LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI. Józef Boksa. Badanie zjawisk nieliniowych w układach analogowych

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI. Józef Boksa. Badanie zjawisk nieliniowych w układach analogowych"

Transkrypt

1 . LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Józef Boksa Badanie zjawisk nieliniowych w układach analogowych WAT 22

2 . CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest pogłębienie wiedzy z zakresu zjawisk nieliniowych jakie zachodzą w układach elektronicznych. Podstawowym układem najbardziej zbliżonym do układów liniowych jest typowy wzmacniacz, który powinien wzmacniać sygnały z szerokiego pasma częstotliwości bez zniekształceń jego przebiegu czasowego co najwyżej słabo wzmacniać o skrajnie wysokich lub skrajnie niskich częstotliwościach. To nierównomierne wzmacnianie sygnałów o różnych częstotliwościach zalicza się do zniekształcenia liniowych np. dźwięki o pewnych częstotliwościach użytkownik słyszy słabiej lub silniej ale wiernie. Gorzej jeśli wystąpią tzw. zniekształcenia nieliniowe wtedy poza składowymi o częstotliwościach pochodzących ze źródła sygnału (np. fonia lub wizja programów TV) pojawiają się na wyjściu układu elektronicznego składowe (np. dźwięki akustyczne lub obraz) z innego koncertu czy programu telewizyjnego nadawanego na innej częstotliwości. Zjawiska nieliniowe występują w każdym układzie elektronicznym z choćby jednym elementem nieliniowym (dioda lub tranzystor). 2. SCHEMAT BLOKOWY UKŁADU POMIAROWEGO Schemat blokowy układu pomiarowego przedstawiony jest na rys.. Generator sinusoidalny Generator sinusoidalny Badany układ Zasilacz Woltomierz DC Analizator widma Oscyloskop Rys.. Schemat blokowy układu pomiarowego Badany układ zawiera trzy różne układy analogowe: typowy tranzystorowy wzmacniacz RC, scalony wzmacniacz różnicowy i scalony analogowy układ mnożący (mieszacz podwójnie zrównoważony). Wybrany z układów można podłączyć do jednego lub dwóch generatorów. Przebieg wyjściowy wybranego układu jest podłączony do wzmacniacza pomiarowego wewnątrz modelu laboratoryjnego. Składowe widma sygnału wyjściowego badanego układu są zobrazowywane na ekranie analizatora widma z możliwością jednoczesnego pomiaru ich poziomu. Przebieg wyjściowego sygnału w dziedzinie czasu jest zobrazowywany na ekranie oscyloskopu. Woltomierz DC służy do pomiaru składowej stałej sygnału wyjściowego. 2

3 3. WYBRANE WŁASNOŚCI BADANEGO UKŁADU 3.. PODSTAWY TEORETYCZNE Analogowe układy elektroniczne można podzielić na liniowe układy elektroniczne LUE i nieliniowe układy elektroniczne NUE. Podstawową cechą układów liniowych jest spełnianie przez nie zasady superpozycji i proporcjonalności, co oznacza, że sygnał na wyjściu stanowi liniową kombinację sygnałów wejściowych. Inaczej mówiąc, po doprowadzeniu do wejścia układu zbioru sygnałów o różnych częstotliwościach, na wyjściu otrzymuje się tak samo liczny zbiór sygnałów o tych samych częstotliwościach, każdy o amplitudzie proporcjonalnej do odpowiedniego sygnału wejściowego np. wzmocniony o wartość wzmocnienia G (ang. gain) i ewentualnie przesunięty w fazie. u we ( t) = U sin ω t + U2 sin ω2t +... () ( ω t + ϕ ) + G U sin( ω t + )... u wy ( t) = G U sin ϕ 2 + (2) Układ jest liniowy jeśli wszystkie elementy są liniowe tzn. ze ich charakterystyka prądowo napięciowa I = f(u) jest linią prostą. W związku z wykorzystywaniem w układach analogowych tranzystorów, których charakterystyki przejściowe są nieliniowe (rys. 2.a), każdy układ tranzystorowy jest układem nieliniowym. a) b) I C I C Q i c U BE u be U BE t Rys. 2. Charakterystyka prądowo napięciowa tranzystora bipolarnego Jeśli stopień nieliniowości nie jest zbyt duży to taki układ umownie traktuje się jako warunkowo liniowy. Aby układ można było traktować jako liniowy konieczna jest tzw. praca małosygnałowa która wymusza sterowanie tranzystorów wzmacniaczy odpowiednio małymi amplitudami sygnału tak, aby wykorzystywany odcinek charakterystyki ogólnie nieliniowej można było uważać za liniowy wokół tzw. punktu pracy Q (rys.2.b). Sterowanie układu ogólnie nieliniowego coraz silniejszym sygnałem powoduje coraz silniejsze zniekształcenie przebiegu wyjściowego, co zobrazowano na rys.3. t 3

4 Rys. 3. Przebiegi napięć wyjściowych wzmacniacza sterowanego coraz silniejszym sygnałem Z przebiegu czasowego można tylko na oko ocenić stopień zniekształcenia przebiegu co w technice jest nie do przyjęcia. Na wszystko musi być jakaś miara. W telekomunikacji przyjęto, że najodpowiedniejszą metodą oceny zniekształceń jest analiza widmowa przebiegu elektrycznego ANALIZA WIDMOWA Z godnie z szeregiem Fouriera każdą funkcję można przedstawić jako sumę funkcji trygonometrycznych n= ( a cosn t + b nωt) f ( t) = a + sin n n ω (3) gdzie a jest wartością średnią f(t) czyli składową stałą a a n wartościami składowej podstawowej i harmonicznych składowych kosinusoidalnych a b n sinusoidalnych. Rozwijając w szereg przebieg sinusoidalny otrzymamy w rozwinięciu tylko jedną składową ale dla przebiegu odkształconego ilość składowych harmonicznych jest znacząca (teoretycznie nieskończoność). Szeregu Fouriera ma prostą interpretację fizyczną. Chcąc wytworzyć dowolny przebieg elektryczny trzeba dysponować odpowiednią liczbą (teoretycznie nieskończoną ilością) przebiegów o częstotliwościach (pulsacjach) będących harmonicznymi składowej podstawowej tzn 2ω, 3ω, 4ω itd każdy o poziomie wynikającym z rozkładu Fouriera i te przebiegi zsumować. Im więcej tych składowych zsumujemy tym wierniej odtworzymy oczekiwany przebieg. Tytułem przykładu na rys. 5 przedstawiono jak liczba składowych szeregu Fouriera wpływa na dokładność wytworzenia przebiegu prostokątnego. Przebieg z rys. a uzyskamy przy użyciu tylko składowej podstawowej, z rys. b dla pięciu a z rys. c dla szesnastu składowych. a b c Rys. 4. Formowanie przebiegu prostokątnego za składowych harmonicznych 4

5 Wyznaczając wartości wszystkich współczynników szeregu otrzymujemy informację o tzw. widmie częstotliwościowym badanego sygnału. Widmo przebiegu elektrycznego jest to więc rozkład natężenia składowych częstotliwościowych przebiegu elektrycznego a przyrząd zobrazowujący to widmo nazywamy analizatorem widma. Stosując odwrotne rozumowanie od poprzedniego można stwierdzić, ze widmo częstotliwościowe sygnału sinusoidalnego zawiera jedną składową sinusoidalną. Im bardziej przebieg elektryczny odbiega od sinusoidalnego tym bogatsze jest jego widmo (zawiera coraz więcej tzw. prążków widma) bowiem składa się z wielu składowych harmonicznych. Widmo pozwala więc określić poziom każdej składowej, liczbę składowych (tzw. prążków) widma o liczącym się poziomie, jaka jest jego szerokość itp. Ponieważ każdy układ tranzystorowy jest układem nieliniowym to przy wzmacnianiu choćby jednego sygnału na wyjściu otrzymujemy ten sam sygnał wzmocniony (w widmie wystąpi prążek od składowej podstawowej) i teoretycznie nieskończoną ilość harmonicznych 2f, 3f, 4f... ( w widmie wystąpią prążki od harmonicznych). Przy wzmacnianiu dwóch sygnałów otrzymujemy na wyjściu podobne składowe ale jednocześnie te dwa sygnały w tranzystorze wzajemnie na siebie oddziałują i wytwarzają się tzw. produkty intermodulacji. Produkt intermodulacji odpowiedniego rzędu jest to przebieg elektryczny o częstotliwości będącej liniową kombinacją częstotliwości sygnałów wejściowych f IMk = ± (4) pf qf 2 a rząd intermodulacji k określa suma p i q. Przykładowo przy częstotliwościach f =5 a f 2 =7 Hz produkty intemodulacji rzędu trzeciego (p + q = 3 więc p = 2 a q = i p = a q = 2) będą miały częstotliwości: + 7 = 7, 7 = 3, = 9, 5 4 = 9 Hz. (moduł). Ograniczając się do nieliniowości układu rzędu trzeciego to po podaniu na wejście tylko dwóch sygnałów na wyjściu wystąpią następujące składowe widma: składowa stała; składowa podstawowa jednego z sygnałów; składowa podstawowa drugiego z sygnałów; druga i trzecia harmoniczna jednego z sygnałów; druga i trzecia harmoniczna drugiego z sygnałów; dwa produkty intermodulacji rzędu drugiego; cztery produkty intermodulacji rzędu drugiego razem 3 składowych. Istotną cechą harmonicznych i produktów intermodulacji jest to, że jeśli sygnał wejściowy zwiększy poziom razy to 2. harmoniczna i produkt intrrmodulacji 2. rzędu zwiększy swój poziom 2 = razy a 3. harmoniczna i produkt intermodulacji 3. rzędu wzrośnie 3 = razy OCENA STOPNIA NIELINIOWOŚCI Do oceny stopnia liniowości wzmacniaczy i dla możliwości porównywania jakości wzmacniaczy poza współczynnikiem zniekształceń nieliniowych stosuje się powszechnie dwa parametry: punkt jednodecybelowej kompresji (ang. compression point) dbcp; punkt przecięcia dla produktu intermodulacji (ang. intercept point) rzędu trzeciego IP3. które zdefiniowano na rys. 5.a (dbcp) i 5.b (IP3). 5

6 Uwaga: wielkości na osiach współrzędnych są w mierze względnej (decybelowej) dbm i określają nie poziom w watach tylko w mierze względnej tzn. o ile decybeli poziom jest większy od mw. Gdyby określać poziomy napięć stosuje się jednostkę dbµv tzn. o ile decybeli dany poziom jest większy od µv. a) P wy [dbm] db b) P wy [dbm] b a dbcp P we [dbm] IP3 P we [dbm] Rys. 5. Parametry oceny liniowości wzmacniaczy Z rys. 5.a wynika, ze w rzeczywistym wzmacniaczu (linie ciągła) po przekroczeniu pewnej wartości sygnału wejściowego sygnał wyjściowy nie przyrasta proporcjonalnie (w popularnym ujęciu mówi się, że wzmacniacz się nasyca). Przyjęto, że tym kresem górnym liniowości wzmocnienia jest punkt jednodecybelowej kompresji dbcp. Punkt jednodecybelowej kompresji jest to taki poziom sygnału wejściowego (rys. 5.a), przy którym poziom sygnału wyjściowego rzeczywistego wzmacniacza (linia ciągła) jest mniejszy o db od poziomu wyjściowego idealizowanego wzmacniacza (linia przerywana). Punkt IP3 otrzymuje się poprzez pomiar charakterystyki przejściowej wzmacniacza jak dla dbcp (rys. 5.b, prosta a) oraz charakterystyki przejściowej dla produktu intermodulacji trzeciego rzędu, przy oddziaływaniu na jego wejście dwoma sygnałami o jednakowej amplitudzie (prosta b). Nachylenie prostej a jest oczywiście :, gdyż poniżej dbcp przyrostom sygnału na wejściu odpowiadają proporcjonalne przyrosty sygnału na wyjściu. Zgodnie z poprzednim akapitem nachylenie prostej b jest 3: (log 3 =3). Punkt przecięcia tych dwóch prostych zrzutowały na oś odciętych jest punktem przecięcia dla produktów intermodulacji rzędu trzeciego IP3. Jest oczywiste, że im większa wartość liczbowa IP3 i dbcp tym wzmacniacz charakteryzuje się mniejszymi zniekształceniami nieliniowymi Występowanie zjawisk nieliniowych we wzmacniaczach jest zjawiskiem ze wszech miar niepożądanym. Ich istnienie powszechnie wykorzystuje się w układach nieliniowych przetwarzających sygnały takich jak: powielacze częstotliwości sterując układ jednym silnym sygnałem otrzymujemy zbiór harmonicznych; analogowe układy mnożące np. mieszacze częstotliwości sterując układ dwoma sygnałami i wykorzystując powstałe produkty intermodulacji. Mieszaczem częstotliwości [] nazywamy układ elektroniczny który wytwarza na wyjściu przebieg elektryczny o częstotliwości tzw. pośredniej będącej liniową kombinacją częstotliwości sygnałów wejściowych. Mieszacz częstotliwości zwany dalej w skrócie mieszaczem jest więc trójwrotnikiem posiadającym wrota wejściowe sygnałowe S, wejściowe heterodynowe H i wyjściowe pośredniej częstotliwości P (rys. 6.a). 6

7 a) S (f s ) Mieszacz P (f p ) b U H (f h ) Heterodyna f p =f s -f h f h f s f Rys. 6. Układ przemiany częstotliwości Ogólny związek między częstotliwościami ma postać analogiczną jak dla produktów intermodulacji. Mieszacz zwykle przenosi sygnał z wyższej na niższą, dogodniejszą do obórki, częstotliwość - rys. 6.b WZMACNIACZ RC Schemat zastosowanego tranzystorowego wzmacniacza RC przedstawiono na rys.7. We We2 C 47n C2 47n R 5k R2 22k T R3 k R4 k Rys. 7. Schemat ideowy wzmacniacza RC Tranzystor podłączony do źródła zasilania poprzez rezystory ma odpowiednio spolaryzowane złącza (złącze baza emiter w przewodzenie a baza kolektor zaporowo). Konstrukcja układu umożliwia sterowanie wzmacniacza od strony bazy zwierając We2 do masy (wzmacniacz OE) sterowanie od strony emitera zwierając We do masy (wzmacniacz OB) oraz sterowanie dwoma sygnałami. Przebieg wyjściowy można poddać analizie w dziedzinie czasu (oscyloskopem) lub w dziedzinie częstotliwości (analizatorem widma). Przy sterowaniu jednym sygnałem (praca układu jako wzmacniacz) spodziewamy się, że w widmie sygnału wyjściowego wystąpi składowa podstawowa i wiele harmonicznych, a przy sterowaniu dwoma sygnałami (praca układu jako mieszacz) spodziewamy się dodatkowo wielu produktów intermodulacji WZMACNIACZ RÓŻNICOWY Do budowy kolejnej wersji układu elektronicznego wykorzystano scalony wzmacniacz różnicowy (WR). Wzmacniacz różnicowy [] powstaje w wyniku równoległego połączenia dwóch stopni wzmacniaczy do wspólnego źródła prądowego. 7

8 Rozważmy najprostszą konfigurację WR, tzn. z wykorzystaniem jednego wejścia asymetrycznego i dwóch wyjść asymetrycznych Wy i Wy2, przedstawioną na rys. 8. Zauważmy, że zastosowanie dwóch tranzystorów umożliwia stosowanie także wyjścia symetrycznego WR Wysym. +E C Wy R C Wysym R C2 Wy2 We T T 2 U we U s I E U s2 Rys. 8. Wzmacniacz różnicowy o konfiguracji: jedno wejście asymetryczne i jedno bądź dwa wyjścia asymetryczne lub wyjście symetryczne Przyjmując warunki idealizowane i traktując źródło o wydajności I E jako idealne źródło prądowe (nieskończenie duża rezystancja wewnętrzna) to pod wpływem napięcia doprowadzonego do wejścia przez oba złącza baza emiter tranzystorów płynie tan sam prąd. Połączenie emiterami tranzystorów powoduje, że stopnie są do siebie dopasowane i napięcie wejściowe U we dzieli się po połowie między T i T2. Stopień na T pracuje w układzie OE więc wzmacnia sygnał wejściowy i odwraca fazę a stopień na T2 pracuje w układzie OB więc wzmacnia tak samo ale nie odwraca fazy. Oczywiście prąd I E rozpływa się równomiernie między oba tranzystory. Na obu wyjściach otrzymujemy więc sygnały o tym samym poziomie ale w przeciwfazie. Jeśli obciążenie podłączymy pomiędzy kolektory tranzystorów (wyjście symetryczne) to uzyskamy dwa razy większe napięcie wyjściowe. WR z wyjściem symetrycznym zapewnia więc wzmocnienie dwa razy większe niż przy wyjściu asymetrycznym. Sterując WR od strony pary różnicowej w widmie sygnału wyjściowego spodziewamy się tych samych składowych jak przy wzmacniaczu RC. 4. SCHEMAT IDEOWY BADANEGO UKŁADU Ze względu na złożoność schematu ideowego zamieszczono go w załączniku. W tym rozdziale na rys. 9 przedstawiono schemat funkcjonalny modelu laboratoryjnego. 8

9 R3 k R2 k R22 k R36 k R37 k T BC8B T2 T22 T3 T32 T34 T35 R4 k US CA328 T23 T33 US2 S42P T36 - R38.4k C 47n Pa Pb Pc P2a P2b P2c P2d P3a P3b P3c P3d We We2 C2 47n Wy We3 We4 R 6,7 R2 6,7 R3 6,7 S9 P5b VCC VEE US3 AD524 C4 47n Wy2 Wy2a Rys. 9. Schemat funkcjonalny badanego układu W górnej części rysunku są umieszczone uproszczone schematy trzech układów przy czym badaniom podlegają tylko pierwsze dwa. Sygnały z generatorów można podłączyć odpowiednimi przełącznikami do poszczególnych układów oddzielnie poprzez wejścia We i We2 lub po wcześniejszym ich zsumowaniu prostym sumatorem 6dB 5Ω zbudowanym na rezystorach R, R2 i R3. Układ zbudowano na bazie tranzystora T typu BC8B. Dla przejrzystości w tym i w pozostałych układach pominięto wszystkie pomocnicze obwody zasilania. Układ podłącza się do źródła i obciążenia przełącznikiem P. Układ drugi wykonano na scalonym wzmacniaczu różnicowym (WR) zbudowanym na bazie układu scalonego US typu CA328B. Rezystory kolektorowe R2 i R22 stanowią obciążenie WR. Układ podłącza się do źródła i obciążenia przełącznikiem P2. Układ trzeci włączany przełącznikiem P3 zbudowano na bazie układu scalonego US2 typu S42P realizujący mieszacz podwójnie zrównoważony (DBM - Double Balanced Mixer) zawierającego dwa WR w połączeniu przeciwsobnym. Ten układ nie będzie podlegał badaniom. Sygnał wyjściowy wybranego układu jest podawany do wzmacniacza pomiarowego zbudowanego na układzie scalonym US3 typu AD524. Wzmacniacz ten umożliwia realizację pomiaru dla asymetrycznego lub symetrycznego wyjścia układu drugiego lub trzeciego. Wyboru dokonuje się przełącznikiem P5. 9

10 5. ZAKRES POMIARÓW Pomiarów należy dokonać zgodnie z instrukcją pomiarową dostępna na stanowisku pomiarowym. Po skonfigurowaniu odpowiedniej struktury badanego układu zgodnie z wytycznymi zawartymi przy odpowiednich tabelach protokołu pomiarowego należy dokonać pomiaru poziomu składowych widma sygnału wyjściowego. 6. OPRACOWANIE OTRZYMANYCH WYNIKÓW W oparciu o otrzymane wyniki pomiarów należy: A. Dla wzmacniacza RC:. Korzystając z tabeli i 2 należy wykreślić na wspólnym wykresie 4 charakterystyki w mierze decybelowej: ) charakterystykę przejściową wzmacniacza U wy =f(u we ) dla składowej podstawowej; 2) charakterystykę przejściową wzmacniacza U wy =f(u we ) dla drugiej harmonicznej; 3) charakterystykę przejściową wzmacniacza U wy =f(u we ) dla trzeciej harmonicznej; 4) charakterystykę przejściową wzmacniacza U wy =f(u we ) dla produktu intermodulacji trzeciego rzędu. Postępując zgodnie z [] należy wyznaczyć graficznie i określić liczbowo punkt jednodecybelowej kompresji dbcp oraz punkt przecięcia dla produktów intermodulacji trzeciego rzędu IP3 w dbµv i mv. B. Dla wzmacniacza różnicowego na oddzielnym wykresie należy wykreślić i dokonać obliczeń analogicznych jak dla wzmacniacza RC We wnioskach należy przeprowadzić dyskusję otrzymanych wyników i przeprowadzić analizę porównawczą własności nieliniowych wzmacniaczy. 7. ZAGADNIENIA KONTROLNE. Pojęcie widma częstotliwościowego 2. Pojęcie produktów intermodulacji 3. Parametry określające liniowość układu analogowego. 4. Bilans napięć zmiennych dla obwodu wejściowego wzmacniacza RC. 5. Produkty wyjściowe układu na T przy sterowaniu jednym sygnałem. 6. Produkty wyjściowe układu na T przy sterowaniu sumą dwóch sygnałów. 7. Bilans napięć zmiennych dla pary różnicowej US. 8. Produkty wyjściowe układu na WR przy sterowaniu jednym sygnałem. 9. Produkty wyjściowe układu na WR przy sterowaniu sumą dwóch sygnałów.. Własności wzmacniacza różnicowego z wyjściem symetrycznym. 8. LITERATURA. J. Boksa Analogowe układy elektroniczne BTC Warszawa J. Boksa Układy analogowe część II, WAT Warszawa 2.

11 Załączniki VCC VEE VCC VEE C3 47n US4 AD8 C4 47n R39.4k D34 R38.4k D33 D3 R32 2.2K R3 8K T3 R35 3.3K T32 R34 3.3K T33 T34 T35 T36 R33 2.2K C32 47u D32 C3 47u +Vee T2 T22 T23 C2 47n C22 47n US CA328 R25 5k R26 2.8k R28 5 T BC8B US2 S42P US3 AD524 Wy2a Wy2 Wy We2 We PLL WyPLL C 47n C2 47n R3 k R 6k R4 k R2 22k R36 k R37 k R27 2k R4 k R5 k R6 k R7 2k R8 75 R9 k We4 We3 R2x k R22 k R24 5 P5a P5b P4b Pa P4a R 6,7 R2 6,7 R3 6,7 Pb Pc P2a P2b P2c P2d P3a P3b P3c P3d R Zał.. Schemat ideowy badanego układu

LABORATORIUM Z UKŁADÓW ANALOGOWYCH. Józef Boksa. Badanie zjawisk nieliniowych w układach analogowych

LABORATORIUM Z UKŁADÓW ANALOGOWYCH. Józef Boksa. Badanie zjawisk nieliniowych w układach analogowych LABORATORIUM Z UKŁADÓW ANALOGOWYCH Józef Boksa Badanie zjawisk nieliniowych w układach analogowych SPIS TREŚCI. Cel ćwiczenia 3 2. Schemat blokowy układu pomiarowego 3 3. Schemat ideowy badanego układu

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM Z UKŁADÓW ANALOGOWYCH. Józef Boksa. Mieszacze częstotliwości jako analogowe układy mnożące SPIS TREŚCI

LABORATORIUM Z UKŁADÓW ANALOGOWYCH. Józef Boksa. Mieszacze częstotliwości jako analogowe układy mnożące SPIS TREŚCI SPIS TREŚCI LABORATORIUM Z UKŁADÓW ANALOGOWYCH Józef Boksa. Cel ćwiczenia 3. Schemat blokowy układu pomiarowego 3 3. Schemat ideowy badanego układu 3 4. Wybrane własności badanego układu 5 4.. Wprowadzenie

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych

Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego (USZ) na pracę wzmacniacza operacyjnego WYMAGANIA: 1. Klasyfikacja sprzężeń zwrotnych. 2. Wpływ sprzężenia zwrotnego

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Instytut Fizyki ul Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 5 Pracownia Elektroniki Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: wzmacniacz operacyjny,

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213448 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386136 (51) Int.Cl. H03H 11/16 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.09.2008

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE WZMACNIACZE RÓŻNICOWE 1. WSTĘP Wzmacniacz różnicowy działa na zasadzie układu mostkowego składającego się z dwóch tranzystorów. Układ taki już od dawna znany był w technice pomiarowej. Z chwilą pojawienia

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który

Bardziej szczegółowo

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0, Bierne obwody RC. Filtr dolnoprzepustowy. Filtr dolnoprzepustowy jest układem przenoszącym sygnały o małej częstotliwości bez zmian, a powodującym tłumienie i opóźnienie fazy sygnałów o większych częstotliwościach.

Bardziej szczegółowo

Pomiar parametrów roboczych wzmacniaczy OE, OB i OC. Wzmacniacza OC. Wzmacniacz OE. Wzmacniacz OB

Pomiar parametrów roboczych wzmacniaczy OE, OB i OC. Wzmacniacza OC. Wzmacniacz OE. Wzmacniacz OB WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima 2010 L ABOATOIM KŁADÓW ANALOOWYCH rupa:... Data konania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:... Nazwisko:......... Data oddania sprawozdania: Podpis:...

Bardziej szczegółowo

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym

Bardziej szczegółowo

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.

Bardziej szczegółowo

Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego

Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego POLIECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGEYKI INSYU MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGEYCZNYCH LABORAORIUM ELEKRYCZNE Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego (E 1) Opracował: Dr inż. Włodzimierz

Bardziej szczegółowo

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia ĆWICZENIE 12 BADANIE STABILIZATORÓW NAPIĘCIA STAŁEGO 12.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania, budowy oraz podstawowych właściwości różnych typów stabilizatorów półprzewodnikowych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI

I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 0 Cel ćwiczenia: Poznanie cech wzmacniaczy operacyjnych oraz charakterystyk opisujących wzmacniacz poprzez przeprowadzenie pomiarów dla wzmacniacza odwracającego. Program ćwiczenia. Identyfikacja

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze różnicowe

Wzmacniacze różnicowe Wzmacniacze różnicowe 1. Cel ćwiczenia : Zapoznanie się z podstawowymi układami wzmacniaczy różnicowych zbudowanych z wykorzystaniem wzmacniaczy operacyjnych. 2. Wprowadzenie Wzmacniacze różnicowe są naj

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 1 ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 14.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest pomiar wybranych charakterystyk i parametrów określających podstawowe właściwości statyczne i dynamiczne

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 3 Wzmacniacz operacyjny Grupa 6 Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania

Bardziej szczegółowo

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład... Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

WSTĘP DO ELEKTRONIKI WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część VI Sprzężenie zwrotne Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny w układach z ujemnym i dodatnim sprzężeniem zwrotnym Janusz Brzychczyk IF UJ Sprzężenie zwrotne Sprzężeniem

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe własności tranzystorowego układu różnicowego. Ten elementarny układ jest jednym z najbardziej rozpowszechnionych we współczesnej elektronice,

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji. Badanie wzmacniaczy i mieszaczy

POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji. Badanie wzmacniaczy i mieszaczy POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji LABORATORIUM TECHNIKI ODBIORU RADIOWEGO Ćwiczenie 1 Badanie wzmacniaczy i mieszaczy (materiały pomocnicze i instrukcja do ćwiczenia)

Bardziej szczegółowo

Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1.

Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Mieszacze Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Rysunek 1: Najprostszy mieszacz diodowy Elementem

Bardziej szczegółowo

Uśrednianie napięć zakłóconych

Uśrednianie napięć zakłóconych Politechnika Rzeszowska Katedra Metrologii i Systemów Diagnostycznych Laboratorium Miernictwa Elektronicznego Uśrednianie napięć zakłóconych Grupa Nr ćwicz. 5 1... kierownik 2... 3... 4... Data Ocena I.

Bardziej szczegółowo

TEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM

TEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM TEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM AKADEMIA MORSKA Katedra Telekomunikacji Morskiej ĆWICZENIE 4 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK CZĘSTOTLIWOŚCIOWYCH UKŁADÓW RLC. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest doświadczalne

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY Białystok

Bardziej szczegółowo

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3,4. Analiza widmowa sygnałów czasowych: sinus, trójkąt, prostokąt, szum biały i szum różowy

Ćwiczenie 3,4. Analiza widmowa sygnałów czasowych: sinus, trójkąt, prostokąt, szum biały i szum różowy Ćwiczenie 3,4. Analiza widmowa sygnałów czasowych: sinus, trójkąt, prostokąt, szum biały i szum różowy Grupa: wtorek 18:3 Tomasz Niedziela I. CZĘŚĆ ĆWICZENIA 1. Cel i przebieg ćwiczenia. Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI 2

POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI 2 Cel ćwiczenia: Praktyczne poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy operacyjnych oraz ich możliwości i ograniczeń. Wyznaczenie charakterystyki amplitudowo-częstotliwościowej wzmacniacza operacyjnego.

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

Analiza właściwości filtra selektywnego

Analiza właściwości filtra selektywnego Ćwiczenie 2 Analiza właściwości filtra selektywnego Program ćwiczenia. Zapoznanie się z przykładową strukturą filtra selektywnego 2 rzędu i zakresami jego parametrów. 2. Analiza widma sygnału prostokątnego..

Bardziej szczegółowo

1 Układy wzmacniaczy operacyjnych

1 Układy wzmacniaczy operacyjnych 1 Układy wzmacniaczy operacyjnych Wzmacniacz operacyjny jest elementarnym układem przetwarzającym sygnały analogowe. Stanowi blok funkcjonalny powszechnie stosowany w układach wstępnego przetwarzania i

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1 Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie

Bardziej szczegółowo

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 1 OBSŁUGA GENERATORA I OSCYLOSKOPU. WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI AMPLITUDOWEJ I FAZOWEJ NA PRZYKŁADZIE FILTRU RC.

Ćwiczenie - 1 OBSŁUGA GENERATORA I OSCYLOSKOPU. WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI AMPLITUDOWEJ I FAZOWEJ NA PRZYKŁADZIE FILTRU RC. Ćwiczenie - 1 OBSŁUGA GENERATORA I OSCYLOSKOPU. WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI AMPLITUDOWEJ I FAZOWEJ NA PRZYKŁADZIE FILTRU RC. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Charakterystyki częstotliwościowe..........................

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) I. Zakres ćwiczenia 1. Zastosowanie diod i wzmacniacza operacyjnego µa741 w następujących układach nieliniowych: a) generator funkcyjny b) wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i utomatyki 1. Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 2 OBWODY NIELINIOWE PRĄDU

Bardziej szczegółowo

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE

PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE LABORATORIM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia 5 Nazwisko i imię Data wykonania. ćwiczenia. Prowadzący ćwiczenie Podpis Ocena sprawozdania

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo