LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH"

Transkrypt

1 1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 13 Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych - I I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania - podstawowe pojęcia dotyczące celowości i efektów scalania układów, skali integracji, gęstości upakowania układów, - klasyfikacja układów scalonych, technologie, dziedziny zastosowań - procesy technologiczne stosowane do wytwarzania monolitycznych układów scalonych, - konstrukcja i realizacja elementów czynnych ( tranzystory npn oraz pnp, diody) i biernych ( rezystory, kondensatory ) w monolitycznych układach scalonych, - wyznaczenie koncentracji domieszek i ruchliwości nośników z wykresów, - wyznaczanie parametrów rzeczywistego złącza p-n. II. Program zajęć - pomiary i obliczenia parametrów izolacji złączowej w monolitycznym układzie scalonym UL 1111 N: oszacowanie wartości rezystancji izolacji wyspy, wyznaczenie wartości rezystancji podłoża, obliczenie wartości pojemności złącza wyspa-podłoże; - analiza topologii i struktury wewnętrznej układu scalonego. III. Literatura 1. Notatki z wykładu 2. W. Marciniak - Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 3. B. W. Wilamowski - Układy scalone, WKiŁ, R. Ćwirko, M. Rusek, W. Marciniak - Układy scalone w pytaniach i odpowiedziach, WNT, Z. Kulka, M. Nadachowski - Liniowe układy scalone i ich zastosowania, WKŁ, 1974 i wyd. późniejsze Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń elektrycznych.

2 2 1. Wiadomości wstępne Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z krzemowymi układami scalonymi wykonanymi w technologii bipolarnej z izolacją złączową (dyfuzyjną). Schemat elektryczny układu UL 1111N wraz z oznaczeniem wyprowadzeń przedstawia rys. 1. Parametry elektryczne układu zamieszczono w instrukcji do Ćw. nr 14. Rys. 1. Schemat elektryczny układu UL 1111N Układ ten składa się z pięciu tranzystorów bipolarnych typu npn wykonanych w tym samym cyklu procesów technologicznych obróbki płytki krzemowej. Każdy z tranzystorów ma swój kolektor wykonany w izolowanej wyspie krzemu typu-n zanurzonej w krzemie typu-p (patrz rys.2). Właśnie to złącze p-n, pomiędzy podłożem a wyspą, w warunkach polaryzacji zaporowej przewodzi bardzo niewielki prąd i dzięki temu stanowi niezłą izolację elektryczną pomiędzy elementami (tranzystory, rezystory) wytworzonymi w jednym czipie układowym. W układzie UL1111 tranzystory (T4 i T5) są indywidualnymi elementami izolowanymi między sobą. Dwa tranzystory (T1 i T3) są izolowane od pozostałych, ale mają wspólny emiter. Jest to tzw. para różnicowa stosowana w układzie wzmacniacza różnicowego, który z kolei jest podstawowym układem wzmacniacza operacyjnego. Natomiast tranzystor T2 odizolowany od pozostałych ma emiter połączony galwanicznie z podłożem typu-p, które jest wspólną anodą złącza p-n stanowiącego izolację złączową. Ze względu na warunek polaryzacji zaporowej podłoże (S), zacisk 13, zawsze ma najniższy potencjał (przyłożone napięcie) ze wszystkich możliwych w układzie. Stąd też, emiter T2 będzie posiadał także taki potencjał. Jest to najczęściej niższy biegun zasilacza. W pierwszej części ćwiczenia zadaniem ćwiczących jest ocena jakości izolacji złączowej układu scalonego na podstawie obliczeń i pomiarów charakterystyki prądowonapięciowej złącza p-n podłoże-wyspa. W drugiej części zajęć ćwiczący mają za zadanie dokonać analizy topologicznej układu scalonego na podstawie zdjęcia i schematu układu otrzymanego od prowadzącego zajęcia.

3 3 2. Obliczanie parametrów izolacji Celem ćwiczenia jest zbadanie parametrów monolitycznego układu scalonego wykonanego w technologii bipolarnej z zastosowaniem izolacji złączowej (dyfuzyjną) jako izolacji oddzielającej poszczególne elementy składowe układu z wykorzystaniem układu UL 1111N. Uproszczony półprzekrój struktur tranzystorowych w monolitycznym układzie scalonym przedstawiono na rys.2. W podłożu krzemowym typu-p, z nałożoną uprzednio warstwą epitaksjalną typu-n dokonano podziału tej warstwy na szereg indywidualnych wysp typu-n, oddzielonych od siebie obszarami typu-p +, stosując proces dyfuzji domieszek akceptorowych (np. atomów boru). Wyspy stanowią obszar kolektorów tranzystorów typu npn. W kolejnych procesach technologicznych utworzono w wyspach, za pomocą domieszkowania, obszary bazy (typ-p) i emitera (typ-n+) tych tranzystorów. Na rysunku nie pokazano izolacji tlenkowej (warstwy SiO 2 ), metalicznych kontaktów i ścieżek połączeń aby nie zaciemniać obrazu. Rys.2. Półprzekrój struktur tranzystorowych npn w podłożu typu-p układu monolitycznego. Celem pomiarów i obliczeń jest określenie wartości elementów układu zastępczego izolacji złączowej (wyspa typu-n - podłoże typu-p), pokazanego na rys.3. Wyspa C R p Podłoże R i C - pojemność złącza p-n wyspa - podłoże R i - rezystancja izolacji wyspy (upływ złącza) R p - rezystancja podłoża (szeregowa rezystancja złącza wyspa-podłoże) Rys.3. Układ zastępczy izolacji złączowej.

4 4 Rezystancja izolacji wyspy R i oraz pojemność pasożytnicza izolacji C decydują o możliwościach pracy układu w zakresie wysokich częstotliwości i ograniczają pasmo przenoszenia układu. Wielkości te można obliczyć, znając parametry materiałowe odpowiednich warstw półprzewodnikowych, w których wykonano elementy układu scalonego. Natomiast rezystancję podłoża R p można oszacować przez pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej złącza p-n podłoże-wyspa i wyznaczenie rezystancji szeregowej tego złącza. Do obliczeń przyjmujemy, że wyspa w badanym układzie scalonym jest warstwą epitaksjalną typu-n o rezystywności =5 cm na podłożu typu-p o rezystywności =20 cm. Wyspa posiada kształt i wymiary jak pokazano na rys.4. Rys. 4. Wymiary i rezystywności wyspy o izolacji złączowej w badanym układzie scalonym W celu wyznaczenia rezystancji R i i pojemności C można skorzystać z zależności rezystywności półprzewodnika od koncentracji nośników (tzw. krzywa Irvinga) przedstawionej na rys.5 oraz zmian ruchliwości nośników w funkcji koncentracji nośników w krzemie przedstawionej na rys.6. Korzystając z tych wykresów wyznaczamy i zapisujemy w sprawozdaniu wartości koncentracji nośników: N d = dla Si n(=5cm) (1) N a = dla Si p(=20cm) (2) Wartościom koncentracji domieszek N a, N d odpowiadają ruchliwości n i p nośników większościowych i mniejszościowych: n =... dla N d (1) (3) p = dla N a (2) (4) W celu obliczenia parametrów układu zastępczego wyspy w układzie scalonym UL 1111N konieczna jest znajomość następujących wartości stałych fizycznych i materiałowych: ładunek elementarny q = 1, C stała Boltzmanna k = 8, ev/k

5 5 przenikalność elektryczna próżni o = 8, F/m. względna przenikalność elektryczna krzemu Si = 12 koncentracja nośników samoistnych w Si n i = 1, cm -3 (w temp. 300K) średnia droga dyfuzji dziur, elektronów L p = L n = cm do zapamiętania: kt/q = 26 mv dla T = 300 K Rys. 5. Rezystywność w funkcji koncentracji domieszek N a i N d w krzemie w temperaturze T = 300 K [cm (Vs) ] Ruchliwość nośników p n Koncentracja domieszek [cm ] (Si-n) Rys. 6. Ruchliwości nośników większościowych i mniejszościowych w krzemie typu-n.

6 6 2.1 Oszacowanie rezystancji izolacji wyspy R i. Powierzchnia złącza S wynosi S S dnawyspy S bocznawysp y???? (obliczyć) (5) Prąd I płynący przez złącze przy polaryzacji w kierunku zaporowym (izolacja złączowa) jest sumą prądu nasycenia I s oraz prądu generacji I g I I s I g (6) gdzie I s wyraża się wzorem I s S q n 2 i Dp LpN d Dn L N n a (7) a ponieważ składnik L D p p N d jest około pięciokrotnie mniejszy od Dn L N n a to wyrażenie na wartość I s można uprościć do postaci I s S q n 2 i Dn L N n a (8) przy czym D n = n kt/q [cm 2 /s] jest stałą dyfuzji elektronów (proporcjonalną do ruchliwości). Stosunek I g /I s zależy od koncentracji nośników samoistnych n i, a więc od szerokości pasma zabronionego i dla typowych parametrów materiałowych w złączach p-n wykonanych z krzemu I g 3000 I s I g =???? Znając wartość prądu płynącego przez złącze można, zatem oszacować wartość R i przy założonym napięciu polaryzacji zaporowej U R = 10V 2.2 Obliczanie pojemności wyspa-podłoże U R i?????? (9) I g Pojemność wyspy, C układu UL 1111N należy obliczyć ze wzoru na pojemność kondensatora płaskiego, który jest dobrym przybliżeniem pojemności złącza p-n: gdzie: S jest powierzchnią złącza, Si 0 S C d d jest szerokością warstwy zaporowej złącza, gdy bariera potencjału na złączu jest równa sumie napięcia dyfuzyjnego U D i zewnętrznego napięcia polaryzującego złącze U (10)

7 7 d 2 Si 0 Na N q N N a d d U D U (11) przy czym U D <0 (przyjmujemy, że wartość napięcia dyfuzyjnego U D = - 0,65 V). Do wzoru podstawia się wartość U dla kierunku zaporowego ze znakiem "-". Należy obliczyć wartości pojemności C dla polaryzacji U = 0 V oraz U = -10 V. 2.3 Pomiar rezystancji podłoża R p. Wartość rezystancji podłoża można wyznaczyć mierząc charakterystykę prądowonapięciową złącza wyspa-podłoże spolaryzowanego w kierunku przewodzenia. Po wykonaniu wykresu I=f(U) w układzie współrzędnych lin-log należy wyznaczyć parametry rzeczywistego złącza p-n: rezystancję R s, prąd nasycenia I s, i współczynnik doskonałości złącza n. 3 Konstrukcja elementów składowych bipolarnych układów scalonych Planarna technologia krzemowa elementów składowych monolitycznych układów scalonych bazuje na selektywnym wytwarzaniu w podłożu krzemowym odpowiednich obszarów. Obszary te mogą różnić się typem przewodnictwa oraz poziomem domieszkowania. Wytworzone obszary mogą stanowić elementy bierne (rezystory, kondensatory) lub czynne (tranzystory, diody) układu scalonego. W typowych układach bipolarnych podłożem wyjściowym jest płytka krzemowa typu-p z warstwą epitaksjalną typu-n. W kolejnych procesach utleniania powierzchni płytki, fotolitografii i dyfuzji domieszek wytwarza się poszczególne elementy układu. Na końcu definiuje się topografię metalizacji czyli sieć ścieżek metalicznych (np. Al, Au) tworzących wzajemne połączenia elektryczne elementów i wyprowadzenia do kontaktów zewnętrznych. Należy zaznaczyć, że powierzchnia układu jest pokryta cienką warstwą izolacyjną z dwutlenku krzemu SiO 2, który jest przeźroczysty dla fal widzialnych. Stąd, patrząc na układ, widzimy granice obszarów poszczególnych dyfuzji domieszek (granice złącz p-n) wykonanych wcześniej, a teraz znajdujących się pod warstwą SiO 2. Oczywiście ścieżki metalizacji leżą na tej niewidocznej warstwie izolacyjnej i łączą się z poszczególnymi obszarami elementów tylko w ściśle zdefiniowanych tzw. oknach kontaktowych (np. kontakt emitera, kontakt bazy, kontakt kolektora, kontakty rezystorów). W dalszych punktach przedstawione zostaną typowe konstrukcje wybranych elementów czynnych i biernych układu scalonego. Rozwiązania konstrukcyjnych elementów składowych układu scalonego przedstawiona zostanie na przykładzie układu wzmacniacza operacyjnego A 709 firmy Fairchild. Fotografię tego układu wykonana z mikroskopem optycznym przedstawia rys.7a, a schemat elektryczny tego wzmacniacza widzimy na rys.7b.

8 8 Układ ma 8 doprowadzeń (drut Au lub Al o średnicy 50 µm) z pól kontaktowych do wyprowadzeń (nóżek) obudowy, składa się z piętnastu tranzystorów i piętnastu rezystorów. W układzie występują zarówno tranzystory npn jak i pnp. W tym układzie nie występują inne elementy, ale w nowszych typach wzmacniaczy operacyjnych jak np. µa 741 znajdują się także kondensatory. Rys. 7a. Zdjęcie układu scalonego wzmacniacza operacyjnego A 709. Rys.7b. Schemat elektryczny wzmacniacza operacyjnego A 709.

9 9 3.1 Elementy czynne w układach scalonych Tranzystory npn Pojedynczy tranzystor npn wykonany jest w izolowanej wyspie typu n (kolektor - C), w której w procesie dyfuzji wykonuje się najpierw obszar typu p (bazę - B), a w nim kolejną dyfuzją obszar typu n (emiter - E). Najczęściej stosowane w bipolarnych układach scalonych są tranzystory npn i cała konstrukcja układu jest projektowana pod kątem ich optymalnej pracy. W przykładowym układzie µa709 jest ich dwanaście. Wśród nich są takie tranzystory, które są odizolowane od pozostałych (leżą na wydzielonych wyspach) oraz takie, które mają wspólny kolektor, czyli leżą na wspólnej wyspie. Przykładem tych pierwszych są tranzystory T 1 lub T 2, natomiast drugim przykładem jest np. para tranzystorów T 4 i T 6. Przekrój poprzeczny oraz zdjęcie widoku z góry tranzystora na pojedynczej wyspie przedstawiono odpowiednio na rys.8 a, i rys. 8 b. Na zdjęciu zdefiniowano kontakty emitera, bazy i kolektora. Na rys.8 c. pokazano zdjęcie widoku z góry tranzystorów T 4 i T 6 umieszczone na wspólnej wyspie z oznaczeniem ich kontaktów. a) c) b) Rys.8. Tranzystory npn: a) Przekrój poprzeczny tranzystora n-p-n leżącego na izolowanej wyspie [4], b) zdjęcie widoku z góry tranzystora npn leżącego na izolowanej wyspie, c) zdjęcie widoku z góry dwóch tranzystorów npn leżących na wspólnej wyspie Tranzystory pnp Rzadziej stosowane w układach są tranzystory typu pnp. Wytworzenie ich nie wymaga zastosowania dodatkowych operacji technologicznych - są wytwarzane równolegle z obszarami tranzystorów npn - a jedynie odpowiedniej konfiguracji tych obszarów. Tranzystor typu pnp może być wytworzony w dwóch wersjach: tranzystora podłożowego (substrate transistor) tranzystora bocznego (lateral transistor)

10 10 W tranzystorze podłożowym podłoże jest kolektorem, warstwa wyspy typu-n jest bazą (w tranzystorze npn jest kolektorem), a warstwa typu p jest emiterem (w tranzystorze npn jest ona bazą). Taki tranzystor ma kolektor podłączony na stałe do niskiego bieguna zasilacza. Tranzystorem podłożowym w układzie µa709 jest tranzystor T 13. Przekrój poprzeczny i zdjęcie widoku z góry tranzystora podłożowego przedstawia rys.9. Tranzystor T 13 tworzy parę komplementarną z tranzystorem npn T 14. Jest to typowy układ stopnia wyjściowego we wzmacniaczu operacyjnym. Jak można zauważyć wzmacniacz operacyjny ma zasilanie symetryczne +U CC, U EE względem masy układu i stąd zastosowanie w tym miejscu tranzystora podłożowego pnp. a) Rys.9. Tranzystor pnp podłożowy: a) przekrój poprzeczny [5], b) zdjęcie widoku z góry Przykładem tranzystora bocznego w układzie µa709 jest tranzystor T 9, który musi mieć kolektor odizolowany. Konstrukcja tranzystora bocznego (jak wynika z nazwy) to układ obszarów typu p wytworzonych w wyspie typu n. Odpowiednie obszary typu p stanowią obszary kolektora i emitera, a wyspa typu n, w której te obszary wytworzono stanowi bazę tranzystora. Przekrój poprzeczny bocznego tranzystora pnp oraz zdjęcie widoku z góry tranzystora T 9 przedstawia rys.10. a) b) Rys.10. Tranzystor pnp boczny: a) przekrój poprzeczny [5], b) zdjęcie widoku z góry Diody. W układzie µa709 nie ma pojedynczych struktur diodowych, ale oczywiście nie ma najmniejszego problemu, aby wykonać ten element w technologii bipolarnej. Można wykorzystać złącze kolektor-baza lub baza-emiter tranzystora n-p-n. Pierwsze rozwiązanie

11 11 umożliwia uzyskanie diody o wyższym napięciu przebicia kosztem czasu przełączania, drugie diody z krótkim czasem przełączania kosztem niższego napięcia przebicia. W układach bipolarnych możliwe jest również wykonanie diod Schottky ego czyli struktur złączowych metal-półprzewodnik typu-n. 3.2 Elementy bierne w układach scalonych. Elementami biernymi w układach scalonych są rezystory, kondensatory oraz cewki indukcyjne. Dalej przedstawione zostaną konstrukcje tych elementów, przy czym na początku trzeba stwierdzić, że w typowej technologii bipolarnej cewki indukcyjne dla układów średniej częstotliwości nie są stosowane. Zapewnienie odpowiedniej wartości indukcyjności wymagałoby przeznaczenia na cewkę dużej powierzchni czipa, a dobroć takiej cewki planarnej jest niewielka. Struktury cewek wykonanych w układach scalonych jako spirali ścieżki metalizacji są czasem stosowane w układach mikrofalowych (f>1 GHz), w których wystarcza niewielka wartość indukcyjność (kilka nh). W związku z tym, w układach bipolarnych przeznaczonych do pracy w zakresie częstotliwości radiowych i w układach cyfrowych, gama elementów biernych ograniczona jest do rezystorów i kondensatorów Rezystory Rezystory w układach scalonych wytwarza się wykorzystując, w zależności od wymagań, warstwy domieszkowane bazy lub emitera tranzystora n-p-n. Są to tzw. rezystory dyfuzyjne ponieważ domieszkowanie tych obszarów następuje w procesie dyfuzji domieszek. W każdym przypadku wartość rezystancji zależy od tzw. rezystancji powierzchniowej warstwy R/ oraz ilości kwadratów wykonywanego rezystora wg zależności: R= n R/ (12) gdzie: n to ilość kwadratów, z których można złożyć rezystor o danej długości R/ jest rezystancją danej warstwy o powierzchni kwadratu (nie zależy od wymiaru kwadratu) Rezystancja powierzchniowa warstwy bazowej wynosi zwykle ok. 200 /, co pozwala wykonać rezystory w zakresie od 50 (cztery kwadraty połączone równolegle) do 20 k (100 kwadratów połączonych szeregowo). W celu wytworzenia rezystorów o mniejszej rezystancji wykorzystuje się obszary domieszkowane emitera (5 /). Dla uzyskania rezystorów o większej rezystancji wykorzystuje się obszar bazowy z wkomponowanym obszarem domieszkowanym emitera do wykonania tzw. rezystora ściśniętego. Wówczas rezystor wykorzystuje obszar bazowy o zmniejszonym przekroju. Przekrój poprzeczny

12 12 struktury rezystora bazowego pokazano na rys.11.a, rezystora ściśniętego na rys.11.b, a widok z góry dwóch wybranych rezystorów na rys.11.c. Pokazane na zdjęciu (rys.11.c) to rezystory bazowe : R 12 =10 k oraz R 13 =75. Widać, że rezystor R 13 jest krótki, a szeroki czyli można powiedzieć, że jest utworzony z kilku (ok. 3) kwadratów ułożonych równolegle. Wyraźnie widoczny obrys rezystorów to granica obszaru dyfuzji domieszek utworzona podczas wykonywania bazy tranzystorów n-p-n. a) b) c) Rys.11. Rezystory dyfuzyjne w układach monolitycznych: a) przekrój typowego rezystora bazowego [4], b) przekrój rezystora ściśniętego [4], c) zdjęcie widoku z góry wybranych rezystorów bazowych układu ua Kondensatory Kondensatory są rzadziej stosowane w monolitycznych układach scalonych. Ich pojemność jest proporcjonalna do powierzchni okładki, tak jak w kondensatorach płaskorównoległych, czyli są one nie ekonomiczne jeśli chodzi o wykorzystanie powierzchni układu. Pojemność może być realizowana jako: kondensator dielektryczny (tlenkowy) kondensator wykorzystujący pojemność złącza p-n Te dwie pojemności różnią się diametralnie. W pierwszym przypadku kondensator realizowany jest wg schematu przedstawionego na rys. 12.a. W tym kondensatorze okładką dolną (B) jest półprzewodnik typu-n +, o dużej przewodności (np. warstwa emiterowa), dielektrykiem jest tlenek SiO 2, a okładką górną (A) jest rozwinięta ścieżka metalizacji układu. Zaletę takiego kondensatora jest niezależność jego pojemności od przyłożonego do okładki napięcia oraz brak upływności. W przypadku zastosowania diody jako pojemności wymagana jest stała polaryzacja zaporowa złącza dla uzyskania stałej pojemności. Wadą jest upływność takiego kondensatora (prąd nasycenia złącza p-n).

13 13 a) b) Rys.12. Przekrój kondensatorów stosowanych w układach monolitycznych a) kondensator dielektryczny, b) złącze p-n jako kondensator [4] Skrzyżowanie ścieżek. Skrzyżowanie ścieżek jest pomocniczym elementem układu i ma zastosowanie w technologii bardziej rozbudowanych układów, kiedy trudne staje się połączenie elementów przy pomocy ciągłej ścieżki metalizacji. Skrzyżowania możemy zrealizować jako: metalizację wielopoziomową przejście przez podłoże (warstwę emiterową) W metalizacji wielopoziomowej kolejne warstwy wykonuje się naparowując metal w próżni i oddzielając je rozpylanym tlenkiem SiO 2 tworząc mostek na tym dielektryku. Wymaga to dodatkowych procesów technologicznych. Łatwiejsza metoda to wykonanie skrzyżowania przez warstwę domieszkowaną emitera co pokazano na rys.13. Jak widać na rys.13.a, w miejscu skrzyżowania jedna ze ścieżek jest połączona pod tlenkiem SiO 2 obszarem domieszkowanym typu-n+ emitera. Na rys.13.b pokazano przykładowe zdjęcie takiego skrzyżowania zrealizowanego w scalonym układzie bipolarnym bramki TTL. a) b) Rys.13. Skrzyżowanie ścieżek metalizacji Al przez podłoże Si z wykorzystaniem silnie domieszkowanej warstwy emiterowej: a) przekrój poprzeczny [4], b) zdjęcie widoku z góry widoczne są, przez przeźroczystą warstwę SiO 2, obszary okien pozostałe po procesach dyfuzji domieszek do podłoża.

14 14 4. Przebieg ćwiczenia 1. Zmierzyć charakterystykę prądowo napięciową I=f(U) w układzie przedstawionym na rys.14 i przedstawić ją w układzie współrzędnych log - lin. Z przebiegu otrzymanej charakterystyki wyznaczyć parametry złącza wyspa-podłoże rezystancję szeregową podłoża R p oraz prąd nasycenia I s. Wykorzystujemy tranzystor T 2, którego emiter połączony jest z podłożem. Rys.14. Układ pomiarowy do pomiaru charakterystyki prądowo-napięciowej złącza wyspa-podłoże. 2. Obliczyć wartości elementów układu zastępczego (R p, R i, C) izolacji złączowej przedstawionego na rys. 3. N a = N d = p =. n =. I s =. I g =... R i = R p = C U=0V = C U=-10V =.. 3. Na fotografii struktury wybranego układu scalonego, którą wraz z elektrycznym schematem zastępczym studenci otrzymują od prowadzącego w czasie trwania zajęć, należy odszukać i oznaczyć elementy składowe tego układu. Tak opisane zdjęcia wraz ze schematem zastępczym należy załączyć do sprawozdania. Wskazana jest analiza przekroju struktury układu scalonego w miejscu zaznaczonym na fotografii układu przez prowadzącego zajęcia. 4. Przeprowadzić analizę topologii wybranego układy scalonego i narysować przekrój poprzeczny zadanego przez prowadzącego elementu składowego układu scalonego.

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II 1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Politechniki Wrocławskiej TUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki = f(u) złącza p-n.. Zagadnienia do samodzielnego

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Elementy przełącznikowe

Elementy przełącznikowe Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Ćwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław ynowiec, Bogusław

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu

Bardziej szczegółowo

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości

Bardziej szczegółowo

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne w układach CMOS

Tranzystory bipolarne w układach CMOS PUAV Wykład 4 Tranzystory bipolarne w układach CMOS Tranzystor nmos Tranzystor pmos M1 (Al) M2 (Al) M1 (Al) M1 (Al) Tlenek polowy S Bramka poli typu n Tlenek bramkowy D Tlenek polowy Podłoże typu p D Bramka

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół

Bardziej szczegółowo

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) 152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie: Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA 3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony

Bardziej szczegółowo

Cel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[

Cel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[ Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z diodami półprzewodnikowymi poprzez pomiar ich charakterystyk prądowonapięciowych oraz jednoczesne doskonalenie techniki pomiarowej. Zakres ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Ćw. III. Dioda Zenera

Ćw. III. Dioda Zenera Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

5. Tranzystor bipolarny

5. Tranzystor bipolarny 5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego 1 V. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności fotoprądu zwarcia i fotonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii słonecznej.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

W książce tej przedstawiono:

W książce tej przedstawiono: Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Bardziej szczegółowo

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy

Bardziej szczegółowo

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b) Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

XLVI OLIMPIADA FIZYCZNA (1996/1997). Stopień III, zadanie doświadczalne D

XLVI OLIMPIADA FIZYCZNA (1996/1997). Stopień III, zadanie doświadczalne D KOOF Szczecin: www.of.szc.pl XLVI OLIMPIADA FIZYCZNA (1996/1997). Stopień III, zadanie doświadczalne D Źródło: Komitet Główny Olimpiady Fizycznej; Fizyka w Szkole Nr 1, 1998 Autor: Nazwa zadania: Działy:

Bardziej szczegółowo

Badanie diod półprzewodnikowych

Badanie diod półprzewodnikowych POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII

Bardziej szczegółowo

Temat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych

Temat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ WYDZIAŁ: KIERUNEK: ROK AKADEMICKI: SEMESTR: NR. GRUPY LAB: SPRAWOZDANIE Z ĆWICZEŃ W LABORATORIUM METROLOGII ELEKTRYCZNEJ I ELEKTRONICZNEJ

Bardziej szczegółowo

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7

Bardziej szczegółowo

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak

Bardziej szczegółowo

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć. Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie

Bardziej szczegółowo

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY Temat: Układ przełączający. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 15 Poznanie zasady pracy tranzystorowego układu przełączającego. Pomiar prądu kolektorowego, gdy tranzystor jest w stanach włączenia i wyłączenia. Czytanie

Bardziej szczegółowo

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. 1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe JFET, MOSFET

Tranzystory polowe JFET, MOSFET Tranzystory polowe JFET, MOSFET Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy JFET Zasada

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie E5 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA WARSTWOWEGO

Ćwiczenie E5 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA WARSTWOWEGO Laboratorium Podstaw Elektroniki Wiaczesław Szamow Ćwiczenie E5 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA WARSTWOWEGO opr. tech. Mirosław Maś Krystyna Ługowska Uniwersytet Przyrodniczo - Humanistyczny Siedlce

Bardziej szczegółowo