Zagrożenie dla urządzeń elektronicznych spowodowane wyładowaniami elektryczności statycznej

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Zagrożenie dla urządzeń elektronicznych spowodowane wyładowaniami elektryczności statycznej"

Transkrypt

1 Leszek Kachel, Jan M. Kelner Instytut Telekomunikacji Wojskowa Akademia Techniczna Mieczysław Laskowski Instytut Radioelektroniki (WUSM) Politechnika Warszawska Zagrożenie dla urządzeń elektronicznych spowodowane wyładowaniami elektryczności statycznej W referacie omówiono stopień zagrożenia dla urządzeń elektronicznych ze strony ładunków elektrostatycznych. Impulsy ESD pomimo małej energii przenoszonej są zagrożeniem dla urządzeń, w których występują elementy półprzewodnikowe o dużej integracji. Dlatego omówiono sposoby postępowania podczas kontaktów z wrażliwą aparaturą. Są to zasady, których przestrzeganie gwarantuje pełne bezpieczeństwo podczas napraw, regulacji i normalnej eksploatacji aparatury. 1. Wprowadzenie Procesy związane z powstawaniem ładunku elektrostatycznego zachodzą bardzo często, choć nie zawsze są łatwe do zaobserwowania. Powstają one najczęściej w wyniku procesów fizykochemicznych związanych z pocieraniem o siebie dwóch różnych materiałów, rozdrabnianiem, gwałtownym rozdzielaniem lub łączeniem materiałów izolacyjnych. I tak chodząc po syntetycznym dywanie lub chodniku w butach ze skórzaną podeszwą ładujemy ciało ludzkie ładunkiem elektrycznym. Ciało człowieka traktowane jako pojemność elektryczna zostanie naładowane prądem o natężeniu wynoszącym od setek pa do kilku μa, a wypadkowy ładunek będzie wynosił od 0.1 do 5 μc. Przykładowo dla pojemności C = 150 pf i V = 15 kv energia nie przekracza 17 mj. Większość układów scalonych ulega całkowitemu zniszczeniu już przy oddziaływaniu znacznie mniejszych energii. Na rys.1 pokazano przykładowy proces ładowania człowieka poruszającego się po dywanie wykonanego z włókna syntetycznego. dywan z włókna syntetycznego Rys. 1. Proces ładowania się człowieka poruszającego się po dywanie wykonanym z włókna syntetycznego PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - ROCZNIK LXXXI - nr 8/

2 2. Stopień zagrożenia dla urządzeń ze strony ładunków elektrostatycznych Napięcie, do jakiego ładuje się poruszająca się osoba, zależy od jej pojemności w stosunku do otoczenia. Pomiędzy krokami zawsze występuje wyładowanie. Po kilku sekundach zostaje osiągnięta równowaga między ładowaniem i rozładowaniem i jeżeli tak naładowana osoba dotknie dowolnego urządzenia, następuje rozładowanie. Proces rozładowania ciała ludzkiego (w zależności od warunków) może być bardzo gwałtowny, tak że można go zaobserwować jako iskrę. Jest to właśnie tzw. wyładowanie elektrostatyczne, które w skrócie określane jest mianem ESD i stanowi poważne zagrożenie dla czułych urządzeń elektronicznych. Kształt i parametry elektryczne impulsów ESD zależą od wielu czynników zewnętrznych. Jednym z nich jest kształt elektrody inicjującej impuls. Elektrodą tą jest najczęściej ludzka ręka, a ściślej mówiąc jeden z jej palców, wewnętrzna strona dłoni lub ostry metalowy przedmiot trzymany w ręce. Kształt impulsu ESD można opisać następującymi parametrami: a) wartością szczytową prądu; b) czasem czoła najkrótsze czasy czoła nie przekraczają wartości kilkuset pikosekund; c) czasem do półszczytu na grzbiecie udaru prądowego czas do półszczytu jest coraz częściej zastępowany wartością prądu osiąganego w czasie 30 ns i 60 ns. Głównymi parametrami opisującymi impuls ESD są: a) pojemność pomiary pojemności elektrycznej ludzkiego ciała wykazały, że zawarta jest w granicach od 80 do 500 pf (rys. 2); kobiety zazwyczaj mają większą pojemność elektryczną ze względu na noszone obuwie o cieńszej podeszwie; mężczyzna Kobieta pf pf Ω Ω Rys. 2. Zastępcze parametry elektryczne człowieka przy wyładowaniu elektrostatycznym b) amplituda napięcia człowiek najczęściej ładuje się do napięcia kv, rzadko występują napięcia kv, a maksymalna możliwa do uzyskania wartość wynosi 40 kv (powyżej tej wartości następują wyładowania koronowe i następuje samorozładowanie); człowiek nie odczuwa efektu związanego ze wzrostem napięcia jego ciała do wartości 3 4 kv i to stanowi największe niebezpieczeństwo podczas kontaktów z wrażliwą aparaturą elektroniczną; w tabeli 1 przedstawiono wartości napięcia w funkcji warunków ładowania, natomiast na rysunku 3 pokazano maksymalne napięcie do jakich może naładować się człowiek w standardowym pomieszczeniu biurowym, które wyłożono materiałem antystatycznym, wełnianym lub wykładziną syntetyczną; w każdym z tych przypadków maksymalne napięcie jest funkcją wilgotności powietrza. PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - ROCZNIK LXXXI - nr 8/

3 Tabela 1. Amplitudy napięć ESD zmierzone przy względnej wilgotności 15-30% Średnio [kv] Maksymalnie [kv] Dywan Płytki winylowe 4 13 Drewno 0,5 3 c) biegunowość polaryzacja impulsu ESD może być dodatnia (+) lub ujemna ( ), w zależności od rodzajów materiałów związanych z procesem ładowania; wiele urządzeń elektronicznych jak tranzystory bipolarne itp. jest dużo bardziej wrażliwych na impulsy o określonej polaryzacji; d) czas narastania impulsu zależy głównie od kształtu elektrody wyładowczej (ostro zakończony przedmiot powoduje powstanie najgroźniejszych impulsów) oraz od poziomu napięcia (przy wysokich napięciach wyładowanie koronowe poprzedzające właściwy impuls elektrostatyczny rozmazuje czoło impulsu); czasy narastania impulsów ESD wynoszą od kilkuset pikosekund do kilkunastu nanosekund; [kv] 15 np. pomieszczenie biurowe bez regulacji wilgotności (w zimie) syntetyczny 10 wełna antystatyczny względna wilgotność [%] 15% 35% Rys. 3. Przebiegi maksymalnych napięć indukowanych przez człowieka w różnych warunkach e) energia energie impulsów ESD zawarte są w zakresie od kilku do kilkuset mj; w zależności od wartości parametrów impulsy podzielono na cztery klasy zagrożenia umieszczone w tabeli 2. Impulsy ESD, pomimo małej energii jaką przenoszą, są groźne dla urządzeń ze względu na bardzo krótkie czasy narastania, osiągające wartości rzędu 350 ps i mniejsze. W przypadku elementów półprzewodnikowych w urządzeniu elektronicznym źródłem zagrożenia jest nie tylko bezpośrednie wyładowanie do urządzenia ale też napięcia indukowane w pętlach tworzonych z przewodów obok których płynie prąd tego wyładowania. Energia wydzielana w przyrządach półprzewodnikowych w czasie odpowiadającym wyładowaniu elektrostatycznemu (rzędu nanosekund), powodująca trwałe uszkodzenia tych elementów mieści się w zakresie od kilku mikrodżuli do dziesiątków milidżuli. PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - ROCZNIK LXXXI - nr 8/

4 Tabela 2. Cztery klasy energetyczne impulsów ESD Charakter impulsu Pojemność [pf] Napięcie [kv] Energia [mj] Przypadek ekstremalny Przypadek najgorszy Przypadek typowy Minimum(warte zabezpieczenia) Sposoby postępowania podczas kontaktów z wrażliwą aparaturą elektroniczną Podczas kontaktów z wrażliwą aparaturą elektroniczną należy stosować się do następujących zasad postępowania: najlepiej przyjąć zasadę, że wszystkie elementy elektroniczne są wrażliwe na ESD; podczas manipulacji z produktami wrażliwymi na wyładowania elektryczności statycznej (dotykanie, przenoszenie, wkładanie i wyjmowanie itp.) należy być podłączonym do uziemienia przez bransoletę oraz posiadać obuwie antystatyczne; ponad to stanowisko pracy powinno znajdować się na podłodze antystatycznej lub uziemionej macie podłogowej; należy podkreślić, że obuwie antystatyczne jest skuteczne tylko wtedy, gdy pracownik znajduje się w pozycji stojącej na macie lub uziemionej podłodze; pakiety podczas przenoszenia należy trzymać z płytę czołową lub krawędzie; nie dozwolone jest dotykanie jakichkolwiek podzespołów, elementów, ścieżek, łączy; należy bezwzględnie przestrzegać ostrzeżeń ESD umieszczonych na etykietach opakowań dotyczących zarówno elementów jak i całych paneli; rozpakowywanie można przeprowadzać wyłącznie na stanowisku pracy zabezpieczonym przed ESD, które musi być przystosowane do podłączenia bransolety uziemiającej oraz wyposażone w maty antystatyczne; po wyjęciu pakietu ze stojaka należy natychmiast umieścić pakiet w antystatycznym opakowaniu lub pojemniku; podczas przechowywania, przygotowywania pakietów lub urządzeń wrażliwych na ESD do wysyłki należy stosować pojemniki antystatyczne; na stanowisku pracy nie mogą znajdować się jakiekolwiek zbędne materiały, które mogą generować ładunki elektrostatyczne (np. folie, styropian itp.); prze każdorazowym przystępowanie do pracy należy za pomocą testera sprawdzać stan środków uziemiających (maty, bransolety); nie wolno używać niesprawdzonych lub uszkodzonych środków chroniących przed wyładowaniami elektryczności statycznej, takich jak bransolet, opakowań, obuwia oraz mat podłogowych. Podczas obsługi pakietów i komponentów elektronicznych należy stosować poniższe zasady ochrony przed skutkami wyładowań elektryczności statycznej: zawsze należy pracować na czystym stanowisku pracy; trzeba usunąć wszystkie niepotrzebne obiekty, szczególnie nie przewodniki; przed przystąpieniem do pracy należy założyć bransoletkę; bransoletkę należy skontrolować za pomocą testera; następnie należy bransoletkę podłączyć do uziemionego gniazda; PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - ROCZNIK LXXXI - nr 8/

5 pakiety należy rozpakowywać i pakować zawsze na powierzchni antystatycznej lub na powierzchni pokrytej uziemioną matą dyssypatywną; do przemieszczania pakietów należy zawsze używać opakowań antystatycznych (worek, pudełka). Zawsze należy pamiętać, że nie wolno pracować na nieuporządkowanym stanowisku pracy; pracować bez uziemionej bransoletki; używać niesprawnej bransoletki; przenosić lub przewozić nie zabezpieczone pakiety; stosować niewłaściwych lub uszkodzonych opakowań; dotykać ścieżek, podzespołów oraz złączy na pakiecie. 4. Wnioski Przestrzeganie wymienionych zasad jest bardzo ważne, ponieważ odczucia ludzi związane z wyładowaniami elektryczności statycznej są subiektywne i zależą przede wszystkim od różnicy potencjałów występującej podczas wyładowania. Gwałtowny przepływ ładunków podczas wyładowania mogą spowodować: trwałe uszkodzenia wrażliwych elementów elektronicznych; przekłamania podczas pracy urządzeń cyfrowych, zmianę zawartości pamięci półprzewodnikowych; zwiększenie niebezpieczeństwa pożarowego. Uszkodzenia w aparaturze elektronicznej mogą wystąpić nie tylko w wyniku bezpośredniego przepływu prądu wyładowania przez dany obwód, ale również wskutek indukcji zakłóceń o zbyt dużej energii. Najskuteczniejszym sposobem zabezpieczającym urządzenia przed ESD jest niedopuszczanie do gromadzenia się ładunków na materiałach nieprzewodzących. Gromadzące się ładunki powinny być w sposób ciągły odprowadzane do ziemi lub masy urządzenia. Utrzymywanie właściwej wilgotności w miejscu pracy przyczynia się do zmniejszenia narażenia na niekontrolowane wyładowania elektryczności statycznej. Materiały antystatyczne powinny posiadać rezystancję powierzchniową rzędu Ω/m 2. Gromadzeniu się ładunków można zapobiec przez stosowanie posadzek i przewodzących wykładzin o rezystancji rzędu 10kΩ...1MΩ. Wymieniona wartość rezystancji nie koliduje bowiem dotyczącymi bezpieczeństwa pracy z urządzeniami elektrycznymi. Chodzi o to, aby rozładowywanie zgromadzonych ładunków elektrostatycznych nie następowało zbyt gwałtownie. Jak wspomniano uprzednio energia wydzielana w złączach półprzewodnikowych podczas rozładowywania spowoduje trwałe uszkodzenia już w przypadku kilku mikrodżuli. Powszechne stosowanie polimerów w wykładzinach powierzchniowych mebli sprzyja powstawaniu ładunków elektrostatycznych podczas pocierania częścią garderoby. Bardzo duża rezystancja powierzchniowa wykładzin polimerowych nie sprzyja odprowadzaniu zgromadzonych ładunków. Dlatego podczas pracy z elementami elektronicznymi o dużej wrażliwości (np. układy CMOS o dużym stopniu integracji) należy rygorystycznie przestrzegać wymienione wcześniej zalecenia. W podsumowaniu można stwierdzić, że: w przypadku występowania ESD należy stosować w miejscu pracy właściwe zabezpieczenia, m.in. wykładziny antystatyczne, nawilgacanie pomieszczeń itp.; PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - ROCZNIK LXXXI - nr 8/

6 wyładowania ESD uznawane potocznie dotychczas za niosące małą energię stanowią poważne zagrożenie dla urządzeń elektronicznych zawierających elementy półprzewodnikowe o dużej integracji; Literatura 1. D. J. Bem, Impulsowe narażenia elektromagnetyczne, Wydawnictwo Politechniki Wrocławskiej, Wrocław T. W. Więckowski, Badanie odporności urządzeń elektronicznych na impulsowe narażenia elektromagnetyczne, Wydawnictwo Politechniki Wrocławskiej, Wrocław Praca zbiorowa, Zakłócenia w aparaturze elektronicznej, Radioelektronik Sp. z o. o., Warszawa Polska Norma numer PN-EN :2002, Elektryczność statyczna. Część 5-2: Ochrona przyrządów elektronicznych przed elektrycznością statyczną. Przewodnik użytkownika, Polski Komitet Normalizacyjny, Warszawa PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - ROCZNIK LXXXI - nr 8/

BADANIE WYŁADOWAŃ ELEKTROSTATYCZNYCH

BADANIE WYŁADOWAŃ ELEKTROSTATYCZNYCH LABORATORIUM KOMPATYBILNOŚCI ELEKTROMAGNETYCZNEJ POLITECHNIKA WARSZAWSKA KATEDRA WYSOKICH NAPIĘĆ I APARATÓW ELEKTRYCZNYCH BADANIE WYŁADOWAŃ ELEKTROSTATYCZNYCH WPROWADZENIE Elektryczność statyczna występuje

Bardziej szczegółowo

Zasady oceny narażenia pracowników na pole elektrostatyczne

Zasady oceny narażenia pracowników na pole elektrostatyczne dr inż. Zygmunt Grabarczyk Zasady oceny narażenia pracowników na pole elektrostatyczne Materiał informacyjny Centralny Instytut Ochrony Pracy Państwowy Instytut Badawczy Warszawa 2016 1 Wprowadzenie W

Bardziej szczegółowo

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Spis treści Informacje podstawowe...2 Pomiar napięcia...3 Pomiar prądu...5 Pomiar rezystancji...6 Pomiar pojemności...6 Wartość skuteczna i średnia...7

Bardziej szczegółowo

Ładowarka samochodowa Typ LDR-10S

Ładowarka samochodowa Typ LDR-10S Ładowarka samochodowa Typ LDR-10S INSTRUKCJA OBSŁUGI!!!UWAGA!!! Przed rozpoczęciem jakichkolwiek prac montażowych, serwisowych oraz użytkowania urządzenia należy dokładnie zapoznać się z poniższą instrukcją.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

I0.ZSP APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ INSTRUKCJA OBSŁUGI (DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA)

I0.ZSP APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ INSTRUKCJA OBSŁUGI (DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA) APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ INSTRUKCJA OBSŁUGI (DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA) LISTWOWY POWIELACZ SYGNAŁÓW ANALOGOWYCH ZSP-41-2 WARSZAWA, Kwiecień 2011 APLISENS

Bardziej szczegółowo

XXIX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne

XXIX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne XXIX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne ZADANIE D1 Nazwa zadania: Wyznaczenie napięcia. Mając do dyspozycji: trójnóżkowy element półprzewodnikowy, dwie baterie 4,5 V z opornikami zabezpieczającymi

Bardziej szczegółowo

Ładowarka pakietów Typ LDR-10

Ładowarka pakietów Typ LDR-10 Ładowarka pakietów Typ LDR-10 INSTRUKCJA OBSŁUGI!!!UWAGA!!! Przed rozpoczęciem jakichkolwiek prac montażowych, serwisowych oraz użytkowania urządzenia należy dokładnie zapoznać się z poniższą instrukcją.

Bardziej szczegółowo

LUPS-11ME LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r.

LUPS-11ME LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r. LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, kwiecień 2003 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 0-602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA OBSŁUGI. MINI MULTIMETR CYFROWY M M

INSTRUKCJA OBSŁUGI. MINI MULTIMETR CYFROWY M M INSTRUKCJA OBSŁUGI MINI MULTIMETR CYFROWY M - 838 M - 838+ www.atel.com.pl/produkt.php?hash=02915! 1 2 I. WPROWADZENIE Przed przystąpieniem do normalnej eksploatacji miernika, prosimy zapoznać się z możliwościami

Bardziej szczegółowo

LDPY-11 LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK POŁOŻENIA DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, czerwiec 1997 r.

LDPY-11 LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK POŁOŻENIA DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, czerwiec 1997 r. LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK POŁOŻENIA DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, czerwiec 1997 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S.JARACZA 57-57A TEL. 0-602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo

LUPS-11MEU LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r.

LUPS-11MEU LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r. LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, kwiecień 2003 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 0-602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

KTF 8 TESTER ELEKTRYCZNY

KTF 8 TESTER ELEKTRYCZNY INSTRUKCJA OBSŁUGI KTF 8 TESTER ELEKTRYCZNY Producent: KOBAN ELECTRIC, SPAIN 1. BEZPIECZEŃSTWO POMIARÓW Niniejsza instrukcja obsługi zawiera informacje oraz ostrzeżenia, które muszą być przestrzegane podczas

Bardziej szczegółowo

SEMINARIUM CZŁONKÓW KOŁA 43 SEP WROCŁAW 28.05.2014 r. PROWADZĄCY ANTONI KUCHAREWICZ

SEMINARIUM CZŁONKÓW KOŁA 43 SEP WROCŁAW 28.05.2014 r. PROWADZĄCY ANTONI KUCHAREWICZ SEMINARIUM CZŁONKÓW KOŁA 43 SEP WROCŁAW 28.05.2014 r. PROWADZĄCY ANTONI KUCHAREWICZ REFERAT: Ochrona przed elektrycznością statyczną w strefach zagrożonych wybuchem W określonych warunkach środowiskowych

Bardziej szczegółowo

Pęseta R/C do SMD AX-503. Instrukcja obsługi

Pęseta R/C do SMD AX-503. Instrukcja obsługi Pęseta R/C do SMD AX-503 Instrukcja obsługi 1. OPIS OGÓLNY Pęseta R/C do SMD umożliwia szybki i precyzyjny pomiar drobnych elementów układów. Żeby wykorzystać miernik w pełni, proszę przeczytać uważnie

Bardziej szczegółowo

LDPS-11ME LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r.

LDPS-11ME LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r. LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, kwiecień 2003 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S.JARACZA 57-57A TEL. 602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI 1.OPIS

Bardziej szczegółowo

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

Maszyna elektrostatyczna [ BAP_ doc ]

Maszyna elektrostatyczna [ BAP_ doc ] Maszyna elektrostatyczna [ ] Strona 1 z 5 Opis Dwa krążki z pleksiglasu (1 i 2) o średnicy 300 mm położone są równolegle w niewielkiej odległości od siebie na poziomej osi. Oś spoczywa na stojakach (3)

Bardziej szczegółowo

OPIS OCHRONNY PL WZORU UŻYTKOWEGO

OPIS OCHRONNY PL WZORU UŻYTKOWEGO RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej EGZEMPLARZ ARCPMM OPIS OCHRONNY PL 58761 WZORU UŻYTKOWEGO f 21j Numer zgłoszenia: 106431 @ Data zgłoszenia: 24.04.1997 13) Y1 Intel7: A43B

Bardziej szczegółowo

Moduły pamięci. Instrukcja obsługi

Moduły pamięci. Instrukcja obsługi Moduły pamięci Instrukcja obsługi Copyright 2007 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Informacje zawarte w niniejszym dokumencie mogą zostać zmienione bez powiadomienia. Jedyne warunki gwarancji na

Bardziej szczegółowo

strona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI

strona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI strona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI 1. WPROWADZENIE. Prezentowany multimetr cyfrowy jest zasilany bateryjnie. Wynik pomiaru wyświetlany jest w postaci 3 1 / 2 cyfry. Miernik może być stosowany

Bardziej szczegółowo

DTR.ZSP-41.SP-11.SP-02 APLISENS PRODUKCJA PRZEMYSŁOWEJ APARATURY POMIAROWEJ I ELEMENTÓW AUTOMATYKI INSTRUKCJA OBSŁUGI

DTR.ZSP-41.SP-11.SP-02 APLISENS PRODUKCJA PRZEMYSŁOWEJ APARATURY POMIAROWEJ I ELEMENTÓW AUTOMATYKI INSTRUKCJA OBSŁUGI DTR.ZSP-41.SP-11.SP-02 APLISENS PRODUKCJA PRZEMYSŁOWEJ APARATURY POMIAROWEJ I ELEMENTÓW AUTOMATYKI INSTRUKCJA OBSŁUGI ZASILACZ SEPARATOR PRZETWORNIK SYGNAŁÓW ZSP-41 ZASILACZ SEPARATOR PRZETWORNIK SYGNAŁÓW

Bardziej szczegółowo

ELEKTRYCZNOŚĆ STATYCZNA (ESD)

ELEKTRYCZNOŚĆ STATYCZNA (ESD) Witold J. Stepowicz, Krzysztof Górecki Akademia Morska w Gdyni ELEKTRYCZNOŚĆ STATYCZNA (ESD) W pracy przedstawiono podstawowe informacje na temat zagrożeń dla elementów i układów elektronicznych ze strony

Bardziej szczegółowo

LDPS-12ME LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, marzec 2003 r.

LDPS-12ME LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, marzec 2003 r. LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY ME DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, marzec 2003 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 0-602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo

Jonizator 100A Instrukcja obsługi

Jonizator 100A Instrukcja obsługi Jonizator 100A Instrukcja obsługi KR-4 Ranger TM 3000 㔲 Ⰲ 㯞 ION-100A Jonizator PL-1 1. WPROWADZENIE Niniejsza instrukcja obsługi zawiera wskazówki dotyczące instalacji, obsługi oraz konserwacji Jonizatora

Bardziej szczegółowo

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę. WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA OBSŁUGI M9805G #02998 MULTIMETR CĘGOWY

INSTRUKCJA OBSŁUGI M9805G #02998 MULTIMETR CĘGOWY INSTRUKCJA OBSŁUGI M9805G #02998 MULTIMETR CĘGOWY! 1. INFORMACJE O BEZPIECZEŃSTWIE Przed przystąpieniem do pomiarów lub naprawy miernika należy zapoznać się z niniejszą instrukcją. Aby uniknąć zniszczenia

Bardziej szczegółowo

Imię i nazwisko ucznia Data... Klasa...

Imię i nazwisko ucznia Data... Klasa... Przygotowano za pomocą programu Ciekawa fizyka. Bank zadań Copyright by Wydawnictwa Szkolne i Pedagogiczne sp. z o.o., Warszawa 2011 strona 1 Imię i nazwisko ucznia Data...... Klasa... Zadanie 1. Między

Bardziej szczegółowo

Moduły pamięci Instrukcja obsługi

Moduły pamięci Instrukcja obsługi Moduły pamięci Instrukcja obsługi Copyright 2009 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Informacje zawarte w niniejszym dokumencie mogą zostać zmienione bez powiadomienia. Jedyne warunki gwarancji na

Bardziej szczegółowo

Czystość złączy światłowodowych a niezawodność sieci

Czystość złączy światłowodowych a niezawodność sieci Czystość złączy światłowodowych a niezawodność sieci mgr inż. Tomasz Rogowski Zapotrzebowanie na transfer dużych ilości danych pociąga za sobą konieczność budowy niezawodnych sieci szerokopasmowych. Bardzo

Bardziej szczegółowo

Moduły pamięci. Instrukcja obsługi

Moduły pamięci. Instrukcja obsługi Moduły pamięci Instrukcja obsługi Copyright 2007 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Informacje zawarte w niniejszym dokumencie mogą zostać zmienione bez powiadomienia. Jedyne warunki gwarancji na

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 180869 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 314540 (51) IntCl7 C01B 13/10 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 3 0.05.1996 Rzeczypospolitej Polskiej (54)

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Telekomunikacji i Aparatury Elektronicznej Instrukcja do zajęć laboratoryjnych Temat ćwiczenia: WYŁADOWANIE ELEKTROSTATYCZNE Ćwiczenie nr 11. Laboratorium

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze prądu stałego

Wzmacniacze prądu stałego PUAV Wykład 13 Wzmacniacze prądu stałego Idea Problem: wzmacniacz prądu stałego (lub sygnałów o bardzo małej częstotliwości, rzędu ułamków Hz) zrealizowany konwencjonalnie wprowadza błąd wynikający z wejściowego

Bardziej szczegółowo

Moduły pamięci Instrukcja obsługi

Moduły pamięci Instrukcja obsługi Moduły pamięci Instrukcja obsługi Copyright 2009 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Informacje zawarte w niniejszym dokumencie mogą zostać zmienione bez powiadomienia. Jedyne warunki gwarancji na

Bardziej szczegółowo

GENERATORY KWARCOWE. Politechnika Wrocławska. Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

GENERATORY KWARCOWE. Politechnika Wrocławska. Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Zakład Układów Elektronicznych Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego GENERATORY KWARCOWE 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

MULTIMETR CYFROWY AX-100

MULTIMETR CYFROWY AX-100 MULTIMETR CYFROWY AX-100 INSTRUKCJA OBSŁUGI 1. Informacje dotyczące bezpieczeństwa 1. Nie podawaj na wejście wartości przekraczającej wartość graniczną podczas pomiarów. 2. Podczas pomiarów napięcia wyŝszego

Bardziej szczegółowo

ETISURGE OGRANICZNIKI PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA W OSŁONIE POLIMEROWEJ OGRANICZNIKI PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA INZP W OSŁONIE POLIMEROWEJ ETISURGE

ETISURGE OGRANICZNIKI PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA W OSŁONIE POLIMEROWEJ OGRANICZNIKI PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA INZP W OSŁONIE POLIMEROWEJ ETISURGE OGRANICZNIKI PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA INZP W OSŁONIE POLIMEROWEJ 444 OGRANICZNIKI PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA W OSŁONIE POLIMEROWEJ Energia pod kontrolą Ograniczniki przepięć INZP typu rozdzielczego,

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki wykład 8

Podstawy fizyki wykład 8 Podstawy fizyki wykład 8 Dr Piotr Sitarek Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska Ładunek elektryczny Grecy ok. 600 r p.n.e. odkryli, że bursztyn potarty o wełnę przyciąga inne (drobne) przedmioty. słowo

Bardziej szczegółowo

LUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r.

LUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r. LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, kwiecień 1999 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI 1.OPIS

Bardziej szczegółowo

PÓŁKA TELEKOMUNIKACYJNA TM-70 INSTRUKCJA OBSŁUGI

PÓŁKA TELEKOMUNIKACYJNA TM-70 INSTRUKCJA OBSŁUGI LANEX S.A. ul. Ceramiczna 8 0-50 Lublin tel. (08) 0 tel/fax. (08) 70 5 70 PÓŁKA TELEKOMUNIKACYJNA TM-70 INSTRUKCJA OBSŁUGI e-mail: info@lanex.lublin.pl Dział Serwisu www.lanex.lublin.pl tel. (08) -0- wew.

Bardziej szczegółowo

Moduły pamięci. Instrukcja obsługi

Moduły pamięci. Instrukcja obsługi Moduły pamięci Instrukcja obsługi Copyright 2006 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Informacje zawarte w niniejszym dokumencie mogą zostać zmienione bez powiadomienia. Jedyne warunki gwarancji na

Bardziej szczegółowo

Trójfazowy wymuszalnik Wysokiego Napięcia " EMEX 2,5 kv " Instrukcja obsługi

Trójfazowy wymuszalnik Wysokiego Napięcia  EMEX 2,5 kv  Instrukcja obsługi Trójfazowy wymuszalnik Wysokiego Napięcia " EMEX 2,5 kv " Instrukcja obsługi GLIWICE 2007 r. Spis treści: 1.Ostrzeżenia 3 2 Przeznaczenie i budowa aparatu...5 3.. Obsługa aparatu...7 4. Dane techniczne......8

Bardziej szczegółowo

Badania międzylaboratoryjne z zakresu właściwości elektrostatycznych materiałów nieprzewodzących stosowanych w górnictwie

Badania międzylaboratoryjne z zakresu właściwości elektrostatycznych materiałów nieprzewodzących stosowanych w górnictwie mgr inż. ŁUKASZ ORZECH mgr inż. MARCIN TALAREK Instytut Techniki Górniczej KOMAG Badania międzylaboratoryjne z zakresu właściwości elektrostatycznych materiałów nieprzewodzących stosowanych w górnictwie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

DTR.SP-02 APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA

DTR.SP-02 APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA DTR.SP-02 APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA SEPARATOR SYGNAŁÓW PRĄDOWYCH BEZ ENERGII POMOCNICZEJ TYPU SP-02 WARSZAWA, STYCZEŃ 2004r. 1 DTR.SP-02

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA OBSŁUGI ZASILACZ PWS-100RB-2

INSTRUKCJA OBSŁUGI ZASILACZ PWS-100RB-2 INSTRUKCJA OBSŁUGI ZASILACZ PWS-100RB-2 Spis treści 1. WSTĘP 2. OPIS TECHNICZNY 3. INSTALOWANIE, OBSŁUGA, EKSPLOATACJA Strona 2 z 6 POLWAT IO-PWS-120B-2 1. WSTĘP Zasilacz PWS-100RB-2 jest podzespołem wg

Bardziej szczegółowo

Zjawiska w niej występujące, jeśli jest ona linią długą: Definicje współczynników odbicia na początku i końcu linii długiej.

Zjawiska w niej występujące, jeśli jest ona linią długą: Definicje współczynników odbicia na początku i końcu linii długiej. 1. Uproszczony schemat bezstratnej (R = 0) linii przesyłowej sygnałów cyfrowych. Zjawiska w niej występujące, jeśli jest ona linią długą: odbicie fali na końcu linii; tłumienie fali; zniekształcenie fali;

Bardziej szczegółowo

Instrukcja obsługi miernika uniwersalnego MU-07L

Instrukcja obsługi miernika uniwersalnego MU-07L 1. Informacje ogólne Miernik MU-07L umożliwia pomiary napięć stałych (do 600V) i przemiennych (do 600V), natężenia prądu stałego (do 10A), oporności (do 2MΩ) oraz sprawdzanie diod półprzewodnikowych, ciągłości

Bardziej szczegółowo

Laboratoryjny multimetr cyfrowy Escort 3145A Dane techniczne

Laboratoryjny multimetr cyfrowy Escort 3145A Dane techniczne Laboratoryjny multimetr cyfrowy Escort 3145A Dane techniczne Dane podstawowe: Zakres temperatur pracy od 18 C do 28 C. ormat podanych dokładności: ± (% wartości wskazywanej + liczba cyfr), po 30 minutach

Bardziej szczegółowo

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) 1. Wymagane zagadnienia - ruch ładunku w polu magnetycznym, siła Lorentza, pole elektryczne - omówić zjawisko Halla, wyprowadzić wzór na napięcie

Bardziej szczegółowo

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego

Bardziej szczegółowo

Moduły pamięci Instrukcja obsługi

Moduły pamięci Instrukcja obsługi Moduły pamięci Instrukcja obsługi Copyright 2009 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Informacje zawarte w niniejszym dokumencie mogą zostać zmienione bez powiadomienia. Jedyne warunki gwarancji na

Bardziej szczegółowo

4. Funktory CMOS cz.2

4. Funktory CMOS cz.2 2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz

Bardziej szczegółowo

Moduły pamięci Instrukcja obsługi

Moduły pamięci Instrukcja obsługi Moduły pamięci Instrukcja obsługi Copyright 2008 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Informacje zawarte w niniejszym dokumencie mogą zostać zmienione bez powiadomienia. Jedyne warunki gwarancji na

Bardziej szczegółowo

Klucz odpowiedzi. Konkurs Fizyczny Etap Rejonowy

Klucz odpowiedzi. Konkurs Fizyczny Etap Rejonowy Klucz odpowiedzi Konkurs Fizyczny Etap Rejonowy Zadania za 1 p. TEST JEDNOKROTNEGO WYBORU (łącznie 20 p.) Nr zadania 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Odpowiedź B C C B B D C A D B Zadania za 2 p. Nr zadania 11 12

Bardziej szczegółowo

Escort 3146A - dane techniczne

Escort 3146A - dane techniczne Escort 3146A - dane techniczne Dane wstępne: Zakres temperatur pracy od 18 C do 28 C. ormat podanych dokładności: ± (% wartości wskazywanej + liczba cyfr), po 30 minutach podgrzewania. Współczynnik temperaturowy:

Bardziej szczegółowo

Instrukcja obsługi i montażu Modułu rezystora hamującego

Instrukcja obsługi i montażu Modułu rezystora hamującego Instrukcja obsługi i montażu Modułu rezystora hamującego 1. Bezpieczeństwo użytkowania, Gwarancja 1.1. Zasady bezpiecznego użytkowania 1.2. Gwarancja 2. Parametry pracy 2.1. Parametry elektryczne 3. Montaż

Bardziej szczegółowo

Moduły pamięci Instrukcja obsługi

Moduły pamięci Instrukcja obsługi Moduły pamięci Instrukcja obsługi Copyright 2009 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Informacje zawarte w niniejszym dokumencie mogą zostać zmienione bez powiadomienia. Jedyne warunki gwarancji na

Bardziej szczegółowo

Przekładnik prądowy ISSN-70 Instrukcja eksploatacji

Przekładnik prądowy ISSN-70 Instrukcja eksploatacji www.fanina.pl Przekładnik prądowy ISSN-70 Instrukcja eksploatacji Strona 1 z 4 WSTĘP Niniejsza instrukcja jest dokumentem przeznaczonym dla użytkowników przekładników prądowych napowietrznych typu ISSN-70.

Bardziej szczegółowo

Pomiary rezystancji izolacji

Pomiary rezystancji izolacji Stan izolacji ma decydujący wpływ na bezpieczeństwo obsługi i prawidłowe funkcjonowanie instalacji oraz urządzeń elektrycznych. Dobra izolacja to obok innych środków ochrony również gwarancja ochrony przed

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Bezpieczne i niezawodne złącza kablowe średniego napięcia

Bezpieczne i niezawodne złącza kablowe średniego napięcia Instytut Energetyki ul. Mory 8, 01-330 Warszawa Bezpieczne i niezawodne złącza kablowe średniego napięcia ******** Wisła, 2016 Lidia Gruza, Stanisław aw Maziarz Niezawodność pracy złączy kablowych średniego

Bardziej szczegółowo

Moduły pamięci. Instrukcja obsługi

Moduły pamięci. Instrukcja obsługi Moduły pamięci Instrukcja obsługi Copyright 2006 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Informacje zawarte w niniejszym dokumencie mogą zostać zmienione bez powiadomienia. Jedyne warunki gwarancji na

Bardziej szczegółowo

Moduły pamięci Instrukcja obsługi

Moduły pamięci Instrukcja obsługi Moduły pamięci Instrukcja obsługi Copyright 2008 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Informacje zawarte w niniejszym dokumencie mogą zostać zmienione bez powiadomienia. Jedyne warunki gwarancji na

Bardziej szczegółowo

UKŁADY KONDENSATOROWE

UKŁADY KONDENSATOROWE UKŁADY KONDENSATOROWE 3.1. Wyprowadzić wzory na: a) pojemność kondensatora sferycznego z izolacją jednorodną (ε), b) pojemność kondensatora sferycznego z izolacją warstwową (ε 1, ε 2 ) c) pojemność odosobnionej

Bardziej szczegółowo

Krótka informacja o bateriach polimerowych.

Krótka informacja o bateriach polimerowych. Koło Naukowe Robotyków KoNaR Krótka informacja o bateriach polimerowych. Jan Kędzierski Jacek Kalemba Wrocław. 08.06.2006 Niniejszy artykuł ma za zadanie przedstawić podstawowe informacje o bateriach Li-POL

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych

Bardziej szczegółowo

MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI

MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI 1. SPECYFIKACJE 1.1. Specyfikacje ogólne. Zasada pomiaru: przetwornik z podwójnym całkowaniem; Wyświetlacz: LCD, 3 3 / 4 cyfry; Maksymalny odczyt: 3999;

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Tranzystory i ich zastosowania

Tranzystory i ich zastosowania Tranzystory i ich zastosowania Nie wszystkie elementy obwodu elektrycznego zachowują się jak poznane na lekcjach rezystory (oporniki omowe). Większość używanych elementów ma zmienny opór. Jak się tak bliżej

Bardziej szczegółowo

KIESZONKOWY MULTIMETR CYFROWY AX-MS811. Instrukcja obsługi

KIESZONKOWY MULTIMETR CYFROWY AX-MS811. Instrukcja obsługi KIESZONKOWY MULTIMETR CYFROWY AX-MS811 Instrukcja obsługi Bezpieczeństwo Międzynarodowe symbole bezpieczeństwa Ten symbol użyty w odniesieniu do innego symbolu lub gniazda oznacza, że należy przeczytać

Bardziej szczegółowo

Porady dotyczące instalacji i użyteczności taśm LED

Porady dotyczące instalacji i użyteczności taśm LED Porady dotyczące instalacji i użyteczności taśm LED Sposoby zasilania diod LED Drivery prądowe, czyli stabilizatory prądu Zalety: pełna stabilizacja prądu aktywne działanie maksymalne bezpieczeństwo duża

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Dodatki do wykładu. Franciszek Gołek

Dodatki do wykładu. Franciszek Gołek Dodatki do wykładu Franciszek Gołek (golek@ifd.uni.wroc.pl) www.pe.ifd.uni.wroc.pl O cewkach i kondensatorach Generalnie kondensator to coś na czym można gromadzić nie zneutralizowany ładunek elektryczny.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

STACJA LUTOWNICZA 936. Instrukcja obsługi

STACJA LUTOWNICZA 936. Instrukcja obsługi STACJA LUTOWNICZA 936 Instrukcja obsługi Przed rozpoczęciem użytkowania stacji lutowniczej 936 prosimy przeczytać niniejszy podręcznik i zachować go do użycia w przyszłości. Spis treści 1. Lista elementów...2

Bardziej szczegółowo

KT 890 MULTIMETRY CYFROWE INSTRUKCJA OBSŁUGI WPROWADZENIE: 2. DANE TECHNICZNE:

KT 890 MULTIMETRY CYFROWE INSTRUKCJA OBSŁUGI WPROWADZENIE: 2. DANE TECHNICZNE: MULTIMETRY CYFROWE KT 890 INSTRUKCJA OBSŁUGI Instrukcja obsługi dostarcza informacji dotyczących parametrów technicznych, sposobu uŝytkowania oraz bezpieczeństwa pracy. WPROWADZENIE: Mierniki umożliwiają

Bardziej szczegółowo

TDWA-21 TABLICOWY DWUPRZEWODOWY WYŚWIETLACZ SYGNAŁÓW ANALOGOWYCH DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, listopad 1999 r.

TDWA-21 TABLICOWY DWUPRZEWODOWY WYŚWIETLACZ SYGNAŁÓW ANALOGOWYCH DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, listopad 1999 r. TABLICOWY DWUPRZEWODOWY WYŚWIETLACZ SYGNAŁÓW ANALOGOWYCH DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, listopad 1999 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 602-62-32-71 str.2

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Jonizator antystatyczny

Jonizator antystatyczny Jonizator antystatyczny Jonizator DJ-04 Jonizator DJ-05 INSTRUKCJA OBSŁUGI IMMU-48-03-05-17-PL www.radwag.pl MAJ 2017 2 Spis treści 1. UWAGI OGÓLNE 4 2. DANE TECHNICZNE 4 3. PODSTAWOWE WSKAZÓWKI DOTYCZĄCE

Bardziej szczegółowo

Promieniowanie elektromagnetyczne w środowisku pracy. Ocena możliwości wykonywania pracy w warunkach oddziaływania pól elektromagnetycznych

Promieniowanie elektromagnetyczne w środowisku pracy. Ocena możliwości wykonywania pracy w warunkach oddziaływania pól elektromagnetycznych Promieniowanie elektromagnetyczne w środowisku pracy Ocena możliwości wykonywania pracy w warunkach oddziaływania pól elektromagnetycznych Charakterystyka zjawiska Promieniowanie elektromagnetyczne jest

Bardziej szczegółowo

Kondensator. Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych

Kondensator. Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych Kondensatory Kondensator Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych dielektrykiem, na których zgromadzone są ładunki elektryczne jednakowej wartości ale o przeciwnych znakach. Budowa Najprostsze

Bardziej szczegółowo

Instytut Elektrotechniki i Automatyki Okrętowej. Część 11 Ochrona przeciwporażeniowa

Instytut Elektrotechniki i Automatyki Okrętowej. Część 11 Ochrona przeciwporażeniowa Część 11 Ochrona przeciwporażeniowa Impedancja ciała człowieka Impedancja skóry zależy od: stanu naskórka i stopnia jego zawilgocenia, napięcia rażeniowego, czasu trwania rażenia, powierzchni dotyku i

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA OBSŁUGI MIERNIK CĘGOWY #5490 DT-3368

INSTRUKCJA OBSŁUGI MIERNIK CĘGOWY #5490 DT-3368 INSTRUKCJA OBSŁUGI MIERNIK CĘGOWY #5490 DT-3368 Charakterystyka: wyświetlacz 4 cyfry kategoria bezpieczeństwa CAT III 600V pomiar True RMS automatyczna zmiana zakresu pomiar prądu zmiennego i stałego do

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. RYSZARD KOPKA, Opole, PL WIESŁAW TARCZYŃSKI, Opole, PL

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. RYSZARD KOPKA, Opole, PL WIESŁAW TARCZYŃSKI, Opole, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230965 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 423164 (51) Int.Cl. H02J 7/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 16.10.2017

Bardziej szczegółowo

OGRANICZNIK PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA TYPU PROXAR-IN AC W OSŁONIE SILIKONOWEJ KARTA KATALOGOWA

OGRANICZNIK PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA TYPU PROXAR-IN AC W OSŁONIE SILIKONOWEJ KARTA KATALOGOWA OGRANICZNIK PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA TYPU PROXAR-IN AC W OSŁONIE SILIKONOWEJ KARTA KATALOGOWA ZASTOSOWANIE Ograniczniki przepięć typu PROXAR-IN AC w osłonie silikonowej są przeznaczone do ochrony przepięciowej

Bardziej szczegółowo

Lekcja 43. Pojemność elektryczna

Lekcja 43. Pojemność elektryczna Lekcja 43. Pojemność elektryczna Pojemność elektryczna przewodnika zależy od: Rozmiarów przewodnika, Obecności innych przewodników, Ośrodka w którym się dany przewodnik znajduje. Lekcja 44. Kondensator

Bardziej szczegółowo

System MI 3295 pozwalający na pomiar napięć rażenia: napięcia krokowego i dotykowego firmy Metrel wykorzystuje nową metodę

System MI 3295 pozwalający na pomiar napięć rażenia: napięcia krokowego i dotykowego firmy Metrel wykorzystuje nową metodę 1 System pomiaru napięcia rażenia Metrel MI 3295 System MI 3295 pozwalający na pomiar napięć rażenia: napięcia krokowego i dotykowego firmy Metrel wykorzystuje nową metodę zwiększając dokładność i bezpieczeństwa

Bardziej szczegółowo

Instrukcja obsługi ZM-PS Nr dok Strona 1/5 INSTRUKCJA OBSŁUGI

Instrukcja obsługi ZM-PS Nr dok Strona 1/5 INSTRUKCJA OBSŁUGI Instrukcja obsługi ZM-PS Nr dok. 0452.00.95-01.1 Strona 1/5 MERAWEX Sp. z o.o 44-122 Gliwice ul. Toruńska 8 tel. 032 23 99 400 fax 032 23 99 409 e-mail: merawex@merawex.com.pl http://www.merawex.com.pl

Bardziej szczegółowo