Wykład: Od lampy do układu scalonego.

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Wykład: Od lampy do układu scalonego."

Transkrypt

1 DOLNOŚLĄSKI FESTIWAL NAUKI 2008 Franciszek Gołek Wydział Fizyki i Astronomii, Uniwersytet Wrocławski. Wykład: Od lampy do układu scalonego.

2 Od lampy do układu scalonego Festiwal nauki 2008 Franciszek Gołek Uniwersytet Wrocławski

3 Zanim wynaleziono lampę 1) W 1799 roku A.G.A. Volta buduje ogniwo elektryczne (baterię). 2) Telegraf zaczyna działać od 1844 r. 3) W 1876 r. A.G. Bell wynajduje telefon. 4) Do oświetlania stosowane są żarówki T.A. Edisona od 1879 r. 5) W latach J.C. Maxwell opisuje równaniami poznane zjawiska elektryczne.

4 Komentarze 1) Bateria Volty zamienia energię chemiczną na energię elektryczną. Proces zamiany odbywa się w czasie odbierania energii elektrycznej - zatem jest to magazyn gotowej do wykorzystania energii. Bateria, podobnie jak inne źródła napięcia mają dwa zaciski. Bateria w swym wnętrzu tłoczy (przepompowuje) do jednego zacisku elektrony, a z drugiego je wysysa aż do uzyskania określonego napięcia. Gdy tylko między zaciskami pojawi się jakieś przewodzące połączenie mamy prąd elektryczny, polegający na przetłaczaniu elektronów od zacisku ujemnego do zacisku dodatniego na zewnątrz baterii. Zwykle jednak mówimy, że prąd to przepływ ładunku od wyższego potencjału dodatniego zacisku do niższego potencjału - ujemnego bieguna. Takie odwrócenie kota ogonem w zasadzie nie sprawia problemów bo ruch elektronów od bieguna - do bieguna + oznacza ubytek ładunku dodatniego w biegunie +, tak jakby to ładunek dodatni płynął od + do - ). 2) W 1819 r. H.Ch. Oersted obserwuje oddziaływanie prądu elektrycznego na igłę magnetyczną wykazując związek między elektrycznością i magnetyzmem.

5 W 1753 r. Charles Morrison w Szkockiej Gazecie proponuje budowę telegrafu złożonego z 26 linii elektrycznych - każda dla jednej litery alfabetu. Ładując elektrycznie wybraną linię można przyciągnąć lekki skrawek papieru wskazujący wybraną literę. W 1821 r. Andre-Marie Ampere proponuje budowę podobnego systemu, przy czym tu każdej literze odpowiada jeden drut z prądem i galwanometrem. Niestety oba sposoby działały tylko na małej odległości. W 1828 r. w USA został zbudowany pierwszy telegraf. Harison Dyar zdołał przepuścić iskry elektryczne przez taśmę papierową zaznaczając w niej kreski i kropki. W 1825 r. William Sturgeon wynajduje elektromagnes, a w 1830 r. Joseph Henry przesyła prąd drutem na odległość 1 mili, który aktywuje elektromagnes aby uruchomić uderzenie dzwonka. W 1844 r. zbudowano pierwszą linię telegraficzną między Waszyngtonem i Baltimore. Dokładnie r. Samuel Morse przesyła pierwszą wiadomość. W 1862 r. Pacinotti i Gramme budują prądnicę jako źródło energii elektrycznej. W 1875 r. Edison spostrzega iskrę generowaną wibracjami magnesu w cewce. W 1876 r. Aleksander Graham Bell przełamuje supremację telegrafu gdy jako pierwszy przesyła przewodami elektrycznymi swój głos ( Mr. Watson, come here, I want you ).

6 Komunikacja przewodowa Zasada działania telegrafu Zamknięcie obwodu umożliwia baterii przetłaczanie elektronów co stanowi prąd. Prąd włącza przekaźnik. Dużo drutu!

7 Uproszczony obwód telefoniczny. (Sproszkowany węgiel zmienia oporność przy zmianie nacisku membraną. Zmiana tej oporności wywołuje zmiany natężenia prądu w elektromagnesie i przez to zmiany siły z jaką przyciągana jest membrana słuchawki) Dużo drutu!

8 Gdyby nie postęp nasze miasta zostałyby całkowicie zadrutowane! Dobrze przewodzącymi drutami można przesyłać energię i komunikować się na bardzo duże odległości. Pierwszy działający kabel transatlantycki położono w 1866r. Problemem są niezliczone centrale i przekaźniki, prez które sygnał musi przejść, aby dotrzeć do właściwego adresata. Często linia jest zajęta albo sygnał jest słaby i zakłócony. Dopiero w mikrofale i światłowody rozpoczęły skuteczne wypieranie poprzedniego system. Manhattan około 1900 r. (

9 Komunikacja bezprzewodowa Z równań Maxwella wynikało, że istnieją fale elektromagnetyczne (o prędkości światła). Tę sensację potwierdza w roku 1888 H.R. Hertz. Nikola Tesla od 1892 r. pracuje nad m.in. bezprzewodową transmisją energii i informacji. W 1899 r. G. Marconi realizuje bezprzewodowy telegraf dla komunikacji poprzez kanał La Manche.

10 Komentarze. Nikola Tesla obok Maxwella i Edisona był jednym z trzech największych geniuszy 19-go wieku. Tesla był człowiekiem o wyjątkowej wyobraźni, samotnie przygotował w najdrobniejszych szczegółach wiele niezawodnych projektów. Jednym z nich jest energetyka zmiennoprądowa dzięki niemu w każdym domu w gniazdkach mamy napięcie zmienne (60Hz w USA i 50Hz w Europie). Jemu zawdzięczamy prądnice i silniki na prąd zmienny. To Tesla w 1895 r. skierował energię wodospadów Niagary do generatorów prądu zmiennego, by następnie dzięki transformatorom własnego pomysłu przesyłać ekonomicznie (czyli z małymi stratami) energię elektryczną do Buffalo miasta odległego o 40 km. Straty energii elektrycznej na linii przesyłowej związane są z wydzielaniem się ciepła przy przepływie prądu. Straty są proporcjonalne do kwadratu natężenia prądu I zgodnie z wyrażeniem Es=I2RLt (gdzie: Es energia stracona, I prąd w linii przesyłowej, RL oporność linii przesyłowej, t czas trwania przesyłu). Ponieważ ilość wysyłanej energii E jest proporcjonalna do napięcia U, prądu I oraz czasu t z godnie z wyrażeniem: E = IUt lepiej użyć dużego napięcia U niż dużego prądu I aby przesyłać tę samą energię I U t. To dlatego w obecnej energetyce mamy do czynienia z liniami wysokiego napięcia. Tesla wykonał pierwsze urządzenie sterowane zdalnie za pośrednictwem fal radiowych. Wykonał zdjęcie rentgenowskie wcześniej niż sam Roentgen. Generowane przez Teslę iskry elektryczne miały długość nawet kilkadziesiąt metrów.

11 Nadajnik iskrowy i odbiornik

12 Zanik sygnału i szum elektryczny

13 Nadajniki iskrowe i odbiorniki

14 Zmodulowany amplitudowo sygnał ciągły i jego detekcja

15 Demonstracja: Wizualizacja sygnału zmodulowanego amplitudowo. U1 przed detekcją (bezpośrednio z generatora), U2 po detekcji (bez użycia kondensatora usprawniającego), U3 po detekcji (z kondensatorem).

16 Problemy z detektorami Koherer Detektor kryształkowy Bardzo czuły odbiornik z detektorem elektrolitycznym (Chytrze zastosowano wstępną polaryzację tak, aby przy najmniejszych sygnałach detektor dawał efekt prostowania)

17 Komentarze: W Anglii Markoni, jego współpracownicy i wielu innych w okresie sądziło, że iskra (wyładowanie elektryczne) jest istotnym elementem w bezprzewodowym przekazie energii i komunikacji. Złote lata iskry trwały od 1900 do Początkowo detektorem był tzw. koherer (naczynie z dwiema elektrodami, między którymi znajdował się pył metaliczny lub kropla rtęci) wykazujący normalnie dużą oporność, która pod impulsem napięcia znacznie malała. Przed detekcją następnego impulsu koherer należało wstrząsnąć co spowalniało przebieg transmisji. W 1899r. Niemiecki uczony K.F. Braun patentuje detektor krystaliczny. Odbiorniki radiowe z detektorem krystalicznym zaczęto stosować około 1900r. a G.W. Pickard patentuje udoskonalony, krzemowy detektor krystaliczny w1906r. Reginald Fessenden w Kanadzie w latach samotnie proponował zastosowanie fali ciągłej (bez iskry!) dla komunikacji bezprzewodowej. W 1902 i 1903 opatentował elektrolityczny detektor (bardzo czuły prostownik, złożony z roztworu H2SO4, 2 elektrod metalowych i polaryzatora), mogący zmieniać zmodulowany amplitudowo sygnał wysokiej częstotliwości na sygnał samej modulacji czyli informacji. Pod koniec 1906 r. udało mu się uzyskać alternator mogący generować napięcie 500 V o częstotliwości 75kHz fali nośnej (modulowanej). Około 1915 r. wiadomo było, że lampy mogą wzmacniać (regenerować) sygnały elektryczne oraz generować napięcia wysokiej częstotliwości, czyli mogą zastępować alternatory dla nadajników.

18 Przy bardzo słabych sygnałach nie radzą sobie nawet najlepsze detektory. Dlaczego sygnał szybko słabnie z odległością od nadajnika?

19 Sygnał słabnie proporcjonalnie do 1/R2 z odległością R bo obszar, w który się rozprzestrzenia zwiększa się jak R2 W przestrzeni ma miejsce efekt rozrzedzania energii i wymagany jest jakiś sposób na wzmacnianie sygnału.

20 Co to jest wzmacnianie sygnału? Wzmocnienie oznacza zwiększenie energii sygnału. Aby zwiększyć energię sygnału (wzmocnić sygnał) należy dysponować zapasem energii. Proces wzmocnienia zwykle polega na sterowanym przez sygnał wzmacniany wypływie energii z posiadanych jej zapasów.

21 Idea wzmacniania sygnału elektrycznego na zasadzie dzielnika napięcia złożonego z odbiornika energii Ro i rezystora sterowanego Rs (Rs może być lampą lub tranzystorem). Wkładamy mało energii E1 aby zmieniać Rs a uzyskujemy dużą energię E2 w Ro.

22 Wzmacnianie sygnałów elektrycznych na zasadzie dzielnika napięcia zawierającego jeden sterowalny, zmienny rezystor. Rozważmy układ szeregowo połączonych: sterowanego rezystora zmiennego Rz i rezystora stałego odbiornika Ro połączonych z zasilaczem tak jak dzielnik napięcia. Mamy tu URo = Ro U/(Ro + Rz) napięcie na Ro URz = Rz U/(Ro + Rz) napięcie na Rz. Przy zmianie Rz od wartości Rz>>Ro do Rz <<Ro moc wydzielana w Ro zmieni się w przybliżeniu od Pmin = 0 do Pmax = U2/Ro. Zatem impuls mocy wyjściowej wydzielanej w odbiorniku osiągnie wartość Pwy Pmax = U2/Ro. Jeżeli moc sygnału sterującego Ps, który pokręcił rezystorem Rz była mniejsza od Pmax to otrzymaliśmy wzmocnienie sygnału KP = Pwy /Ps. Taki trick można wykonać zarówno przy pomocy lampy jak i tranzystora. Zdolność wpływania sygnału elektrycznego na inny sygnał elektryczny to podstawowa cecha tzw. elementów aktywnych. Układy elektroniczne to są te układy, które zawierają elementy aktywne.

23 Wynalezienie lampy to tylko modyfikacja żarówki Edisona W latach T. A. Edison i jego asystent W. J. Hammer pracują nad ulepszaniem opatentowanych w 1879r. próżniowych żarówek, które w czasie pracy ulegały poczernieniu. Zauważyli przepływ prądu między grzaną i ujemnie spolaryzowaną elektrodą a zimną dodatnio spolaryzowaną elektrodą. W 1911 r. O. W. Richardson zinterpretował efekt Edisona jako wyparowywanie elektronów z gorącego drucika i nazwał go emisją termiczną. W 1904 r. J. A. Fleming zauważył, że efekt Edisona można zastosować do prostowania prądu zmiennego i wykonał diodę próżniową (prostownik lampowy).

24 Dioda próżniowa J.A. Fleming 1904 Gdy w obwodzie elektrycznym zasilanym przez źródło symetrycznie przemiennego napięcia znajdzie się dioda to prąd nie będzie symetrycznie przemienny. Tylko katoda (rozgrzany metal) emituje elektrony. Zatem w obwodzie będzie prąd tylko wtedy gdy przykładane napięcie pozwoli emitowanym z katody elektronom docierać do anody.

25 Demonstracja diody próżniowej.

26 Trioda próżniowa Lee De Forest 1906 pierwsza trioda próżniowa o nazwie audion przeznaczona była do czulszej detekcji sygnałów. Langmiur wysoko-próżniowe lampy radiowe. Poczynając od lampy triody złożonej z katody, anody oraz umieszczonej między nimi siatki, stało się możliwe sterowanie prądem anoda - katoda przy pomocy pola elektrycznego siatki i małego prądu siatka-katoda. Ten swoisty zawór, w którym potencjał siatki przymyka prąd anodowy zapewnił efekt wzmacniania sygnałów elektrycznych.

27 Pokaz video: budowa triody

28 Demonstracja efektu wzmocnienia 1) Brak dźwięku (sygnał z generatora zbyt słaby) 2) Słychać dźwięk (Po wzmocnieniu sygnał znacznie większy) Lampa trioda może wzmacniać!

29 Co mogą lampy elektronowe? 1) Diody najprostsze dwuelektrodowe lampy mogą prostować prąd. 2) Triody trzyelektrodowe lampy a) mogą być wyłącznikami, b) mogą wzmacniać sygnały elektryczne, c) mogą generować periodyczne przebiegi napięcia dla nadajników, pieców indukcyjnych itp. 3) Bardziej złożone lampy stosowano w wielu dziedzinach: telewizja, radio, radar itp. Ale lampy są nieekonomiczne, duże i nietrwałe!

30 Julius Lilienfeld w 1926 r. opatentował ideę, że słabo przewodzący materiał umieszczany w polu elektrycznym będzie zmieniał swoje przewodnictwo pozwalając na uzyskanie efektu wzmocnienia. Realizacja dopiero w latach JFET i MOSFET.

31 Przemysł telekomunikacyjny stosował przez wiele lat niedogodne lampy próżniowe i psujące się mechaniczne przełączniki. Istniała silna potrzeba zastąpić te przełączniki czymś lepszym.

32 Przewodność (a zatem i oporność) półprzewodników można łatwo i w dużym zakresie zmieniać poprzez domieszkowanie lub polaryzowanie. Dlatego z tych materiałów usiłowano stworzyć triodę półprzewodnikową nazwaną potem tranzystorem.

33 Pierwszy tranzystor W budowie tego tranzystora trudnym było umieścić dwa ostrza (emiter i kolektor) w odległości około 0,1 mm od siebie na czystej powierzchni kryształu Ge.

34 Tranzystory ostrzowe to lipa!!! Kontaky ostrzowe są bardzo niestabilnymi kontaktami! Tranzystory złączowe OK!

35 Krzem typu p i tpu n.

36 Złącze pn Gdy uformujemy złącze pn, dla równowagi energetycznej (bo elektron swobodny ma wyższą energię niż elektron zajmujący dziurę związany) nieco elektronów z obszaru n i nieco dziur z obszaru p przedyfunduje płaszczyznę styku obszarów p i n. W rezultacie rekombinacji dziur z elektronami tuż przy płaszczyźnie styku, z obu jej stron, nie będzie ani mobilnych dziur ani mobilnych elektronów. Taki pas bez mobilnych elektronów jest pasem złego przewodzenia (dużej oporności). Ten pas będzie za to zawierał niemobilne jony ujemne po stronie p i niemobilne jony dodatnie po stronie n. Ładunek tych jonów tworzy barierę potencjału uniemożliwiającą dalszą dyfuzję elektronów z obszaru n jak i dziur z obszaru p. Przykładając napięcie do złącza (polaryzując złącze pn) możemy albo poszerzyć pas złego przewodzenia albo go likwidować i uzyskiwać dobre przewodnictwo całości. Przykładając napięcie plusem do obszaru n a minusem do obszaru p poszerzamy obszar złego przewodzenia i prąd w takim obwodzie jest malutki (bo w obwodzie mamy duży opór złącza pn). Przykładając napięcie plusem do obszaru p, a minusem do obszaru n, zmniejszamy obszar złego przewodzenia i zmniejszamy oporność złącza. Prąd przy takiej polaryzacji gwałtownie rośnie przy przekroczeniu pewnej wartości napięcia polaryzacji (0,6 V dla diody krzemowej).

37 Dioda.

38 Dioda spolaryzowana zaporowo

39 Dioda przewodzi.

40 Tranzystor npn Gdy uformujemy układ npn (lub pnp) z bardzo wąskim środkowym sektorem uzyskamy tranzystor - najważniejsze odkrycie XX wieku. Najprostszy model intuicyjny mówi, że sygnałem o małej amplitudzie mocy, za pomocą bazy (zaworu), dokonuje się zamykanie i otwieranie przepływu dużego ładunku (o dużej amplitudzie mocy) między

41 Demonstracja efektu wzmocnienia 1) Brak dźwięku (sygnał z generatora zbyt słaby) 2) Słychać dźwięk (Po wzmocnieniu sygnał znacznie większy)

42 Demonstracja tranzystor polowego z izolowaną bramką Dla otwarcia lub zamknięcia kanału wystarcza zmiana małego ładunku elektrycznego na bramce.

43 Co mogą tranzystory i diody? W zasadzie robią to co lampy bez potrzeby rozgrzewania czegokolwiek. Tranzystory są bardzo małe i pozwalają na ich nieprawdopodobne upakowanie (setki milionów na 1cm2!). Tranzystor zastępuje i wypiera duże, gorące, szklane i tłukące się lampy. Tylko w niektórych układach dużej mocy lampy są jeszcze obecne. Np. wzmacniacze akustyczne lampowe dając nieco inny skład wyższych harmonicznych niż wzmacniacze tranzystorowe zapewniają, że odtwarzana muzyka daje lepsze (psychoakustyczne) wrażenie i złudzenie większej dynamiki.

44 Po wynalezieniu tranzystora nieustannie trwa proces miniaturyzacji samych tranzystorów jak i innych elementów elektronicznych. W latach tranzystory, diody, rezystory i kondensatory były produkowane głównie jako indywidualne (dyskretne) elementy. Jednak od 1960 r. pojawia się coraz więcej układów scalonych, a od 1971 również mikroprocesory (w 2008 r. z prawie miliardem tranzystorów). Obecnie tylko tranzystory wielkiej mocy są jeszcze produkowane jako indywidualne elementy.

45 Miniaturyzacja poprzez wytwarzanie układów scalonych. Po wynalezieniu tranzystora technolodzy wiedzieli o potencjalnych możliwościach elektroniki cyfrowej ale ogromnym problemem był wykładniczy wzrost liczby elementów przy każdej rozbudowie i ulepszaniu układów elektronicznych. Rozwiązaniem problemu stały się monolityczne układy scalone. Znaleziono sposoby budowy poszczególnych elementów na jednym monokrysztale (chipie) półprzewodnika. Kilby zastosował german a Noyce krzem.

46 Układ scalony i układ scalony o bardzo wysokiej skali integracji

47 Czy elektronika może pamiętać? Przykłady: przerzutniki, rejestry...

48 Czy elektronika może liczyć? Przykłady: bramki logiczne...

49 Oszczędne energetycznie układy CMOS. Przykład: negator bramka logiczna zmieniająca wartość 0 na 1 oraz 1 na 0.

50 Źródła: A) Filmy: 1) 2) 3) 4) 5) 6) 7) 8) 9) Artykuły w internecie 1) 2) CHAP-4A.html 3) 4) 5) 6) 7) 8) 9) 10) 11) 12) CHAP-4A.html 13) 14) 15) Wikipedia. Literatura 1). F. Collins, The Radio Amatour s Hand Book, ) M. Riordan, Rev. Modern Phys. 71 (1999) S336.

Od lampy do układu scalonego

Od lampy do układu scalonego Lekcje dla licealistów 2009 Od lampy do układu scalonego F. Gołek Uniwersytet Wrocławski Zanim wynaleziono lampę W latach 1861 1873 J.C. Maxwell opisuje równaniami poznane zjawiska elektryczne i magnetyczne..

Bardziej szczegółowo

Od diody do układu scalonego

Od diody do układu scalonego Od diody do układu scalonego Franciszek Gołek (golek@ifd.uni.wroc.pl) www.pe.ifd.uni.wroc.pl Dioda kryształkowa Magiczne oko Plan wykładu 1. Początki nauki o elektryczności. 2. Krótkie przypomnienie praw

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory i ich zastosowania

Tranzystory i ich zastosowania Tranzystory i ich zastosowania Nie wszystkie elementy obwodu elektrycznego zachowują się jak poznane na lekcjach rezystory (oporniki omowe). Większość używanych elementów ma zmienny opór. Jak się tak bliżej

Bardziej szczegółowo

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa

Bardziej szczegółowo

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

Od ogniska do telefonu komórkowego. czyli o fali elektromagnetycznej, jej historii i zastosowaniach

Od ogniska do telefonu komórkowego. czyli o fali elektromagnetycznej, jej historii i zastosowaniach Od ogniska do telefonu komórkowego czyli o fali elektromagnetycznej, jej historii i zastosowaniach Krzyżackie zamki nad Wisłą czyli wczesny telefon komórkowy Krzyżackie zamki nad Wisłą czyli wczesny telefon

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika

Bardziej szczegółowo

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć. Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Jak pozbywano się drutu. czyli o rozwoju wczesnej elektroniki i jej fizycznych podstawach

Jak pozbywano się drutu. czyli o rozwoju wczesnej elektroniki i jej fizycznych podstawach Jak pozbywano się drutu czyli o rozwoju wczesnej elektroniki i jej fizycznych podstawach Ryszard J. Barczyński, 2007 Technologiczne tęsknoty: przekaz informacji Telegraf semaforowy Claude Chappe, 1791

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1 Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika Instrukcje do doświadczeń Elektronika 1 Spis doświadczeń 1 Dioda podstawowy obwód elektryczny...7 2 Dioda badanie charakterystyki...8 3 Dioda jako prostownik...9 4 LED podstawowy obwód elektryczny...10

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

Budowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego

Budowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego Konkurs Od Einsteina do Budowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego Aleksander Grzymek Opiekun: mgr Marzena Wajda Parzyk Gimnazjum nr 1 im. gen. broni Stanisława Maczka w Jaworzu Początki

Bardziej szczegółowo

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Radio czyli jak zbudować prosty odbiornik radiowy Opracowanie: Andrzej Grodzki

Radio czyli jak zbudować prosty odbiornik radiowy Opracowanie: Andrzej Grodzki 1 Radio czyli jak zbudować prosty odbiornik radiowy Opracowanie: Andrzej Grodzki Wstęp (historia radia) Za wynalazcę radia uważa się powszechnie Guglielmo Marconiego. Syna włoskiego kupca z Lombardii,

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii

Bardziej szczegółowo

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład... Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy

Bardziej szczegółowo

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) 152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Prostowniki. 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników. Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY

Prostowniki. 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników. Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Prostowniki 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników ELEKTRONIKA Jakub Dawidziuk sobota, 16

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe VI. Prostownik jedno i dwupołówkowy Cel ćwiczenia: Poznanie zasady działania układu prostownika jedno i dwupołówkowego. A) Wstęp teoretyczny Prostownik jest układem elektrycznym stosowanym do zamiany prądu

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej

Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej W układach elektronicznych występują: Rezystory Rezystor potocznie nazywany opornikiem jest jednym z najczęściej spotykanych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy.

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy. PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy. Jeśli plus (+) zasilania jest podłączony do anody a minus (-)

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,

Bardziej szczegółowo

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07. PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Radioodbiornik i odbiornik telewizyjny RADIOODBIORNIK

Radioodbiornik i odbiornik telewizyjny RADIOODBIORNIK Radioodbiornik i odbiornik telewizyjny RADIOODBIORNIK ODKRYWCA FAL RADIOWYCH Fale radiowe zostały doświadczalnie odkryte przez HEINRICHA HERTZA. Zalicza się do nich: fale radiowe krótkie, średnie i długie,

Bardziej szczegółowo

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA

Bardziej szczegółowo

XXXIV OOwEE - Kraków 2011 Grupa Elektryczna

XXXIV OOwEE - Kraków 2011 Grupa Elektryczna 1. Przed zamknięciem wyłącznika prąd I = 9A. Po zamknięciu wyłącznika będzie a) I = 27A b) I = 18A c) I = 13,5A d) I = 6A 2. Prąd I jest równy a) 0,5A b) 0 c) 1A d) 1A 3. Woltomierz wskazuje 10V. W takim

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b) Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których

Bardziej szczegółowo

Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń

Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń Załącznik 4c do SIWZ Lp. NAZWA OPIS GŁÓWNYCH PARAMETRÓW TECHNICZNYCH ILOŚĆ (szt.) Zestaw powinien składać się min. z modułu bazowego oraz modułów ćwiczeniowych

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

Elektronika z wykorzystaniem Arduino i Raspberry Pi : receptury / Simon Monk. Gliwice, copyright Spis treści. Przedmowa 11

Elektronika z wykorzystaniem Arduino i Raspberry Pi : receptury / Simon Monk. Gliwice, copyright Spis treści. Przedmowa 11 Elektronika z wykorzystaniem Arduino i Raspberry Pi : receptury / Simon Monk. Gliwice, copyright 2018 Spis treści Przedmowa 11 1. Teoria 17 1.0. Wprowadzenie 17 1.1. Prąd 17 1.2. Napięcie 18 1.3. Wyliczanie

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 38. WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK I PARAMETRÓW LAMP ELEKTRONOWYCH Kraków 2015

ĆWICZENIE 38. WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK I PARAMETRÓW LAMP ELEKTRONOWYCH Kraków 2015 Piotr Janas Zakład Fizyki, Uniwersytet Rolniczy Do użytku wewnętrznego ĆWICZENIE 38 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK I PARAMETRÓW LAMP ELEKTRONOWYCH Kraków 2015 SPIS TREŚCI I. CZĘŚĆ TEORETYCZNA... 2 1. WSTĘP...

Bardziej szczegółowo

Elektronika (konspekt)

Elektronika (konspekt) Elektronika (konspekt) Franciszek Gołek (golek@ifd.uni.wroc.pl) www.pe.ifd.uni.wroc.pl Wykład 07 Elementy aktywne, lampy elektronowe i tranzystory. Lampy próżniowe i tranzystory Lampa trioda Tranzystor

Bardziej szczegółowo

5. Tranzystor bipolarny

5. Tranzystor bipolarny 5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych . Zasilacze Wojciech Wawrzyński Wykład z przedmiotu Podstawy Elektroniki - wykład Zasilacz jest to urządzenie, którego zadaniem jest przekształcanie napięcia zmiennego na napięcie stałe o odpowiednich

Bardziej szczegółowo

Elektrotechnika i elektronika (konspekt)

Elektrotechnika i elektronika (konspekt) Elektrotechnika i elektronika (konspekt) Franciszek Gołek (golek@ifd.uni.wroc.pl) www.pe.ifd.uni.wroc.pl Wykład 10 Tranzystory bipolarne. Niezwykle ważne dla wynalezienia tranzystora były: 1) W 1936 r.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik AC/DC Przekształtniki AC/DC można podzielić na kilka typów, mianowicie: prostowniki niesterowane; prostowniki sterowane. Zależnie od stopnia skomplikowania układu i miejsca przyłączenia do sieci elektroenergetycznej

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 38 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK I PARAMETRÓW LAMP ELEKTRONOWYCH

ĆWICZENIE 38 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK I PARAMETRÓW LAMP ELEKTRONOWYCH Piotr Janas Zakład Fizyki, Uniwersytet Rolniczy Do użytku wewnętrznego ĆWICZENIE 38 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK I PARAMETRÓW LAMP ELEKTRONOWYCH Kraków 2016 ZAKRES WYMAGANYCH WIADOMOŚCI ZE SZKOŁY ŚREDNIEJ:

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy

Bardziej szczegółowo

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest

Bardziej szczegółowo

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (

Bardziej szczegółowo

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA 3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230966 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 423324 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 31.10.2017

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski

Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:

Bardziej szczegółowo

Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści

Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, 2015 Spis treści Przedmowa 7 Wstęp 9 1. PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI 11 1.1. Prąd stały 11 1.1.1. Podstawowe

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 12/17. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 05/18

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 12/17. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 05/18 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 228977 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 419603 (51) Int.Cl. G01R 19/14 (2006.01) H02H 1/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

TELEGRAF MORSE A W DOŚWIADCZENIU

TELEGRAF MORSE A W DOŚWIADCZENIU XIV Wojewódzki Konkurs Interdyscyplinarny dla racjonalizatorów i twórczo myślącej młodzieży gimnazjalnej i ponadgimnazjalnej: OD EINSTEINA DO. TEMAT XIV EDYCJI KONKURSU nr V Podaj własne opracowanie dowolnego

Bardziej szczegółowo

Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne

Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne Na podstawie: John Watson, Elektronika Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne Podzespoły półprzewodnikowe. Transoptor: Użyteczny tam, gdzie układy mają bardzo różne potencjały (4 kv) zastępuje

Bardziej szczegółowo

Czym jest prąd elektryczny

Czym jest prąd elektryczny Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

Dobór współczynnika modulacji częstotliwości

Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o

Bardziej szczegółowo

Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała

Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne Wojciech Świtała wojciech.switala@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/~wswitala Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill Układy półprzewodnikowe U.Tietze,

Bardziej szczegółowo

Miłosz Andrzejewski IE

Miłosz Andrzejewski IE Miłosz Andrzejewski IE Diody Diody przepuszczają prąd tylko w jednym kierunku; służą do prostowania. W tym celu używa się ich w: prostownikach wchodzących w skład zasilaczy. Ogólnie rozpowszechnione są

Bardziej szczegółowo

Politechnika Warszawska

Politechnika Warszawska Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny Laboratorium Teletechniki Skrypt do ćwiczenia T.03 Podstawowe zasady modulacji amlitudy na przykładzie modulacji DSB 1. Podstawowe zasady modulacji amplitudy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Różne dziwne przewodniki

Różne dziwne przewodniki Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost

Bardziej szczegółowo