Politechnika Białostocka

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Politechnika Białostocka"

Transkrypt

1 Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C TRANZYSTORY JAKO ELEMENTY DWUSTANOWE BIAŁYSTOK 2013

2 WSTĘP Elementy konawcze układów elektronicznych są zkle zakończeniem toru sygnałowego tych układów. Elementy te zgodnie z sygnałem elektrycznym powodują zmiany wielości fizycznych ( położenie, prędkość, temperatury, ciśnienia jasności itd.). W niektórych zastosowaniach maga się płynnej zmiany tych wielkości. Związane to jest ze zmianą przepływu energii (płynna regulacja mocy dostarczanej do obciążenia) W innych przypadkach starczy włączenie i łączenie przepływu energii. Rozróżniamy dwa rodzaje sterowania: 1. Sterowanie ciągłe, w których sygnał przyjmuje wartości ciągłe w pewnym zakresie amplitud (regulacja prędkości obrotowej, temperatury itp.). 2. Sterowanie dwustanowe typu włącz łącz służące do włączania i łączania: przekaźników, silniczków prądu stałego, elektrozaworów, lampek sygnalizacyjnych itp. Przykłady takiego sterowania zostały zamieszczone na rysunkach 1 a,b,c. 3. Sterowanie metodą PWM Podstawową wadą klasycznego sterowania mocą dostarczaną do obciążenia jest niska sprawność (znaczna część mocy jest tracona na elemencie regulacyjnym). Uz Uz Termometr Układ termometra kontakto Silnik wentylatora M Elektrozawór Rb Układ sterowania Rb NAND TTL a) b)

3 + 5V Rc 220 V Optotriak z komputera Rb L / H c) Rys. 1. Przykłady jść dwustanoch układów automatyki. Jak widać na poższych przykładach przy sterowaniu dwustanom elementami konawczymi są zkle tranzystory. Tranzystory te w tych układach pełnią rolę klucza (przełącznika) zwierającego lub rozłączającego obwód, w którym znajduje się element konawczy. Tranzystory te powinny trzymywać maksymalne prądy i napięcia odpowiednio dobrane ze względu na rodzaj i wielkość obciążenia. Dlatego też są to najczęściej tranzystory średniej i dużej mocy. W odróżnieniu od zastosowania tranzystorów we wzmacniaczach, gdzie punkt pracy dobiera się w obszarze aktywnej pracy tranzystora, przy pracy dwustanowej tranzystor może znajdować się tylko w dwóch stanach: nasycenia i zatkania, przy możliwie krótkim czasie przełączania z jednego stanu do drugiego. A stan nasycenia B stan zatkania Rys. 2. Charakterystyka jściowa tranzystora bipolarnego z naniesioną prostą obciążenia.

4 Sterowanie tranzystorem odbywa się w obwodzie bazy również sygnałem dwustanom małej mocy np. sygnałem cyfrom z układu logicznego, z komputera poprzez transoptor, mikrołącznikiem lub z komparatora. W celu prawidłowego sterowania obwodu bazy (pewnego wprowadzenia tranzystora w stan zatkania lub nasycenia należy uwzględnić własności elektryczne jścia elementu twarzającego sygnał sterujący. Dla przykładu jście układu logicznego może znajdować się w stanie sokim ( H ) lub niskim ( L ). Dla układów serii TTL wartości typowe: w stanie H U WYJ 3,5 V przy prądzie pływającym I OH 4 ma, w stanie L U WYJ 0,2 V przy prądzie pochłanianym 10 ma. Dla układów innych serii należy przeanalizować charakterystyki jściowe tych układów. Dla mikrołączników należy przyjąć prąd znacznie mniejszy od dopuszczalnego, co zapewni dużą niezawodność tych elementów. Przykłady projektowania będą rozważone podczas ćwiczeń. Sterowanie dwustanowe tranzystorem stosuje się również przy modulacji szerokości impulsów (PWM), w celu regulacji średniej mocy dostarczanej do obciążenia. Sterowanie PWM polega na tym, że tranzystor jest otwierany impulsami o dość dużej częstotliwości o zmiennej regulowanej szerokości. Regulując stosunek czasu przewodzenia do całego okresu, (współczynnik pełnienia impulsów), można regulować średnią moc od zera do wartości maksymalnej. Do tworzenia takich sygnałów sterujących używa się specjalizowanych układów scalonych (np. TL494). Niektóre mikroprocesory mają w swojej strukturze programowalne jście PWM. Zaletą PWM jest soka sprawność układu i mała moc tracona na tranzystorze przy zachowaniu dużych prądów i napięć. Uwaga: Jeżeli obciążenie ma charakter indukcyjny (przekaźnik, silniki, elektrozawory) magana jest dioda zwrotna zapobiegająca przepięciom na kolektorze tranzystora. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest porównanie sterowania ciągłego mocą dostarczaną do obciążenia ze sterowaniem metodą PWM. OBSERWACJE I POMIARY Ćwiczenie będzie konywane na przygotowanej makiecie: Makieta zawiera zaciski śrubowe do podłączenia tranzystora mocy w obudowie TO-220 lub podobnej. Na makiecie znajduje się również : Generator PWM i pokrętła do regulacji częstotliwości i pełnienia.

5 Trzy wzmacniacze (bufory)do sterowania bazą tranzystora mocy. Makieta ma autonomiczny zasilacz siecio do zasilania generatora i buforów. Uwaga: Do zasilania obciążenia potrzebny będzie zewnętrzny zasilacz sokoprądo (min 2A 12-30V regulowany). Pierwszej części ćwiczenia potrzebny będzie zasilacz regulowany mogący pracować jako źródło prądu o regulowanym prądzie min. 1mA. TRANZYSTORY W UKŁADACH DWUSTANOWYCH +Ucc GEN TL494 we DRIVER MC34151 we 6x1/ DZ1 DZ2 F 4A OBC DZ3 10k 1k D f we T1 R B C E T3 G D S U 5Ω PWM T2-5V 25Ω 100Ω 0,1Ω I PRZEBIEG ĆWICZENIA A. Sterowanie metodą regulacji ciągłej Do zacisku +Vcc podłączamy zewnętrzny zasilacz ( z wewnętrznym odczytem prądu ) lub włączamy w szereg amperomierz na zakresie 2A. Do zacisków śruboch OBC podłączamy obciążenie: np. żarówkę samochodową 12V 10 W, lub silniczek DC 12V. Można również użyć rezystora dużej mocy. Ze względu na dzielanie się pewnej mocy na tranzystorze do tranzystora zaleca się przykręcenie niewielkiego radiatora.

6 Obwód bazy będzie zasilany z dodatkowego zasilacza małej mocy z regulacją prądu. W tym celu podłączamy zasilacz poprzez dobrany opornik (wkręcony do zacisku śrubowego R do bazy tranzystora). DZ1 DZ2 +Ucc OBC A + - ZASILACZ 12V F 4A 10k DZ3 1k ZASILACZ 12V + - R V B C E T3 G D S U 0,1Ω I Od wartości rezystora R i napięcia zasilacza pomocniczego zależeć będzie prąd bazy i tym samym prąd kolektora. Rezystor R dobieramy wg następującej zasady: Szacujemy maksymalny prąd obciążenia (z mocy żarówki, silnika, rezystancji opornika, będącego obciążeniem). Przyjmujemy β tranzystora mocy , obliczamy potrzebny prąd bazy. Przyjmując początkowe ustawienie zasilacza bazowego na 6V (tak aby można było regulować w górę i w dół), obliczamy potrzebną wartość rezystora R (nie zapomnieć o U BE = 0.7V). Podkręcamy rezystor do zacisków śruboch R. Poprzez regulację napięcia zasilacza zmieniamy prąd bazy od minimalnych wartości aż do uzyskania nasycenia w obwodzie kolektora (jak to poznać?). Zapisujemy wartości prądu bazy I B, kolektora I C i napięcia U CE. Prąd bazy najlepiej odczytywać na wewnętrznym wskaźniku poboru prądu zasilacza. Na podstawie zapisanych pomiarów należy określić:

7 Zależność mocy dzielonej na tranzystorze od sterowania (I B ). Zależność mocy dostarczonej do obciążenia od sterowania (I B ). Zależność sprawności przekazywania energii z zasilacza głównego do obciążenia od sterowania (I B ). (Prąd żarówki odczytać z amperomierza w zasilaczu). Zależność prądu kolektora od prądu bazy. Na kresie pokazać miejsce wejścia tranzystora w nasycenie. Określić β tranzystora w obszarze aktywnym(jeżeli β nie jest stałe to dlaczego?). Określić moc, przy pracy dwustanowej (P nas ; P zat ). Sformułować wnioski. B. Sterowanie metodą PWM 1. Zamiast zasilacza bazowego do bazy podłączyć układ generatora PWM poprzez dowolny bufor i rezystor R a) Regulując potencjometrem w zadajniku PWM obserwować zmiany w świeceniu lampki. b) Zaobserwować i przerysować z oscyloskopu przebiegi napięcia sterującego i napięcia na kolektorze. Określić czasy narastania i opadania napięcia na kolektorze. c) Zamiast lampki podłączyć mały silniczek prądu stałego (nie zapomnieć o diodzie zwrotnej) i regulować prędkość obrotową. d) Sprawdzić czy tranzystor mocno się nagrzewa i porównać z nagrzewaniem się przy pracy ciągłej. Wymagania BHP Warunkiem przystąpienia do praktycznej realizacji ćwiczenia jest zapoznanie się z instrukcją BHP, obowiązującą w laboratorium, oraz przestrzeganie zasad w niej zawartych. Zagadnienia: 1. Przy jakim sterowaniu na tranzystorze dziela się największa moc? 2. Jak poznać że tranzystor jest w nasyceniu? 3. Dlaczego ze wzrostem częstotliwości PWM tranzystor, będzie coraz bardziej się nagrzewać? 4. Dlaczego jeśli obciążeniem jest silniczek DC konieczna jest dioda zwrotna 5. Jakie zalety ma sterowanie PWM w stosunku do regulacji ciągłej?

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 TRANZYSTORY JAKO ELEMENTY DWUSTANOWE BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki

Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki Laboratorium Wytwarzania energii elektrycznej Temat ćwiczenia: Badanie alternatora 52 BADANIE CHARAKTERYSTYK EKSPLOATACYJNYCH ALTERNATORÓW SAMO- CHODOWYCH

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 UKŁADY CZASOWE Białystok 2015 1. Cele ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW Pracownia Układów Elektronicznych i Przetwarzania ELEKTRONICZNE SYSTEMY POMIAROWE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami wartości parametrów stabilizatorów parametrycznych

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA 1. Lutowanie lutowania ołowiowe i bezołowiowe, przebieg lutowania automatycznego (strefy grzania i przebiegi temperatur), narzędzia

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITEHNIKA BIAŁOSTOKA WYDZIAŁ ELEKTRYZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 5. Wzmacniacze mocy Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy AD w elektronice TS1422 380 Opracował:

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h) ĆWCZENE LORTORYJNE TEMT: znaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h) 1. WPROWDZENE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawoch

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Proste układy wykonawcze

Proste układy wykonawcze Proste układy wykonawcze sterowanie przekaźnikami, tyrystorami i małymi silnikami elektrycznymi Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład... Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie do programu MultiSIM

Wprowadzenie do programu MultiSIM Ćw. 1 Wprowadzenie do programu MultiSIM 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM służącym do symulacji działania układów elektronicznych. Jednocześnie zbadane zostaną podstawowe

Bardziej szczegółowo

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 2. Układy zasilania tranzystorów. Źródła prądowe. Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Badanie przerzutników astabilnych i monostabilnych

Badanie przerzutników astabilnych i monostabilnych Badanie przerzutników astabilnych i monostabilnych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest przeprowadzenie badania podstawowych układów przerzutników astabilnych, bistabilnych i monostabilnych. 2. Przebieg

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę. WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z jednym

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński

Laboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Laboratorium Podstaw Elektroniki Badanie przekształtnika obniżającego napięcie Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Zakład Gospodarki Energetycznej, Katedra Podstaw Inżynierii.Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami

Bardziej szczegółowo

SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC

SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC Własności Driver dwóch silników DC Zasilanie: 6 30V DC Prąd ciągły (dla jednego silnika): do 7A (bez radiatora) Prąd ciągły (dla jednego silnika): do

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział

Bardziej szczegółowo

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek

Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek Treść zadania praktycznego Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek Opracuj projekt realizacji prac związanych z uruchomieniem i sprawdzeniem działania zasilacza impulsowego małej mocy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Projektowanie i produkcja urządzeń elektronicznych

Projektowanie i produkcja urządzeń elektronicznych Projektowanie i produkcja urządzeń elektronicznych AMBM M.Kłoniecki, A.Słowik s.c. 01-866 Warszawa ul.podczaszyńskiego 31/7 tel./fax (22) 834-00-24, tel. (22) 864-23-46 www.ambm.pl e-mail:ambm@ambm.pl

Bardziej szczegółowo

Badanie obwodów z prostownikami sterowanymi

Badanie obwodów z prostownikami sterowanymi Ćwiczenie nr 9 Badanie obwodów z prostownikami sterowanymi 1. Cel ćwiczenia Poznanie układów połączeń prostowników sterowanych; prostowanie jedno- i dwupołówkowe; praca tyrystora przy obciążeniu rezystancyjnym,

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych KLUCZ TRANZYSTOROWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia jest badanie elementarnych układów przełączających (kluczy). Przeprowadza się pomiary i obserwacje przebiegów czasowych w układach podstawowych: tranzystorowym

Bardziej szczegółowo

1 Badanie aplikacji timera 555

1 Badanie aplikacji timera 555 1 Badanie aplikacji timera 555 Celem ćwiczenia jest zapoznanie studenta z podstawowymi aplikacjami układu 555 oraz jego działaniem i właściwościami. Do badania wybrane zostały trzy podstawowe aplikacje

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 UKŁADY UZALEŻNIEŃ CZASOWYCH Białystok 2014

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0 LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..

Bardziej szczegółowo

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM słuŝącym do symulacji działania układów elektronicznych. Jednocześnie zbadane zostaną podstawowe

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 4

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 4 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 4 1/6 Komparator, wyłącznik zmierzchowy Zadaniem jest przebadanie zachowania komparatora w układach z dodatnim sprzężeniem zwrotnym i bez sprzężenia

Bardziej szczegółowo

3. Funktory CMOS cz.1

3. Funktory CMOS cz.1 3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście

Bardziej szczegółowo

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Spis treści Informacje podstawowe...2 Pomiar napięcia...3 Pomiar prądu...5 Pomiar rezystancji...6 Pomiar pojemności...6 Wartość skuteczna i średnia...7

Bardziej szczegółowo

Katedra Energetyki. Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Katedra Energetyki. Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki 1 Katedra Energetyki Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Temat ćwiczenia: POMIARY PODSTAWOWYCH WIELKOŚCI ELEKTRYCZNYCH W OBWODACH PRĄDU STAŁEGO (obwód 3 oczkowy) 2 1. POMIARY PRĄDÓW I NAPIĘĆ

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory sygnału prostokątnego Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Zasada działania, schemat i zastosowania tranzystorowego multiwibratora

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz. 1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.

Bardziej szczegółowo

SILNIK INDUKCYJNY STEROWANY Z WEKTOROWEGO FALOWNIKA NAPIĘCIA

SILNIK INDUKCYJNY STEROWANY Z WEKTOROWEGO FALOWNIKA NAPIĘCIA SILNIK INDUKCYJNY STEROWANY Z WEKTOROWEGO FALOWNIKA NAPIĘCIA Rys.1. Podział metod sterowania częstotliwościowego silników indukcyjnych klatkowych Instrukcja 1. Układ pomiarowy. Dane maszyn: Silnik asynchroniczny:

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 16. Temat: Wzmacniacz w układzie Darlingtona. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 16. Temat: Wzmacniacz w układzie Darlingtona. Cel ćwiczenia Temat: Wzmacniacz w układzie Darlingtona. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 16 1. Poznanie zasady pracy układu Darlingtona. 2. Pomiar parametrów układu Darlingtona i użycie go w różnych aplikacjach sterowania. INSTRUKCJA

Bardziej szczegółowo

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS 1 Tranzystor MOS Podczas bierzącego ćwiczenia omówiony zostanie sposób działania tranzystora polowego nmos, zbadane zostaną podstawowe charakterystyki tranzystora, oraz szybkość jego działania. Przed przystąpieniem

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 8. Badanie zasilaczy i stabilizatorów napięcia stałego.

Ćwiczenie 8. Badanie zasilaczy i stabilizatorów napięcia stałego. Ćwiczenie 8 Badanie ilaczy i stabilizatorów napięcia stałego. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z własnościami i podstawomi parametrami układów ilaczy i stabilizatorów napięcia stałego.

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE WZMACNIACZE RÓŻNICOWE 1. WSTĘP Wzmacniacz różnicowy działa na zasadzie układu mostkowego składającego się z dwóch tranzystorów. Układ taki już od dawna znany był w technice pomiarowej. Z chwilą pojawienia

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

Zespół B-D Elektrotechniki

Zespół B-D Elektrotechniki Zespół B-D Elektrotechniki Laboratorium Elektrotechniki i Elektroniki Samochodowej Temat ćwiczenia: BADANIE ALTERNATORA Opracowanie: dr hab. inż. S. DUER 1 5.1. Stanowisko laboratoryjne do badania alternatora

Bardziej szczegółowo

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym 1. Cel ćwiczenia Generatory kwarcowe Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zagadnieniami dotyczącymi generacji przebiegów sinusoidalnych w podstawowych strukturach generatorów kwarcowych. Ponadto ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) UKŁADY CZASOWE Białystok 2014 1. Cele

Bardziej szczegółowo

Rysunek 2 [1] Rysunek 3

Rysunek 2 [1] Rysunek 3 UJARZMIĆ HURAGAN Gdy tylko słupek rtęci podskoczy zbyt wysoko, wielu z nas sięga po wentylatory. TakŜe w wypadku pewnych podzespołów elektronicznych, takich jak np. wzmacniacze mocy czy stabilizatory,

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck

Bardziej szczegółowo

PRZED PRZYSTĄPIENIEM DO ZAJĘĆ PROSZĘ O BARDZO DOKŁADNE

PRZED PRZYSTĄPIENIEM DO ZAJĘĆ PROSZĘ O BARDZO DOKŁADNE ĆWICZENIE 1) UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE OPARTE NA ELEMENTACH STYKOWYCH PRZED PRZYSTĄPIENIEM DO ZAJĘĆ PROSZĘ O BARDZO DOKŁADNE ZAPOZNANIE SIĘ Z TREŚCIĄ INSTRUKCJI CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest poznanie:

Bardziej szczegółowo

PRZED PRZYSTĄPIENIEM DO ZAJĘĆ PROSZĘ O BARDZO DOKŁADNE

PRZED PRZYSTĄPIENIEM DO ZAJĘĆ PROSZĘ O BARDZO DOKŁADNE ĆWICZENIE 1) UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE OPARTE NA ELEMENTACH STYKOWYCH PRZED PRZYSTĄPIENIEM DO ZAJĘĆ PROSZĘ O BARDZO DOKŁADNE ZAPOZNANIE SIĘ Z TREŚCIĄ INSTRUKCJI CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest poznanie:

Bardziej szczegółowo