Od diody do układu scalonego

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Od diody do układu scalonego"

Transkrypt

1 Od diody do układu scalonego Franciszek Gołek Dioda kryształkowa Magiczne oko

2 Plan wykładu 1. Początki nauki o elektryczności. 2. Krótkie przypomnienie praw elektryczności. 3. Początki komunikacji. 4. Wynalezienie diody. 5. Wynalezienie tranzystora. 6. Pierwsze układy scalone.

3 Krótkie przypomnienie poprzednich wykładów (nieco historii). 1) W 1799 roku A.G.A. Volta buduje ogniwo elektryczne 1,1 V (pojawiają się baterie ogniw). 2) Telegraf zaczyna działać od 1844 r. 3) W 1874 r. F. Braun odkrywa, że kryształy w pewnych warunkach przewodzą prąd tylko w jedną stronę. 4) W 1876 r. A.G. Bell wynajduje telefon. 5) Do oświetlania stosowane są żarówki T.A. Edisona od 1879 r. 6) W latach J.C. Maxwell opisuje równaniami poznane zjawiska elektryczne.

4 Do czego przydają się ogniwa i ich baterie? (koniec pocierania bursztynem lub szkłem?) Bateria zamienia energię chemiczną na energię elektryczną. Proces zamiany odbywa się w czasie odbierania energii elektrycznej - zatem jest to magazyn gotowej do wykorzystania energii. Bateria, podobnie jak inne źródła napięcia ma dwa zaciski. Bateria w swym wnętrzu tłoczy (przepompowuje) do jednego zacisku elektrony, a z drugiego je wysysa aż do uzyskania określonego napięcia. Gdy tylko między zaciskami pojawi się jakieś przewodzące połączenie mamy w nim prąd elektryczny, polegający na przetłaczaniu elektronów od zacisku ujemnego do zacisku dodatniego na zewnątrz baterii. Zwykle jednak mówimy, że prąd to przepływ ładunku od wyższego potencjału dodatniego zacisku do niższego potencjału - ujemnego bieguna. Takie odwrócenie kota ogonem w zasadzie nie sprawia problemów bo ruch elektronów od bieguna - do bieguna + oznacza ubytek ładunku dodatniego w biegunie +, tak jakby to ładunek dodatni płynął od + do - ).

5 Od roku 1799 ludzie całkiem łatwo mogą bawić się prądami elektrycznymi! W 1819 r. H.Ch. Oersted obserwuje oddziaływanie prądu elektrycznego na igłę magnetyczną wykazując związek między elektrycznością i magnetyzmem. W 1821 r. Andre-Marie Ampere proponuje budowę telegrafu, każdej literze odpowiada jeden drut z prądem i galwanometrem. Niestety działał tylko na małej odległości. W 1828 r. w USA został zbudowany pierwszy telegraf. Harison Dyar zdołał przepuścić iskry elektryczne przez taśmę papierową zaznaczając w niej kreski i kropki. W 1825 r. William Sturgeon wynajduje elektromagnes, a w 1830 r. Joseph Henry przesyła prąd drutem na odległość 1 mili, który aktywuje elektromagnes aby uruchomić uderzenie dzwonka. W 1844 r. zbudowano pierwszą linię telegraficzną między Waszyngtonem i Baltimore. Dokładnie r. Samuel Morse przesyła pierwszą wiadomość. Nowa jakość pojawia się, gdy w 1862 r. Pacinotti i Gramme budują prądnicę jako źródło energii elektrycznej. W 1875 r. Edison spostrzega iskrę generowaną wibracjami magnesu w cewce. W 1876 r. Aleksander Graham Bell przełamuje supremację telegrafu gdy jako pierwszy przesyła przewodami elektrycznymi swój głos ( Mr. Watson, come here, I want you ). W 1897 J.J. Thomson odkrywa elektron najmniejszą porcję elektryczności.

6 Krótkie przypomnienie poprzednich wykładów (nieco eksperymentów). Wymuszanie prądu elektrycznego Przemieszczanie względem siebie magnesu i cewki wymusza prąd elektryczny w cewce. Gdy zamiast magnesu użyjemy cewki z prądem to w drugiej cewce też będzie wymuszany prąd elektryczny, zarówno na skutek zmian położenia jak i zmian natężenia prądu w pierwszej cewce. Gdy użyliśmy siły do przemieszczania, to zamienialiśmy energię mechaniczną na elektryczną.

7 Siła między dwoma przewodami z prądem oraz siła między magnesem i przewodem z prądem. Występowanie tej siły oznacza, że możemy zamieniać energię Zastosowania? elektryczna na mechaniczna. Zastosowania?

8 Zamiana energii mechanicznej na elektryczną i jej transport do odbiorców. U odbiorców energia elektryczna zamieniana jest na energie: mechaniczną (wiatrak), oświetlenie, ciepło itp.. Poczuliśmy też prawo zachowania energii. Gdy obciążenie odbiornikami energii wzrastało ciężej było obracać zwojami prądnicy! Elektrownia Odbiorniki energii

9 Warto zauważyć, że prąd elektryczny stał się niezwykle użytecznym medium technologicznym. Dzięki niemu energia wodospadów czy paliw może być transportowana w postaci elektrycznej na znaczne odległości i zamieniana na ciepło, światło czy pracę mechaniczną u odbiorcy. Pokaz energii zgromadzonej w cewce i w kondensatorze.

10 Prawo Ohma (Georg Ohm 1826) Natura poprzez nasze obserwacje i eksperymenty, stanowi podstawę wszelkiej abstrakcji. Przykładając do opornika kolejno małe i większe napięcia oraz mierząc te napięcia U i prądy I płynące pod ich wpływem otrzymujemy np. U: 1 V, 2 V, 3 V, 4 V, 5 V, 6 V, -1 V, -2 V, itd. I: 2 A, 4 A, 6 A, 8 A, 10 A, 12 A, -2 A, -4 A, itd. Analiza powyższych wyników wykazuje prawidłowość. Usiłując wyrazić w prosty i dający do myślenia sposób otrzymywane wyniki pomiarowe otrzymujemy formułę: U = R(stała) I [V] = [V/A] [A] [V] = [Ω] [A] W 1874 r. F. Braun odkrywa, że kryształy w pewnych warunkach przewodzą prąd tylko w jedną stronę. Tu prawo Ohma nie działa.

11 Prądowe prawo Kirchhoffa: Jeżeli w węźle ładunek elektryczny się nie gromadzi, to ilości ładunku wchodzącego i wychodzącego z węzła muszą być takie same. Zatem suma wszystkich prądów elektrycznych w węźle (wchodzące ze znakiem + a wychodzące ze znakiem - ) wynosi zero.

12 Napięciowe prawo Kirchhoffa: Idąc wzdłuż zamkniętej pętli i mierząc po drodze skoki potencjału elektrycznego, czyli napięcia i siły elektromotoryczne stwierdzamy, że ich suma wynosi zero. (Podobnie jak wszystkie podejścia do góry i zejścia w czasie wycieczki górskiej muszą się wyzerować po powrocie do miejsca startu)

13 Komunikacja przewodowa Zasada działania telegrafu Zamknięcie obwodu umożliwia baterii przetłaczanie elektronów co stanowi prąd. Prąd włącza przekaźnik. Dużo drutu!

14 Uproszczony obwód telefoniczny. Sproszkowany węgiel zmienia oporność przy zmianie nacisku membraną. Zmiana tej oporności wywołuje zmiany natężenia prądu w elektromagnesie i przez to zmiany siły z jaką przyciągana jest membrana słuchawki. (Pierwszy działający kabel transatlantycki położono w 1866r). Dużo drutu i nie nadaje się do pojazdów i statków!

15 Komunikacja bezprzewodowa Z równań Maxwella wynikało, że istnieją fale elektromagnetyczne (o prędkości światła). Tę sensację doświadczalnie potwierdza w roku 1888 H.R. Hertz. Nikola Tesla od 1892 r. pracuje nad m.in. bezprzewodową transmisją energii i informacji. W 1899 r. G. Marconi realizuje bezprzewodowy telegraf dla komunikacji poprzez kanał La Manche.

16 Nadajnik iskrowy i odbiornik

17 Dlaczego sygnał zanika z odległością? Sygnał maleje przy zwiększaniu odległości między antenami!

18 Sygnał słabnie proporcjonalnie do 1/r2 z odległością r bo obszar, w który się rozprzestrzenia zwiększa się jak r2 W przestrzeni ma miejsce efekt rozrzedzania energii i wymagany jest jakiś sposób na wzmacnianie sygnału.

19 Problemy z detektorami Koherer rurka szklana wypełniona metalowymi opiłkami. Pod wpływem fali elektromagnetycznej (radiowej) koherer znacznie obniżał oporność elektryczną co skutkowało większym prądem łatwym do detekcji. Aby stwierdzić następne pojawienie się fali radiowej należało wstrząsnąć kohererem aby ten powrócił do początkowej dużej oporności. W 1899r. Niemiecki uczony K.F. Braun patentuje detektor krystaliczny (25 lat po wynalezieniu efektu asymetrii przewodzenia).

20 Nadajniki iskrowe i odbiorniki

21 Przykładowe detektory kryształkowe (G.W. Pickard przetestował ponad kombinacji ostrze-kryształ).

22 Wynalezienie lampy to tylko modyfikacja żarówki Edisona W latach T. A. Edison i jego asystent W. J. Hammer pracują nad ulepszaniem opatentowanych w 1879r. próżniowych żarówek, które w czasie pracy ulegały poczernieniu. Zauważyli przepływ prądu między grzaną i ujemnie spolaryzowaną elektrodą a zimną dodatnio spolaryzowaną elektrodą. W 1911 r. O. W. Richardson zinterpretował efekt Edisona jako wyparowywanie elektronów z gorącego drucika i nazwał go emisją termiczną. W 1904 r. J. A. Fleming zauważył, że efekt Edisona można zastosować do prostowania prądu zmiennego i wykonał diodę próżniową (prostownik lampowy).

23 Dioda próżniowa J.A. Fleming 1904 Gdy w obwodzie elektrycznym zasilanym przez źródło symetrycznie przemiennego napięcia znajdzie się dioda to prąd nie będzie symetrycznie przemienny. Tylko katoda (rozgrzany metal) emituje elektrony. Zatem w obwodzie będzie prąd tylko wtedy gdy przykładane napięcie pozwoli emitowanym z katody elektronom docierać do anody.

24 Demonstracja diody próżniowej.

25 Demonstracja diody próżniowej Niższa temperatura katody = niższy prąd diody.

26 Wodny analog diody

27 Dioda dużej mocy Diody Diody półprzewodnikowe Diody próżniowe Dioda wysokonapięciowa Diody świecące LED Fotodioda Układ Graetza

28 Kryształy krzem typu p i typu n (nie naładowane elektrycznie). Mobilne elektrony Mobilne dziury

29 Po przeładowaniu-> Dioda Barierę potencjału stanowią nieruchome jony.

30 Złącza p-n Podobnie jak w połączonych naczyniach z wodą wyrównuje się poziom lustra wody tak w połączonych galwanicznie materiałach zawierających mobilne nośniki ładunku (elektrony i dziury) następuje wyrównanie poziomu Fermiego EF. Przemieszczenie ładunków pociąga za sobą wytworzenie skoku potencjału elektrycznego w pewnym wąskim obszarze samego złącza pn. W tym obszarze poziom Fermiego jest oddalony od pasm dozwolonych i mamy tu niemobilne jony i brak mobilnych nośników ładunku, a zatem obszar złego przewodnictwa elektrycznego! Sytuację można zmieniać przez przyłożenie zewnętrznej siły elektromotorycznej, która wymusi pochylenie poziomu Fermiego, a przez to zmieni szerokość obszaru złego przewodzenia.

31 Co to jest wzmacnianie sygnału? Wzmocnienie oznacza zwiększenie energii sygnału. Aby zwiększyć energię sygnału (wzmocnić sygnał) należy dysponować zapasem energii. Proces wzmocnienia zwykle polega na sterowanym przez sygnał wzmacniany wypływie energii z posiadanych jej zapasów.

32 Idea wzmacniania sygnału elektrycznego na zasadzie dzielnika napięcia złożonego z odbiornika energii Ro i rezystora sterowanego Rs (Rs może być lampą lub tranzystorem). Wkładamy mało energii E1 aby zmieniać Rs a uzyskujemy dużą energię E2 w Ro.

33 Trioda próżniowa Lee De Forest 1906 (USA) pierwsza trioda próżniowa o nazwie audion przeznaczona była do czulszej detekcji sygnałów. Robert von Lieben, Eugen Riesz i Siegmund Strauss w 1910 (Europa) patentują triodę jako wzmacniacz i przekaźnik. Langmiur 1912 (USA) - wysoko-próżniowe lampy radiowe. Poczynając od lampy triody złożonej z katody, anody oraz umieszczonej między nimi siatki, stało się możliwe sterowanie prądem anoda - katoda przy pomocy pola elektrycznego siatki i małego prądu siatka-katoda. Ten swoisty zawór, w którym potencjał siatki przymyka prąd anodowy zapewnił efekt wzmacniania sygnałów elektrycznych.

34 Co mogą lampy elektronowe? 1) Diody najprostsze dwuelektrodowe lampy mogą prostować prąd. 2) Triody trzyelektrodowe lampy a) mogą być wyłącznikami, b) mogą wzmacniać sygnały elektryczne, c) mogą generować periodyczne przebiegi napięcia dla nadajników, pieców indukcyjnych itp. 3) Bardziej złożone lampy stosowano w wielu dziedzinach: telewizja, radio, radar itp. W 1926 r. Niemiecka firma Loewe AG produkowała lampy próżniowe 3NF z trzema triodami oraz opornikami i kondensatorami w jednej bańce szklanej (aby obniżyć podatek liczony od ilości podstawek do lamp). Taka lampa po dołączeniu baterii, głośnika i anteny z obwodem rezonansowym stawała się radiem. Był to prekursor układów scalonych. Ale lampy są duże, nieekonomiczne i nietrwałe!

35 Julius Lilienfeld w 1926 r. opatentował ideę, że słabo przewodzący materiał umieszczany w polu elektrycznym będzie zmieniał swoje przewodnictwo pozwalając na uzyskanie efektu wzmocnienia. Realizacja dopiero w latach JFET i MOSFET.

36 Przemysł telekomunikacyjny stosował przez wiele lat niedogodne lampy próżniowe i psujące się mechaniczne przełączniki. Istniała silna potrzeba zastąpić te przełączniki czymś lepszym.

37 Jak działa tranzystor polowy (FET)?

38 Pierwszy tranzystor W budowie tego tranzystora trudnym było umieścić dwa ostrza (emiter i kolektor) w odległości około 0,1 mm od siebie na czystej powierzchni kryształu Ge.

39 Tranzystory ostrzowe to lipa!!! Kontakty ostrzowe są bardzo niestabilnymi kontaktami! Tranzystory złączowe OK!

40 Złącze pn Gdy uformujemy złącze pn, dla równowagi energetycznej (bo elektron swobodny ma wyższą energię niż elektron zajmujący dziurę związany) nieco elektronów z obszaru n i nieco dziur z obszaru p przedyfunduje płaszczyznę styku obszarów p i n. W rezultacie rekombinacji dziur z elektronami tuż przy płaszczyźnie styku, z obu jej stron, nie będzie ani mobilnych dziur ani mobilnych elektronów. Taki pas bez mobilnych elektronów jest pasem złego przewodzenia (dużej oporności). Ten pas będzie jednak zawierał nieruchome jony: ujemne po stronie p i dodatnie po stronie n. Ładunek tych jonów tworzy barierę potencjału uniemożliwiającą dalszą dyfuzję elektronów z obszaru n jak i dziur z obszaru p. Przykładając napięcie do złącza (polaryzując złącze pn) możemy albo poszerzyć pas złego przewodzenia albo go likwidować i uzyskiwać dobre przewodnictwo całości. Przykładając napięcie plusem do obszaru n a minusem do obszaru p poszerzamy obszar złego przewodzenia i prąd w takim obwodzie jest malutki (bo w obwodzie mamy duży opór złącza pn). Przykładając napięcie plusem do obszaru p, a minusem do obszaru n, zmniejszamy obszar złego przewodzenia i zmniejszamy oporność złącza. Prąd przy takiej polaryzacji gwałtownie rośnie przy przekroczeniu pewnej wartości napięcia polaryzacji (0,6 V dla diody krzemowej).

41 Dioda przewodzi.

42

43 Cieczowy model spolaryzowanego otwartego i zamkniętego tranzystora npn

44 Tranzystor npn Gdy uformujemy układ npn (lub pnp) z bardzo wąskim środkowym sektorem uzyskamy tranzystor - najważniejsze odkrycie XX wieku. Najprostszy model intuicyjny mówi, że sygnałem o małej amplitudzie mocy, za pomocą bazy (zaworu), dokonuje się zamykanie i otwieranie przepływu dużego ładunku (o dużej amplitudzie mocy) między

45 Demonstracja efektu wzmocnienia 0,6 V - 0,55 V 1) Brak dźwięku (sygnał z generatora zbyt słaby) 2) Słychać dźwięk (Po wzmocnieniu sygnał znacznie większy) Zmiany napięcia 3V 1V

46 Demonstracja tranzystora polowego z izolowaną bramką Dla otwarcia lub zamknięcia kanału wystarcza zmiana małego ładunku elektrycznego na bramce.

47 Po wynalezieniu tranzystora nieustannie trwa proces miniaturyzacji samych tranzystorów jak i innych elementów elektronicznych. W latach tranzystory, diody, rezystory i kondensatory były produkowane głównie jako indywidualne (dyskretne) elementy. Jednak od 1960 r. pojawia się coraz więcej układów scalonych, a od 1971 również mikroprocesory (w 2008 r. z prawie miliardem tranzystorów). Obecnie tylko tranzystory wielkiej mocy są jeszcze produkowane jako indywidualne elementy.

48 Zanim pojawiły się układy scalone. Produkowano lampy zawierające trzy triody w jednej bańce szklanej. Było to podyktowane obniżaniem kosztów (w tym, podobno, również podatku płaconego od ilości baniek lampowych w radioodbiorniku)

49 Pierwszy układ scalony - początek mikroelektroniki Miniaturyzacja poprzez wytwarzanie układów scalonych. Po wynalezieniu tranzystora technolodzy wiedzieli o potencjalnych możliwościach elektroniki cyfrowej ale problemem był wykładniczy wzrost liczby elementów przy każdej rozbudowie i ulepszaniu układów elektronicznych. Rozwiązaniem problemu stały się monolityczne układy scalone. Znaleziono sposoby budowy poszczególnych elementów na jednym monokrysztale (chipie) półprzewodnika. Kilby zastosował german i połączenia drucikami. Noyce zastosował krzem i wytrawianie ścieżek w cienkich warstwach Al i ta technologia wygrała.

50 Hybrydowe układ scalony

51 Układ scalony i układ scalony o bardzo wysokiej skali integracji

52 Przekrój wielopoziomowej struktury układu scalonego

53 Przykładowe układy scalone Układy scalone Procesor Si Hybrydowe układy scalone Ge

54 Prawo Moore a

55 Oszczędne energetycznie układy CMOS. Przykład: negator bramka logiczna zmieniająca wartość 0 na 1 oraz 1 na 0.

56 Porównanie TTL z CMOS Bramka logiczna NOT (negator) w technologii tranzystorów bipolarnych (TTL) podczas zamiany stanu H (stanu wysokiego około 5 V) na stan L (stan niski około 0 V) zamienia energię elektryczna na ciepło, płynie prąd (świeci się dioda LED). Bramka NOT wykonana w technologii CMOS (komplementarne pary tranzystorów polowych) nie pobiera energii podczas negacji stanu H ani też podczas negacji stanu L!!!. Dlatego technologia CMOS zdominowała pamięci i procesory.

57 Źródła: A) Filmy: 1) 2) 3) 4) 5) 6) 7) 8) 9) Artykuły w internecie 1) 2) CHAP-4A.html 3) 4) 5) 6) 7) 8) 9) 10) 11) 12) CHAP-4A.html 13) 14) 15) Wikipedia. Literatura 1). F. Collins, The Radio Amatour s Hand Book, ) M. Riordan, Rev. Modern Phys. 71 (1999) S336. 3) G. Rizzoni, Electrical and Computer Engineering, McGraw Hill ) P. Horowitz, W. Hill, Sztuka elektroniki, WKŁ, Warszawa 1992, ) A. Agrawal, J.H. Lang, Fundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Elsevier 2005.

Wykład: Od lampy do układu scalonego.

Wykład: Od lampy do układu scalonego. DOLNOŚLĄSKI FESTIWAL NAUKI 2008 Franciszek Gołek Wydział Fizyki i Astronomii, Uniwersytet Wrocławski. Wykład: Od lampy do układu scalonego. Od lampy do układu scalonego Festiwal nauki 2008 Franciszek Gołek

Bardziej szczegółowo

Od lampy do układu scalonego

Od lampy do układu scalonego Lekcje dla licealistów 2009 Od lampy do układu scalonego F. Gołek Uniwersytet Wrocławski Zanim wynaleziono lampę W latach 1861 1873 J.C. Maxwell opisuje równaniami poznane zjawiska elektryczne i magnetyczne..

Bardziej szczegółowo

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Tranzystory i ich zastosowania

Tranzystory i ich zastosowania Tranzystory i ich zastosowania Nie wszystkie elementy obwodu elektrycznego zachowują się jak poznane na lekcjach rezystory (oporniki omowe). Większość używanych elementów ma zmienny opór. Jak się tak bliżej

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

Czym jest prąd elektryczny

Czym jest prąd elektryczny Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii

Bardziej szczegółowo

Jak pozbywano się drutu. czyli o rozwoju wczesnej elektroniki i jej fizycznych podstawach

Jak pozbywano się drutu. czyli o rozwoju wczesnej elektroniki i jej fizycznych podstawach Jak pozbywano się drutu czyli o rozwoju wczesnej elektroniki i jej fizycznych podstawach Ryszard J. Barczyński, 2007 Technologiczne tęsknoty: przekaz informacji Telegraf semaforowy Claude Chappe, 1791

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe VI. Prostownik jedno i dwupołówkowy Cel ćwiczenia: Poznanie zasady działania układu prostownika jedno i dwupołówkowego. A) Wstęp teoretyczny Prostownik jest układem elektrycznym stosowanym do zamiany prądu

Bardziej szczegółowo

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć. Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

Dodatki do wykładu. Franciszek Gołek

Dodatki do wykładu. Franciszek Gołek Dodatki do wykładu Franciszek Gołek (golek@ifd.uni.wroc.pl) www.pe.ifd.uni.wroc.pl O cewkach i kondensatorach Generalnie kondensator to coś na czym można gromadzić nie zneutralizowany ładunek elektryczny.

Bardziej szczegółowo

Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała

Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne Wojciech Świtała wojciech.switala@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/~wswitala Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill Układy półprzewodnikowe U.Tietze,

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1 Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,

Bardziej szczegółowo

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika Instrukcje do doświadczeń Elektronika 1 Spis doświadczeń 1 Dioda podstawowy obwód elektryczny...7 2 Dioda badanie charakterystyki...8 3 Dioda jako prostownik...9 4 LED podstawowy obwód elektryczny...10

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

1 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J

1 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J 1 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J P R A C O W N I A P O D S T A W E L E K T R O T E C H N I K I I E L E K T R O N I K I Ćw. 1. Łączenie i pomiar oporu Wprowadzenie Prąd elektryczny Jeżeli w przewodniku

Bardziej szczegółowo

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej

Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej W układach elektronicznych występują: Rezystory Rezystor potocznie nazywany opornikiem jest jednym z najczęściej spotykanych

Bardziej szczegółowo

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA 3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 38. WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK I PARAMETRÓW LAMP ELEKTRONOWYCH Kraków 2015

ĆWICZENIE 38. WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK I PARAMETRÓW LAMP ELEKTRONOWYCH Kraków 2015 Piotr Janas Zakład Fizyki, Uniwersytet Rolniczy Do użytku wewnętrznego ĆWICZENIE 38 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK I PARAMETRÓW LAMP ELEKTRONOWYCH Kraków 2015 SPIS TREŚCI I. CZĘŚĆ TEORETYCZNA... 2 1. WSTĘP...

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

STAŁY PRĄD ELEKTRYCZNY

STAŁY PRĄD ELEKTRYCZNY STAŁY PRĄD ELEKTRYCZNY Natężenie prądu elektrycznego Wymuszenie w przewodniku różnicy potencjałów powoduje przepływ ładunków elektrycznych. Powszechnie przyjmuje się, że przepływający prąd ma taki sam

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

Rozkład materiału nauczania

Rozkład materiału nauczania 1 Rozkład materiału nauczania Temat lekcji i główne treści nauczania Liczba godzin na realizację Osiągnięcia ucznia R treści nadprogramowe Praca eksperymentalno-badawcza Przykłady rozwiązanych zadań (procedury

Bardziej szczegółowo

Prąd elektryczny 1/37

Prąd elektryczny 1/37 Prąd elektryczny 1/37 Prąd elektryczny Prądem elektrycznym w przewodniku metalowym nazywamy uporządkowany ruch elektronów swobodnych pod wpływem sił pola elektrycznego. Prąd elektryczny może również płynąć

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa

Bardziej szczegółowo

Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski

Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:

Bardziej szczegółowo

Od ogniska do telefonu komórkowego. czyli o fali elektromagnetycznej, jej historii i zastosowaniach

Od ogniska do telefonu komórkowego. czyli o fali elektromagnetycznej, jej historii i zastosowaniach Od ogniska do telefonu komórkowego czyli o fali elektromagnetycznej, jej historii i zastosowaniach Krzyżackie zamki nad Wisłą czyli wczesny telefon komórkowy Krzyżackie zamki nad Wisłą czyli wczesny telefon

Bardziej szczegółowo

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b) Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone

Bardziej szczegółowo

12.7 Sprawdzenie wiadomości 225

12.7 Sprawdzenie wiadomości 225 Od autora 8 1. Prąd elektryczny 9 1.1 Budowa materii 9 1.2 Przewodnictwo elektryczne materii 12 1.3 Prąd elektryczny i jego parametry 13 1.3.1 Pojęcie prądu elektrycznego 13 1.3.2 Parametry prądu 15 1.4

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy.

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy. PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy. Jeśli plus (+) zasilania jest podłączony do anody a minus (-)

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki. Opracował: Mgr inż. Marek Staude

Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki. Opracował: Mgr inż. Marek Staude Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki Opracował: Mgr inż. Marek Staude Część 1 Podstawowe prawa obwodów elektrycznych Prąd elektryczny definicja fizyczna Prąd elektryczny powstaje jako uporządkowany ruch

Bardziej szczegółowo

Prądem elektrycznym nazywamy uporządkowany ruch cząsteczek naładowanych.

Prądem elektrycznym nazywamy uporządkowany ruch cząsteczek naładowanych. Prąd elektryczny stały W poprzednim dziale (elektrostatyka) mówiliśmy o ładunkach umieszczonych na przewodnikach, ale na takich, które są odizolowane od otoczenia. W temacie o prądzie elektrycznym zajmiemy

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 38 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK I PARAMETRÓW LAMP ELEKTRONOWYCH

ĆWICZENIE 38 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK I PARAMETRÓW LAMP ELEKTRONOWYCH Piotr Janas Zakład Fizyki, Uniwersytet Rolniczy Do użytku wewnętrznego ĆWICZENIE 38 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK I PARAMETRÓW LAMP ELEKTRONOWYCH Kraków 2016 ZAKRES WYMAGANYCH WIADOMOŚCI ZE SZKOŁY ŚREDNIEJ:

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

Warunek zaliczenia wykładu: wykonanie sześciu ćwiczeń w Pracowni Elektronicznej

Warunek zaliczenia wykładu: wykonanie sześciu ćwiczeń w Pracowni Elektronicznej Elektronika cyfrowa Warunek zaliczenia wykładu: wykonanie sześciu ćwiczeń w Pracowni Elektronicznej Część notatek z wykładu znajduje się na: http://zefir.if.uj.edu.pl/planeta/wyklad_elektronika/ 1 Pracownia

Bardziej szczegółowo

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) 152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,

Bardziej szczegółowo

Radio czyli jak zbudować prosty odbiornik radiowy Opracowanie: Andrzej Grodzki

Radio czyli jak zbudować prosty odbiornik radiowy Opracowanie: Andrzej Grodzki 1 Radio czyli jak zbudować prosty odbiornik radiowy Opracowanie: Andrzej Grodzki Wstęp (historia radia) Za wynalazcę radia uważa się powszechnie Guglielmo Marconiego. Syna włoskiego kupca z Lombardii,

Bardziej szczegółowo

Materiały pomocnicze 10 do zajęć wyrównawczych z Fizyki dla Inżynierii i Gospodarki Wodnej

Materiały pomocnicze 10 do zajęć wyrównawczych z Fizyki dla Inżynierii i Gospodarki Wodnej Materiały pomocnicze 10 do zajęć wyrównawczych z Fizyki dla Inżynierii i Gospodarki Wodnej 1. Siła Coulomba. F q q = k r 1 = 1 4πεε 0 q q r 1. Pole elektrostatyczne. To przestrzeń, w której na ładunek

Bardziej szczegółowo

Dielektryki polaryzację dielektryka Dipole trwałe Dipole indukowane Polaryzacja kryształów jonowych

Dielektryki polaryzację dielektryka Dipole trwałe Dipole indukowane Polaryzacja kryształów jonowych Dielektryki Dielektryk- ciało gazowe, ciekłe lub stałe niebędące przewodnikiem prądu elektrycznego (ładunki elektryczne wchodzące w skład każdego ciała są w dielektryku związane ze sobą) Jeżeli do dielektryka

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Obwód składający się z baterii (źródła siły elektromotorycznej ) oraz opornika. r opór wewnętrzny baterii R- opór opornika

Obwód składający się z baterii (źródła siły elektromotorycznej ) oraz opornika. r opór wewnętrzny baterii R- opór opornika Obwód składający się z baterii (źródła siły elektromotorycznej ) oraz opornika r opór wewnętrzny baterii - opór opornika V b V a V I V Ir Ir I 2 POŁĄCZENIE SZEEGOWE Taki sam prąd płynący przez oba oporniki

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści

Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, 2015 Spis treści Przedmowa 7 Wstęp 9 1. PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI 11 1.1. Prąd stały 11 1.1.1. Podstawowe

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (

Bardziej szczegółowo

Skończona studnia potencjału

Skończona studnia potencjału Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach

Bardziej szczegółowo

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład... Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy

Bardziej szczegółowo

Finał IV edycji konkursu ELEKTRON zadania ver.0

Finał IV edycji konkursu ELEKTRON zadania ver.0 ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław www.wemif.pwr.wroc.pl www.wemif.pwr.wroc.pl/elektron.dhtml Finał IV edycji konkursu ELEKTRON zadania ver.0 1. Połącz w pary: A. Transformator B. Prądnica C. Generator

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

Elektronika (konspekt)

Elektronika (konspekt) Elektronika (konspekt) Franciszek Gołek (golek@ifd.uni.wroc.pl) www.pe.ifd.uni.wroc.pl Wykład 07 Elementy aktywne, lampy elektronowe i tranzystory. Lampy próżniowe i tranzystory Lampa trioda Tranzystor

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Przyrządy i układy półprzewodnikowe Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15

Bardziej szczegółowo

ELEKTROTECHNIKA. Zadanie 1. Zadanie 2. Zadanie 3. Urządzenie elektryczne, którego symbol przedstawia poniższy rysunek:

ELEKTROTECHNIKA. Zadanie 1. Zadanie 2. Zadanie 3. Urządzenie elektryczne, którego symbol przedstawia poniższy rysunek: ELEKTROTECHNIKA Zadanie 1 Urządzenie elektryczne, którego symbol przedstawia poniższy rysunek: A) zwiększa moc B) zmniejsza wartość napięcia wyjściowego w stosunku do wartości napięcia wejściowego C) zmienia

Bardziej szczegółowo

Podstawy elektrotechniki i elektroniki. Jarosław Borc

Podstawy elektrotechniki i elektroniki. Jarosław Borc Podstawy elektrotechniki i elektroniki Jarosław Borc 1. Wiadomości organizacyjne Dr Jarosław Borc Katedra Fizyki Stosowanej Wydział Mechaniczny PL P. 101B budynek Zarzadzania i Podstaw Techniki j.borc@pollub.pl

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki sezon 2 3. Prąd elektryczny

Podstawy fizyki sezon 2 3. Prąd elektryczny Podstawy fizyki sezon 2 3. Prąd elektryczny Agnieszka Obłąkowska-Mucha AGH, WFIiS, Katedra Oddziaływań i Detekcji Cząstek, D11, pok. 111 amucha@agh.edu.pl http://home.agh.edu.pl/~amucha Prąd elektryczny

Bardziej szczegółowo

S16. Elektryzowanie ciał

S16. Elektryzowanie ciał S16. Elektryzowanie ciał ZADANIE S16/1: Naelektryzowanie plastikowego przedmiotu dodatnim ładunkiem polega na: a. dostarczeniu protonów, b. odebraniu części elektronów, c. odebraniu wszystkich elektronów,

Bardziej szczegółowo

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. 1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi

Bardziej szczegółowo

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik AC/DC Przekształtniki AC/DC można podzielić na kilka typów, mianowicie: prostowniki niesterowane; prostowniki sterowane. Zależnie od stopnia skomplikowania układu i miejsca przyłączenia do sieci elektroenergetycznej

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki sezon 2 3. Prąd elektryczny

Podstawy fizyki sezon 2 3. Prąd elektryczny Podstawy fizyki sezon 2 3. Prąd elektryczny Agnieszka Obłąkowska-Mucha AGH, WFIiS, Katedra Oddziaływań i Detekcji Cząstek, D11, pok. 111 amucha@agh.edu.pl http://home.agh.edu.pl/~amucha Prąd elektryczny

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyki diody

Badanie charakterystyki diody Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

10.2. Źródła prądu. Obwód elektryczny

10.2. Źródła prądu. Obwód elektryczny rozdział 10 o prądzie elektrycznym 62 10.2. Źródła prądu. Obwód elektryczny W doświadczeniu 10.1 obserwowaliśmy krótkotrwałe przepływy ładunków elektrycznych w przewodzie łączącym dwa elektroskopy. Żeby

Bardziej szczegółowo

Budowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego

Budowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego Konkurs Od Einsteina do Budowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego Aleksander Grzymek Opiekun: mgr Marzena Wajda Parzyk Gimnazjum nr 1 im. gen. broni Stanisława Maczka w Jaworzu Początki

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230058 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 422007 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 24.06.2017

Bardziej szczegółowo

E1. OBWODY PRĄDU STAŁEGO WYZNACZANIE OPORU PRZEWODNIKÓW I SIŁY ELEKTROMOTORYCZNEJ ŹRÓDŁA

E1. OBWODY PRĄDU STAŁEGO WYZNACZANIE OPORU PRZEWODNIKÓW I SIŁY ELEKTROMOTORYCZNEJ ŹRÓDŁA E1. OBWODY PRĄDU STŁEGO WYZNCZNIE OPORU PRZEWODNIKÓW I SIŁY ELEKTROMOTORYCZNEJ ŹRÓDŁ tekst opracowała: Bożena Janowska-Dmoch Prądem elektrycznym nazywamy uporządkowany ruch ładunków elektrycznych wywołany

Bardziej szczegółowo

UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422

UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422 UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422 (godziny konsultacji zostaną podane po uzgodnieniu ze studentami),

Bardziej szczegółowo

Radioodbiornik i odbiornik telewizyjny RADIOODBIORNIK

Radioodbiornik i odbiornik telewizyjny RADIOODBIORNIK Radioodbiornik i odbiornik telewizyjny RADIOODBIORNIK ODKRYWCA FAL RADIOWYCH Fale radiowe zostały doświadczalnie odkryte przez HEINRICHA HERTZA. Zalicza się do nich: fale radiowe krótkie, średnie i długie,

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne

LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne ZADANIE D1 Cztery identyczne diody oraz trzy oporniki o oporach nie różniących się od siebie o więcej niż % połączono szeregowo w zamknięty obwód elektryczny.

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów

Bardziej szczegółowo

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07. PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo