Model energetyczny pojedynczego atomu. Model energetyczny ciała stałego. Półprzewodniki

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Model energetyczny pojedynczego atomu. Model energetyczny ciała stałego. Półprzewodniki"

Transkrypt

1 Model energetyczny pojedynczego atomu Półprzewodniki Pojedynczy atom może znajdować się w jednym z wielu stanów o różnych energiach, gdyż elektrony znajdujące się w przestrzeni wokół jądra atomowego zajmują określone poziomy energetyczne. Położenie elektronu na danym poziomie określa się za pomocą liczb kwantowych. Gdy elektrony są w konfiguracji odpowiadającej najniższej energii, cały atom jest w stanie o najniższej energii, zwanym stanem podstawowym. Elektrony zajmują wszystkie najniższe poziomy, zgodnie z tzw. zakazem Pauliego. Na rysunku 4.1 przedstawiono jednowymiarowy model energetyczny pojedynczego atomu. Niebieskie kreski poziome odpowiadają dozwolonym poziomom energii (w modelu Bohra kreski te odpowiadają całkowitym energiom elektronów znajdujących się na tzw. orbitach dozwolonych). Przedziały energii, których elektrony nie mogą posiadać, oddzielające od siebie dozwolone poziomy energetyczne, nazywamy pasmami zabronionymi. Model energetyczny ciała stałego W ciele stałym elektrony są ułożone w sieci krystalicznej tak blisko siebie, że ich oddziaływanie powoduje przesunięcia i rozszczepianie poziomów energetycznych. Przeanalizujmy dokładniej zjawisko rozszczepiania się poziomów dozwolonych dwóch atomów w procesie krystalizacji. Jeśli przechodzenie materii do stałego stanu skupienia wiąże się z tworzeniem sieci krystalicznej, wówczas odległości pomiędzy atomami zwykle maleją (k 2 < kj. Przy ich zbliżaniu ku sobie dozwolone poziomy energetyczne rozsuwają się nieznacznie wzdłuż osi energii (rys. 4.2). Po uformowaniu sieci krystalicznej odległość pomiędzy atomami jest na tyle mała, że stykające się poziomy energetyczne atomów tworzą jeden wspólny poziom (rys. 4.3). Gdyby nie nastąpiło wcześniej rozsunięcie dozwolonych poziomów energetycznych atomów, to na utworzonym wspólnym poziomie energetycznym mogłyby się znaleźć dwa elektrony o takim samym komplecie liczb kwantowych, a to oznaczałoby naruszenie zakazu Pauliego, co jest niemożliwe. Stykające się poziomy energetyczne atomów w sieci krystalicznej, znajdujących się w odległości k 0 od siebie, nie tylko rozsuwają się, ale i każdy z nich rozprzestrzenia się na wszystkie pozostałe atomy danego kryształu. W ten sposób każą atom kryształu zyskuje tym więcej poziomów dozwolonych energii, im więcej atomów znajduje się w danym krysztale (rys. 4.4). Poziomy te tworzą w każdym atomie na miejscu pojedynczych poziomów dozwolonych całe pasma dozwolone o znacznej szerokości. Zamiast jednego stanu o najniższej energii mamy teraz pasmo walencyjne (podstawowe) stanów, w których elektrony są zwykle związane z "macierzystymi" atomami. Powyżej tego pasma jest usytuowane pasmo przewodnictwa, w którym mogą znaleźć się elektrony swobodne wyrwane z sieci krystalicznej. Odstęp między tymi pasmami nosi nazwę pasma zabronionego (lub przerwy zabronionej). Ze względu na sposób zapełniania elektronowych pasm energetycznych możemy dokonać podziału ciał stałych na przewodniki, izolatory oraz tzw. półprzewodniki (rys. 4.5). W przypadku przewodnika (np. w metalu) pasma przewodnictwa i walencyjne zachodzą na siebie i nie ma jasnego rozróżnienia między tymi pasmami; pasmo walencyjne nie jest całkowicie wypełnione i dowolnie niska energia pozwala elektronowi przemieszczać się swobodnie. Nie ma przerwy energetycznej, którą trzeba przezwyciężyć dla uwolnienia elektronu, więc 1

2 opór elektryczny przewodnika nie jest duży. W izolatorze niemal puste pasmo przewodnictwa jest oddzielone od wypełnionego pasma walencyjnego znaczną przerwą, w której nie ma poziomów dozwolonych dla elektronów. Tylko niewiele elektronów uzyskuje w ruchu termicznym tak wysoką energię, aby przejść do pasma przewodnictwa. Zatem niewiele elektronów w izolatorze może się swobodnie poruszać (w temperaturze zera bezwzględnego nie byłoby ich wcale!), więc opór izolatora jest bardzo duży. Wzrost temperatury zwiększa liczbę elektronów w paśmie przewodnictwa, co zmniejsza opór, ale w temperaturze pokojowej jest on nadal bardzo duży. W półprzewodniku szerokość pasma zabronionego jest mniejsza niż w izolatorze, co umożliwia elektronom o większej energii kinetycznej przejście z pasma podstawowego do pasma przewodnictwa. Opór półprzewodnika jest zatem znacznie mniejszy od oporu izolatora. Półprzewodniki samoistne Półprzewodniki tworzą zwartą grupę pierwiastków przedstawioną na rysunk. 4.6 w ciemniejszych polach tabeli, stanowiącej część układu okresowego pierwiastków. Do tej grupy należą także tlenki, siarczki, tellurki i selenki wielu metali. W temperaturze bliskiej zera bezwzględnego wszystkie elektrony v, krysztale są związane z atomami. Aby elektron mógł przedostać się z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa, musi uzyskać tzw. energię aktywacji, która wynosi tyle, co wyrażona w elektronowoltach szerokość pasma wzbronionego. Samoistny półprz ewodnik, taki jak np. krzem, ma energię aktywacji równą około 1,1 ev. Jednak w temperaturze pokojowej (ok. 300 K) średnia energia ruchu termicznego to tylko 0,026 ev, więc nadal tylko nieliczne elektrony o wyjątkowo wysokiej energii mogą przeskoczyć" przerwę zabronioną i dlatego pasmo przewodnictwa w krzemie jest prawie puste. Półprzewodnik zachowuje się wtedy jak izolator. W wyższych temperaturach liczba elektronów w paśmie przewodnictwa rośnie, więc opór półprzewodnika maleje. Najszersze zastosowanie w produkcji przyrządów półprzewodnikowych znalazł krzem, między innymi ze względu na jego powszechne występowanie. Sieć krystaliczna krzemu jest tak zbudowana, że każdy atom, mając cztery elektrony walen-cyjne, ma równocześnie czterech sąsiadów rozmieszczonych w wierzchołkach czworościanu foremnego (rys. 4.7 a), z którymi jest powiązany za pomocą par elektronów wspólnych dla sąsiadujących atomów, tworzących tzw. wiązania kowalencyjne. Taki czworościan z charakterystycznym układem atomów tworzy tzw. komórkę elementarną. Zbiór komórek elementarnych, ułożonych względem siebie równolegle i ściśle wypełniających przestrzeń, buduje trójwymiarową sieć krzemu. Na rysunku 4.37 b przedstawiono rzut prostokątny sieci przestrzennej na płaszczyznę kartki. W dalszej części podręcznika będziemy się posługiwali takim płaskim schematem sieci krystalicznej. Półprzewodniki domieszkowe (niesamoistne) W omawianych półprzewodnikach samoistnych zakładaliśmy istnienie doskonałej regularnej struktury. W rzeczywistości w sieci krystalicznej mogą występować różne defekty w postaci tzw. atomów międzywęzłowych, braku atomów w poszczególnych węzłach sieci, czyli luk, oraz domieszek, które stanowią atomy innego pierwiastka zastępujące atomy pierwiastka podstawowego w węzłach sieci. Nieregularności w sieci krystalicznej półprzewodnika, wynikające z niedoskonałości procesu technologicznego noszą nazwę zanieczyszczeń, natomiast te, które wprowadza się celowo, nazywamy domieszkami. Okazuje się, że domieszki atomów obcej substancji zmieniają dramatycznie własności elektryczne półprzewodników i to właśnie zjawisko zostało wykorzystane przez współczesną elektronikę. Jeśli do fazy ciekłej danej substancji wprowadzimy domieszkę atomów innej substancji, to w procesie krystalizacji obce atomy mogą zajmować miejsca w węzłach sieci krystalicznej w podobny sposób, jak atomy macierzyste. Kryształy półprzewodnikowe zawierające w 2

3 poszczególnych węzłach sieci wtrącone obce atomy nazywają się półprzewodnikami domieszkowanymi. Kiedy w takim krysztale umieścimy atom z pięcioma elektronami walencyjnymi (atomy należący do V grupy układu okresowego, np. arsen), piąty elektron nie weźmie udziału w wiązaniu kowalencyjnym i będzie słabo związany z jądrem, dlatego potrzeba niewielkiej energii do zerwania tego wiązania (rys. 4.8). Taki elektron znajduje się w stanie o energii tuż poniżej pasma przewodnictwa, na które może łatwo wskoczyć", jeśli uzyska dość energii termicznej (rys. 4.9). Tak więc ten nadmiarowy" elektron może swobodnie poruszać się w krysztale. Skoro elektrony mają ujemny ładunek, więc taki półprzewodnik nazywamy półprzewodnikiem typują (od pierwszej litery angielskiego słowa negative- ujemny), a atom domieszki zaopatrujący sieć krystaliczną w elektron swobodny nazywa się donorem (z łac. donare-dawać, dostarczać). Jeżeli krzem domieszkujemy atomami o trzech elektronach walencyjnych (atomy należące do III grupy układu okresowego, np. ind), wtedy jedno z wiązań atomu domieszkowego z sąsiadującym atomem sieci będzie niepełne, pojawi się brak jednego elektronu, czyli tzw. dziura w rozkładzie ujemnie naładowanych elektronów (rys. 4.10). Elektron walencyjny z sąsiedniego atomu krzemu może wypełnić tę dziurę, tworząc jon ujemny indu, ale wtedy zostawi nową dziurę w miejscu, gdzie się pierwotnie znajdował. Dziura może się więc poruszać podobnie jak elektron, a skoro odpowiada brakowi ujemnie naładowanego elektronu, zachowuje się jak nośnik dodatniego ładunku. Zakłócenie sieci krystalicznej krzemu atomami się pierwotnie znajdował. Dziura może się więc poruszać podobnie jak elektron, a skoro odpowiada brakowi ujemnie naładowanego elektronu, zachowuje się jak nośnik dodatniego ładunku. Zakłócenie sieci krystalicznej krzemu atomami domieszkowymi z III grupy powoduje powstanie w jego paśmie zabronionym lokalnych poziomów energetycznych, położonych zaledwie o kilka setnych części elektrono-wolta powyżej pasma podstawowego (rys. 4.11). Swobodne elektrony mogą przeskakiwać na te poziomy, pozostawiając w paśmie walencyjnym dziury. Pod wpływem pola elektrycznego elektrony te mogą poruszać się ruchem uporządkowanym, co jest równoznaczne z ruchem dziur w przeciwną stronę. Taki półprzewodnik nazywamy półprzewodnikiem typu p (od angielskiego słowa positive - dodatni), a atom domieszki zaopatrujący sieć krystaliczną w dziury przez wychwycenie elektronów nazywa się akceptorem (z łac. accipere - brać, przyjmować). Złącze p-n, dioda półprzewodnikowa Diodę stanowią dwa półprzewodniki, jeden typu n, drugi typu p, zetknięte ze sobą. Układ taki nazywamy złączem p-n. Rysunek 4.12 pokazuje symbol diody półprzewodnikowej. Na rysunku 4.13 mamy przedstawiony w przekroju fragment kryształu, którego jedna część wykazuje przewodnictwo dziurowe (typ p), a druga - elektronowe (typ n). Przed zetknięciem każdy z obszarów jest elektrycznie obojętny, ponieważ w półprzewodniku typu p ładunek dziur jest skompensowany przez ładunek ujemnych jonów akceptora, a w półprzewodniku typu n ładunek swobodnych elektronów jest skompensowany przez ładunek dodatnich jonów donora. Po zetknięciu, w pobliżu styku takich dwóch obszarów występuje duża różnica w koncentracji swobodnych elektronów po obu stronach złącza. Skoro struktura kryształu jest ciągła, przez granicę zetknięcia obu obszarów elektrony mogą przechodzić z półprzewodnika typu n do półprzewodnika typu p, dzięki zjawisku dyfuzji. Z kryształu typu p do kryształu typu n przechodzą dziury. Elektrony (po przejściu) rekombinują z dziurami, a dziury (po przejściu) z elektronami; rekombinacja ta zachodzi w cienkiej warstwie blisko granicy zetknięcia. Ładunek jonów dodatnich i ujemnych po obu stronach granicy nie jest teraz skompensowany ładunkiem nośników przeciwnego znaku. Zatem ładunki dodatnie i ujemne w złączu to ładunki jonów donora i akceptora. W wyniku tego powstaje tzw. 3

4 warstwa zaporowa o bardzo dużym oporze, bo w jej obszarze nie ma prawie nośników ładunku; obszar typu p ma niższy potencjał elektryczny od obszaru typu n. Powstała różnica potencjałów nosi nazwę bariery potencjału, gdyż zapobiega dalszemu przenoszeniu elektronów (rys. 4.14). Dla typowych złączy krzemowych szerokość warstwy zaporowej waha się granicach od 0,l/<m aż do O.S/im, a bariera potencjału może mieć w temperaturze pokojowej wartość od 0,1V do 0,3V i zmniejsza się przy wzroście temperatury o ok. 2,3 mv/k Na rysunku 4.15 pokazano dwa sposoby podłączenia diody do obwodu elektrycznego. Jeśli do złącza przyłożymy zewnętrzne napięcie tak, że dodatni biegun źródła napięcia połączony jest z obszarem p, a ujemny z obszarem n, to zmniejszymy wewnętrzną różnicę potencjałów i w efekcie elektrony przyciągane przez biegun dodatni źródła będą przeskakiwać" barierę potencjału z n do p (zauważ, że dziury będą dążyć w kierunku przeciwnym z p do n). Przeskakujące nośniki ładunku rekombinują z nośnikami przeciwnego rodzaju, tzn. elektrony wypełniają dziury w półprzewodniku p, natomiast dziury w półprzewodniku n są zapełniane przez elektrony. Wskutek tego przez złącze popłynie prąd, którego nośnikami będą elektrony i dziury poruszające się w kierunkach przeciwnych. Mówimy, że takie napięcie polaryzuje diodę w kierunku przewodzenia. Jeśli diodę podłączymy do obwodu odwrotnie, tzn. obszar p połączymy z ujemnym biegunem źródła, a obszar n z dodatnim, to elektrony i dziury będą odciągane od złącza. Wskutek tego warstwa zaporowa poszerzy się; jej opór elektryczny wzrośnie. Prąd płynący przez złącze jest w tym przypadku bardzo słaby. Mówimy, że takie napięcie polaryzuje diodę w kierunku zaporowym. Omówione zjawiska można zilustrować wykresem przedstawiającym zależność natężenia prądu płynącego przez złącze p-n od przyłożonego do tego złącza napięcia zewnętrznego, czyli tzw charakterystykę statyczną diody półprzewodnikowej (rys. 4.16). Część wykresu położona w pierwszej ćwiartce układu współrzędnych odnosi się do sytuacji, gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia, natomiast pozostała część wykresu do sytuacji, gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku zaporowym. W drugim przypadku Rys przez złącze płynie słaby prąd, tzw. prąd wsteczny. Przy wzroście napięcia zewnętrznego, polaryzującego diodę w kierunku zaporowym, pojawia się taka jego wartość, przy której na skutek silnego pola elektrycznego gwałtownie wzrasta natężenie prądu płynącego przez złącze i warstwa zaporowa ulega trwałemu uszkodzeniu (zjawisko przebicia). Reasumując można powiedzieć, że dioda półprzewodnikowa funkcjonuje tak, jak zawór jednokierunkowy, tzn. wykazuje bardzo duży opór, jeśli jest spolaryzowana w kierunku zaporowym i znikomy opór, jeśli jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia. Oczywiście zależność / od U nie jest liniowa - do diody nie stosuje się prawo Ohma. Zastosowania diody półprzewodnikowej Opisane własności diody stanowią ojej zastosowaniach między innymi w tzw. prostownikach, których zadaniem jest prostowanie, czyli proces zamiany prądu przemiennego na stały. Jest to szczególnie istotne w praktyce, gdyż funkcjonowanie ogromnej większości urządzeń elektronicznych wymaga prądu stałego, jeśli więc zasilamy je z sieci prądu przemiennego, konieczne są odpowiednie prostowniki. Najprostszym układem prostowniczym jest tzw. układ jednopołówkowy, w którym stosowana jest tylko jedna dioda (rys. 4.17). Jak pokazano na rysunku, tylko dodatnia część sygnału przechodzi przez diodę i na wyjściu układu otrzymujemy napięcie pulsujące. Gdy do układu podłączymy tylko kondensator (rys. 4.18), to wtedy na wyjściu otrzymamy stałe napięcie, bo układ nie jest obciążony (do wyjścia 4

5 układu nie podłączono żadnego urządzenia) i prąd nie jest pobierany. Po obciążeniu wyjścia układu przez podłączenie jakiegoś urządzenia o oporze ff(rys. 4.19), w przerwach między dodatnimi półokresami napięcia kondensator będzie częściowo rozładowywany. W takim przypadku napięcie wyjściowe ma stały znak, ale nadal zmienną wartość, czyli otrzymujemy tzw. tętnienie, które można jednak zmniejszyć, stosując kondensator o bardzo dużej pojemności elektrycznej. Niestety napięcie wyjściowe silnie zależy od oporu elektrycznego urządzenia podłączonego do wyjścia, co jest istotną wadą tego typu prostowników i dlatego w praktyce stosuje się układy dwu-połówkowe. Schemat takiego prostownika przedstawiono na rysunku Układ zawiera dwie diody i specjalny transformator mający uzwojenie wtórne z przewodem włączonym w połowie uzwojenia wtórnego, tzw. odczepem. Napięcia występujące na końcach uzwojeń są w przeciwnej fazie (fazy przesunięte o 180 ). Oznacza to, że w chwili, gdy na jednej części uzwojenia wtórnego pojawia się połówka sinusoidy dodatnia względem odczepu środkowego, to na drugiej części pojawia się połówka ujemna względem tego odczepu. W czasie trwania pierwszej połowy okresu napięcia wejściowego przewodzi dioda D ± i prąd płynie przez górną część uzwojenia transformatora. W czasie trwania drugiej połowy okresu napięcia wejściowego przewodzi dioda D 2 i prąd płynie przez dolną część uzwojenia wtórnego. Aby je wygładzić", dodaje się kondensator, tak jak w przypadku prostowników jednopołówkowych. Oprócz funkcji prostowniczych diody mogą jeszcze pełnić w obwodach elektronicznych także inne funkcje, takie jak np.: detekcyjna w radioodbiornikach, polegająca na wydzielaniu sygnałów niskiej, akustycznej częstotliwości z sygnałów wysokiej częstotliwości; stabilizacyjna w układach zasilaczy (diody Zenera), polegająca na utrzymaniu stałego napięcia elektrycznego na wyjściu tych urządzeń; strojeniowa w telewizorach i odbiornikach radiowych (diody pojemnościowe, w których złącze p-n zmienia pojemność elektryczną zależnie od napięcia polaryzującego); sterująca w obwodach elektronicznych (tyrystory i triaki - diody wyposażone w dodatkową elektrodę sterującą, tzw. bramkę; przewodzenie prądu przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia następuje dopiero wtedy, gdy bramka otrzyma odpowiedni impuls elektryczny; triaki przewodzą prąd przy dowolnej polaryzacji i dzięki temu mogą być stosowane w regulatorach prądu przemiennego, np. w domowych ściemniaczach). Ciekawym elementem półprzewodnikowym jest dioda elektroluminescencyjna, tzw.dioda LED, zwana również świecącą (ang. LED - Light Emitting Diodę) zaliczana obecnie do najpopularniejszych elementów optoelektronicznych stosowanych w 5

6 wyświetlaczach budzików cyfrowych oraz w radioodbiornikach, systemach audio i wideo czy komputerach. Na rysunku 4.21 przedstawiono budowę typowej diody świecącej oraz jej symbol graficzny. Jaki jest mechanizm emisji światła? Aby odpowiedzieć na to pytanie, musimy wrócić jeszcze raz do teorii pasmowej półprzewodników. Wiesz już, że w przypadku, gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia, to nośniki prądu (elektrony i dziury) uzyskują energię elektryczną ze źródła zewnętrznego i są wstrzykiwane" przez złącze p-n, a następnie rekombinują z nośnikami przeciwnego rodzaju. Przeskok elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa wymaga pewnej energii powodującej generację pary elektron-dziura. Jeśli elektron, w procesie odwrotnym, spada w dół z pasma przewodnictwa, aby wypełnić dziurę w paśmie walencyjnym, to energia jest oddawana i w zwykłych złączach p-n powoduje wzrost energii wewnętrznej diody. W diodach LED część tej energii zamienia się w energię świetlną i jest emitowana na zewnątrz złącza w postaci fotonów. Długość fali światła zależy od energii emitowanych fotonów, a ta z kolei zależy od szerokości pasma zabronionego. Większość emitowanych fotonów nie dochodzi do powierzchni diody, gdyż materiał półprzewodnikowy jest nieprzeźroczysty, dlatego obszary n i p powinny być bardzo cienkie, tak by złącze p-n znajdowało się możliwie najbliżej powierzchni diody; w praktyce jeden z półprzewodników tworzących złącze ma grubość zaledwie 1 m. Diody elektroluminescencyjne mogą pracować w sposób ciągły, ale w praktyce najczęściej odbywa się to impulsowo. Jeśli częstotliwość impulsów jest odpowiednio duża (powyżej 50 Hz), wtedy dzięki bezwładności wzroku powstaje wrażenie ciągłego świecenia. Taki sposób pracy pozwala na zwiększenie natężenia prądu płynącego przez diodę bez obawy uszkodzenia złącza p-n wskutek przegrzania się, np. dioda pracująca impulsowo, przez którą przepływa prąd o natężeniu dwukrotnie większym od natężenia prądu płynącego przez diodę działającą w sposób ciągły będzie świeciła jaśniej, przy tym samym wzroście energii wewnętrznej. Diody LED są tanie, bardziej odporne na wstrząsy i mają zdecydowanie dłuższą żywotność w porównaniu ze zwykłymi żaróweczkami, dlatego coraz częściej zastępują te ostatnie w praktycznych zastosowaniach. W rozdziale poświęconym złączu p-n nie sposób też pominąć ogniw fotoelektrycznych, powszechnie zwanych bateriami słonecznymi, które przekształcają energię świetlną wprost na energię elektryczną. Na rysunku 4.22 pokazano budowę typowego krzemowego ogniwa fotoelektrycznego i jego symbol graficzny. Takie ogniwo wykonuje się z półprzewodnika typu p pokrytego warstwą półprzewodnika typu n o grubości tylko 1 m, a więc wystarczająco cienką, aby móc łatwo przepuścić światło dochodzące do warstwy zaporowej. Zaabsorbowane fotony dostarczają elektronom z pasma podstawowego energię wystarczającą na przejście do pasma przewodnictwa, przy czym w paśmie podstawowym pozostaje dziura. Zatem w warstwie zaporowej tworzą się dodatkowe nośniki prądu (elektrony i dziury) i pod wpływem wewnętrznego pola elektrycznego w warstwie następuje dyfuzja dziur do obszaru p półprzewodnika, a elektronów do obszaru n. Elektrony, które przeszły do obszaru n ładują tę część półprzewodnika ujemnie, natomiast dziury ładują obszar p półprzewodnika dodatnio. Pomiędzy obiema częściami półprzewodnika powstaje więc różnica potencjałów, powodująca polaryzację złącza p-n w kierunku przewodzenia. Takie zjawisko nazywa się zjawiskiem fotoelektrycznym wewnętrznym. Jeśli obszary p i n połączymy przewodem na zewnątrz ogniwa to popłynie prąd w kierunku przeciwnym do kierunku przewodzenia diody. Tranzystor Tranzystor jest elementem półprzewodnikowym pozwalającym sterować przepływem prądu w obwodach elektrycznych. Jego angielska nazwa transistor pochodzi od słów transfer- przekaz i resistor- opornik. Elementarna struktura tzw. tranzystora bipolarnego stanowi układ trzech stykających się warstw półprzewodnikowych, kolejno n-p-n (tranzystor typu n) lub p-n-p (tranzystor typu p). Te warstwy epitaksjalne (od greckich słów epi" czyli na" i taxis" czyli ułożone") tworzy się tak, aby zachować strukturę monokrystaliczną. Zasadę działania przedstawimy na przykładzie tranzystora n-p-n. Na rysunku 4.23 przedstawiono obwód takiego tranzystora. Obszar typu n (z lewej strony) nosi nazwę emitera, czyli obszaru wprowadzającego nośniki (w tym przypadku elektrony) do obszaru bazy; kolektor jest natomiast końcowym elementem tranzystora, zbierającym nośniki. Emiter jest silnie domieszkowany, więc 6

7 jest bogaty w ruchome nośniki ładunków i ma mały opór elektryczny. Bardzo cienka baza jest lekko domieszkowana podobnie jak znacznie szerszy kolektor. Podczas pracy tranzystora jego elektrody są podłączone do źródeł napięć tak, by emiter miał potencjał ujemny, a kolektor dodatni w stosunku do bazy, wówczas złącze na granicy emiter-baza jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, natomiast złącze na granicy baza-kolektor odwrotnie, czyli w kierunku zaporowym. W efekcie elektrony płyną swobodnie z emitera do bazy, co powoduje, że w różnych miejscach bazy występuje różna liczba elektronów; w pobliżu emitera jest ich więcej niż w pobliżu kolektora. Taki rozkład ładunku w bazie sprzyja dyfuzji elektronów w kierunku kolektora. Ze względu na małą szerokość bazy, zaledwie nieliczne elektrony wypełniają dziury w jej obszarze (czas rekombinacji dziur w bazie jest znacznie dłuższy niż czas ich dyfuzji przez bazę), natomiast znaczna większość dociera do złącza między bazą a kolektorem i może przez to złącze przeskakiwać, gdyż jest wciągana" przez kolektor (potencjał kolektora jest wyższy od potencjału bazy). Gdy w bazie zmniejszy się liczba dziur, to w efekcie skumuluje się tam ujemny ładunek, który hamuje dopływ elektronów z emitera do bazy (i w konsekwencji do kolektora). Stosunkowo niewielki ładunek zgromadzony na bazie może zatem silnie ograniczać duży prąd z emitera do kolektora I K, którego przepływ mogło zapewnić zewnętrzne źródło napięcia. Dostarczenie dziur do bazy tranzystora (usunięcie z niej elektronów) może się odbyć przez zwiększenie napięcia zewnętrznego przyłożonego do emitera i bazy, co spowoduje obniżenie bariery potencjału na złączu emiter-baza, wtedy znacznie wzrośnie natężenie prądu kolektora I K. Reasumując, natężenie prądu płynącego przez kolektor może być regulowane przez niewielką zmianę napięcia polaryzującego złącze emiter-baza, czyli przez zmianę nawet bardzo słabego prądu płynącego przez bazę. Ze względu na swoje własności tranzystor jest podstawowym elementem tzw. wzmacniaczy, czyli układów, w których słaby wejściowy prąd sygnału jest wzmacniany w postaci prądu wyjściowego o identycznym kształcie.impulsu, ale o znacznie większym natężeniu. Na rysunku 4.24 przedstawiono schemat najprostszego jednotranzystorowego wzmacniacza, pracującego w tzw. układzie wspólnej bazy. Mikrofon wysokiej jakości wytwarza napięcie rzędu zaledwie kilku dziesiątych mikrowolta lub mniej. Takie znikome napięcie jest o wiele za niskie, aby wywołany przez nie prąd był w stanie uruchomić słuchawki czy głośnik. Sygnały wytwarzane przez mikrofon są więc najpierw kierowane do wzmacniacza i dopiero po ich odpowiednim wzmocnieniu mogą być dalej wykorzystane do zasilania głośnika. W praktyce wzmacniacze stanowią złożone układy elektroniczne, zbudowane nie tylko z tranzystorów, ale także z innych elementów, takich jak oporniki, cewki czy kondensatory. 7

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności

Bardziej szczegółowo

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) 152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,

Bardziej szczegółowo

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków. 2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyki diody

Badanie charakterystyki diody Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b) Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone

Bardziej szczegółowo

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA 3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony

Bardziej szczegółowo

Struktura pasmowa ciał stałych

Struktura pasmowa ciał stałych Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

!!!DEL są źródłami światła niespójnego. Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Podstawy krystalografii

Podstawy krystalografii Podstawy krystalografii Kryształy Pojęcie kryształu znane było już w starożytności. Nazywano tak ciała o regularnych kształtach i gładkich ścianach. Już wtedy podejrzewano, że te cechy związane są ze szczególną

Bardziej szczegółowo

TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH

TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH Skolektywizowane elektrony w metalu Weźmy pod uwagę pewną ilość atomów jakiegoś metalu, np. sodu. Pojedynczy atom sodu zawiera 11 elektronów o konfiguracji 1s 2 2s 2 2p 6 3s

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Przyrządy i układy półprzewodnikowe Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15

Bardziej szczegółowo

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego

Bardziej szczegółowo

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja

Bardziej szczegółowo

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3

Bardziej szczegółowo

Skończona studnia potencjału

Skończona studnia potencjału Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach

Bardziej szczegółowo

Przerwa energetyczna w germanie

Przerwa energetyczna w germanie Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak

Bardziej szczegółowo

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki Półprzewodniki Definicja i własności Półprzewodnik materiał, którego przewodnictwo rośnie z temperaturą (opór maleje) i w temperaturze pokojowej wykazuje wartości pośrednie między przewodnictwem metali,

Bardziej szczegółowo

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków. Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.1/10 ĆWICZENIE 1 WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.CEL ĆWICZENIA: Zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

Przewodniki, półprzewodniki i izolatory

Przewodniki, półprzewodniki i izolatory Przewodniki, półprzewodniki i izolatory Według współczesnego poglądu na budowę materii zawiera ona w stanie normalnym albo inaczej - obojętnym, równe ilości elektryczności dodatniej i ujemnej. JeŜeli takie

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie

Bardziej szczegółowo

Czym jest prąd elektryczny

Czym jest prąd elektryczny Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (

Bardziej szczegółowo

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych . Zasilacze Wojciech Wawrzyński Wykład z przedmiotu Podstawy Elektroniki - wykład Zasilacz jest to urządzenie, którego zadaniem jest przekształcanie napięcia zmiennego na napięcie stałe o odpowiednich

Bardziej szczegółowo

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć. Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

Różne dziwne przewodniki

Różne dziwne przewodniki Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza)

Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza) Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel i program ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: zapoznanie się z budową diody półprzewodnikowej

Bardziej szczegółowo

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 23. Charakterystyka styku między metalem a półprzewodnikiem typu n. str. 1. Cel ćwiczenia:

Ćwiczenie nr 23. Charakterystyka styku między metalem a półprzewodnikiem typu n. str. 1. Cel ćwiczenia: Ćwiczenie nr 23 Charakterystyka styku między metalem a półprzkiem typu n. Cel ćwiczenia: Wyznaczanie charakterystyki napięciowo - prądowej złącza metal-półprzk n oraz zaobserwowanie działania elementów

Bardziej szczegółowo

Tranzystory i ich zastosowania

Tranzystory i ich zastosowania Tranzystory i ich zastosowania Nie wszystkie elementy obwodu elektrycznego zachowują się jak poznane na lekcjach rezystory (oporniki omowe). Większość używanych elementów ma zmienny opór. Jak się tak bliżej

Bardziej szczegółowo

Pasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka

Pasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka Pasmowa teoria przewodnictwa elektrycznego Anna Pietnoczka Wpływ rodzaju wiązań na przewodność próbki: Wiązanie jonowe - izolatory Wiązanie metaliczne - przewodniki Wiązanie kowalencyjne - półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 241. Wyznaczanie ładunku elektronu na podstawie charakterystyki złącza p-n (diody półprzewodnikowej) .. Ω.

Ćwiczenie 241. Wyznaczanie ładunku elektronu na podstawie charakterystyki złącza p-n (diody półprzewodnikowej) .. Ω. Nazwisko... Data... Nr na liście... Imię... Wydział... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie 241 Wyznaczanie ładunku elektronu na podstawie charakterystyki złącza p-n (diody półprzewodnikowej) Opór opornika

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 6 WYBRANE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wprowadzenie

Ćwiczenie 6 WYBRANE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wprowadzenie Ćwiczenie 6 WYRANE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE 1. el ćwiczenia Większość z dostępnych na rynku urządzeń elektronicznych wymaga zasilania napięciem i prądem stałym. Jak wiadomo, napięcie i prąd w gniazdkach

Bardziej szczegółowo

1. PÓŁPRZEWODNIKI 1.1. PODSTAWOWE WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW

1. PÓŁPRZEWODNIKI 1.1. PODSTAWOWE WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW 1. PÓŁPRZEWODNIKI 1.1. PODSTAWOWE WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW Najprostsza definicja półprzewodników brzmi: "Półprzewodniki są materiałami, których rezystywność 1 jest większa niż rezystywność przewodników

Bardziej szczegółowo

Prostowniki. 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników. Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY

Prostowniki. 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników. Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Prostowniki 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników ELEKTRONIKA Jakub Dawidziuk sobota, 16

Bardziej szczegółowo

Rozszczepienie poziomów atomowych

Rozszczepienie poziomów atomowych Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

Badanie układów prostowniczych

Badanie układów prostowniczych Instrukcja do ćwiczenia: Badanie układów prostowniczych (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel ćwiczenia Poznanie budowy, zasady działania i właściwości podstawowych układów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. 1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi

Bardziej szczegółowo

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż i badanie wybranych układów,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE

Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE Laboratorium z Fizyki Materiałów 00 Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY.WIADOMOŚCI OGÓLNE Przewodnictwo elektryczne ciał stałych można opisać korzystając

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

Pod względem przewodnictwa elektrycznego substancje można podzielić na:

Pod względem przewodnictwa elektrycznego substancje można podzielić na: 1 Układy diodowe Pod względem przewodnictwa elektrycznego substancje można podzielić na: izolatory - bardzo słabo przewodzą prąd, cząsteczki tych substancji mają bezpostaciową, amorficzną strukturę powiązań,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) 1. Wymagane zagadnienia - ruch ładunku w polu magnetycznym, siła Lorentza, pole elektryczne - omówić zjawisko Halla, wyprowadzić wzór na napięcie

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK DIÓD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK DIÓD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Laboratorium Podstaw Elektroniki Wiaczesław Szamow Ćwiczenie E4 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK DIÓD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH opr. tech. Mirosław Maś Krystyna Ługowska Uniwersytet Przyrodniczo - Humanistyczny Siedlce

Bardziej szczegółowo

Przejścia promieniste

Przejścia promieniste Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej

Bardziej szczegółowo

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika

Ćwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika Nazwisko... Data... Nr na liście... Imię... Wydział... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika Tabela I. Metal Nazwa próbki:

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 BADANIE DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ I TRANZYSTORA

Ćwiczenie 2 BADANIE DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ I TRANZYSTORA II pracownia fizyczna dr Wiaczesław Szamow Ćwiczenie 2 BADANIE DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ I TRANZYSTORA opr. tech. Mirosław Maś Krystyna Ługowska Siedlce 2004 1. Wstęp Zasadniczym celem ćwiczenia jest zbadanie

Bardziej szczegółowo

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami

Bardziej szczegółowo

ZALEŻNOŚĆ OPORU ELEKTRYCZNEGO 57 METALU I PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY

ZALEŻNOŚĆ OPORU ELEKTRYCZNEGO 57 METALU I PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY ZALEŻNOŚĆ OPORU ELEKTRYCZNEGO 57 METALU I PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY I.. Prąd elektryczny Dla dużej grupy przewodników prądu elektrycznego (metale, półprzewodniki i inne) spełnione jest prawo Ohma,

Bardziej szczegółowo

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja

Bardziej szczegółowo

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury. WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP

7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP 7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII

Bardziej szczegółowo

Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak

Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr

Bardziej szczegółowo

5. Tranzystor bipolarny

5. Tranzystor bipolarny 5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 39 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ

ĆWICZENIE 39 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ Piotr Janas Zakład Fizyki, Uniwersytet Rolniczy Do użytku wewnętrznego ĆWICZENIE 39 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ Kraków 2015 SPIS TREŚCI I. CZĘŚĆ TEORETYCZNA... 2 1. ELEMENTY PASMOWEJ

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale

Bardziej szczegółowo

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi

Bardziej szczegółowo