Analogowy układ mnożący
|
|
- Gabriela Jankowska
- 4 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 PUAV Wykład 12
2 Pomiar mocy: P = V I R I V 2 = IR Pomiar poboru mocy: V V 1 V 1 V 2 = VIR Odb. Pomiar kwadratu amplitudy sygnału (np. szumów): v n v n v n v n 2
3 Inne operacje nieliniowe na sygnałach Dzielenie V 2 VweB V 1 V 2 R V 1 VweA R + ku Vwy
4 Inne operacje nieliniowe na sygnałach Dzielenie V web V wy V 2 VweB V 1 V 2 R V 1 VweA R + ku Vwy
5 Inne operacje nieliniowe na sygnałach Dzielenie V web V wy V 2 VweB V 1 V 2 R V 1 VweA R V wea = V web V wy + ku Vwy
6 Inne operacje nieliniowe na sygnałach Dzielenie V web V wy V 2 VweB V 1 V 2 R V 1 VweA R V wea = V web V wy + ku Vwy V wy = V wea V web
7 Inne operacje nieliniowe na sygnałach Dzielenie Pierwiastek V web V wy V 2 VweB V 2 V 1 V 2 V 1 V 2 R V 1 R V 1 VweA R Vwe R V wea = V web V wy + ku Vwy + ku Vwy V wy = V wea V web
8 Inne operacje nieliniowe na sygnałach Dzielenie Pierwiastek V web V wy V 2 VweB 2 V wy V 2 V 1 V 2 V 1 V 2 R V 1 R V 1 VweA R Vwe R V wea = V web V wy + ku Vwy + ku Vwy V wy = V wea V web
9 Inne operacje nieliniowe na sygnałach Dzielenie Pierwiastek V web V wy V 2 VweB 2 V wy V 2 V 1 V 2 V 1 V 2 R V 1 R V 1 VweA R Vwe R V wea = V web V wy + ku Vwy 2 V we = V wy + ku Vwy V wy = V wea V web
10 Inne operacje nieliniowe na sygnałach Dzielenie Pierwiastek V web V wy V 2 VweB 2 V wy V 2 V 1 V 2 V 1 V 2 R V 1 R V 1 VweA R Vwe R V wea = V web V wy + ku Vwy 2 V we = V wy + ku Vwy V wy = V wea V web V wy = V we
11 Modulacja amplitudy ( ) v zm = v n + v m sin ω m t sin( ω n t) v zm v m t v n
12 Modulacja amplitudy ( ) v zm = v n + v m sin ω m t v zm sin( ω n t) = v n sin ω n t ( ) + v m sin( ω m t)sin ω n t v n ( ) v m v n t
13 Modulacja amplitudy ( ) v zm = v n + v m sin ω m t v zm sin( ω n t) = v n sin ω n t ( ) + v m sin( ω m t)sin ω n t v n ( ) v m v n t sin( ω n t) + v m v n sin ω m t ( ) v m v n sin ω m t ( )sin ω n t ( )
14 v zm = v n + v m sin ω m t ( ) sin( ω n t) Przemiana częstotliwości v zm v m t v n
15 v zm = v n + v m sin ω m t ( ) sin( ω n t) Przemiana częstotliwości v lo sin( ω lo t) v zm v m t v n
16 Przemiana częstotliwości ( ) v zm = v n + v m sin ω m t v zm sin( ω n t) v lo sin( ω lo t) v m ( ) = v lo 2 v + v sin ω t n m m * { } cos ( ω n ω lo )t cos ( ω n + ω lo )t v n t
17 Przemiana częstotliwości ( ) v zm = v n + v m sin ω m t v zm sin( ω n t) v lo sin( ω lo t) v m ( ) = v lo 2 v + v sin ω t n m m * { } cos ( ω n ω lo )t cos ( ω n + ω lo )t v n t Po odfiltrowaniu sygnału o częstotliwości ω n + ω lo
18 Przemiana częstotliwości ( ) v zm = v n + v m sin ω m t v zm sin( ω n t) v lo sin( ω lo t) v m ( ) = v lo 2 v + v sin ω t n m m * { } cos ( ω n ω lo )t cos ( ω n + ω lo )t v n t Po odfiltrowaniu sygnału o częstotliwości ω n + ω lo ( ) v n + v m sin ω m t sin( ω n t) Osc. lok. v lo sin( ω lo t) v lo ( ) 2 v n + v m sin ω m t * cos ( ω n ω lo )t
19 v n + v m sin( ω m t) cos ( ω n ω lo )t Demodulacja AM
20 Demodulacja AM v n + v m sin( ω m t) cos ( ω n ω lo )t cos ( ω n ω lo )t
21 Demodulacja AM v n + v m sin( ω m t) cos ( ω n ω lo )t cos ( ω n ω lo )t = v n + v m sin( ω m t) * { } 1+ cos 2( ω n ω lo )t 2
22 Demodulacja AM v n + v m sin( ω m t) cos ( ω n ω lo )t cos ( ω n ω lo )t = v n + v m sin( ω m t) * { } 1+ cos 2( ω n ω lo )t 2 Po odfiltrowaniu sygnału o częstotliwości i usunięciu składowej stałej 2( ω n ω lo )
23 Demodulacja AM v n + v m sin( ω m t) cos ( ω n ω lo )t cos ( ω n ω lo )t = v n + v m sin( ω m t) * { } 1+ cos 2( ω n ω lo )t 2 Po odfiltrowaniu sygnału o częstotliwości i usunięciu składowej stałej 2( ω n ω lo ) v n + v m sin( ω m t) cos ( ω n ω lo )t ku Ogr. ampl. cos ( ω n ω lo )t v n + v m sin( ω m t)
24 Detekcja różnicy faz i demodulacja FM
25 sin ( ωt )sin ωt +ϕ π 2 Detekcja różnicy faz i demodulacja FM = 1 2 sin ϕ ( ) sin( 2ωt +ϕ) ; sin ϕ ( ) ϕ dla małych kątów φ
26 sin ( ωt )sin ωt +ϕ π 2 Detekcja różnicy faz i demodulacja FM = 1 2 sin ϕ ygnał sinusoidalny o fazie modulowanej sinusoidalnie ( ) sin( 2ωt +ϕ) ; sin ϕ ( ) ϕ dla małych kątów φ
27 sin ( ωt )sin ωt +ϕ π 2 Detekcja różnicy faz i demodulacja FM = 1 2 sin ϕ ygnał sinusoidalny o fazie modulowanej sinusoidalnie ( ) sin( 2ωt +ϕ) ; sin ϕ ( ) ϕ dla małych kątów φ Po odfiltrowaniu sygnału o częstotliwości 2ω
28 sin ( ωt )sin ωt +ϕ π 2 Detekcja różnicy faz i demodulacja FM = 1 2 sin ϕ ( ) sin( 2ωt +ϕ) ; sin ϕ ( ) ϕ dla małych kątów φ ygnał sinusoidalny o fazie modulowanej sinusoidalnie sin( ωt) sin( ωt +ϕ) Przes. fazy sin ωt +ϕ π 2 sin( ϕ) Po odfiltrowaniu sygnału o częstotliwości 2ω
29 sin ( ωt )sin ωt +ϕ π 2 Detekcja różnicy faz i demodulacja FM = 1 2 sin ϕ ( ) sin( 2ωt +ϕ) ; sin ϕ ( ) ϕ dla małych kątów φ ygnał sinusoidalny o fazie modulowanej sinusoidalnie sin( ωt) sin( ωt +ϕ) Przes. fazy sin ωt +ϕ π 2 sin( ϕ) Po odfiltrowaniu sygnału o częstotliwości 2ω sin ω ( t)t ϕ ( ω ω n ) sin ω n t +ϕ ω t Przes. fazy ( ) ω n { } sin ϕ ω t ( ) ω n { }
30 Zasady budowy: idea Idea: sygnał wejściowy 1 jest wzmacniany przez wzmacniacz, którego wzmocnienie jest modulowane sygnałem 2.
31 Zasady budowy: idea Idea: sygnał wejściowy 1 jest wzmacniany przez wzmacniacz, którego wzmocnienie jest modulowane sygnałem 2. Przykład z tr. bipolarnymi: RL VCC RL Vwy RW Vwe1 I Vwe2 VBE
32 Zasady budowy: idea Idea: sygnał wejściowy 1 jest wzmacniany przez wzmacniacz, którego wzmocnienie jest modulowane sygnałem 2. Przykład z tr. bipolarnymi: RW Vwe1 RL VCC Vwy I RL I = V V we2 BE R W qi V wy = V we1 2kT R = V V L we1 we2, stąd (dla Vwe1 < kt/q) q 2kT R L R W V we1 V BE q 2kT R L R W Vwe2 VBE
33 Zasady budowy: idea Idea: sygnał wejściowy 1 jest wzmacniany przez wzmacniacz, którego wzmocnienie jest modulowane sygnałem 2. Przykład z tr. bipolarnymi: RW Vwe1 RL VCC Vwy I RL I = V V we2 BE R W qi V wy = V we1 2kT R = V V L we1 we2, stąd (dla Vwe1 < kt/q) q 2kT R L R W V we1 V BE q 2kT R L R W Vwe2 VBE Ograniczenia: mała amplituda sygnału V we1, sygnał V we2 tylko dodatni, na wyjściu dodatkowa składowa niezupełnie stała, nie dla CMO.
34 Zasady budowy: podejście ogólne
35 Zasady budowy: podejście ogólne vwe1 + gm1 iwy = k1vwe1vwe2+k2vwe1 vwe2 + gm2 I2+i2 W sygnale wyjściowym oprócz składowej proporcjonalnej do iloczynu napięć wejściowych występuje też składowa proporcjonalna do jednego z napięć
36 Zasady budowy: podejście ogólne vwe2 vwe1 + gm2 + gm1 iwy = k1vwe1vwe2+k2vwe1 I2+i2 W sygnale wyjściowym oprócz składowej proporcjonalnej do iloczynu napięć wejściowych występuje też składowa proporcjonalna do jednego z napięć vwe2 vwe1 + + gm1 + gm2 + gm2 I2+i2 I2-i2 iwy = k1vwe1vwe2 kładową proporcjonalną do jednego z napięć można wyeliminować w układzie różnicowym
37 Bipolarny układ Gilberta VCC RL Vwy RL V wy = IR L th qv we1 2kT th qv we2 2kT Vwe1 Vwe2 I
38 Bipolarny układ Gilberta VCC RL Vwy RL V wy = IR L th qv we1 2kT th qv we2 2kT Vwe1 Dla Vwe1<kT/q i Vwe2<kT/q Vwe2 V wy IR L 4 kt q 2 V we1 V we2 I
39 Bipolarny układ Gilberta VCC RL Vwy RL V wy = IR L th qv we1 2kT th qv we2 2kT Vwe1 Dla Vwe1<kT/q i Vwe2<kT/q Vwe2 V wy IR L 4 kt q 2 V we1 V we2 I Nie ma składnika zależnego tylko od jednego napięcia, ale charakterystyki są liniowe tylko dla małych napięć wejściowych
40 Bipolarny układ Gilberta Aby uzyskać układ mnożący dokładnie sygnały o dużej amplitudzie, stosuje się układ generujący funkcję odwrotną do tangensa hiperbolicznego
41 Bipolarny układ Gilberta Aby uzyskać układ mnożący dokładnie sygnały o dużej amplitudzie, stosuje się układ generujący funkcję odwrotną do tangensa hiperbolicznego Przypomnienie: ar th( x) = x ln 1 x
42 Bipolarny układ Gilberta Aby uzyskać układ mnożący dokładnie sygnały o dużej amplitudzie, stosuje się układ generujący funkcję odwrotną do tangensa hiperbolicznego Przypomnienie: VCC R ar th( x) = x ln 1 x ΔV I + ΔI ΔV = 2kT q ΔI ar th I I ΔI
43 Przypomnienie: wzmacniacz różnicowy CMO VDD RL RL V1 M1 I D1 I D2 M2 V2 VD VA VD I VB M3
44 Przypomnienie: wzmacniacz różnicowy CMO RL VDD RL Przypomnienie: wzmacniacz różnicowy CMO ma liniową charakterystykę przejściową w takim zakresie, w jakim tranzystory pozostają w stanie nasycenia V1 M1 I D1 I D2 M2 V2 VD VA VD I VB M3
45 Przypomnienie: wzmacniacz różnicowy CMO RL VDD RL Przypomnienie: wzmacniacz różnicowy CMO ma liniową charakterystykę przejściową w takim zakresie, w jakim tranzystory pozostają w stanie nasycenia V1 M1 I D1 I D2 M2 V2 VD VD VA VB I M3 I D2 I D1 = V 2 V 1 ( ) R L µc ox W L I
46 Praktyczny układ CMO VDD Vwe3 Vwe4 I wy1 Vwe1 I Vwe2 I wy2 I wy = I wy1 I wy2 = ( )( V we3 V we4 ) = a V we1 V we2
47 Praktyczny układ CMO na vout#branch I wy V we3 V we4 0,8V 0,6V 0,4V 0,2V ,2V -0,4V -0,6V -0,8V voltage sweep mv V we1 V we2 Przykład charakterystyk przejściowych
48 Praktyczny kompletny układ CMO VDD Vwe3 Vwe4 Vwe1 Vwe2 VP1
49 Praktyczny kompletny układ CMO VDD Vwe3 Vwe4 Vwe1 Vwe2 VP1 Vwy VP2
50 Praktyczny kompletny układ CMO V wy V V(202) v(202) V we3 V we4 0,5V 0,4V 0,3V voltage sweep mv 0,2V 0,1V 0 V -0,1V -0,2V -0,3V -0,4V -0,5V V we1 V we2 Rodzina charakterystyk przejściowych
51 Praktyczny kompletny układ CMO V v(202) V wy voltage sweep mv V we1 V we2 2 Charakterystyka przejściowa: zwarte wejścia, V wy V we
52 Problemy układów dużej mocy na przykładzie układów szeregowo-przeciwsobnych V2 M4 M2 Vwy VDD/2 T4 T2 Vwy VDD/2 Vwe V1 M3 M1 RL VDD/2 T3 T1 RL VDD/2 Jaka jest maksymalna moc możliwa do uzyskania z takiego stopnia?
53 Problemy układów dużej mocy na przykładzie układów szeregowo-przeciwsobnych VDD/2 VDD/2 Vwy Vwy RL RL
54 Problemy układów dużej mocy na przykładzie układów szeregowo-przeciwsobnych VDD/2 VDD/2 Iwy VDD/2 Vwy Vwy RTR Vwy RL RL RL Abstrakcyjny model połowy stopnia wyjściowego: tranzystor w stanie silnego wysterowania reprezentowany przez rezystancję
55 Problemy układów dużej mocy na przykładzie układów szeregowo-przeciwsobnych VDD/2 VDD/2 Iwy VDD/2 Vwy Vwy RTR Vwy RL RL RL Abstrakcyjny model połowy stopnia wyjściowego: tranzystor w stanie silnego wysterowania reprezentowany przez rezystancję Maksymalny prąd wyjściowy: I wymax = V CC ( ) 2 R L + R TR
56 Problemy układów dużej mocy na przykładzie układów szeregowo-przeciwsobnych VDD/2 VDD/2 Iwy VDD/2 Vwy Vwy RTR Vwy RL RL RL Abstrakcyjny model połowy stopnia wyjściowego: tranzystor w stanie silnego wysterowania reprezentowany przez rezystancję Maksymalny prąd wyjściowy: I wymax = V CC ( ) 2 R L + R TR Maksymalne napięcie na wyjściu: V wymax = V CC R L ( ) 2 R L + R TR
57 Problemy układów dużej mocy na przykładzie układów szeregowo-przeciwsobnych VDD/2 VDD/2 Iwy VDD/2 Vwy Vwy RTR Vwy RL RL RL Abstrakcyjny model połowy stopnia wyjściowego: tranzystor w stanie silnego wysterowania reprezentowany przez rezystancję Maksymalny prąd wyjściowy: I wymax = V CC ( ) 2 R L + R TR Maksymalne napięcie na wyjściu: V wymax = V CC R L ( ) 2 R L + R TR Maksymalna moc (chwilowa) w obciążeniu: P wymax = V 2 CC R L ( ) 2 4 R L + R TR
58 Problemy układów dużej mocy Jak uzyskać moc maksymalną? P wymax = V 2 CC R L ( ) 2 4 R L + R TR
59 Problemy układów dużej mocy Jak uzyskać moc maksymalną? P wymax = V 2 CC R L ( ) 2 4 R L + R TR 1. Przez podnoszenie napięcia zasilania
60 Problemy układów dużej mocy Jak uzyskać moc maksymalną? P wymax = V 2 CC R L ( ) 2 4 R L + R TR 1. Przez podnoszenie napięcia zasilania nie zawsze możliwe
61 Problemy układów dużej mocy Jak uzyskać moc maksymalną? P wymax = V 2 CC R L ( ) 2 4 R L + R TR 1. Przez podnoszenie napięcia zasilania nie zawsze możliwe wymaga zwiekszania wymiarów i powierzchni tranzystora
62 Problemy układów dużej mocy Jak uzyskać moc maksymalną? P wymax = V 2 CC R L ( ) 2 4 R L + R TR 1. Przez podnoszenie napięcia zasilania nie zawsze możliwe wymaga zwiekszania wymiarów i powierzchni tranzystora 2. Przez obniżanie rezystancji obciążenia
63 Problemy układów dużej mocy Jak uzyskać moc maksymalną? P wymax = V 2 CC R L ( ) 2 4 R L + R TR 1. Przez podnoszenie napięcia zasilania nie zawsze możliwe wymaga zwiekszania wymiarów i powierzchni tranzystora 2. Przez obniżanie rezystancji obciążenia nie zawsze możliwe
64 Problemy układów dużej mocy Jak uzyskać moc maksymalną? P wymax = V 2 CC R L ( ) 2 4 R L + R TR 1. Przez podnoszenie napięcia zasilania nie zawsze możliwe wymaga zwiekszania wymiarów i powierzchni tranzystora 2. Przez obniżanie rezystancji obciążenia nie zawsze możliwe skuteczne tylko gdy RTR < RL
65 Problemy układów dużej mocy Jak uzyskać moc maksymalną? P wymax = V 2 CC R L ( ) 2 4 R L + R TR 1. Przez podnoszenie napięcia zasilania nie zawsze możliwe wymaga zwiekszania wymiarów i powierzchni tranzystora 2. Przez obniżanie rezystancji obciążenia nie zawsze możliwe skuteczne tylko gdy RTR < RL wymaga zwiekszania wymiarów i powierzchni tranzystora
66 Problemy układów dużej mocy Tranzystor bipolarny (w uproszczeniu) B E K Baza Kolektor dk Emiter Rsc Warstwa zagrzebana Podłoże Aby zwiększyć napięcie dopuszczalne, trzeba: obniżać domieszkowanie kolektora zwiększać odległość dk ale to zwiększa rezystancję Rsc
67 Problemy układów dużej mocy Tranzystor bipolarny (w uproszczeniu) B E K Baza Kolektor dk Emiter Rsc Warstwa zagrzebana Podłoże Aby zwiększyć napięcie dopuszczalne, trzeba: obniżać domieszkowanie kolektora zwiększać odległość dk ale to zwiększa rezystancję Rsc Aby obniżyć rezystancję Rsc nie obniżając napięcia dopuszczalnego, trzeba powiększać powierzchnię emitera
68 Problemy układów dużej mocy Aby powiększyć powierzchnię emitera, trzeba zastosować konstrukcję grzebieniową Tranzystor bipolarny Emiter Baza
69 Problemy układów dużej mocy Tranzystor bipolarny Aby powiększyć powierzchnię emitera, trzeba zastosować konstrukcję grzebieniową Taka konstrukcja grozi wystąpieniem wtórnego przebicia elektryczno-cieplnego Emiter Emiter Baza Baza
70 Problemy układów dużej mocy Tranzystor bipolarny: wtórne przebicie Jeśli w tranzystorze wystąpi nierównomierny rozkład prądu kolektora (a więc wydzielanej mocy), będzie miał on tendencję do pogłębiania się. I I1 temp1 I2 temp2 temp1 > temp2 I 1 > I 2
71 Problemy układów dużej mocy Tranzystor bipolarny: wtórne przebicie Jeśli w tranzystorze wystąpi nierównomierny rozkład prądu kolektora (a więc wydzielanej mocy), będzie miał on tendencję do pogłębiania się. Poglądowy model zjawiska: jeśli dwa identyczne, połączone równolegle tranzystory mają różniące się temperatury, to przez tranzystor cieplejszy będzie płynął większy prąd, a to będzie powodowało dalszy wzrost jego temperatury, aż do przechwycenia całego prądu, co może zniszczyć ten tranzystor, po czym drugi też ulegnie zniszczeniu. I I1 I2 temp1 temp2 temp1 > temp2 I 1 > I 2
72 Problemy układów dużej mocy Tranzystor bipolarny: wtórne przebicie Jeśli w tranzystorze wystąpi nierównomierny rozkład prądu kolektora (a więc wydzielanej mocy), będzie miał on tendencję do pogłębiania się. Poglądowy model zjawiska: jeśli dwa identyczne, połączone równolegle tranzystory mają różniące się temperatury, to przez tranzystor cieplejszy będzie płynął większy prąd, a to będzie powodowało dalszy wzrost jego temperatury, aż do przechwycenia całego prądu, co może zniszczyć ten tranzystor, po czym drugi też ulegnie zniszczeniu. I I1 I2 temp1 temp2 temp1 > temp2 I 1 > I 2 Zjawisko to może wystąpić także w pojedynczym tranzystorze wieloemiterowym
73 Problemy układów dużej mocy Tranzystor bipolarny Aby uniknąć wtórnego przebicia elektryczno-cieplnego, trzeba: Emiter Baza
74 Problemy układów dużej mocy Tranzystor bipolarny Aby uniknąć wtórnego przebicia elektryczno-cieplnego, trzeba: zadbać o równomierne chłodzenie tranzystora na całej powierzchni Emiter Baza
75 Problemy układów dużej mocy Tranzystor bipolarny Aby uniknąć wtórnego przebicia elektryczno-cieplnego, trzeba: zadbać o równomierne chłodzenie tranzystora na całej powierzchni Emiter zastosować rezystory w szereg z paskami emiterowymi Baza
76 Problemy układów dużej mocy Tranzystor bipolarny Aby uniknąć wtórnego przebicia elektryczno-cieplnego, trzeba: zadbać o równomierne chłodzenie tranzystora na całej powierzchni Emiter zastosować rezystory w szereg z paskami emiterowymi...albo użyć tranzystora MO Baza
77 Problemy układów dużej mocy Tranzystory MO dużej mocy Idea: uzyskać jak największy stosunek W/L na jak najmniejszej powierzchni krzemu
78 Problemy układów dużej mocy Tranzystory MO dużej mocy Idea: uzyskać jak największy stosunek W/L na jak najmniejszej powierzchni krzemu G G D Kanał V-DMO
79 Problemy układów dużej mocy Tranzystory MO dużej mocy Idea: uzyskać jak największy stosunek W/L na jak najmniejszej powierzchni krzemu G G G D D Kanał V-DMO Kanał VMO Kanał
80 Problemy układów dużej mocy Tranzystory MO dużej mocy Idea: uzyskać jak największy stosunek W/L na jak najmniejszej powierzchni krzemu G G G G D D D Kanał V-DMO Kanał VMO Kanał Kanał UMO Kanał
81 Problemy układów dużej mocy Tranzystory MO dużej mocy Idea: uzyskać jak największy stosunek W/L na jak najmniejszej powierzchni krzemu G G G G D D D Kanał V-DMO Kanał VMO Kanał Kanał UMO Kanał Cechy tych tranzystorów:
82 Problemy układów dużej mocy Tranzystory MO dużej mocy Idea: uzyskać jak największy stosunek W/L na jak najmniejszej powierzchni krzemu G G G G D D D Kanał V-DMO Kanał VMO Kanał Kanał UMO Cechy tych tranzystorów: kanał bardzo krótki bez konieczności użycia zaawansowanej fotolitografii (długość określona przez procesy domieszkowania) Kanał
83 Problemy układów dużej mocy Tranzystory MO dużej mocy Idea: uzyskać jak największy stosunek W/L na jak najmniejszej powierzchni krzemu G G G G D D D Kanał V-DMO Kanał VMO Kanał Kanał UMO Kanał Cechy tych tranzystorów: kanał bardzo krótki bez konieczności użycia zaawansowanej fotolitografii (długość określona przez procesy domieszkowania) możliwość uzyskania wysokiego napięcia dopuszczalnego VD
84 Problemy układów dużej mocy Tranzystory MO dużej mocy Idea: uzyskać jak największy stosunek W/L na jak najmniejszej powierzchni krzemu G G G G D D D Kanał V-DMO Kanał VMO Kanał Kanał UMO Kanał Cechy tych tranzystorów: kanał bardzo krótki bez konieczności użycia zaawansowanej fotolitografii (długość określona przez procesy domieszkowania) możliwość uzyskania wysokiego napięcia dopuszczalnego VD duża liczba równoległych struktur tranzystorowych na małej powierzchni - możliwość uzyskania dużych prądów ID
85 Problemy układów dużej mocy Tranzystory MO dużej mocy Idea: uzyskać jak największy stosunek W/L na jak najmniejszej powierzchni krzemu G G G G D D D Kanał V-DMO Kanał VMO Kanał Kanał UMO Kanał Cechy tych tranzystorów: kanał bardzo krótki bez konieczności użycia zaawansowanej fotolitografii (długość określona przez procesy domieszkowania) możliwość uzyskania wysokiego napięcia dopuszczalnego VD duża liczba równoległych struktur tranzystorowych na małej powierzchni - możliwość uzyskania dużych prądów ID nie grozi dodatnie elektryczno-termiczne sprzężenie zwrotne
86 Problemy układów dużej mocy przężenia cieplne w układach Elementy, w których wydziela się znaczna moc, podgrzewają układ wywołując sprzężenie cieplne z innymi elementami układu. Dobrze zaprojektowana topografia powinna spełniać dwa warunki: 1. Zapewnić maksymalne sprzężenie cieplne między elementami, które powinny mieć identyczną temperaturę 2. Zminimalizować wpływ zmian temperatury na pozostałe elementy M2 V2 M4 M2 Vwy VDD/2 M1 Vwe V1 M3 M1 RL VDD/2
87 Problemy układów dużej mocy przężenia cieplne w układach Elementy, w których wydziela się znaczna moc, podgrzewają układ wywołując sprzężenie cieplne z innymi elementami układu. Dobrze zaprojektowana topografia powinna spełniać dwa warunki: 1. Zapewnić maksymalne sprzężenie cieplne między elementami, które powinny mieć identyczną temperaturę 2. Zminimalizować wpływ zmian temperatury na pozostałe elementy M2 V2 M4 M2 Vwy VDD/2 M1 Tranzystory M3, M4 między tranzystorami mocy Vwe V1 M3 M1 RL VDD/2
88 Problemy układów dużej mocy przężenia cieplne w układach Elementy, w których wydziela się znaczna moc, podgrzewają układ wywołując sprzężenie cieplne z innymi elementami układu. Dobrze zaprojektowana topografia powinna spełniać dwa warunki: 1. Zapewnić maksymalne sprzężenie cieplne między elementami, które powinny mieć identyczną temperaturę 2. Zminimalizować wpływ zmian temperatury na pozostałe elementy M2 V2 M4 M2 Vwy VDD/2 M1 Tranzystory M3, M4 między tranzystorami mocy ymetria rozmieszczenia tranzystorów mocy i wejściowej pary różnicowej Vwe V1 M3 M1 RL VDD/2
89 Problemy układów dużej mocy przężenia cieplne w układach Elementy, w których wydziela się znaczna moc, podgrzewają układ wywołując sprzężenie cieplne z innymi elementami układu. Dobrze zaprojektowana topografia powinna spełniać dwa warunki: 1. Zapewnić maksymalne sprzężenie cieplne między elementami, które powinny mieć identyczną temperaturę 2. Zminimalizować wpływ zmian temperatury na pozostałe elementy M2 M1 Tranzystory M3, M4 między tranzystorami mocy ymetria rozmieszczenia tranzystorów mocy i wejściowej pary różnicowej Duża odległość między tranzystorami mocy i wejściową parą różnicową V2 Vwe V1 M4 M3 M2 M1 Vwy RL VDD/2 VDD/2
90 Problemy układów dużej mocy przężenia cieplne w układach ymetria i duża odległość między tranzystorami mocy i stopniem wejściowym chroni przed sprzężeniem tylko w warunkach stanu ustalonego
91 Problemy układów dużej mocy przężenia cieplne w układach ymetria i duża odległość między tranzystorami mocy i stopniem wejściowym chroni przed sprzężeniem tylko w warunkach stanu ustalonego M2 M1 M1 cieplejszy od M2 - dolny tranzystor stopnia wejściowego cieplejszy od górnego
92 Problemy układów dużej mocy przężenia cieplne w układach ymetria i duża odległość między tranzystorami mocy i stopniem wejściowym chroni przed sprzężeniem tylko w warunkach stanu ustalonego M2 M2 M1 M1 M1 cieplejszy od M2 - dolny tranzystor stopnia wejściowego cieplejszy od górnego M2 cieplejszy od M1 - górny tranzystor stopnia wejściowego cieplejszy od dolnego
93 Problemy układów dużej mocy przężenia cieplne w układach ymetria i duża odległość między tranzystorami mocy i stopniem wejściowym chroni przed sprzężeniem tylko w warunkach stanu ustalonego M2 M2 M1 M1 M1 cieplejszy od M2 - dolny tranzystor stopnia wejściowego cieplejszy od górnego M2 cieplejszy od M1 - górny tranzystor stopnia wejściowego cieplejszy od dolnego Minimalizacja sprzężenia (i jego skutków):
94 Problemy układów dużej mocy przężenia cieplne w układach ymetria i duża odległość między tranzystorami mocy i stopniem wejściowym chroni przed sprzężeniem tylko w warunkach stanu ustalonego M2 M2 M1 M1 M1 cieplejszy od M2 - dolny tranzystor stopnia wejściowego cieplejszy od górnego M2 cieplejszy od M1 - górny tranzystor stopnia wejściowego cieplejszy od dolnego Minimalizacja sprzężenia (i jego skutków): topografia common centroid pary wejściowej
95 Problemy układów dużej mocy przężenia cieplne w układach ymetria i duża odległość między tranzystorami mocy i stopniem wejściowym chroni przed sprzężeniem tylko w warunkach stanu ustalonego M2 M2 M1 M1 M1 cieplejszy od M2 - dolny tranzystor stopnia wejściowego cieplejszy od górnego M2 cieplejszy od M1 - górny tranzystor stopnia wejściowego cieplejszy od dolnego Minimalizacja sprzężenia (i jego skutków): topografia common centroid pary wejściowej ograniczenie od dołu pasma przenoszenia
96 Problemy układów dużej mocy przężenia cieplne w układach ymetria i duża odległość między tranzystorami mocy i stopniem wejściowym chroni przed sprzężeniem tylko w warunkach stanu ustalonego M2 M2 M1 M1 M1 cieplejszy od M2 - dolny tranzystor stopnia wejściowego cieplejszy od górnego M2 cieplejszy od M1 - górny tranzystor stopnia wejściowego cieplejszy od dolnego Minimalizacja sprzężenia (i jego skutków): topografia common centroid pary wejściowej ograniczenie od dołu pasma przenoszenia niekiedy konieczność redukcji wzmocnienia napięciowego
97 Problemy układów dużej mocy Wzmacniacz w klasie D W klasycznym stopniu szeregowo-przeciwsobnym maksymalna praktycznie możliwa do uzyskania sprawność energetyczna wynosi ~60%
98 Problemy układów dużej mocy Wzmacniacz w klasie D W klasycznym stopniu szeregowo-przeciwsobnym maksymalna praktycznie możliwa do uzyskania sprawność energetyczna wynosi ~60% Idea: straty mocy w tranzystorach stopnia wyjściowego można znacznie zmniejszyć, jeśli będą one pracować jako klucze: włączony - duży prąd, ale spadek napięcia bliski zeru, wyłączony - duże napięcie, ale prąd praktycznie równy zeru.
99 Problemy układów dużej mocy Wzmacniacz w klasie D W klasycznym stopniu szeregowo-przeciwsobnym maksymalna praktycznie możliwa do uzyskania sprawność energetyczna wynosi ~60% Idea: straty mocy w tranzystorach stopnia wyjściowego można znacznie zmniejszyć, jeśli będą one pracować jako klucze: włączony - duży prąd, ale spadek napięcia bliski zeru, wyłączony - duże napięcie, ale prąd praktycznie równy zeru. Nap. wejściowe (górna częstotliwość fmax) + VDD Komparator napięcia - ku Filtr RL Nap. odniesienia (częstotliwość * fmax) Ciąg impulsów o szerokości proporcjonalnej do chwilowej wartości nap. wejściowego
Źródła i zwierciadła prądowe
PUAV Wykład 6 Źródła i zwierciadła prądowe Źródła i zwierciadła prądowe Źródło prądowe: element lub układ, który wymusza w jakiejś gałęzi prąd o określonej wartości Źródła i zwierciadła prądowe Źródło
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoLekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.
Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoTechnologia BiCMOS Statystyka procesów produkcji
Technologia BiCMOS Statystyka procesów produkcji 1 Technologia BiCMOS 2 Technologia CMOS i BiCMOS Tranzystor nmos Tranzystor pmos M2 (Cu) M3 (Cu) M1 (Cu) S Poli typu n D M1 (Cu) D Poli typu p S M1 (Cu)
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITEHNIKA BIAŁOSTOKA WYDZIAŁ ELEKTRYZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 5. Wzmacniacze mocy Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy AD w elektronice TS1422 380 Opracował:
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoZespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
Bardziej szczegółowoWzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny
Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax
Bardziej szczegółowoUkłady akwizycji danych. Komparatory napięcia Przykłady układów
Układy akwizycji danych Komparatory napięcia Przykłady układów Komparatory napięcia 2 Po co komparator napięcia? 3 Po co komparator napięcia? Układy pomiarowe, automatyki 3 Po co komparator napięcia? Układy
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Układy wzmacniaczy operacyjnych z elementami nieliniowymi: prostownik liniowy, ograniczniki napięcia, diodowe generatory funkcyjne układy logarytmujące i alogarytmujące, układy mnożące
Bardziej szczegółowoKomparator napięcia. Komparator a wzmacniacz operacyjny. Vwe1. Vwy. Vwe2
PUAV Wykład 11 Komparator a wzmacniacz operacyjny Vwe1 Vwe2 + Vwy Komparator a wzmacniacz operacyjny Vwe1 Vwe2 + Vwy Wzmacniacz operacyjny ( ) V wy = k u V we2 V we1 Komparator a wzmacniacz operacyjny
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213448 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386136 (51) Int.Cl. H03H 11/16 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.09.2008
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny. przykłady zastosowań
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoGdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...
Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy
Bardziej szczegółowoZastosowania wzmacniaczy operacyjnych cz. 3 podstawowe układy nieliniowe
Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych cz. 3 podstawowe układy nieliniowe Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne w układach CMOS
PUAV Wykład 4 Tranzystory bipolarne w układach CMOS Tranzystor nmos Tranzystor pmos M1 (Al) M2 (Al) M1 (Al) M1 (Al) Tlenek polowy S Bramka poli typu n Tlenek bramkowy D Tlenek polowy Podłoże typu p D Bramka
Bardziej szczegółowoStopnie wzmacniające
PUAV Wykład 7 Najprostszy wzmacniacz R Tranzystor pracuje w zakresie nasycenia Konduktancja jściowa tranzystora do pominięcia: g ds
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone. Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące
Liniowe układy scalone Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące Wzmacniacze o wejściu symetrycznym Do wzmacniania małych sygnałów z różnych czujników, występujących na tle dużej składowej sumacyjnej (tłumionej
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Dr inż. Adam Klimowicz konsultacje: wtorek, 9:15 12:00 czwartek, 9:15 10:00 pok. 132 aklim@wi.pb.edu.pl Literatura Łakomy M. Zabrodzki J. : Liniowe układy scalone
Bardziej szczegółowoDobór współczynnika modulacji częstotliwości
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Bardziej szczegółowoSzumy układów elektronicznych, wzmacnianie małych sygnałów
Szumy układów elektronicznych, wzmacnianie małych sygnałów Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Szumy
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowoSzumy Wprowadzenie. Źródłem szumu nazywamy źródło napięcia lub prądu, które generuje przebieg o losowej wartości chwilowej napięcia lub prądu
PUAV Wykład 3 Szumy Wprowadzenie Szumy Wprowadzenie Źródłem szumu nazywamy źródło napięcia lub prądu, które generuje przebieg o losowej wartości chwilowej napięcia lub prądu Szumy Wprowadzenie Źródłem
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 3. Podstawowe układy wzmacniaczy tranzystorowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD
Bardziej szczegółowoPracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne
Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12
PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoGeneratory drgań sinusoidalnych LC
Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych
Liniowe układy scalone Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych 1. Wzmocnienie napięciowe z otwartą pętlą ang. open loop voltage gain Stosunek zmiany napięcia wyjściowego do wywołującej ją zmiany różnicowego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej
Bardziej szczegółowoWzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Bardziej szczegółowo12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych
. Zasilacze Wojciech Wawrzyński Wykład z przedmiotu Podstawy Elektroniki - wykład Zasilacz jest to urządzenie, którego zadaniem jest przekształcanie napięcia zmiennego na napięcie stałe o odpowiednich
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Wrocław 2015 Wprowadzenie jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). Wzmacniacz ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowo2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu
Bardziej szczegółowoSDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC
SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC Własności Driver dwóch silników DC Zasilanie: 6 30V DC Prąd ciągły (dla jednego silnika): do 7A (bez radiatora) Prąd ciągły (dla jednego silnika): do
Bardziej szczegółowoUkłady elektroniczne II. Modulatory i detektory
Układy elektroniczne II Modulatory i detektory Jerzy Witkowski Modulacja Przekształcenie sygnału informacyjnego do postaci dogodnej do transmisji w kanale telekomunikacyjnym Polega na zmianie, któregoś
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe.
WZMACACZE MCY Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. Wymagania i klasyfikacja uzyskanie małej rezystancji wyjściowej aby dostarczyć
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
e operacyjne Wrocław 2018 Wprowadzenie operacyjny jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne. N P E
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoProstowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Bardziej szczegółowoScalony stabilizator napięcia typu 723
LABORATORIM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część II Zabezpieczenia przeciążeniowe stabilizatorów napięcia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. dzaje zabezpieczeń
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoWSTĘP DO ELEKTRONIKI
WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część VI Sprzężenie zwrotne Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny w układach z ujemnym i dodatnim sprzężeniem zwrotnym Janusz Brzychczyk IF UJ Sprzężenie zwrotne Sprzężeniem
Bardziej szczegółowoNajprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1.
Mieszacze Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Rysunek 1: Najprostszy mieszacz diodowy Elementem
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1
Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie
Bardziej szczegółowoSDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC
SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC Własności Driver dwóch silników DC Zasilanie: 6 30V DC Prąd ciągły (dla jednego silnika): do 7A (bez radiatora) Prąd ciągły (dla jednego silnika): do
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia
Bardziej szczegółowo14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)
14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ Poznanie zasady działania i charakterystyk diody waraktorowej. Zrozumienie zasady działania oscylatora sterowanego napięciem. Poznanie budowy modulatora częstotliwości z oscylatorem
Bardziej szczegółowoTemat: Analiza pracy transformatora: stan jałowy, obciążenia i zwarcia.
Temat: Analiza pracy transformatora: stan jałowy, obciążenia i zwarcia. Transformator może się znajdować w jednym z trzech charakterystycznych stanów pracy: a) stanie jałowym b) stanie obciążenia c) stanie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209493 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382135 (51) Int.Cl. G01F 1/698 (2006.01) G01P 5/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6
Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7
Bardziej szczegółowoA-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)
A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) I. Zakres ćwiczenia 1. Zastosowanie diod i wzmacniacza operacyjnego µa741 w następujących układach nieliniowych: a) generator funkcyjny b) wzmacniacz
Bardziej szczegółowoWzmacniacz operacyjny
ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 3 Wzmacniacz operacyjny Grupa 6 Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania
Bardziej szczegółowoWykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych
Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych Mgr inż. Łukasz Kirchner Lukasz.kirchner@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/lkirchner Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill kłady półprzewodnikowe.tietze,
Bardziej szczegółowoNanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.
Nanoeletronika Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang. Active probe Wydział EAIiE Katedra Elektroniki 17 czerwiec 2009r. Grupa:
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)
TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowoDemodulowanie sygnału AM demodulator obwiedni
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny Laboratorium Teletechniki Skrypt do ćwiczenia T.12 Demodulowanie sygnału AM demodulator obwiedni 1. Demodulowanie sygnału AM demodulator obwiedni Ćwiczenie to
Bardziej szczegółowo(13) B1 PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) fig. 1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 176527 (13) B1 ( 2 1) Numer zgłoszenia: 308212 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 18.04.1995 Rzeczypospolitej Polskiej (51) IntCl6: G05B 11/12
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego
Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale
Bardziej szczegółowoRys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia
ĆWICZENIE 12 BADANIE STABILIZATORÓW NAPIĘCIA STAŁEGO 12.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania, budowy oraz podstawowych właściwości różnych typów stabilizatorów półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowo