Wzrokowy układ detekcyjny: oko (jako fotoprzetwornik), włókna nerwowe nerw wzrokowy kora wzrokowa w tylnej części mózgu (procesor). 9
10 Detektory termiczne Składają się z: elementu aktywnego o pojemności cieplnej H, elementu o przewodności cieplnej G połączonego z rezerwuarem rezerwuaru ciepła (otoczeniem) o temperaturze T R. Padające promieniowanie Element aktywny H G Rezerwuar ciepła T R Schemat detektora termicznego. W równowadze termodynamicznej d Q G T, dt gdzie: Q jest zmianą energii cieplnej. Q 0 jeśli ciepło przepływa od detektora do rezerwuaru, zatem Q H T. Po absorpcji promieniowania W t : 10
11 H d dt T G T W t. Niech Stąd W t W f exp i 2 ft. T T f exp i 2 ft. T f W f G f 2 H 2 1/2. T f W f G f 2 2 H, 1/2 gdzie: H H/G termiczna stała czasowa. Detektory piroelektryczne Komórka Golaya, Bolometry, Termopary Cecha detektorów termicznych brak zależności ich zdolności detekcyjne od długości fali 11
12 Detektory fotonowe Detektory fotonowe: detektory próżniowe fotokomórki, fotopowielacze, półprzewodnikowe diody półprzewodnikowe, struktury na studniach kwantowych Zewnętrzny efekt fotoelektryczny fotopowielacz. Wewnętrzny efekt fotoelektryczny dioda pn. Ilość fotonów na powierzchni detektora/s P/h, liczba uwolnionych elektronów P/h, a natężenie prądu i ep h e P hc. Czułość fotodetektora R, f Napięcie wyjściowe i P e hc, V e P hc R L. Fotopowielacze 12
13 Wykorzystuje się: zewnętrzny efekt fotoelektryczny i emisję wtórną Równanie Einsteina h E k W. Składa się z: fotokatody, dynod (dokilkudo kilkunastu) i anoda Dzielnik napięcia rozdziela potencjal między dynody. Dynody Anoda Fotoelektron Elektrony wtórne Fotokatoda R C R L hν R R R R R Zasilacz WN Typowy schemat podłączenia fotopowielacza do zasilacza wysokiego napięcia. Wzmocnienie prądowe M N, gdzie: jest wzmocnieniem każdej dynody (26), N jest liczbą dynod. 13
14 Przy 20 fotonów/ s o energii W ( 500nm), jeżeli N 12 i 4, tojeśli 0.15 prąd anodowy: i a M e P h A, na oporze obciążenia 1M spadek napięcia U 8V. Szybkość działania (pasmo kilku GHz). Wada: duży prąd ciemny remedium: chłodzenie. Szum śrutowy i 2 N a 2eM 2 F ī k ī d f, gdzie: F / 1. Niech P P 0 1 msin m t, gdzie: m jest głębokością modulacji, a m częstością modulacji. Prąd z fotokatody zatem i k t ī k 1 msin m t, gdzie: Prąd anodowy ī k e h P 0. 14
15 i a t Mī k msin m t. Stosunek sygnału doszumu S N i a 2. i 2 N a Z warunku S/N 1 P min 2h ī d f e. Dla typowych (ale dobrych) fotopowielaczy: W. 15
16 Fotodiody pn i fotoogniwa Tryb fotoprzewodnictwa spolaryzowane w kierunku zaporowym Tryb fotowoltaiczny złącze nie jest spolaryzowane p n hν E g A B C a) R < R <R L3 L2 L1 20 i[ma] D P = 0 mw 10 mw 20 mw 30 mw 40 mw R L3 Obszar fotoprzewodnictwa 10 b) c) V V D 0 _ R L V[V] D R L1 R L2 Obszar fotowoltaiczny V D R L1 R L2 R L i D Fotodioda Fotodioda 16
17 Fotoprzewodnictwo R L i D V D V 0 0, i D 1 R L V 0 V D. Prosta obciążenia maujemnywspółczynnik kierunkowy. Tryb fotowoltaiczny dioda działa jak fotoogniwo. V D i D R L 0, proste obciążenia i D V D R L. a) b) Fotoprąd [ma] Ω 30Ω 100Ω 500Ω 1kΩ 5kΩ E[klx] Natężenie oświetlenia Rezystancja dopasowania R dop [kω] E[klx] Natężenie oświetlenia Charakterystyki fotoogniwa Wartość rezystancji dopasowania zależy od natężenia oświetlenia. 17
18 Fotodiody pin Warstwa antyrefleksyjna hν Kontakt Warstwa absorpcyjna p i n Izolator Kontakt p i n hν E g Obszar dryftu Budowa, schemat zasilania i układ pasm diody pin W polu elektrycznym: dziury w lewo a elektrony prawo. Złącze pi rozdziela ładunki skok potencjału. Złącze in jest kontaktem omowym. Czas narastania 1ns, nawet do 100 ps. Sprawność konwersji około 80%. Charakterystyki diod pin podobne do pn. Szum dla sygnału zmodulowanego 18
19 S N przy m 1 i s i N 2 i N 2 R P 0 e/h 2 Rm 2 /2 2eR P 0 e/h ī d f 4kT f. S N P 0 2h f, Fotodiody lawinowe Zasilanie V. B hν E g A C G D E F Schemat powielania nośników w fotodiodzie lawinowej. Współczynnik powielania M 1 V v, 1 V b gdzie: V jest napięciem polaryzacji, V b napięciem przebicia, v między 1.5 i 6. 19
20 Generacji nośników w warstwie o grubości dx i powierzchni A: generacja przez absorbowane fotony lub termicznie AqGdx (G stała generacji), generacja w wyniku zderzeń z elektronami n I n dx, generacja po zderzeniach z dziurami p I p dx. Zmiana elektronowego i dziurowego prądu di n dx ni n p I p AqG, i di p dx ni n p I p AqG, n p współczynniki powielania. Z drugiego di p dx p n I p n I AqG, I I p I n całkowity prąd. Ogólne rozwiązanie I p x Cexp p n x ni AqG p n, Stała całkowania C z warunków brzegowych. 20
21 Z zasady zachowania prądu I I n 0 I p L. Całkowity prąd płynący przez diodę I AqG exp p n L 1 n p exp p n L. Stosunek całkowitego prądu do prądu pierwotnego współczynnik powielania M I AqG exp p n L 1 n p exp p n L. Jeżeli n p, to M 1 1 L. hν Kontakt Obszar absorpcji n n p i( π) n Obszar powielania p Kontakt n p i( π) p Pole elektryczne Obszar powielania 21
22 Stosunek sygnału doszumudiod lawinowych S N i s i 2 N i 2 N R M 2 e h P 0 2 R 2eRFM 2 Graniczna wartość S N P 0 2h F f. Sprawność ok. 100%, szerokość pasma kilkaset GHz i współczynnik powielania Wada duży prąd ciemny. e P h 0 ī d f 4kT f. Diody Schottky ego a) b) E F E S Półprzewodnik E c Metal Światło E v Metal Półprzewodnik 22
23 Zaletywstosunkudodiodpn: obszar zubożony leży w pobliżu powierzchni, szybki czasem odpowiedzi (100 GHz), możliwa detekcja promieniowania krótkofalowego, małyprąd wsteczny. Fotorezystory Liczba nośników generowanych dn P dt h u t N, Rozwiązanie N P h 1 exp t. Prąd płynący przez fotorezystor i d e l N e P h l 1 exp t. l czas, w którym nośniki przebywają drogę l. / l wzmocnienie. 23
24 Fototranzystory Detektory z supersieciami Diody lawinowe. Powielanie w supersieciach Supersieci p E g hν GaAs AlGaAs n Jonizacja w strukturze supersieci AlGaAsGaAs. Fotopowielacz półprzewodnikowy (ang. solid state photomultiplier) 24
25 hν E g p n Struktura pasm i powielanie w fotopowielaczu półprzewodnikowym. Fotorezystory z supersieciami 1. Przejście podpoziompodpoziom. 2. Przejście podpoziompasmo ciągłe (ang. bound to free) Siatka dyfrakcyjna Obszar studni kwantowych Kontakt Promieniowanie Pojedynczy piksel macierzy detektora na studniach kwantowych 25
26 Kontinuum Termoemisja Tunelowanie z termoaktywacją AlGaAs Fotoprąd GaAs Tunelowanie sekwencyjne Pasmo przewodnictwa Fotorezystor z supersiecią Zalety: Czułość spektralna może być dowolnie regulowana. Możliwość produkcji wielkowymiarowych macierzy detektorów o bardzo dobrych właściwościach detekcyjnych. 26
27 Przyrządy z przenoszeniem ładunku (CCD) SiO 2 Elektroda V Elektrony Studnia potencjału Półprzewodnik typu p Kondensator MOS i studnia potencjału. Cykl czterofazowy Cykl trójfazowy Cykl dwufazowy φ 1 φ 2 φ 1 φ 2 φ 1 φ 2 φ 1 φ 1 φ 2 φ 3 φ 1 φ 2 φ 3 φ 1 φ 1 φ 2 φ 1 φ 2 φ 1 φ 2 φ 1 1 Cykle zegarowe czas t 0 t 1 t 2 Schematy przenoszenie ładunku objętościowego z lewa na prawo CCD z trójfazowym cyklem zegarowym 27
28 Kamery CCD z kanałem zagrzebanym Elektrody kształt linijki lub dwuwymiarowej matrycy. Liczba pixeli: Wymiary liniowe rzędu do kilkunastu m. Typowy detektor liniowy CCD: elektrod o wymiarach liniowych rzędu do kilkunastu m, odległość między elektrodami wynosi 1 2 m. napięcia wynoszą od 3 do 10 V z czasem narastaniem w granicach 10 do100 s. maksymalna szybkość taktowania przekracza 50 MHz. Światło hν hν hν SiO 2 Sekcja obrazowa φ Sekcja pamięci 1 φ 1 φ2 φ 3 2 Zestaw bramek p Schemat elementu CCD 28
29 Wzmaczniacze obrazu Wzmocnienie luminancji powyżej Wzmacniacze: z ogniskowaniem zbliżeniowym, elektrostatycznym i magnetycznym. Fotony Włókna światłowodowe Elektrody Elektrony Stożek anodowy Włókna światłowodowe Wzmacniacz obrazu z ogniskowaniem elektrostatycznym. Płytki mikrokanalikowe (ang. microchannal plate MCP). 29
30 Płytka mikrokanalikowa Pojedynczy mikrokanalik Elektrony wtórne Fotoelektron V Potencjał przyspieszający Płytka mikrokanalikowa i schemat powielania elektronów. Wzmocnieniedo10 8. Kaskady Transoptory Dioda Dioda Dioda Fotorezystor Dioda Fototranzystor Dioda Fototranzystor w układzie Darlingtona 30
31 Detekcja koherentna Układy detekcji, w których wykorzystuje się koherencję światła noszą nazwę systemów koherentnych. a) Fala sygnałowa Detektor Fala odniesienia Lokalny oscylator b) Fala sygnałowa Fala odniesienia Sprzęgacz kierunkowy Detektor Detekcja heterodynowa przy użyciu dzielnika wiązki (a) i światłowodowego sprzęgacza kierunkowego (b) Detekcja heterodynowa Częstość oscylatora lokalnego l jest przesunięta w stosunku do częstości nośnej n oczęstotliwość pośrednią p zzakresu fal radiowych l n p. Pole elektryczne 31
32 E n E n 0 cos n t n, E l E 0 l cos n p t l. Prąd detektora i E n E l 2. Prąd detektora i E 0 n cos n t n 2 E l 0 cos n p t l 2 E n 0 E l 0 cos 2 n p t n l E 0 n E 0 l cos p t n l. Po uproszczeniach i I n I l 2 I n I s cos p t n l. Po odfiltrowaniu stałych i 2 I n I l cos p t n l. Wielkość prądu detektora w przypadku detekcji heterodynowej zależy odczęstości, fazy i amplitudy fali. Detekcja homodynowa lokalny oscylator ma tę samą częstość co fala nośna i prąd detektora i 2 I n I l cos n l. Informacja w zmodulowanej amplitudzie 32
33 lub (i) fazie. Fotodetektory Światłowodowe koherentne łącze telekomunikacyjne. Polepszenie stosunku sygnał/szum o 10 do 20dB w stosunku do detekcji bezpośredniej. Szum śrutowy ī 2 N 2e E n 2 2 E 2 l 2 ī 2 d f Sygnał i s t AE n E l cos p t n l. Dla detekcji heterodynowej S N AE n E l 2 2 e A E 2 n E 2 l ī 2 d 4kT/R f. 33
34 Jeżeli E l E n 2 S N AE n 2e f P h f. Jest to wynik dwukrotnie lepszy niż w przypadku detekcji bezpośredniej. Zatem: wzmocnienie sygnału bez wzmocnienia szumu. Sygnał jest zmodulowany fazowo E s t E n cos t mcos m t, m głębokość modulacji. Sygnał i s t A E n cos t mcos m t E l cos l l Po rozwinięciu E s t E n J 0 m cos n t, E n J 1 m cos n m t E n J 1 m cos n m t J 0,1 m amplitudy funkcji Bessela Ponieważ J 1 m 2 J 1 m, zatem i s t 2 AJ 1 m E n E l sin n l t l sin m t. 34
35 Jeżeli E l E n, to dla detekcji heterodynowej S N AJ m E n, e f a homodynowej S N 2 AJ m E n. e f Szum w systemach detekcji bezpośredniej jest większy niż wukładach detekcji koherentnych, przy czym stosunek S/N detekcji heterodynowej jest dwukrotnie mniejszy niż homodynowej. 35
36 Literatura 1. Z. Bielecki, A. Rogalski, Detekcja Sygnałów Optycznych, WNT, Warszawa A. Kowalski, Podstawy telekomunikacji, Oficyna PW, Warszawa J. Siuzdak, Wstęp dowspółczesnej telekomunikacji światłowodowej, WKŁ, Warszawa M. Szustakowski, Elementy techniki światłowodowej, WNT,Warszawa B. Ziętek, Optoelektronika, Wydawnictwo UMK, Toruń
Wykład VII Detektory I
Wykład VII Detektory I Rodzaje detektorów Parametry detektorów Sygnał na wyjściu detektora zależy od długości fali (l), powierzchni światłoczułej (A) i częstości modulacji (f), polaryzacji (niech opisuje
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoFotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał
FOTODETEKTORY Fotodetektory Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał - detektory termiczne, wykorzystują zmiany temperatury
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny
Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów
Bardziej szczegółowoOptyka instrumentalna
Optyka instrumentalna wykład 12 25 maja 2017 Wykład 11 Wiązki przyosiowe Wyższego rzędu TEM mn (Gaussa-Hermite a) Elementy optyczne w działaniu na wiązki Prawo ABCD dla wiązek gaussowskich Ogniskowanie
Bardziej szczegółowoFotodetektor. Odpowiedź detektora światłowodowego. Nachylenie (czułość) ~0.9 ma/mw. nachylenie = czułość (ma/mw) Prąd wyjściowy (ma)
Detektory Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone pod warunkiem podania źródła. Sergiusz Patela
Bardziej szczegółowo( ) u( λ) w( f) Sygnał detektora
PARAMETRY DETEKTORÓW FOTOELEKTRYCZNYCH Sygnał detektora V = V(b,f, λ,j,a) b f λ J A - polaryzacja, - częstotliwość modulacji, - długość fali, - strumień (moc) padającego promieniowania, - pole powierzchni
Bardziej szczegółowoZakres wykładu. Detekcja światła. Zakres wykładu. Zakres wykładu
Zakres wykładu Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoFotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor
Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoOptyczne elementy aktywne
Optyczne elementy aktywne Źródła optyczne Diody elektroluminescencyjne Diody laserowe Odbiorniki optyczne Fotodioda PIN Fotodioda APD Generowanie światła kontakt metalowy typ n GaAs podłoże typ n typ n
Bardziej szczegółowoParametry i technologia światłowodowego systemu CTV
Parametry i technologia światłowodowego systemu CTV (Światłowodowe systemy szerokopasmowe) (c) Sergiusz Patela 1998-2002 Sieci optyczne - Parametry i technologia systemu CTV 1 Podstawy optyki swiatlowodowej:
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 2. Detekcja światła. Parametry fotodetektorów. Co to jest detektor?
Repeta z wykładu nr 2 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoLASERY I ICH ZASTOSOWANIE
LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym
Bardziej szczegółowoWykład VIII. Detektory fotonowe
Wykład VIII Detektory fotonowe Półprzewodnik w polu elektrycznym dep F dx dv e ( x) ( e) dx dv ( x) dx ( x) const c V cx E p cex Detektory fotoprzewodzące ( t) q[ n( t) p( t) ] n p n p g op n ( t) qg op
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoWykład VII Detektory
Wykład VII Detektory Rodzaje detektorów Parametry detektorów Sygnał na wyjściu detektora zaeży od długości ai powierzchni światłoczułej A i częstości moduacji poaryzacji niech opisuje to parametr - ias
Bardziej szczegółowoLasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek
Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe
Bardziej szczegółowoWOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA INSTYTUT OPTOELEKTRONIKI LABORATORIUM DETEKCJI SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH GRUPA:.. Skład podgrupy nr... 1.. 2.. 3.. 4.. 5.. 6.. PROTOKÓŁ DO ĆWICZENIA nr.. Temat ćwiczenia: Pomiary
Bardziej szczegółowoAutokoherentny pomiar widma laserów półprzewodnikowych. autorzy: Łukasz Długosz Jacek Konieczny
Autokoherentny pomiar widma laserów półprzewodnikowych autorzy: Łukasz Długosz Jacek Konieczny Systemy koherentne wstęp Systemy transmisji światłowodowej wykorzystujące podczas procesu transmisji światło
Bardziej szczegółowoBernard Ziętek OPTOELEKTRONIKA
Uniwersytet Mikołaja Kopernika Bernard Ziętek OPTOELEKTRONIKA Wydanie III, uzupełnione i poprawione Toruń 2011 SPIS TREŚCI PRZEDMOWA DO III WYDANIA 1 PRZEDMOWA DO II WYDANIA 3 PRZEDMOWA DO I WYDANIA 4
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 10. Detekcja światła. Kondensator MOS. Plan na dzisiaj. fotopowielacz, część 2 MCP (detektor wielokanałowy) streak camera
Repeta z wykładu nr 10 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 fotopowielacz,
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński
Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoŹródła i 1detektory IV. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE WEWNĘTRZNE W PÓŁPRZEWODNIKACH.
Źródła i 1detektory IV. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE WEWNĘTRZNE W PÓŁPRZEWONIKACH. Cel ćwiczenia: Wyznaczenie podstawowych parametrów spektralnych fotoprzewodzącego detektora podczerwieni. Opis stanowiska:
Bardziej szczegółowoZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE
ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE, WEWNETRZNE I ICH RÓŻNE ZASTOSOWANIA ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE Światło padając na powierzchnię materiału wybija z niej elektron 1 ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoĆwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA
Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoPrawdopodobieństwo obsadzania każdego stanu jednoelektronowego określone jest przez rozkład Fermiego, tzn. prawdopodobieństwo, że stan o energii E n
1 CCD Aby zrozumieć zjawiska zachodzące w kamerze CCD, należy przypomnieć w jaki sposób jest tworzona studnia potencjału oraz jaki jest wpływ przyłożonego napięcia zewnętrznego na głębokość studni. Prawdopodobieństwo
Bardziej szczegółowoKątowa rozdzielczość matrycy fotodetektorów
WYKŁAD 24 SMK ANALIZUJĄCE PRZETWORNIKI OBRAZU Na podstawie: K. Booth, S. Hill, Optoelektronika, WKŁ, Warszawa 2001 1. Zakres dynamiczny, rozdzielczość przestrzenna miara dokładności rozróżniania szczegółów
Bardziej szczegółowo1 Detektor CCD. aparaty cyfrowe kamery VIDEO spektroskopia mikrofotografia astrofizyka inne
Wykład IX CCD 1 1 Detektor CCD. Uran - pierwszy obiekt sfotografowany przy pomocy CCD w r. 1975. (61 calowy teleskop w górach Santa Catalina w pobliżu Tucson - Arizona). Zdjęcie zrobione zostało przy 0.89mm.
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk detektorów promieniowania elektromagnetycznego.
Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki WYDZIAŁ ELEKTRONIKI i TECHNIK INFORMACYJNYCH POLITECHNIKA WARSZAWSKA ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa Badanie charakterystyk detektorów promieniowania elektromagnetycznego.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych
Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie
Bardziej szczegółowoLASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK
LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK TEK Lasery na ciele stałym lasery, których ośrodek czynny jest: -kryształem i ciałem amorficznym (również proszkiem), - dielektrykiem i półprzewodnikiem. 2 Podział
Bardziej szczegółowoWybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.
Wybrane elementy optoelektroniczne 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Podsumowanie a) b) Light Emitting Diode Diody elektrolumiscencyjne Light
Bardziej szczegółowoBadanie detektorów promieniowania optycznego
LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI Ćwiczenie 10 Badanie detektorów promieniowania optycznego Cel ćwiczenia: Zapoznanie studentów z podstawowymi charakterystykami detektorów. promieniowania optycznego. Badane
Bardziej szczegółowoVI. Elementy techniki, lasery
Światłowody VI. Elementy techniki, lasery BERNARD ZIĘTEK http://www.fizyka.umk.pl www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet a) Sprzęgacze czołowe 1. Sprzęgacze światłowodowe (czołowe, boczne, stałe, rozłączalne) Złącza,
Bardziej szczegółowoSkończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy optoelektroniczne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne Są one elementami sterowanymi natężeniem
Bardziej szczegółowoIX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski
IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski 1 1 Dioda na złączu p n Zgodnie z wynikami, otrzymanymi na poprzednim wykładzie, natężenie prądu I przepływającego przez złącze p n opisane jest wzorem Shockleya
Bardziej szczegółowoWłasności światła laserowego
Własności światła laserowego Cechy światła laserowego: rozbieżność (równoległość) wiązki, pasmo spektralne, gęstość mocy oraz spójność (koherencja). Równoległość wiązki Dyfrakcyjną rozbieżność kątową awkącie
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowo1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego
1 I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki spektralnej nietermicznego źródła promieniowania (dioda LD
Bardziej szczegółowoŹródła i detektory IV. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE WEWNĘTRZNE W PÓŁPRZEWODNIKACH.
IV. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE WEWNĘTRZNE W PÓŁPRZEWONIKACH. Cel ćwiczenia: Wyznaczenie podstawowych parametrów spektralnych fotoprzewodzącego detektora podczerwieni. Opis stanowiska: Monochromator-SPM-2
Bardziej szczegółowoWykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe
Wykład 7 Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Złącze p-n Złącze p-n Tworzy się złącze p-n E Złącze po utworzeniu Pole elektryczne na styku dwóch półprzewodników powoduje, że prąd łatwo
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 8 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania
Bardziej szczegółowopółprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski
Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk
Bardziej szczegółowoWzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski
Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoKwantowa natura promieniowania
Kwantowa natura promieniowania Promieniowanie ciała doskonale czarnego Ciało doskonale czarne ciało, które absorbuje całe padające na nie promieniowanie bez względu na częstotliwość. Promieniowanie ciała
Bardziej szczegółowo1100-1BO15, rok akademicki 2016/17
1100-1BO15, rok akademicki 2016/17 y z y z y f y f y y y y z f z f zz ff Analizując rysunek można napisać zależność n sin u r s r s n sinu. Aby s było niezależne od kąta u musi być zachowany warunek sin
Bardziej szczegółowoWYKORZYSTANIE FOTOPRZETWORNIKÓW W UKŁADACH AUTOMATYKI.
Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 4 str. 1/1 ĆWICZENIE 4 WYKORZYSTANIE FOTOPRZETWORNIKÓW W UKŁADACH AUTOMATYKI. 1. CEL ĆWICZENIA: zapoznanie się z zasadą działania podstawowych fotoprzetworników,
Bardziej szczegółowoSprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)
Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic
Bardziej szczegółowoNa podstawie: K. Booth, S. Hill Optoelektronika ; J. Siuzdak, Wstęp do współczesnej telekomunikacji światłowodowej ; J. Watson, Elektronika
1. Elementy i układy optyczne. Na podstawie: K. Booth, S. Hill Optoelektronika ; J. Siuzdak, Wstęp do współczesnej telekomunikacji światłowodowej ; J. Watson, Elektronika Soczewki: rozpraszające, skupiające
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoWykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoII. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet
II. WYBRANE LASERY BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet Laser gazowy Laser He-Ne, Mechanizm wzbudzenia Bernard Ziętek IF UMK Toruń 2 Model Bernard Ziętek IF UMK Toruń 3 Rozwiązania stacjonarne
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowoWykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowo(1.1) gdzie: - f = f 2 f 1 - bezwzględna szerokość pasma, f śr = (f 2 + f 1 )/2 częstotliwość środkowa.
MODULACJE ANALOGOWE 1. Wstęp Do przesyłania sygnału drogą radiową stosuje się modulację. Modulacja polega na odzwierciedleniu przebiegu sygnału oryginalnego przez zmianę jednego z parametrów fali nośnej.
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe - przypomnienie
Układy nieliniowe - przypomnienie Generacja-rekombinacja E γ Na bazie półprzewodników γ E (Si)= 1.14 ev g w.8, p.1 Domieszkowanie n (As): Większościowe elektrony pasmo przewodnictwa swobodne elektrony
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne
Temat i plan wykładu Elementy optoelektroniczne 1. Fotorezystor 2. Dioda elektroluminiscencyjna 3. Fotodioda 4. Fototranzystor 5. Transoptor ELEKTRONIKA Jakub Dawidziuk Fotorezystory Budowa, materiały.
Bardziej szczegółowoDetektor CCD. aparaty cyfrowe kamery VIDEO spektroskopia mikrofotografia astrofizyka inne
Wykład VIII CCD 1 Detektor CCD Uran - pierwszy obiekt sfotografowany przy pomocy CCD w r. 1975. (61 calowy teleskop w górach Santa Catalina w pobliżu Tucson - Arizona). Zdjęcie zrobione zostało przy 0.89mm.
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowo1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza
Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,
Bardziej szczegółowo5. FOTODETEKTORY I ODBIORNIKI OPTYCZNE
TELEKOMUNIKACJA OPTOFALOWA 5. FOTODETEKTOY I ODBIONIKI OPTYCZNE Spis treści: 5.1. Wiadomości podstawowe 5.. Fotodetektory komunikacji optycznej Fotorezystory Fotodetektory diodowe Fototranzystory 5.3.
Bardziej szczegółowoGŁÓWNE CECHY ŚWIATŁA LASEROWEGO
GŁÓWNE CECHY ŚWIATŁA LASEROWEGO Światło może być rozumiane jako: Strumień fotonów o energii E Fala elektromagnetyczna. = hν i pędzie p h = = hν c Najprostszym przypadkiem fali elektromagnetycznej jest
Bardziej szczegółowoIM-4 BADANIE ABSORPCJI ŚWIATŁA W MATERIAŁACH PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
IM-4 BADANIE ABSORPCJI ŚWIATŁA W MATERIAŁACH PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z fotoelektryczną optyczną metodą wyznaczania energii przerwy wzbronionej w półprzewodnikach na przykładzie
Bardziej szczegółowospis urządzeń użytych dnia moduł O-01
Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie wybranych reprezentatywnych elementów optoelektronicznych nadajników światła (fotoemiterów), odbiorników światła (fotodetektorów) i transoptorów oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoINDEKS. deklaracja... 7,117 model model materiału rdzenia Charakterystyki statyczne Czynnik urojony...103
INDEKS.AC... 45.DC... 20,35,136.END... 3,5,22.ENDS... 68.FOUR... 94.IC... 72.INC... 67.LIB... 92.MC... 41.MODEL... 21,42,111.NODESET... 27.NOISE... 65.OP... 19.OPTIONS... 24, 85, 130, 135, 166.PLOT...
Bardziej szczegółowof = 2 śr MODULACJE
5. MODULACJE 5.1. Wstęp Modulacja polega na odzwierciedleniu przebiegu sygnału oryginalnego przez zmianę jednego z parametrów fali nośnej. Przyczyny stosowania modulacji: 1. Umożliwienie wydajnego wypromieniowania
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoZjawiska w niej występujące, jeśli jest ona linią długą: Definicje współczynników odbicia na początku i końcu linii długiej.
1. Uproszczony schemat bezstratnej (R = 0) linii przesyłowej sygnałów cyfrowych. Zjawiska w niej występujące, jeśli jest ona linią długą: odbicie fali na końcu linii; tłumienie fali; zniekształcenie fali;
Bardziej szczegółowoWzmacniacze optyczne ZARYS PODSTAW
Wzmacniacze optyczne ZARYS PODSTAW REGENERATOR konwertuje sygnał optyczny na elektryczny, wzmacnia sygnał elektryczny, a następnie konwertuje wzmocniony sygnał elektryczny z powrotem na sygnał optyczny
Bardziej szczegółowoSzumy układów elektronicznych, wzmacnianie małych sygnałów
Szumy układów elektronicznych, wzmacnianie małych sygnałów Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Szumy
Bardziej szczegółowo1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:
1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu
Bardziej szczegółowoZłożone struktury diod Schottky ego mocy
Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura
Bardziej szczegółowoUNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja
UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej
Bardziej szczegółowoTELEKOMUNIKACJA ŚWIATŁOWODOWA
TELEKOMUNIKACJA ŚWIATŁOWODOWA ETAPY ROZWOJU TS etap I (1975): światłowody pierwszej generacji: wielomodowe, źródło diody elektroluminescencyjne 0.87μm l etap II (1978): zastosowano światłowody jednomodowe
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych
Ćw. 4. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych Pomiary częstotliwościowe detektorów opis ćwiczenia Opracował zespół: pod kierunkiem Damiana Radziewicza
Bardziej szczegółowoWłaściwości światła laserowego
Właściwości światła laserowego Cechy charakterystyczne światła laserowego: rozbieżność (równoległość) wiązki, pasmo spektralne, gęstość mocy spójność (koherencja). Równoległość wiązki Dyfrakcyjną rozbieżność
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoBADANIE FOTOPOWIELACZA
BDNIE FOTOPOWIELCZ I. Cel ćwiczenia: zapoznanie z budową, przeznaczeniem i zastosowaniem fotopowielacza oraz ze zjawiskiem fotoelektrycznym zewnętrznym. II. Przyrządy: zasilacz wysokiego napięcia ZWN-41
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 1. Temat: BADANIE OSTROŚCI WIDZENIA W RÓŻNYCH WARUNKACH OŚWIETLENIOWYCH
Grupa: Elektrotechnika, sem 3., wersja z dn. 03.10.2011 Podstawy Techniki Świetlnej Laboratorium Ćwiczenie nr 1. Temat: BADANIE OSTROŚCI WIDZENIA W RÓŻNYCH WARUNKACH OŚWIETLENIOWYCH Opracowanie wykonano
Bardziej szczegółowoDiody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)
Diody i tranzystory - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) bipolarne (NPN i PNP) i polowe (PNFET i MOSFET), Fototranzystory i IGBT (Insulated
Bardziej szczegółowoDetektory optyczne - fotodetektory
Detektory optyczne - fotodetektory 1. Podział i parametry detektorów 2. Fotodioda 3. Fototranzystor 4. Fotorezystor 5. Detektory na supersieciach półprzewodnikowych 6. Detektory termiczne 6.1. Termostosy
Bardziej szczegółowoUMO-2011/01/B/ST7/06234
Załącznik nr 7 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej
Bardziej szczegółowo