"Podstawy układów mikroelektronicznych" dla kierunku Technologie Kosmiczne i Satelitarne
|
|
- Gabriela Janicka
- 5 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Materiały do wykładu "Podstawy układów mikroelektronicznych" dla kierunku Technologie Kosmiczne i Satelitarne Część 1. Technologia. dr hab. inż. Waldemar Jendernalik Katedra Systemów Mikroelektronicznych, WETI, Politechnika Gdańska Budynek WETI pokój 309, waldi@eti.pg.edu.pl 1
2 Część 1. Technologia: wprowadzenie. Co to jest Układ Mikroelekroniczny, Microelectronic Circuit? Zminiaturyzowany układ elektroniczny? Układ złożony z wielu elementów elektronicznych? Układ o rozmiarach fizycznych rzędu mikronów? Układ elektroniczny wykonany w formie układu scalonego integrated circuit IC, potocznie micro chip? 2
3 Część 1. Technologia: wprowadzenie. Przykład układu nie-mikroelektronicznego. Przykład układu mikroelektronicznego - układ scalony ( micro chip ). 3
4 Część 1. Technologia: wprowadzenie. Problem Współczesne mikroprocesory zawierają około 100 milionów tranzystorów w chipie o rozmiarach około 3 cm x 3 cm. (Grubość chipa wynosi kilkaset mikrometrów.) Załóżmy, że układy scalone nie zostały wynalezione, a my chcemy zbudować procesor używając 100 milionów dyskretnych tranzystorów. Jeśli każdy tranzystor zajmuje objętość 3 mm x 3 mm x 3 mm, to jaka będzie objętość procesora? Jakie jeszcze problemy pojawią się przy takiej implementacji? Rozmiar =... Waga =... Cena =... 4
5 Część 1. Technologia: historia. Technologia (proces) wytwarzania układów scalonych IC fabrication technology (process) Dwie główne technologie: bipolarna i CMOS. Obecnie ponad 90% układów mikroelektronicznych na świecie jest produkowanych w krzemowych technologiach CMOS silicon CMOS technologies. Współczesna technologia jest wynikiem dziesiątek lat badań naukowych i rozwojowych, prowadzonych przez tysiące naukowców, inżynierów i techników. 5
6 Część 1. Technologia: historia. Historia Pierwszy tranzystor (bipolarny), AT&T Bell Lab, 1947 Pierwszy IC (bipolarny), Texas Instrumenst (TI), 1958 Pierwszy komercyjny IC (bipolarny), Fairchild Semiconductor,
7 Część 1. Technologia: historia. Historia Wynalazek tranzystora polowego MOS, 1933 Pierwszy tranzystor (bipolarny), AT&T Bell Lab, 1947 Pierwszy IC (bipolarny), Texas Instrumenst, 1958 Pierwszy komercyjny IC( bipolarny), Fairchild, 1961 Pierwszy IC IC w w technologii MOS, firma firma RCA, RCA, Pierwszy CPU, technologia MOS, firma Intel,
8 Część 1. Technologia: historia. Wynalazek tranzystora MOS, J.E. Lilienfeld, 1933 J. E. Lilienfeld uzyskał w 1933 r. patent na wynalazek - przyrząd do regulacji prądu elektrycznego wykorzystujący znany efekt polowy. Julius Edgar Lilienfeld ( ), urodzony we Lwowie. Nazwa MOS skrót od ang. Metal Oxide Semiconductor. Pełna nazwa MOS FET, od ang. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. 8
9 Część 1. Technologia: historia. Współczesny tranzystor MOS FET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Obecnie bramki tranzystorów MOS nie wytwarza się z metalu, ale z polikrystalicznego krzemu polysilicon. Nazwę MOS stosuję się nadal. Poly silicon 9
10 Część 1. Technologia: historia. Pierwszy tranzystor bipolarny, Bell Lab 1947 John Bardeen i Walter Brattain pokazują przyrząd germanowy. Naukowcy zauważają, że kiedy sygnał przechodzi przez złącze germanowe, wtedy moc wyjściowa jest większa od wejściowej. Wyniki badań publikują w 1948 r. William Shockley odkrył zasadę działania tranzystora bipolarnego i opublikował to w 1949 r. Trzej naukowcy otrzymali wspólnie Nagrodę Nobla w dziedzinie fizyki w 1956 r. William Shockley opuścił laboratorium Bella w 1956 i założył własne w San Francisco Bay w Kaliforni. Obecnie znane jako Dolina Krzemowa. 10
11 Część 1. Technologia: historia. Pierwszy układ scalony (IC), Jack Kilby, Texas Instruments, 1958 Jack Kilby demonstruje w 1958 r. działający układ scalony wykonany w germanie i zawierający: jeden tranzystor bipolarny jeden kondensator trzy rezystory J.S. Kilby, IEEE Trans. Electron Dev., v.23, s.648,
12 Część 1. Technologia: historia. Pierwszy komercyjny IC, Robert Noyce, Fairchild Semiconductor, 1961 Fairchild Semiconductor produkuje pierwszy komercyjny układ scalony w 1961 r. Układ jest wykonany w krzemie, składa się z 4 tranzystorów bipolarnych i kosztuje 150 dolarów. Głównym klientem była NASA. W 1968, Robert Noyce założył Intel Corp. wraz z Andrew Groove i Gordonem Moore. A Solid State of Progress, Fairchild Camera and Instrument Corporation, 1979, G.E.Moore, Proc. IEEE, v.86, s.53-62,
13 Część 1. Technologia: historia. Pierwszy mikroprocesor CPU, firma Intel, 1971 Intel wprowadza w 1971 r. na rynek układ scalony o nazwie 4004, zawierający 4 bitowy CPU. Układ wyprodukowano w technologii MOS, w której bramki tranzystorów wykonano z krzemu. Obecnie bramki tranzystorów MOS nie wytwarza się z metalu, ale z polikrystalicznego krzemu poly-silicon. Nazwę MOS stosuję się nadal. 13
14 Część 1. Technologia: historia. Postęp "upakowania" (integracji) na przykładzie mikroprocesorów Wszystkie układy są polowe Źródło: Wikipedia. 14
15 Skala integracji Część 1. Technologia: historia. Poziom integracji Small Scale Integration Medium Scale Integration Large Scale Integration Very Large Scale Integration Ultra Large Scale Integration Super Large Scale Integration Skrót SSI MSI LSI VLSI ULSI SLSI Liczba tranzystorów w chipie 2 do do do do do Ponad
16 Część 1. Technologia: cena. Koncepcja Layout Schemat elektryczny ~ 1 rok ~ 1 rok 2-3 miesiące Pomiary Single die (single chip) Produkcja wafli krzemowych (8-, 12-calowe itp.) 16
17 Część 1. Technologia: cena. Typowy projekt 5-20 mm 2 Koszt prototypu...? Technologia CMOS: 350 nm ~600 euro / mm nm ~1000 euro / mm 2 65 nm ~2500 euro / mm 2 40 nm ~4500 euro / mm 2 28 nm ~10000 euro / mm 2 22 nm ~14000 euro / mm 2 Wafel krzemowy silicon wafer 8-calowy Średnica 200 mm, ok mm 2 Fabryka daje "sampli" (dies) Technologia 180 nm: mm 2 * 1000 euro/mm 2 / 30 sampli = 1 mln euro za wafel Technologia 22 nm: 14 mln euro za wafel 17
18 Część 1. Technologia: półprzewodniki. Współczesny układ scalony (IC), technologia CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor Układ mikroelektroniczny jest zbudowany z trzech typów materiałów: przewodników, półprzewodników, izolatorów. 18
19 Część 1. Technologia: półprzewodniki. Przewodnik Temperatura 0 K Półprzewodnik samoistny Temperatura > 0 K Izolator Temperatura > 0 K elektron swobodny elektron swobodny 19
20 Część 1. Technologia: półprzewodniki. Przewodnik Temperatura 0 K Półprzewodnik samoistny Temperatura > 0 K Izolator Temperatura > 0 K elektron swobodny elektron swobodny 1eV J, 1J ev 20
21 Część 1. Technologia: półprzewodniki. Atom krzemu 4- wartościowego. Kryształ krzemu jest półprzewodnikiem. W samoistnym (czystym) krysztale Si jest niewiele elektronów swobodnych. Dlatego w temperaturze pokojowej jest on praktycznie izolatorem. A gdyby zanieczyścić materiał? 21
22 Część 1. Technologia: półprzewodniki. Domieszka donorowa obce atomy o większej wartościowości. Liczba elektronów swobodnych jest równa liczbie atomów domieszki. Powstaje półprzewodnik typu n (negative). 22
23 Część 1. Technologia : półprzewodniki. Domieszka akceptorowa obce atomy o mniejszej wartościowości. Liczba dziur swobodnych jest równa liczbie atomów domieszki. Powstaje półprzewodnik typu p (positive). 23
24 Podsumowanie Część 1. Technologia : półprzewodniki. Przerwa energetyczna Nośniki prądu Zależność oporu od temperatury Przewodniki, metale 0 ev elektrony Rośnie wraz ze wzrostem temperatury Półprzewodniki 0.1 ev 3 ev elektrony i dziury Dla półprz. samoistn. maleje wraz z temperaturą. Dla półprz. modyfikowanych wzrost lub spadek. 24
25 Część 1. Technologia: złącze pn. Przewodnik przewodnictwo tylko elektronowe. Półprzewodnik typu n przewodnicwo głównie elektronowe. Półprzewodnik typu p przewodnicwo głównie dziurowe. 25
26 Część 1. Technologia: złącze pn. Złącze pn Kierunek zaporowy. Niewielki prąd słabo zależny od napięcia. Kierunek przewodzenia. Prąd znacznie większy i zależny silnie od napięcia. 26
27 Część 1. Technologia: złącze pn. Złącze pn. Dioda. Symbol zastępczy i nazwy końcówek. Zależność prądu od napięcia: I D V D = I 1 S exp VT I S prąd nasycenia < 10-9 ampera w zastosowaniach mikroelektr. V T potencjał elektrotermiczny V T = kt/q 26 mv dla T = 300 K 27
28 Część 1. Technologia: złącze pn. Przykład Prąd nasycenia I S = A, temperatura T = 300 K. Obliczyć prąd diody dla poszczególnych napięć: V D = -0.9 V to I D = I S (e -0.9/ ) = A V D = -0.6 V to I D = I S (e -0.6/ ) = A V D = 0 V to I D = I S (e 0/ ) = 0 A V D = 0.6 V to I D = I S (e 0.6/ ) = 10-5 A V D = 0.9 V to I D = I S (e 0.9/ ) = 1 A 28
29 Część 1. Technologia: złącze pn. Charakterystyka I-V złącza pn I D V D = I exp 1 S VT Prąd I S jest proporcjonalny do pola przekroju złącza. 29
30 Część 1. Technologia: złącze pn. Charakterystyka I-V złącza pn I S ~ A Równoważność A pole przekroju złącza. A jest rzędu µm 2 w układach scalonych i rzędu mm 2, cm 2 w innych zastosowaniach. 30
31 Część 1. Technologia: złącze pn. Złącze pn (dioda) w formie elementu dyskretnego 31
32 Część 1. Technologia: złącze pn. Złącze pn (dioda) zaimplementowe w układzie scalonym Najprostsza realizacja 32
33 Część 1. Technologia: złącze pn. Złącze pn (dioda) zaimplementowe w układzie scalonym Większa liczba kontaktów obniża rezystancję doprowadzeń 33
34 Podsumowanie Część 1. Technologia: złącze pn. Przewodnik przewodzi prąd w obu kierunkach. Półprzewodnik n przewodzi prąd w obu kierunkach. Półprzewodnik p przewodzi prąd w obu kierunkach. Struktura pn faforyzuje jeden kierunek. 34
35 Część 1. Technologia: tranzystor MOS. Dwa złącza pn na wspólnym podłożu. prąd I S Niezależnie od kierunku napięcia, prąd wynosi I S. Powód: zawsze któreś złącze jest spolaryzowane zaporowo. 35
36 Część 1. Technologia: tranzystor MOS. Dwa złącza pn na wspólnym podłożu. Niezależnie od kierunku napięcia, prąd płynący między katodami wynosi I S. Powód: zawsze któraś dioda jest spolaryzowana zaporowo. 36
37 Część 1. Technologia: tranzystor MOS. Dwa złącza pn na wspólnym podłożu. Katoda 1 Katoda 2 Prąd? Złącza polaryzowane napięciami V 1 i V 2. Jaki prąd przepływa między katodami przez podłoże? 37
38 Część 1. Technologia: tranzystor MOS. Dwa złącza pn na wspólnym podłożu. W tej sieci elektrycznej nie ma gałęzi prądowej między katodami. (Oczywiście przy założeniu, że podłoże jest jednorodne i ma rezystywność zerową.) 38
39 Część 1. Technologia: tranzystor MOS. Dwa złącza pn na wspólnym podłożu. W tej sieci elektrycznej nie ma gałęzi prądowej między katodami. (Oczywiście przy założeniu, że podłoże jest jednorodne i ma rezystywność zerową.) A gdyby wprowadzić pewną przewodność? 39
40 Część 1. Technologia: tranzystor MOS. Dwa złącza pn na wspólnym podłożu.???? 1. Jak wytworzyć przewodność (kanał przewodzący) między katodami? 2. Jeśli uda się wytworzyć, to jak modyfikować ją w łatwy sposób? 40
41 Część 1. Technologia: tranzystor MOS. Kondensator z okładziną półprzewodnikową. Przyciągnięty ładunek Q = C V G Efekt polowy. Inwersja półprzewodnika p w półprzewodnik n. 41
42 Część 1. Technologia: tranzystor nmos. Tranzystor MOS FET z kanałem n. Wprowadźmy nowe oznaczenia : źródło (source) dla końcówki z której prąd wypływa, dren (drain) dla końcówki do której prąd wpływa, body dla końcówki podłoża, bramka (gate) dla okładziny nad izolatorem 42
43 Część 1. Technologia: tranzystor nmos. 43
44 Część 1. Technologia: tranzystor nmos. Tranzystor MOS FET z kanałem n. Parametry fizyczne typowego współczesnego tranzystora: grubość izolatora bramkowego t OX = m długość kanału L = 90 nm, szerokość kanału W = 180 nm maksymalne napięcie ~1-3 V 44
45 Problem Część 1. Technologia: tranzystor nmos. t OX ~1 nm V GB ~1 V to natężenie pola V/m. t OX ~1 mm Przy wymaganym natężeniu pola 10 9 V/m, V GB musiałoby wynosić ~? V. 45
46 Część 1. Technologia: tranzystor nmos. Tranzystor MOS FET z kanałem n. Doprowadzenia metalowe Potencjały elektryczne są doprowadzane do obszarów n + i do okładziny bramkowej za pomocą metalu. Potencjał elektryczny jest doprowadzany do podłoża metalem i dodatkową dyfuzją p +. Symbol zastępczy zawiera 4 końcówki: D, G, S, B. 46
47 Część 1. Technologia: tranzystor nmos. Tranzystor MOS FET z kanałem n. Zakresy pracy ze względu na stopień inwersji kanału: odcięcie cut-off - brak kanału - prąd I DS rzędu fa, pa V GB = 0 oraz V GB < 0 słaba i umiarkowana inwersja weak & moderate inversion - prąd I DS typowo 1 na - 1 µa silna inwersja strong inversion - prąd I DS typowo > 10 µa 0 < V GB < V threshold V threshold < V GB V supply 47
48 Część 1. Technologia: tranzystor nmos. Charakterystyka I-V tranzystora (zależność prądu w kanale od napięcia sterującego) cut-off - prąd upływu I OFF malejący weak inversion - ch-ka jest esponencjalna I DS ~ exp(v GB ) moderate inversion strong inversion - ch-ka jest zbliżona do kwadratowej I DS ~ (V GB ) n 1.5 < n < 2 48
49 Część 1. Technologia: tranzystor nmos. Rozważania na poprzednim slajdzie są znacznym uproszczeniem, gdyż: ograniczają się tylko do zakresu tzw. nasycenia (saturation region) pomijają istotną zależność prądu w kanale od napięcia V DS Prąd zależy od napięć na wszystkich 4 końcówkach złożone modele matymatyczne stosowane w symulatorach obwodowych: BSIM, EKV itd.. 49
50 Część 1. Technologia: tranzystor nmos. Tranzystor MOS FET z kanałem n. Zakresy pracy ze względu na stopień inwersji kanału: odcięcie cut-off - brak kanału - prąd I DS rzędu fa, pa V GB = 0 oraz V GB < 0 słaba i umiarkowana inwersja weak & moderate inversion - prąd I DS typowo 1 na - 1 µa silna inwersja strong inversion - prąd I DS typowo > 10 µa 0 < V GB < V threshold V threshold < V GB V supply 50
51 Część 1. Technologia: tranzystor nmos. Tranzystor MOS FET z kanałem n. Tranzystor jako przełącznik. V GB = 0 (zakres odcięcia) to przełącznik jest wyłączony switch off. X Y V GB = 0 X Y V GB = V supply (zakres silnej inwersji) to przełącznik jest włączony switch on. X Y X Y V GB = V supply 51
52 Część 1. Technologia: CMOS. Technologia CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor. Oba typy tranzystorów są produkowane na wspólnym podłożu krzemowym typu p (common silicon p- substrate) 52
53 Część 1. Technologia: tranzystor pmos. Tranzystor MOS FET z kanałem p. Tranzystor jako przełącznik. V GB = 0 (zakres odcięcia) to przełącznik wyłączony switch off X Y V GB = 0 X Y V GB = -V supply (zakres silnej inwersji) to przełącznik włączony switch on X Y X Y V GB = -V supply 53
54 Część 1. Technologia: tranzystor pmos. Prawidłowe działanie wymaga polaryzacji wszystkich złącz diodowych w kierunku zaporowym. Podłoże układu scalonego (końcówki B wszystkich tranzystorów NMOS) musi być podłączone do najniższego potencjału czyli do masy (ground, gnd, Vss) Wszystkie wyspy nwell (końcówki B tranzystorów PMOS) najlepiej podłączyć do najwyższego potencjału czyli do zasilania (Vdd, Vsupply) 54
55 Część 1. Technologia: CMOS. Prawidłowa podłączenie końcówek B (bulks): w NMOS-ach do masy (ground, gnd, Vss) w PMOS-ach do zasilania (Vdd, Vsupply) 55
56 Podsumowanie Część 1. Technologia: CMOS. NMOS PMOS X Y X Y X Y Wspólne podłoże jest podłączone do najniższego potencjału, do gnd. NMOS PMOS X Y X Y Lokalne podłoża tranzystorów PMOS są podłączone typowo do najwyższego potencjału, do Vdd. X Y 56
57 Część 1. Technologia: Quiz. Quiz 1 Traktując tranzystory jako przełączniki, oblicz wartość napięcia na końcówce out w obu poniższych przypadkach. V DD V DD V out =? V out =? 57
58 Część 1. Technologia: Quiz. Quiz 2 Jak wygląda przebieg napięcia na końcówce out, jeśli na wejście podano przebieg prostokątny o amplitudzie od 0 V do napięcia zasilania? (Potraktuj tranzystory jako przełączniki.) V DD V DD 0 V DD 0 time 58
59 Część 1. Technologia: Quiz. Quiz 3 Jak wygląda przebieg napięcia na końcówce out, jeśli na wejście podano przebieg prostokątny o amplitudzie od 0 V do napięcia zasilania? (Potraktuj tranzystory jako przełączniki.) V DD V DD V DD 0 V DD 0 time 59
60 Część 1. Technologia: Quiz. Quiz 4 Traktując tranzystory jako przełączniki, oblicz wartość napięcia na końcówce out dla napięć wejściowych podanych w tabeli. V DD V in1 0 0 V DD V DD V in2 0 V DD 0 V DD V out???? 60
61 Część 1. Technologia: Quiz. Quiz 5 Jak wygląda przebieg napięcia na końcówce out, jeśli na bramkę podano przebieg prostokątny o amplitudzie od 0 V do Vdd = 3 V? (Potraktuj tranzystor jako przełącznik.) Napięcie stałe 1V C out? V DD 0 V DD 0 time 61
62 Koniec. Zapraszamy do części 2: podstawy działania układów cyfrowych. 62
Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoMateriały używane w elektronice
Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki
Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki Małgorzata Napieralska Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych tel. 26-55 mnapier@dmcs.p.lodz.pl Literatura W. Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowo6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE
6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoUkłady scalone. wstęp układy hybrydowe
Układy scalone wstęp układy hybrydowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoUkłady scalone. wstęp
Układy scalone wstęp Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy scalone Układ scalony (ang. intergrated
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoKryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Plan ogólny Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie, czyli czym będziemy się
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe JFET, MOSFET
Tranzystory polowe JFET, MOSFET Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy JFET Zasada
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (
Bardziej szczegółowoTEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 7 Tranzystor polowy MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, Iwona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław Synowiec, Bogusław
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoDiody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.
Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoZbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk
Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk przejściowych użytych tranzystorów. NOR CMOS Skale integracji
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoCyfrowe układy scalone
Cyfrowe układy scalone Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna półprzewodników
Przewodność elektryczna półprzewodników p koncentracja dziur n koncentracja elektronów Domieszkowanie półprzewodników donory i akceptory 1 Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku domieszkowanym
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 4
Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowo10. Tranzystory polowe (unipolarne FET)
PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Co to jest półprzewodnik unipolarny (pod rozdz. 4.4). Co dzieje się z nośnikiem prądu w półprzewodniku (podrozdz. 4.4). 10. Tranzystory polowe (unipolarne FET) Tranzystory
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe MIS
Kraków, 20.06.2009 r. Tranzystory polowe MIS Tomasz Noga Fizyka Ciała Stałego Rok IV Streszczenie Tranzystory MIS (ang. Metal-Insulator-Semiconductor) należą do rodziny tranzystorów polowych z izolowaną
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny: częstotliwość graniczna f T
Tranzystor bipolarny: częstotliwość graniczna f T Zakres małych prądów: dominacja wpływu pojemności warstw zubożonych f T qi C ( + ) 2π kt C C je jc Zakres dużych prądów: dominacja wpływu czasu przelotu
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych
Tranzystory polowe Wiadomości podstawowe Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są równieŝ nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUIA ZIENNE W-10 LABORATORIUM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET I.
Bardziej szczegółowoCyfrowe układy scalone
Cyfrowe układy scalone Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Cyfrowe układy scalone Układy cyfrowe
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoFizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a
Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2.W.Marciniak Przyrządy
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoTechnika mikroprocesorowa
Technika mikroprocesorowa zajmuje się przetwarzaniem danych w oparciu o cyfrowe programowalne układy scalone. Systemy przetwarzające dane w oparciu o takie układy nazywane są systemami mikroprocesorowymi
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoFizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a
Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2. B. Ziętek, Optoelektronika,
Bardziej szczegółowoRys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)
Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia Poznanie budowy i zasady pracy tranzystora JFET. Pomiar charakterystyk tranzystora JFET. Czytanie schematów elektronicznych. Przestrzeganie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny wzmacniacz OE
Tranzystor bipolarny wzmacniacz OE projektowanie poradnikowe u 1 (t) C 1 U B0 I 1 R 1 R 2 I 2 T I B0 R E I E0 I C0 V CC R C C 2 U C0 U E0 C E u 2 (t) Zadania elementów: T tranzystor- sterowane źródło prądu
Bardziej szczegółowoelektryczne ciał stałych
Wykład 23: Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ 08.06.2017 1 2 Własności elektryczne
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoelektryczne ciał stałych
Wykład 23: Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Własności elektryczne ciał
Bardziej szczegółowoElementy Elektroniczne
Elementy Elektroniczne dr hab. inż Piotr Płotka pok. 301 tel. 347-1634 e-mail: pplotka@eti.pg.gda.pl Nagroda Nobla w fizyce 2009 Za przełomowe osiągnięcia w dziedzinie przesyłania światła we włóknach optycznych
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowo1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza
Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,
Bardziej szczegółowoPrzerwa energetyczna w germanie
Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania
Bardziej szczegółowoProjekt Układów Logicznych
Politechnika Opolska Wydział Elektrotechniki i Automatyki Kierunek: Informatyka Opole, dn. 21 maja 2005 Projekt Układów Logicznych Temat: Bramki logiczne CMOS Autor: Dawid Najgiebauer Informatyka, sem.
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i Układy Półprzewodnikowe
VI. Prostownik jedno i dwupołówkowy Cel ćwiczenia: Poznanie zasady działania układu prostownika jedno i dwupołówkowego. A) Wstęp teoretyczny Prostownik jest układem elektrycznym stosowanym do zamiany prądu
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 13 Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ ZARZĄDZANIA Elementy (przyrządy) elektroniczne
Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej WYDZIAŁ ZARZĄDZANIA Elementy (przyrządy) elektroniczne Prof. dr hab. inż. Andrzej Jakubowski Prof. nzw. dr hab. inż. Lidia Łukasiak
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 22. Tranzystor i układy tranzystorowe
Ćwiczenie 22 Tranzystor i układy tranzystorowe 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z właściwościami i zasadą działania oraz zastosowaniem tranzystorów bipolarnego i polowego. 2. Podstawy
Bardziej szczegółowoElementy cyfrowe i układy logiczne
Elementy cyfrowe i układy logiczne Wykład 4 Legenda Podział układów logicznych Układy cyfrowe, układy scalone Synteza logiczna Układy TTL, CMOS 2 1 Podział układów Układy logiczne kombinacyjne sekwencyjne
Bardziej szczegółowo