PROGRAM STUDIÓW - 1 -

Transkrypt

1 1. Opis PROGRAM STUDIÓW Załącznik nr 2 d Prgramu kształcenia semestrów: 7 punktów ECTS knieczna d uzyskania kwalifikacji: 210 Wymagania wstępne: Pdstawą decyzji przyjęciu na studia jest WSKAŹNIK REKRUTACYJNY. O jeg wartści decydują wybrane wyniki egzaminu djrzałści. WSKAŹNIK REKRUTACYJNY jest sumą punktów z przedmitów kwalifikacyjnych (matematyka, fizyka, język plski, język bcy nwżytny), bliczanym zgdnie z uchwalnymi przez Senat zasadami przyjęć kandydatów. Wartść prgwa wskaźnika rekrutacyjneg ustalana jest w zależnści d liczby kandydatów. Mżliwść kntynuacji studiów: Abslwent jest przygtwany d pdjęcia studiów II stpnia Wskazanie związku z misją Uczelni i strategią jej rzwju: P ukńczeniu studiów abslwent uzyskuje tytuł zawdwy: inżynier kwalifikacje I stpnia Sylwetka abslwenta, mżliwści zatrudnienia: Abslwent psiada wiedzę i umiejętnści niezbędne d wdrażania i eksplatacji układów, urządzeń i systemów elektrnicznych raz systemów, sieci i usług telekmunikacyjnych. Jest przygtwany d pracy w przedsiębirstwach prdukujących sprzęt elektrniczny i telekmunikacyjny raz w przedsiębirstwach peratrskich sieci i usług telekmunikacyjnych. Zna język bcy na pzimie biegłści B2 Eurpejskieg Systemu Opisu Kształcenia Językweg Rady Eurpy raz psiada umiejętnść psługiwania się językiem specjalistycznym w dziedzinie elektrniki i telekmunikacji. Plitechnika Wrcławska jest akademicką uczelnią publiczną statusie uniwersytetu techniczneg, działającą na pdstawie ustawy z dnia 27 lipca Praw szklnictwie wyższym raz Statutu Uczelni. W Planie Rzwju Plitechniki Wrcławskiej znajduje się stwierdzenie Sfrmułwanie misji akcentuje rlę Uczelni w pdtrzymaniu i rzwijaniu kmpetencji związanych z kulturą eksperymentu. Kmpetencje te stwrzyły współczesną cywilizację, - 1 -

2 warunkują jej istnienie i są głównymi czynnikami rzwju. W czasach, gdy eksperymenty zastępwane są przez prcedury a pzry liczą się bardziej niż fakty, misja taka ma znaczenie fundamentalne. Akcent na kreatywnść, która zmienia trajektrie przyszłści. Akcent na prfesjnalizm i twarde umiejętnści, które warunkują funkcjnwanie technsfery. Akcent na partnerskie współdziałanie z tczeniem i partnerami zewnętrznymi, które wzmacnia efekty działań i ułatwia ich siąganie. T sfrmułwanie zstał wprst przeniesine d Planu Rzwju Wydziału Elektrniki Mikrsystemów i Ftniki z tym, że słw Uczelnia zstał zastąpine przez Wydział Oznacza t, że aby uczelnia akademicka mgła pełnić rlę centrum intelektualneg musi rzumieć świat współczesny i mieć wizję przyszłści. Jak pełnwartściwy uniwersytet techniczny Plitechnika Wrcławska łączy wyskie kmpetencje teretyczne, badawcze i eksperckie z dydaktycznymi i wychwawczymi. Dlateg Plitechnika/Wydział Elektrniki Mikrsystemów i Ftniki Plitechniki Wrcławskiej charakteryzuje się wyską użytecznścią zewnętrzną. Wspmniany już plan rzwju Wydziału mówi, iż Na Wydziale dminują badania technlgiczne i prjektwe związane z mikr- i nanelektrniką, mikr- i nansystemami raz mikr- i nanftniką. Ta tematyka badawcza przekłada się na realizwany prfil kształcenia, szczególnie na II i III stpniu. Prfil kształcenia uzupełniają prwadzne centralnie dla całej spłecznści studenckiej PWr nauki humanistyczne i spłeczne, które ugruntwują cywilizacyjnie edukację inżynierów. Tak zaryswana misja i wizja Uczelni/Wydziału zstała przeniesina na prpnwany przez Wydział mdel kształcenia na interaktywne, dyskursywne i eksperymentalne kształtwanie umiejętnści studentów. Obecnie Wydział Elektrniki Mikrsystemów i Ftniki Plitechniki Wrcławskiej kształci inżynierów i magistrów inżynierów specjalistów w zakresie elektrniki, ftniki, infrmatyki i telekmunikacji. Abslwent Wydziału umie prjektwać i stswać elektrniczne układy scalne analgwe i cyfrwe. Wie jak prjektwać i stswać lasery, światłwdy i gniwa ftwltaiczne w elektrwniach słnecznych. Umie prjektwać i eksplatwać sieci telekmunikacyjne i teleinfrmatyczne. Umie prjektwać, wytwarzać i stswać mikri nansystemy, tj. mikrrbty, których ptrzebuje medycyna, przemysł mtryzacyjny, ltniczy i farmaceutyczny raz chrna śrdwiska, chrna biektów i przemysł zbrjeniwy. Natmiast w perspektywie rku 2020 Wydział planuje prwadzić samdzielnie lub we współpracy z innymi jednstkami pdstawwymi Plitechniki Wrcławskiej następujące kierunki studiów: Elektrnika I i II stpień (II stpień ukierunkwany na mikri naninżynierię), Optelektrnika (ewentualnie Ftnika) I i II stpień, Mechatrnika I i II stpień, Inżynieria Materiałwa I stpień. Jest t związane z interdyscyplinarnym w wielu miejscach charakterem prwadznych przez Wydział prac badawczych i badawcz-rzwjwych. Planujemy także prwadzenie w zakresie naszych kmpetencji dydaktycznych prwadzić studia pdyplmwe raz studia II i III wieku. W przygtwanej i realizwanej kncepcji leży kształcenie specjalistów i innwatrów, uwzględniające indywidualne mżliwści studentów. Chcemy stymulwać umiejętnści zwiększające knkurencyjnść na rynku pracy i uczyć kperacji raz zapewniać kntakty międzynardwe. Drgą d teg jest m.in. śledzenie ewlucji wydziałów zbliżnych tematycznie w świecie i adaptacja senswnych rzwiązań d naszej specyfiki. Studenci spełniający kreślne warunki mgą trzymać indywidualneg piekuna i studiwać według ścieżek interdyscyplinarnych, kształtwanych pd kątem sbistych zaintereswań (zadanie t jest mżliwe d realizacji na Wydziale z uwagi na bardz krzystne relacje liczbwe między liczbą studentów a liczbą nauczycieli akademickich). Staramy się, aby prgramy kształcenia zawierały w dpwiednich prprcjach wiedzę bezpśredni przydatną zawdw, wiedzę umżliwiającą późniejsze adaptacje zawdwe raz wiedzę kształtującą racjnalny braz świata

3 2. Dziedziny nauki i dyscypliny naukwe, d których dnszą się efekty kształcenia: Dziedzina: nauki techniczne Dyscyplina: elektrnika. Zwięzła analiza zgdnści zakładanych efektów kształcenia z ptrzebami rynku pracy Zasby wiedzy, umiejętnści raz kmpetencji spłecznych studentów/abslwentów kierunku elektrnika i telekmunikacja Wydziału są wynikiem przypisania efektów kształcenia na kreślnym stpniu studiów dnszących się d realizwanych. Specjalnściwe efekty kształcenia, dniesine d efektów kształcenia dla bszaru nauk technicznych, winny zapewnić studentm/abslwentm (kreślneg stpnia kształcenia) psiadanie elementarnej wiedzy (I stpień) i pdbudwanej teretycznie wiedzy szczegółwej (II stpień) w zakresie spektrum dziedzin inżynierskich pwiązanych z kierunkiem studiów Elektrnika i Telekmunikacja lub innymi dyscyplinami. Przyjęte rzwiązanie dtyczące przyrstu kmpetencji przy przejściu na wyższy pzim kwalifikacji z jednczesnym zapewnieniem twartści studiów stpni I i II daje mżliwść przyswajania na stpniu wyższym bardziej zaawanswanej wiedzy i umiejętnści (przy kreślnych kmpetencjach spłecznych) w węższym zakresie tematycznym. Tę świadmść pzimu wiedzy, umiejętnści i kmpetencji spłecznych dla studentów/abslwentów I i II stpnia studiów winni mieć ptencjalni przyszli pracdawcy. Zdbyta wiedza pdstawwa jak i wiedza szczegółwa dtycząca dziedziny winna być na tyle szerka, by student/abslwent kierunku mógł samdzielnie raz w ramach ustawiczneg kształcenia dstswywać swje kmpetencje d zmieniających się warunków i wyzwań jakie staną przed nim w czasie kilkudziesięciletniej kariery zawdwej. Takie czekiwania mają pracdawcy wdrażający nwczesną rganizację pracy i innwacyjne technlgie w swich firmach. Przypisane kursm efekty, siągane pdczas prcesu kształcenia, zapewnią, zgdnie z czekiwaniami przyszłych pracdawców psiadanie przez abslwenta wiedzy trendach rzwjwych raz nwych, wdrżnych w statnim czasie siągnięciach nie tylk w bszarze elektrniki i telekmunikacji, ptelektrniki, ftniki, infrmatyki, ale też w dziedzinach takich jak medycyna czy chrna śrdwiska. Zakładanym efektem, siąganym w prcesie kształcenia, dtyczącym wiedzy jest psiadanie przez abslwenta pdstawwej wiedzy dtyczącej transferu technlgii raz wiedzy związanej z zarządzaniem (w tym zarządzaniem jakścią) raz prwadzeniem działalnści gspdarczej. Efektem kształcenia winna być pnadt wiedza gólna, uwzględniana w praktyce inżynierskiej, niezbędna d rzumienia spłecznych, eknmicznych, prawnych raz innych, pzatechnicznych, uwarunkwań działań inżynierskich. Efekty takie siągane są przez realizację gólnuczelnianych. Teg rdzaju wiedza umżliwi abslwentwi zrzumieć realia dnszące się d rganizacji prcesów prdukcyjnych raz uwarunkwań, w jakich są ne prwadzne. Pzwli mu t pnadt na uwzględnianie teg rdzaju uwarunkwań w pracy indywidualnej raz pracy zespłwej, jaką w wyniku siągnięcia efektów jest w stanie dpwiedzialnie pdjąć. Teg rdzaju zasbu wiedzy d abslwenta szkły wyższej czekuje współczesny rynek pracy. Zawarte w kartach przedmitów, realizwanych na kierunku, efekty kształcenia zapewniają pnadt siągnięcie przez abslwenta umiejętnści integrwania wiedzy różnych dziedzin i dyscyplin ze stswaniem pdejścia systemweg przy frmwaniu i rzwiązywaniu zadań inżynierskich. Rynek pracy czekuje, że siągnięte w prcesie kształcenia efekty zapewnią przygtwanie abslwenta d pracy w śrdwisku przemysłwym ze znajmścią przez nieg zasad bezpieczeństwa związanych z pracą, a w szczególnści z pracą na kreślnym stanwisku/urządzeniu. W tym względzie isttne są tu efekty siągane przy realizacjach typu labratryjneg raz kursu Praktyka zawdwa. Student/abslwent pwinien widzieć ptrzebę ulepszania i usprawniania prcesu prdukcji, czy też istniejących na stanwisku pracy istniejących rzwiązań technicznych. P siągnięciu efektów kształcenia pwinien n ptrafić, uwzględniając aspekty pzatechniczne, zgdnie z zadaną specyfikacją, zaprjektwać raz wyknać (przy użyciu właściwych metd, technik i narzędzi) złżne urządzenie, system lub prces. Mając zatem na uwadze, że zadaniem zakładanych i siąganych na kierunku kształcenia specjalnściwych efektów kształcenia jest sprstanie, w jak największym stpniu, czekiwanim przedsiębirców zatrudniających naszych abslwentów isttnym elementem ceny jakści prcesu kształcenia są prwadzne w czasie każdeg semestru hspitacje raz ankiety wydziałwe skierwane d abslwentów. Weryfikacja zgdnści zakładanych efektów kształcenia z czekiwaniami i ptrzebami rynku następuje również pdczas licznych kntaktów naszych abslwentów z pracwnikami Wydziału. - -

4 . Lista mdułów kształcenia:.1. Lista mdułów bwiązkwych:.1.1. Lista mdułów kształcenia gólneg Mduł Przedmity humanistyczn-menedżerskie Kd Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) zaligóln- czenia uczel- niany prakty- rdzaj 6 typ 7 1. FLH121611W Etyka w biznesie ,2 T Z O KO Ob 2. PKH12011W Kmunikacja spłeczna ,2 T Z O KO Ob Razem , Mduł Języki bce Kd Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 Razem Mduł Zajęcia sprtwe Kd Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 Razem - -

5 Mduł Technlgie infrmacyjne Kd Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 1. ETD001068W Technlgie infrmacyjne 1 K1eit_W1 K1eit_W2 K1eit_W ,6 T Z KO Ob K1eit_U21 K1eit_K02 InzA_U02 2. ETD001068L Technlgie infrmacyjne 1 K1eit_U20 K1eit_U08 K1eit_K0 InzA_K ,7 T Z P KO Ob Razem , Razem dla mdułów kształcenia gólneg ZZU CNPS punktów ECTS punktów ECTS w ć l p s ,7-5 -

6 .1.2. Lista mdułów z zakresu nauk pdstawwych Mduł Matematyka Kd Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) zaligóln- czenia uczel- niany prakty- rdzaj 6 typ 7 1. MAT00102W Algebra z gemetrią analityczną 2 K1eit_W ,2 T E O PD Ob 2. MAT00102C Algebra z gemetrią analityczną 1 K1eit_U , T Z O P PD Ob. MAT00112W Analiza matematyczna 1.1 A 2 K1eit_W ,0 T E O PD Ob. MAT00112C Analiza matematyczna 1.1 A 2 K1eit_U02 K1eit_K ,1 T Z O P PD Ob 5. MAT0012W Analiza matematyczna 2.2 A K1eit_W ,0 T E O PD Ob 6. MAT0012C Analiza matematyczna 2.2 A 2 K1eit_U02 K1eit_K ,1 T Z O P PD Ob K1eit_W0 7. ETD00207W Prbabilistyka 1 K1eit_K ,6 T Z PD Ob 8. ETD00207C Prbabilistyka 1 K1eit_U02 InzA_U02 K1eit_K01 Razem , , T Z P PD Ob - 6 -

7 Kd Mduł Fizyka Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 1. FZP001057W Fizyka K1eit_W , T E O PD Ob 2. FZP001057C Fizyka K1eit_U0 K1eit_U ,7 T Z O P PD Ob K1eit_W20 K1eit_W29. FZP002079L Fizyka.1 1 K1eit_U0 K1eit_U1 K1eit_U19 K1eit_K , T Z O P PD Ob K1eit_W0 K1eit_W06. ETD002069W Elektrycznść i magnetyzm 2 K1eit_K0 K1eit_K ,2 T E PD Ob K1eit_K0 5. ETD002069C Elektrycznść i magnetyzm 2 K1eit_K07 K1eit_U0 K1eit_U , T Z P PD Ob K1eit _W05 6. ETD0008W Pdstawy elektrniki ciała stałeg 2 K1eit _W ,2 T Z PD Ob 7. ETD00089W Optyka falwa 1 K1eit_W0 K1eit_W07 K1eit_W ,6 T Z PD Ob Razem ,9-7 -

8 Mduł Chemia Kd Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) zaligóln- czenia uczel- niany prakty- rdzaj 6 typ 7 K1eit_W01 1. ETD001070W Inżynieria materiałwa ,2 T Z PD Ob Razem ,2 Kd Mduł Infrmatyka Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 1. ETD001269W Pdstawy sieci kmputerwych 1 K1eit_W22 InzA_W ,6 T Z PD Ob K1eit_U10 2. ETD001269L Pdstawy sieci kmputerwych 1 K1eit_U19 InzA_U ,7 T Z P PD Ob. ETD002071W Infrmatyka 2 K1eit_W ,2 T Z PD Ob K1eit_U08 K1eit_U20. ETD002071L Infrmatyka 2 InzA_U07 K1eit_K , T Z P PD Ob 5. ETD00079W Języki skryptwe 1 K1eit_W ,6 T Z PD Ob K1eit_U20 6. ETD00079L Języki skryptwe 1 InzA_U01 K1eit_K T Z P PD Ob Razem ,2-8 -

9 Razem dla mdułów z zakresu nauk pdstawwych: ZZU CNPS punktów ECTS punktów ECTS w ć l p s ,1.1.. Lista mdułów kierunkwych Kd Mduł Przedmity bwiązkwe kierunkwe Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) 1. ETD001066W Wprwadzenie d elektrniki 2 2. ETD001067W Grafika inżynierska 1. ETD001067P Grafika inżynierska 2. ETD002070W Pdstawy techniki cyfrwej i mikrprcesrwej I 5. ETD002072W Metrlgia I 2 6. ETD00207W Technika analgwa 2 7. ETD00207C Technika analgwa 2 2 K1eit_W01 K1eit_W02 K1eit_W02 K1eit_U01 K1eit_K07 K1eit_W16 K1eit_W15 K1eit_W20 InzA_U01 K1eit_W2 K1eit_U01 K1eit_ U09 K1eit_U17 InzA_U0 Keit_K02 gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ ,2 T Z K Ob ,6 T Z K Ob , T Z P K Ob ,2 T Z K Ob ,2 T Z K Ob ,2 T E K Ob ,1 T Z P K Ob - 9 -

10 8. ETD00077W Przyrządy półprzewdnikwe I 2 9. ETD00077L Przyrządy półprzewdnikwe I 10. ETD00078W 11. ETD00078L Pdstawy techniki cyfrwej i mikrprcesrwej II Pdstawy techniki cyfrwej i mikrprcesrwej II 12. ETD00080W Dielektryki i magnetyki 2 1. ETD00081L Metrlgia II 2 1. ETD00076W 15. ETD00076P Analgwe i cyfrwe układy elektrniczne I Analgwe i cyfrwe układy elektrniczne I 16. ETD00077W Mikrsystemy I ETD00078W Optelektrnika I ETD00079W Pdstawy knstrukcji aparatury elektrnicznej 19. ETD00080L Półprzewdniki, dielektryki, magnetyki K1eit_W07 K1eit_W08 K1eit_W15 K1eit_K0 K1eit_U1 K1eit_U1 InzA_U01 K1eit_W17 K1eit_K0 K1eit_U11 InzA_U01 K1eit_K0 K1eit_W06 K1eit_U1 InzA_U01 Kleit_K0 K1eit_W0 K1eit_U01, K1eit_U1 InzA_U06 K1eit_K02- K1eit_K0 K1eit_W05 InzA_W05 K1eit_W01 K1eit_W0 K1eit_W19 K1eit_W02 K1eit_W11 K1eit_K0 K1eit_K05 K1eit_U01 InzA_W05 Kleit_K0 Kleit_U0 InzA_U ,8 T E K Ob ,8 T Z P K Ob ,6 T Z K Ob , T Z P K Ob ,8 T E K Ob , T Z P K Ob ,2 T Z K Ob , T Z P K Ob ,2 T E K Ob ,2 T E K Ob ,2 T Z K Ob ,8 T Z P K Ob

11 20. ETD00081L Przyrządy półprzewdnikwe II 21. ETD0008W Technlgie mikr- nan- 22. ETD00507W 2. ETD00507L Analgwe i cyfrwe układy elektrniczne II Analgwe i cyfrwe układy elektrniczne II 2. ETD005075L Labratrium Mikrelektrniki 25. ETD005076W 26. ETD005076L Miernictw elementów ptelektrnicznych Miernictw elementów ptelektrnicznych 27. ETD005080W Mikrprcesry i mikrsterwniki ETD005080L Mikrprcesry i mikrsterwniki K1eit_U1 K1eit_U1 InzA_U01 K1eit_W07 K1eit_W08 K1eit_W15 K1eit_K02 K1eit_K0 K1eit_K0 K1eit_W08 InzA_W05 K1eit_W0 K1eit_U01 K1eit_U1 InzA_U06 K1eit_K02 K1eit_K0 K1eit_K0 K1eit_K08 K1eit_W08 K1eit_U01 InzA_U07 K1eit_K02 K1eit_K0 K1eit_W05 K1eit_W07 K1eit_W09 K1eit_U09 K1eit_U1 K1eit_U1 InzA_U01 K1eit_K0 K1eit_W17 K1eit_W0 K1eit_U18 InzA_U06 K1eit_K0 K1eit_W17 K1eit_W0 K1eit_U18 InzA_U06 K1eit_K ,8 T Z P K Ob , T E K Ob ,2 T E K Ob , T Z P K Ob ,8 T Z P K Ob ,6 T Z K Ob , T Z P K Ob ,2 T Z K Ob , T Z P K Ob

12 29. ETD005081W Mntaż w elektrnice i mikrsystemach I 0. ETD005082W Przetwarzanie sygnałów 2 1. ETD005082L Przetwarzanie sygnałów 1 2. ETD00508W Światłwdy I 2. ETD006076L Mntaż w elektrnice i mikrsystemach II. ETD006077W Pdstawy eksplatacji systemów 1 5. ETD006077C Pdstawy eksplatacji systemów 1 6. ETD006078W Technika mikrfalwa 1 7. ETD006078P Technika mikrfalwa 2 8. ETD007068W Inżynieria prdukcji K1eit_W02 K1eit_W21 InzA_W05 K1eit_U15 K1eit_K0 K1eit_W1 K1eit_K02 K1eit_U17 InzA_U02 K1eit_K02 K1eit_W05 K1eit_W09 K1eit_W02 K1eit_U15 K1eit_K0 InzA_U08 K1eit_W11 InzA_W01 K1eit_K01 K1eit_U05 K1eit_U05 InzA_U05 K1eit_K01 K1eit_W02, K1eit_W12 K1eit_U06 InzA_U08 K1eit_K02 K1eit_K0 K1eit_K05 K1eit_K06 K1eit_U01 K1eit_W25 K1eit_W27 Razem ,5 Razem dla mdułów kierunkwych: ZZU CNPS punktów ECTS ,2 T E K Ob ,2 T Z K Ob ,7 T Z P K Ob ,2 T E K Ob , T Z P K Ob ,6 T Z K Ob ,7 T Z P K Ob ,6 T Z K Ob , T Z P K Ob ,6 T Z K Ob punktów ECTS w ć l p s ,5

13 .1.. Lista mdułów specjalnściwych Kd Mduł Przedmity bwiązkwe specjalnściwe Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 1. ETD00102W Technika próżni 2 S1ief_W ,8 T Z S Ob S1ief_U08 2. ETD00102L Technika próżni 1 InzA_U01 K1eit_K02 K1eit_K , T Z P S Ob S1ief_U02. ETD005101P Optelektrnika II 2 InzA_U02 K1eit_K , T Z P S Ob S1ief_U05. ETD005102L Mdelwanie mikrsystemów 2 InzA_U02 K1eit_K ,8 T Z P S Ob 5. ETD00510W Mikrsystemy w bilgii i medycynie 2 S1ief_W0 InzA_W ,2 T Z S Ob 6. ETD006101W Mikrsystemy w mtryzacji 1 K1eit_W0, S1ief_W ,6 T Z S Ob K1eit_U21 7. ETD006101L Mikrsystemy w mtryzacji 1 S1ief_U06 InzA_U01 K1eit_K ,7 T Z P S Ob 8. ETD006102W Optelektrnika brazwa 2 S1ief_W ,2 T E S Ob S1ief_U0 9. ETD006102L Optelektrnika brazwa 1 InzA_U ,7 T Z P S Ob K1eit_K0 10. ETD00610L Światłwdy II 2 S1eit_U07 InzA_U06 K1eit_K , T Z P S Ob 11. ETD00610W Techniki jnwe i plazmwe 2 S1ief_W ,2 T E S Ob S1ief_U10 PEK_U ETD00610L Techniki jnwe i plazmwe 1 K1eit_K02 K1eit_K0 InzA_K , T Z P S Ob 1. ETD006105W Systemy zabezpieczeń biektów 1 S1ief_W09 InzA_W ,6 T Z S Ob

14 1. ETD006105L Systemy zabezpieczeń biektów 2 S1ief_U12 InzA_U0 K1eit_K , T Z P S Ob 15. ETD006106W Mikrsystemy II 2 S1ief_W ,2 T E S Ob S1ief_U ETD006106P Mikrsystemy II 2 K1eit_K0 InzA_U , T Z P S Ob 17. ETD007101W Technika laserwa 1 S1ief_W ,6 T Z S Ob 18. ETD007101L Technika laserwa 2 S1ief_U0 InzA_U , T Z P S Ob Razem ,.2. Lista mdułów wybieralnych Razem dla mdułów specjalnściwych:.2.1. Lista mdułów kształcenia gólneg ZZU CNPS punktów ECTS punktów ECTS w ć l p s , Kd Mduł Przedmity humanistyczn-menedżerskie Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 ZMD100001BK BLOK D - MENADŻERSKI ,6 T Z O P KO W Razem ,6-1 -

15 Mduł Języki bce Kd Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) zaligóln- czenia uczel- niany prakty- rdzaj 6 typ 7 1. JZL100707BK Język bcy , T Z O P KO W 2. JZL100708BK Język bcy B ,1 E Z O P KO W Razem ,5 Kd Mduł Zajęcia sprtwe Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 1. WFW010000BK Zajęcia sprtwe T Z O P KO W Razem Kd Technlgie infrmacyjne Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 Razem Razem dla mdułów kształcenia gólneg: ZZU CNPS punktów ECTS punktów ECTS w ć l p s ,1-15 -

16 .2.2. Lista mdułów z zakresu nauk pdstawwych Kd Mduł Matematyka Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 Razem Kd Mduł Fizyka Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 Razem Kd Mduł Chemia Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 Razem Razem dla mdułów z zakresu nauk pdstawwych: w ć l p s ZZU CNPS punktów ECTS punktów ECTS

17 .2.. Lista mdułów kierunkwych Kd Mduł Przedmity wybieralne kierunkwe Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 1. ETD006075L Labratrium twarte (elektr.) 2 K1eit_U1 InzA_U07 K1eit_K ,8 T Z P K W ETD100012BK BLOK WYBIERALNY A , 2. ETD0008W Prgram niskpzimwe w C 2 K1eit_W ,2 T Z K W K1eit_U08. ETD0008P Prgram niskpzimwe w C 2 K1eit_U18 InzA_U06 K1eit_K ,1 T Z P K W. ETD00085W Prgramwanie aplikacyjne 2 K1eit_W ,2 T Z K W K1eit_U20 5. ETD00085P Prgramwanie aplikacyjne 2 InzA_U02 K1eit_K ,1 T Z P K W K1eit_K0 ETD10001BK BLOK WYBIERALNY B ,7 6. ETD006079P 7. ETD006080P 8. ETD006081P Zastswanie technik infrmacyjnych i metd numerycznych Numeryczne mdelwanie przyrządów półprzewdnikwych Prjektwanie wspmagane kmputerem K1eit_U06 K1eit_U07 InzA_U02 K1eit_K02 K1eit_U07 InzA_U01 K1eit_K02 K1eit_U07 InzA_U02 K1eit_K0 Razem , ,7 Z P K W ,7 Z P K W ,7 Z P K W

18 Kd Mduł praktyka Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 1 ETD007069Q Praktyka zawdwa K1eit_U01 K1eit_U09 InzA_U0 K1eit_K ,2 T Z P K W K1eit_K06 InzA_K02 Razem ,2 Razem dla mdułów kierunkwych:.2.. Lista mdułów specjalnściwych ZZU CNPS punktów ECTS punktów ECTS BK w ć l p s Mduł Przedmity wybieralne specjalnściwe Kd Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) zaligóln- czenia uczel- niany prakty- rdzaj 6 typ 7 ETD10001BK BLOK WYBIERALNY C ETD007102W Zastswanie technik multimedialnych 1 S1ief_W ,6 T Z S W S1ief_U11 2. ETD007102P Zastswanie technik multimedialnych 1 K1ief_K , T Z P S W. ETD00710W Techniki bezprzewdwe 1 S1ief_W ,6 T Z S W S1ief_U09. ETD00710P Techniki bezprzewdwe 1 InzA_U08 Keit_K , T Z P S W Razem

19 Kd Mduł Praca dyplmwa Nazwa (grupę znaczyć symblem GK) gólnuczelniany prakty- rdzaj 6 typ 7 1. ETD00710S Seminarium dyplmwe 2 K1eit_W01- K1eit_W0 S1ief_W01- S1ief_W10 K1eit_U01- K1eit_U , T Z P S Ob S1ief_U01- S1ief_U15 K1eit_K0 2. ETD007105D Praca dyplmwa K1eit_W01- K1eit_W0 S1ief_W01- S1ief_W10 K1eit_U01- K1eit_U22 S1ief_U01- S1ief_U15 K1eit_K ,5 T Z P S W Razem ,9 Razem dla mdułów specjalnściwych: ZZU CNPS punktów ECTS punktów ECTS w ć l p s ,9-19 -

20 .2 Mduł praktyk Nazwa praktyki punktów ECTS punktów ECTS Praktyka zawdwa Tryb praktyki 6,2 Praktyka zawdwa jest kursem ujętym w prgramie nauczania i planie studiów, bwiązkwym na I stpniu studiów. Czas trwania praktyki t min. 160 tj. c najmniej tygdnie. Praktyka studencka mże dbywać się w jednej lub kilku firmach (w takim przypadku czas praktyk jest sumwany). Praktyka realizwana jest się na wnisek studenta na pdstawie przumienia między Dziekanem Wydziału a Zakładem pracy w którym praktyka będzie się dbywać. Wzór przumienia stanwi załącznik Zarządzenia Wewnętrzneg 2/2006 Rektra PWr. Pdpisanie przumienia jest mżliwe p wcześniejszym ustaleniu terminu i miejsca praktyki raz uzgdnieniu z Wydziałwym Krdynatrem d spraw praktyk studenckich ramweg prgramu praktyki. W przumieniu zawarte są infrmacje gdzie i w jakim terminie praktyka studencka pwinna się dbyć. P zakńczeniu praktyki student zbwiązany jest d dstarczenia Wydziałwemu Krdynatrwi d spraw praktyk studenckich: - zaświadczenia z firmy/zakładu dbytej praktyce (kt, w jakim terminie i gdzie dbywał praktykę, - ddatkweg zaświadczenia, które mże zawierać cenę praktykanta, - krótkieg, maksymalnie dwustrnneg sprawzdania. W przypadku gdy student był zatrudniny w firmie, t praca zarbkwa wyknywana przez nieg (w tym również za granicą) mże zstać uznana przez Wydziałweg Krdynatra d spraw praktyk studenckich jak praktyka zawdwa jeżeli jej charakter spełnia wymagania prgramu praktyki. Nie ma wówczas ptrzeby zawierania wyżej wymienineg przumienia między Dziekanem Wydziału a Zakładem pracy a d kursu wymagane jest tylk zaświadczenie zatrudnieniu (mże być t również świadectw pracy) i krótkie sprawzdanie p zakńczeniu zatrudnienia. Fakt dbycia przez studenta praktyki zawdwej zstaje zapisany w systemie Edukacja.pl. Czas trwania praktyki Cel praktyki Kd ETD007069Q tygdnie Celem praktyki zawdwej jest zapznanie studenta ze spsbem działania, rganizacją pracy i zadaniami, realizwanymi w firmach zajmujących się elektrniką i telekmunikacją raz stsujących w swjej działalnści szerk pjętą elektrnikę,. Student pwinien mieć mżliwść zastswania w praktyce wiedzy zdbytej w czasie nauki na Wydziale. Pwinien w czasie trwania praktyki zawdwej nauczyć się samdzielnej pracy raz współpracy w grupie pracwników przy realizacji zadań

21 . Mduł praca dyplmwa Typ pracy dyplmwej inżynierska semestrów pracy dyplmwej punktów ECTS Kd 1 15 ETD00721D Charakter pracy dyplmwej Studenci Wydziału w zbirze przygtwanych d wybru tematów prac dyplmwych mają d wybru prace dyplmwe charakterze: - analitycznym, (Analiza n numeryczna, właściwści,) - technlgicznym, (Technlgia epitaksjalneg wzrstu) - prjektwym, (Prjekt czujnika) - knstrukcyjnym, (Stanwisk d wygrzewania metdą RTS) - użytkwym, (Ocena użytecznści) - aplikacyjnym, (Zastswanie heterstruktury w knstrukcji) - badawczym, (Badanie,charakteryzacja) - przeglądwym (Stan wiedzy dt. mechanizmów wzrstu) punktów ECTS 5. Spsby weryfikacji zakładanych efektów kształcenia Typ Spsby weryfikacji zakładanych efektów kształcenia wykład egzamin, klkwium ćwiczenia dpwiedź ustna, test, klkwium labratrium dpwiedź ustna, wejściówka, wyknywanie ćwiczenia, sprawzdanie (prtkół) z labratrium prjekt ceny cząstkwe, brna prjektu seminarium udział w dyskusji, prezentacja multimedialna tematu praktyka cena pracdawcy, sprawzdanie z praktyki praca dyplmwa przygtwana praca dyplmwa, recenzja, brna pracy 10,5-21 -

22 6. punktów ECTS, którą student musi uzyskać na zajęciach wymagających bezpśrednieg udziału nauczycieli akademickich i studentów (wpisać sumę punktów ECTS dla / grup znacznych kdem ) 17,1 ECTS 7. punktów ECTS, którą student musi uzyskać w ramach z zakresu nauk pdstawwych punktów ECTS z przedmitów bwiązkwych punktów ECTS z przedmitów wybieralnych punktów ECTS punktów ECTS, którą student musi uzyskać w ramach charakterze praktycznym, w tym labratryjnych i prjektwych (wpisać sumę punktów ECTS /grup znacznych kdem P) punktów ECTS z przedmitów bwiązkwych punktów ECTS z przedmitów wybieralnych punktów ECTS Minimalna punktów ECTS, którą student musi uzyskać, realizując mduły kształcenia ferwane na zajęciach gólnuczelnianych lub na innym kierunku studiów (wpisać sumę punktów ECTS /grup znacznych kdem O) 8 punktów ECTS 10. punktów ECTS, którą student mże uzyskać, realizując mduły wybieralne (min. 0 % całkwitej liczby punktów ECTS) 75 punktów ECTS

23 11. Zakres egzaminu dyplmweg EiT (studia I stpnia) zagadnienia kierunkwe 1. Budwa becnie stswaneg układu jednstek miar (układ SI). Klasyfikacja błędów pmiaru. 2. Defekty w sieci krystalgraficznej, ich systematyka i wpływ na właściwści materiałów (przykłady).. Definicja epitaksji, klasyfikacja metd epitaksji wytwarzania struktur ptelektrnicznych.. Dpaswanie energetyczne w bwdzie elektrycznym. Mc czynna i bierna w bwdzie elektrycznym. 5. Dświadczalne pdstawy mechaniki kwantwej. Zjawisk ftelektryczne. 6. Elementy bierne wyknane techniką LTCC knstrukcja i właściwści rezystrów, cewek i kndensatrów. 7. Filtry aktywne. 8. Generatry drgań sinusidalnych. 9. Istta i cele lgistyki w inżynierii prdukcji. 10. Jakie rdzaje fal mgą występwać w prwadnicach falwych? Sklasyfikwać prwadnice falwe na dwie w zależnści d rdzaju prwadznej fali. Jakie kryterium w tym celu należy zastswać? 11. Liniwe i nieliniwe zastswania wzmacniaczy peracyjnych. 12. Lgika ptyczna: pdstawwe układy lgiki ptycznej, bramki ptelektrniczne. 1. Mechanizmy przewdnictwa pisujące charakterystykę R = f(t) grubwarstwwych rezystrów cermetwych. 1. Metda cyfrwa pmiaru częsttliwści i kresu sygnałów elektrycznych; wpływ isttnych czynników na błąd pmiaru. 15. Metdy bliczania błędu graniczneg w pmiarach złżnych. 16. Metdy pmiaru piezelektryków. 17. Metdy pmiaru pdstawwych parametrów elementów biernych (RLC). 18. Metdy pmiaru wartści skutecznej napięcia sygnałów kreswych. 19. Metdy stał- i zmiennprądwe pmiaru właściwści materiałów i elementów elektrnicznych. 20. Metdy uczenia sieci neurnwych. 21. Mikrsystemy ruchme: metdy wywływania ruchu w mikrskali, pdstawwe mikrknstrukcje i ich bszary zastswania. 22. Mdyfikacja właściwści warstw pwierzchniwych - systematyka tych warstw, metdy ich trzymywania. 2. Na czym plega mdulacja światła mikrfalami? Pdać przykład realizacji mdulatra elektrptyczneg. 2. Najważniejsze zastswania elementów, układów i urządzeń pracujących w zakresie częsttliwści mikrfalwych (00 MHz-00 GHz). 25. Nśniki ładunku elektryczneg i mechanizmy przepływu prądu w półprzewdnikach. 26. Obwód szeregwy RLC, reznans napięć. Obwód równległy RLC, reznans prądów. 27. Parametry i charakterystyki niezawdnści, zależnści między nimi. 28. Piezrezystywna detekcja sil i wychyleń w układach MEMS. 29. Pdstawwe układy wzmacniaczy tranzystrwych

24 0. Pmiar pętli histerezy, wyznaczanie parametrów magnetyków. 1. Prównanie właściwści i parametrów tranzystrów biplarnych i plwych. 2. Prste zastswanie równania Schredingera. Przenikanie elektrnów przez barierę ptencjału.. Przerzutniki i kmparatry.. Przesłanki stswania nrm ISO serii Przetwrniki analgw-cyfrwe i cyfrw-analgwe. 6. Przyrządy półprzewdnikwe ze złączem p-n; mówić i pdać ich pdstawwe zastswania. 7. Stan nieustalny w bwdzie stałprądwym RL raz RC. Stała czaswa. 8. Stswalnść różnych materiałów cienkwarstwwych dla realizacji precyzyjnych rezystrów, termrezystrów,kndensatrów,dcinków linii paskwych dla mikrfal, ścieżek płączeń,elektrd przeźrczystych przewdzących it 9. Systematyka mikrsystemów z uwzględnieniem specyfiki materiałwej i technlgicznej. 0. Technika replikacji z wykrzystaniem matryc mikrmechanicznych, zastswanie w mikr-ptyce. 1. Tendencje rzwjwe współczesnej technlgii półprzewdnikwej, przegląd pdstawwych prcesów mikr- i nantechnlgicznych. 2. Tranzystr biplarny - wyjaśnić isttę właściwści wzmacniających przyrządu. Prównanie pdstawwych parametrów tranzystrów biplarnych i plwych raz wynikających z nich mżliwści zastswania.. Tranzystry plwe - systematyka, budwa i zastswania. Prównanie pdstawwych parametrów tranzystrów biplarnych i plwych raz wynikających z nich mżliwści zastswania.. Typy sieci neurnwych i ich zastswania. 5. Układy MMIC - zarys budwy, wykrzystywane w ich knstrukcji przyrządy półprzewdnikwe, zastswania. 6. Układy scalne - cele i zalety integracji układów, rdzaje technlgii układów scalnych. 7. Właściwści elektryczne metali w zależnści d temperatury. 8. Wpływ dłączenia przyrządu pmiarweg na wartść mierznej wielkści. (Prblem przedstawić na wybranym przykładzie pmiaru pdstawwych wielkści elektrycznych). 9. Wpływ temperatury na półprzewdnik i wykrzystanie teg efektu w przyrządach półprzewdnikwych. 50. Wykrzystanie właściwści złącza p-n; mówić na przykładzie różnych typów did półprzewdnikwych. 51. Wymienić przykładwe elementy elektrniczne raz przyrządy półprzewdnikwe i wyjaśnić d czeg zależą ich właściwści. 52. Wzmacniacze mcy. 5. Wzmacniacze selektywne wielkiej częsttliwści. 5. Wzmacniacze szerkpasmwe i impulswe. 55. Zalety mntażu pwierzchniweg w prównaniu z mntażem przewlekanym. 56. Zależnść właściwści elektrycznych d temperatury materiałów wykrzystywanych w elektrnice. 57. Zasada działania kamertnu piezelektryczneg

25 58. Zjawisk ftelektryczne zewnętrzne i wewnętrzne. Określ warunki występwania raz przykłady zastswania. 59. Źródła mcy mikrfalwej klasyfikacja, prównanie parametrów i bszarów zastswań. 60. Źródł napięciwe i prądwe. Warunki równważnści źródeł. EiT (studia I stpnia) zagadnienia specjalnściwe IEF 1. Bnding elektrstatyczny (andwy): szkła, mycie i aktywacja, rdzaje bndingu, prcedury, transprt ładunków, fizyk-chemia bndingu, zastswanie w technice mikrsystemów. 2. Dmieszkwanie warstw: dyfuzja i implantacja jnów, wygrzewanie (RTA).. Dyspersja światłwdów definicje, klasyfikacja, przykładwe wartści, wpływ na jakść transmisji światłwdwej.. Ekrany ciekłkrystaliczne: zasada działania kmórki LCD (c t jest warstwa rientująca?), zależnść parametrów d temperatury i kąta widzenia, czas reakcji i sterwanie wyświetlaniem, c znaczają akrnimy: TN, STN, IPS, VA i MDVA, ekrany klrwe. 5. Ekrany plazmwe charakterystyka U/I wyładwania w gazie, zasady działania ekranów DC PDP raz ACM PDP i ACC PDP (przebiegi napięciw-prądwe), pdstawwe parametry. 6. Elementy bierne wyknywane techniką LTCC (Lw Temperature Cfired Ceramics) rezystry, cewki, kndensatry (knstrukcja, właściwści). 7. Frmwanie pdstawwych knstrukcji mikrmechanicznych metdą głębkieg mkreg trawienia aniztrpweg i iztrpweg krzemu. 8. Kamera vide filtr pt. addytywny i subtraktywny, zasada działania kamery z DFO typu zielna szachwnica raz kamery dwuprzetwrnikwej. 9. Klasyfikacja detektrów prmieniwania (w tym półprzewdnikwych), mechanizmy detekcji, zastswanie. 10. Klasyfikacja detektrów światła. Pdać przykłady knstrukcji i prównać parametry. 11. Klasyfikacja laserów półprzewdnikwych, właściwści, pdstawwe parametry. 12. Klasyfikacja laserów, właściwści, pdstawwe parametry, zastswanie. 1. Klasyfikacja światłwdów mówić i pdać przykłady. 1. Klasyfikacja źródeł prmieniwania, właściwści, pdstawwe parametry. 15. LIGA: prcesy i prcedury, wykrzystanie w mikrinżynierii, w technice mikrsystemów i w mikr-ptyce. 16. Mechanizmy destrukcyjne w warstwach cienkich. 17. Metdy nanszenia warstw cienkich. Ocena mżliwść kntrli parametrów technlgicznych w pszczególnych metdach. 18. Mikrmechaniczna bróbka wykrzystująca prcesy jnwe; prces typu BOSCH, prces typu DRIE, knstrukcje, aplikacje mikrsystemwe z uwzględnieniem mikrmaszyn i ptyki zintegrwanej. 19. Najczęściej stswane rdzaje ekranów wizyjnych i ich właściwści. Jakie znaczenie praktyczne ma wydajnść świetlna (pkazać na charakterystykach)? 20. Optelektrnika: definicja, dziedziny ptelektrniki, pdstawwe właściwści ptelektrniki. 21. Parametry światłwdów klasyfikacja i przykłady

26 22. Pdstawwe parametry energetyczne i ftmetryczne prmieniwania świetlneg (nazwy, definicje, jednstki). 2. Pdstawwe zjawiska ptyczne w półprzewdnikach. 2. Prjektry wizyjne: luminancja brazu a parametry prjekcji, rzdział strumieni RGB w prjektrze LCD, prjektr barwny z jednym przetwrnikiem DMD. 25. Przedstawić klasyfikację i mówić isttne cechy wyładwań w gazie i ich ptencjalne wykrzystanie w prcesach technlgicznych. 26. Spsby łączenia włókien światłwdwych klasyfikacja, prównanie, parametry łączy. 27. Spsby wyknywania precyzyjnych ścieżek w technlgii grubwarstwwej (sitdruk precyzyjny, metda FODEL, trawienie, metda ffset, zastswanie lasera). 28. Wymienić i krótk scharakteryzwać pdstawwe cechy transmisji światłwdwej. 29. Zaawanswane techniki mikr- i nanlitgraficzne (ftlitgrafia, elektrnlitgrafia, rentgenlitgrafia, jnlitgrafia, nanpieczątkwanie, litgrafie interferencyjne, skaningwe litgrafie próbnikwe). 0. Zjawisk ftelektryczne zewnętrzne i wewnętrzne. Określić warunki występwania raz pdać przykłady zastswania. 12. Wymagania dtyczące terminu kreślnych /grup lub wszystkich w pszczególnych mdułach L Kd kursu Nazwa kursu Termin d... (numer semestru)

27 1. Plan studiów (załącznik nr 1) Zapiniwane przez wydziałwy rgan uchwałdawczy samrządu studenckieg:... Data... Imię, nazwisk i pdpis przedstawiciela studentów... Data... Pdpis dziekana