Baterie słoneczne. Historia

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Baterie słoneczne. Historia"

Transkrypt

1 Baterie słoneczne Historia 1767 szwajcarski uczony, Horace de Saussure, buduje pierwszy słoneczny kolektor Edmund Becquerel, po raz pierwszy obserwuje efekt fotoelektryczny. (E. Becquerel,"Mčmoire sur les effets électriques produits sous l'influence des rayons solaires", C. R. Acad. Sci. Paris, 1839, 9, ) W doświadczeniu z metalowymi elektrodami i elektrolitem zauważył, że przewodność rośnie wskutek oświetlenia układu. Willoughby Smith, 1873: Pierwsza obserwacja efektu fotoelektrycznego w ciele stałym (w selenie). 1876: Willoughby Smith ze swoimi studentami obserwują efekt fotowoltaiczny w złączu Se-Pt. 2 1

2 Historia 1883 Pierwsza bateria słoneczna: Charles Fritts 1905 Wyjaśnienie zjawiska fotoelektrycznego: Albert Einstein 1915 Potwierdzenie wyjaśnienia zjawiska fotoelektrycznego: Robert Millikan 1918 Metoda wytwarzania monokryształów krzemu: Jan Czochralski 1941 ~ Krzemowa bateria słoneczna: Russell Ohl 3 Główne rodzaje ogniw słonecznych Zbudowane na bazie monokrystalicznego AsGa lub krzemu Zbudowane na bazie polikrystalicznego krzemu Zbudowane na bazie amorficznego krzemu Inne Typ Wydajność ogniwa w laboratorium Mono Poli Amorficzne Wydajność seryjnego ogniwa 4 2

3 Krystaliczna, krzemowa komórka fotoelektryczna Materiał Złącze n-p tworzy się poprzez dyfuzyjne domieszkowanie fosforem (n) wierzchniej warstwy krzemu domieszkowanego borem (p). Elektrody nanosi się (zazwyczaj) metodą screenprinting. Klasyczna komórka ma wierzchnią warstwę cienką i silnie domieszkowaną n+ ( emiter ) i grubszą warstwę p ( baza ). Poza tym: elektrody: górna i dolna, warstwa antyodbiciowa i inne. 6 3

4 Od czego zależy wydajność komórki? 1. Od przezroczystości górnej elektrody. Dlatego właśnie, elektrody mają kształt wąskich pasków. 2. Od współczynnika odbicia światła od powierzchni komórki: Im mniej światła się odbije, tym lepiej. 3. Od szerokości przerwy energetycznej półprzewodnika Fotony o energii mniejszej niż szerokość przerwy energetycznej nie są absorbowane; 4. Od strat powstałych przy zbieraniu nośników ładunku Straty wynikają z rekombinacji nośników ładunku. Minimalizuje się je używając materiałów dobrej jakości, tzn. takich, w których czas życia mniejszościowych nośników ładunku jest długi. 7 Niektóre rozwiązania Układy komórek; Skupianie światła; Komórki zbudowane nie na złączu pn, ale złączu Schottkyego lub jeszcze innym; Konstrukcja górnej elektrody; Wpływ na właściwości odbijające powierzchni; Nowe materiały (GaAs, CdTe, CuInSe2); Komórki Grätzela; 8 4

5 Wpływ na właściwości odbijające powierzchni 9 Warstwy antyrefleksyjne Krzem jest srebrzystym, błyszczącym materiałem o współczynniku załamania około 4. Odbija ponad 30% padającego światła. Dlatego, na powierzchnię komórki nanosi się warstwę lub warstwy antyrefleksyjne. Jakie właściwości powinna mieć warstwa, aby zmniejszyć współczynnik odbicia? Optymalne n warstwy jest n = n si 2 2 R1 + R2 + 2R1R 2 cos2θ R = R R + 2R R cos2θ R 1 n 1+ n 1 1 =, 1 R 2 n1 n2 = n + n

6 Ograniczenia: 1. Współczynnik odbicia zależy od długości fali zerowe odbicie możliwe tylko dla jednej długości Linie przerywane Si z warstwą dodatkowo pokryte szkłem dobry wynik dla n= Warstwy antyrefleksyjne Materiały: SiN x wytworzone metodą PECVD mają n między 1.7 (dużo N) a 2.3 (dużo Si), stanowi jednocześnie dobrą barierę dyfuzyjną. Dzięki temu stało się główną warstwą AR. Kolor ogniw fotowoltaicznych zależy od grubości warstwy azotku krzemu. 12 6

7 Teksturowanie powierzchni Powierzchnia komórki ma strukturę albo piramidek, albo sferycznych rowków. Wskutek tego padające światło odbija się od powierzchni wielokrotnie. Jedna z metod teksturowania: trawienie chemiczne Uwaga: warstwa półprzewodnikowa n musi mieć taki sam kształt (stała grubość) jak powierzchnia. Dlatego domieszkuje się po teksturowaniu. Source: Key Center for PV Engineering - UNSW 13 Emiter warstwa półprzewodnika typu n 14 7

8 Emiter Aby zminimalizować powierzchnię elektrod, emiter powinien dobrze przewodzić; to oznacza, że powinien być silnie domieszkowany i dość gruby; ALE (1): Silne domieszkowanie zmniejsza czas życia dziur. Zatem, zmniejsza efektywność komórki. Mechanizm rekombinacji: Auger (nie da się go wyeliminować). ALE (2): Silne domieszkowanie zmniejsza ruchliwość nośników. Zatem, zmniejsza współczynnik dyfuzji i drogę dyfuzji; UWAGA: grubość emitera powinna być mniejsza niż droga dyfuzji. 15 Emiter Oszacowanie grubości warstwy n: Założenie: koncentracja domieszek = /cm 3 Stała dyfuzji dziur D h ~ 1 2 cm 2 /s Czas życia dziur τ ~ 10-9 s droga dyfuzji L h ~ cm = µm Zatem, aby dziury mogły dotrzeć poprzez obszar n do p, jego grubość musi być mniejsza niż 0.5 µm (kosztem zwiększenia oporu warstwy n). Z kolei, aby aby warstwa o grubości 1 µm mogła zaabsorbować światło, współczynnik absorpcji musi być α > 10 6 m -1. Tylko niebieskie światło spełnia ten warunek. 16 8

9 Emiter Warstwa n silnie domieszkowana o grubości 0.5 µm Bardzo cienka warstwa szkła, przez którą mogą tunelować elektrony, ale nie dziury. Szkło jest po to, aby zmniejszyć rekombinację na granicy półprzewodnik-metal. 17 Baza Baza musi być wystarczająco gruba, aby całe padające światło zostało zaabsorbowane Si: minimum 300µm, aby zaabsorbować światło widzialne; 1 mm, aby zaabsorbować całe promieniowanie aż do dalekiego IR. GaAs, który ma prostą przerwę energetyczną wymaga tylko 1µm. 18 9

10 Baza Baza musi być wystarczająco cienka, aby nośniki mniejszościowe (elektrony) dotarły do złącza. Zatem, L n musi być większa niż grubość bazy. L n > 300 µm L > 300 µm > Dτ. D dla słabego domieszkowania jest stałe (30-40 cm 2 /s) zatem, czas życia powinien być τ > s. 19 Baza Czas życia elektronów w półprzewodniku typu p. Rysunek pokazuje, że warunek aby τ > s może być spełniony jeśli koncentracja domieszek jest mniejsza niż cm

11 Baza Podobnie, jak w emiterze, wszelkie mechanizmy rekombinacji (rekombinacja objętościowa, powierzchniowa i na kontaktach z elektrodami) powinny być zminimalizowane. 21 Baza Objętościowa rekombinacja jest zdominowana przez pułapki: defekty. Tzn. potrzebny jest materiał idealny (i tani) niemożliwe do spełnienia

12 Baza Rekombinacja powierzchniowa zachodzi na wszystkich powierzchniach. Najkorzystniejszy wpływ na szybkość rekombinacji powierzchniowej ma naniesienie cienkiej warstwy SiO 2 na powierzchnię krzemu (utlenienie powierzchni). Rekombinacja na kontaktach. Kontakty są zawsze silnie domieszkowane. Czego by nie robić, zawsze będzie tam zachodzić rekombinacja typu Auger. Aby zminimalizować niekorzystne zjawisko minimalizuje się powierzchnię bezpośredniego kontaktu między metalem a bazą. 23 Krzemowe baterie słoneczne baterie pierwszej generacji PODSUMOWANIE 24 12

13 Komórka krystaliczna Si Jedno ogniwo daje 0.5 V. Zazwyczaj łączy się 36 komórek razem tak, aby wyjściowe napięcie wynosiło 12 V. Komórki są hermetycznie zamknięte w obudowie ze szkła. Moduł może pracować 25 lat. 25 Komórka krystaliczna Si 85% baterii słonecznych obecnie używanych i sprzedawanych to multi- i monokrystaliczne baterie krzemowe. Efektywność komercyjnych baterii wciąż sięga maksymalnie tylko18%. Energia elektryczna potrzebna do wytworzenia baterii krzemowej to mniej więcej tyle, ile taka bateria wyprodukuje energii przez dwa lata

14 Literatura Sandrio Elim, Portland State University Małgorzata Pociask, Institute of Physics, University of Rzeszów, Poland David Marx, Illinois State University Jenny Nelson, Department of Physics, Imperial College London 27 ABY OBNIŻYĆ CENĘ I POPRAWIĆ EFEKTYWNOŚĆ OGNIW POSZUKUJE SIĘ NOWYCH MATERIAŁÓW I ROZWIĄZAŃ 14

15 Komórki cienkowarstwowe Niektóre materiały silnie absorbują światło i muszą mieć tylko 1 µm grubości. Główne z nich to: amorficzny krzem, lub polikrystaliczne związki jak selenki miedzi z indem, CIGS, tellurek kadmu (CdTe), azotek indu oraz materiały organiczne. Wszystkie te materiały można otrzymać w postaci warstw nanoszonych na duże podłoża (1m 2 ) szklane lub stalowe. To sprawia, że koszt wytwarzania ogniwa może być znacznie mniejszy. 29 Komórki cienkowarstwowe przykłady Amorficzny Si Mikrokrystaliczny Si CIGS CdTe Materiały organiczne Cienka warstwa na podłożu szklanym plastikowym metalowym 15

16 a-si:h KOMÓRKA FOTOELEKTRYCZNA Z AMORFICZNAGO KRZEMU a-si:h Amorficzny krzem jest półprzewodnikiem o prostej przerwie energetycznej i silnie absorbuje światło E g = ev Czas życia nośników w a-si:h to nanosekundy lub mniej. Nie można liczyć na dyfuzyjne zbieranie nośników mniejszościowych na elektrodach

17 a-si:h Emiter (p) ładuje się ujemnie, gdy dziury przemieszczają się do obszaru niedomieszkowanego. Z kolei, baza ładuje się dodatnio. Ruch dziur i elektronów ustaje, gdy różnica potencjałów wynosi 1V. To jest kontaktowa różnica potencjałów złącza n-p a-si:h. 33 a-si:h Powstaje silne pole elektryczne (2x10 4 V/cm). To pole elektryczne natychmiast przyspiesza powstałe w tym obszarze elektrony i dziury do odpowiednich elektrod. Komórka a-si:h zbiera nośniki nie dyfuzyjnie z całego obszaru, tylko z obszaru zubożonego, wskutek unoszenia w polu elektrycznym

18 a-si:h Zatem: Obszar zubożony powinien być gruby (1µm), żeby zaabsorbował możliwie dużo światła. To wymaga małej gęstości stanów (nie więcej niż /ev cm 3 ) Mimo 30 lat badań minimalna gęstość stanów w przerwie energetycznej wynosi właśnie tyle: około /ev cm 3 35 a-si:h Amorficzny krzem wytwarza się metodą PECVD (nanosi się warstwę np. na szkło). Główną wadą amorficznego krzemu jest to, że jest niestabilny. Zmienia się w czasie; Zmienia się pod wpływem oświetlenia i prądu; 36 18

19 SELENKI I TELLURKI CU, IN,. 37 Selenki i tellurki Szerokość przerwy energetycznej CuInSe 2 wynosi 1 ev. Taka przerwa jest o 0.5 ev mniejsza niż optymalna. Dodatek Ga zwiększa szerokość przerwy do 1.2 ev, co zwiększa wydajność o 15% Source: Dünnschicht-Solarzellen 38 19

20 CIGS CIGS jest to roztwór stały CuInSe2 i CuGaSe2. Półprzewodnik o prostej przerwie energetycznej, warstwa o grubości 1-2 μm absorbuje 90-95% światła padającego; Rekordowa efektywność: 19.9% Zaleta: możliwa jest stopniowa zmiana przerwy energetycznej dzięki sterowaniu ciśnieniem par w czasie nanoszenia warstw półprzewodnika. Porównanie Si - CIGS Krystaliczne Si Przerwa energetyczna 1.1 ev Homozłącze Tylna elektroda p+/metal przednia elektroda n+/metalowe paski Warstwa antyodbiciowa Góra: szkło Dół: kevlar CIGS Przerwa energetyczna ev Heterozłącze Tylna elektroda metal przednia elektroda domieszkowany ZnO Nie ma warstwy antyodbiciowej Góra: szkło Dół: szkło 20

21 CdTe Duże problemy technologiczne, trudny do wytworzenia w sposób powtarzalny, ale obecnie jest to najtańsza technologia ORGANICZNE KOMÓRKI FOTOELEKTRYCZNE 42 21

22 Materiały Półprzewodzące polimery Przewodzące małe molekuły barwniki fullereny Ciekłe kryształy Common OPV materials Source: A. Meyer, S. Scully et al. Polymer Based Solar Cells (2007) 43 Przewodzące polimery Przewodzące polimery mają najczęściej przerwę energetyczną ev, czyli odpowiednią do wykorzystania w urządzeniach fotoelektrycznych. Zjawisko fotoelektryczne jest w nich bardziej skomplikowane niż w półprzewodnikach nieorganicznych

23 Zasada działania 1. Padający foton powoduje powstanie pary elektron-dziura. Jest to jednak para związana: ekscyton 2. Ekscyton dysocjuje na elektron i dziurę w pobliżu granicy między materiałami 3. Dziury są zbierane na elektrodzie o wyższej pracy wyjścia (ITO), a elektrony na elektrodzie o mniejszej pracy wyjścia (aluminium). 45 Zalety ogniw organicznych Proste metody wytwarzania warstw (spin coating, printing itd. ) Tanie; Lekkie; Giętkie, przezroczyste; Łatwe kontrolowanie przerwy energetycznej

24 Ultracienkie ogniwa organiczne (IV 2012) Ultrathin OPV highlights Cells approximately 1.9 microns thick 4.3 per cent power conversion efficiency Able to generate 10 watts per gram Unaffected by extreme mechanical deformations can be squashed, wrinkled, deformed and stretched up to 400 per cent tensile strain 47 Ultracienkie ogniwa organiczne 48 24

25 PODWÓJNE KOMÓRKI FOTOELEKTRYCZNE 49 Podwójne komórki fotoelektryczne Source: National Renewable Energy Laboratory Różne materiały półprzewodnikowe ułożone jeden nad drugim zmniejszają straty energii padającego promieniowania. Komórki ustawione są w kolejności malejącej przerwy energetycznej

26 Podwójne komórki fotoelektryczne Maksymalna, przewidziana efektywność komórki wzrasta odpowiednio do 50%, 56%, i 72% dla układów 2, 3, i 36 złącz ze zoptymalizowanymi przerwami energetycznymi. Dla podwójnej komórki optymale przerwy energetyczne to 1.7 ev i 1.1 ev. Zbudowana prawdziwa tandemowa komórka (Ga0.5In0.5P i GaAs: 1.85/1.43 ev) ma efektywność 30%. Niedawne odkrycie, że In1-xGaxN ma przerwę energetyczną od 0.7 ev do 3.4 ev pozwoli na zbudowanie bardzo efektywnej komórki. 51 Światło o większej intensywności pada na powierzchnię komórki dzięki układowi soczewek i zwierciadeł skupiających światło. SKUPIANIE ŚWIATŁA 52 26

27 Skupianie światła Umieszczenie soczewek lub zwierciadeł, tak aby odpowiednio skupiały światło nie jest specjalnie drogie. Problemem jest, natomiast, wydzielające się ciepło. 53 Skupianie światła inaczej Spin Cell panele słoneczne (trójkątne) są umieszczone na obracającym się stożkowym szkielecie. Całość jest również pokryta koncentratorami światła. Dzięki obrotowi, każda komórka nagrzewa się tylko przez chwilę, po czym może się ochłodzić Phys.org 54 27

28 Kolejny pomysł Komórka aktywowana barwnikiem komórka Grätzela, należąca do grupy komórek cienkowarstwowych. Z drugiej strony komórkę tego typu zalicza się do grupy komórek fotoelektrochemicznych. 55 Fotoelektryczna komórka elektrochemiczna KOMÓRKI GRÄTZELA 56 28

29 Komórki Grätzela jedna elektroda jest pokryta tlenkiem tytanu z dodatkiem barwnika, a druga metaliczna (szkło pokryte platyną). pomiędzy: elektrolit TiO 2 absorbuje w zakresie ultrafioleu. Możliwe jest jednak chemiczne związanie cząsteczki barwnika z TiO 2. Barwnik absorbuje w zakresie widzialnym. Światło wzbudza elektron w barwniku. Jeśli elektron ten ma energię wyższą niż dno pasma przewodnictwa w TiO 2, to może on przejść do tego pasma i uczestniczyć w procesie przewodzenia. 57 Komórki Grätzela: działanie Światło padając na komórkę wzbudza elektron w barwniku; Elektron w warstwie TiO 2 wędruje do elektrody; Jednocześnie przy drugiej elektrodzie elektron jest przekazywany cząsteczce elektrolitu; Jon elektrolitu wędruje do elektrody; Po dojściu do elektrody przekazuje elektron barwnikowi; Itd. Itd

30 Komórka Grätzela: materiały Największą wydajność fotokonwersji uzyskano, stosując nanoporowate anody TiO2 o dużej powierzchni właściwej, pokryte warstwą barwnika organicznego, np. kompleksów rutenu. Elektrolit: np. LiI(C2H5OH)4 I2, lub inny roztwór soli jodu i jodu. Organometaliczny barwnik: kompleks rutenu Porównanie komórek Technology Efficiency [%] c-si HIT Heterojunction with Intrinsic Thin Layer TF Si (stabilised) CIS CdTe DSC Polymer Record cell 24.7 Mono 19.8 Multi Single 12.4 Tandem 13.4 Triple unstable Record module 22.7 Mono 15.3 Multi? 10.4 Triple Commercial module not available Cost reduction Limited Limited ? 30

31 Jak komórka fotoelektryczna staje się panelem: 61 Baterie fotoelektryczne mogą być używane prawie wszędzie Space application Terrestrial application Bulk c-si Thin Films GaAs η~24 % c-si η~12 % η~18 % Mono c- Si η ~ 15-17% Multi c-si η ~ 13-15% CIGS η lab ~ 19% η ind ~ 12% CdTe η lab ~ 16% η ind ~ 9% Poly c-si η lab ~ 16% η ind ~ 9% TF Si a-si:h η lab ~ 13% η ind ~ 9% Organic η lab ~ 11% GaAs (Gallium Arsenide) CIGS (Copper Indium Gallium Diselenide) CdTe (Cadmium Telluride) a-si:h (Hydrogenated amorphous silicon) 31

32 Baterie fotoelektryczne: ekonomia Moc baterii fotoelektrycznych zainstalowanych na świecie: około 800 MW Czas, po jakim zwróci się inwestycja: około 25 lat. 63 Największe elektrownie słoneczne Huanghe Hydropower Golmud Solar Park (China, 200 MW) - Perovo Solar Park (Ukraine, 100 MW), - Sarnia PV Power Plant (Canada, 97 MW) - Montalto di Castro PV Power Station (Italy, 84.2 MW) - Senftenberg Solarpark (Germany, 82 MW) - Finsterwalde Solar Park (Germany, 80.7 MW) - Okhotnykovo Solar Park (Ukraine, 80 MW) (completed in 2010 and 2011) 32

33 Elektrownie w budowie - Ordos Solar Project (China, 2000 MW Barmer, Bikaner, Jaisalmer and Jodhpur Solar Projects (India, 1000 MW each) Calico Solar Energy Project (USA, 563 MW) Topaz Solar Farm (USA, 550 MW) OGNIWO FOTOWOLTAICZNE

34 Ogniwo na kropkach kwantowych Naukowcy z Uniwersytetu w Toronto i KAUST w Arabii Saudyjskiej zbudowali ogniwo na warstwie koloidalnych kropek kwantowych o rekordowej efektywności ( w tej grupie ogniw) 7%. Physics World August Ogniwo na kropkach kwantowych Kropki kwantowe to cząstki półprzewodnika o rozmiarze kilku nanometrów. Koloidalne kropki kwantowe można wytwarzać w roztworze, co oznacza, że warstwę kropek można nanieść szybko i tanio na różne elastyczne lub sztywne podłoża jak atrament lub farbę. Physics World August

35 Ogniwo na kropkach kwantowych Zaleta kropek kwantowych polega na tym, że można poprzez zmianę rozmiaru kontrolować szerokość przerwy energetycznej. Physics World August Ogniwo na kropkach kwantowych Wadą kropek kwantowych jest duży stosunek powierzchni do objętości, co oznacza duże prawdopodobieństwo rekombinacji par elektrondziura. W powyższym rozwiązaniu skuteczną pasywację powierzchni przeprowadzono nanosząc roztwór chlorków na powierzchnię warstwy kropek natychmiast po jej wytworzeniu. Physics World August

36 Który rodzaj ogniw fotowoltaicznych zwycięży? PODSUMOWANIE 71 Dlaczego wciąż zwycięża krzem? Potencjalnie możliwa duża efektywność Krzem jest łatwo dostępnym pierwiastkiem; Materiały mało toksyczne; Technologia jest znana i powszechna; Szeroka wiedza o krzemie. 36

37 Energia termiczna jest wyłapywana przez kolektor. Krążący płyn transportuje energię cieplną do zbiornika. Zbiornik ogrzewa wodę. KOLEKTORY ENERGII SŁONECZNEJ 73 Materiały Główną częścią kolektora jest absorber, zbudowany z wąskich metalowych pasków. Typowo, absorbery zrobione są z miedzi i aluminium. Absorbery są czarne (absorpcja = ponad 90%. Mogą to być farby, ale lepsze właściwości mają galwanicznie nanoszone warstwy: czarnego chromu, niklu, tlenku aluminium z niklem. Nowość: azotek tytanu

38 Elektrownia słoneczno-cieplna Centralna wieża jest otoczona zwierciadłami; - Zwierciadła koncentrują energię na centralnej wieży, która absorbuje ciepło; - temperatura cieczy absorbującej ciepło może sięgać o C. - płyn ogrzewa wodę napędzającą turbinę parowa. Elektrownia słoneczno-cieplna 38

39 Elektrownia Solucar PS10 w Hiszpanii Wieża ma 115 m, mieści oprócz absorbera ciepła również turbinę parową. 624 ruchomych zwierciadeł o powierzchni 120 m 2 każde; 11 MW mocy E C E G E V dziura DETEKTORY: PODSTAWY 39

40 Parametry fotodetektora Czułość: Stosunek natężenia prądu do natężenia oświetlenia. Wydajność kwantowa: Stosunek liczby par elektron-dziura do ilości padających fotonów. Czas odpowiedzi: czas pomiędzy oświetleniem a powstaniem sygnału elektrycznego. 79 Typy detektorów Fotorezystory, fotodiody, fototranzystory, fotocokolwiek Zadaniem detektora jest przetwarzanie sygnału optycznego na elektryczny lub inny mierzalny w jakikolwiek sposób. Stosowane są m in. w komunikacji światłowodowej

41 Fotorezystory Foton padając na półprzewodnik generuje parę elektron-dziura. Wskutek tego, zwiększa się ilość swobodnych nośników ładunku w półprzewodniku i maleje jego opór. Zmiana oporu może być bardzo duża: od setek kiloomów w stanie nieoświetlonym do stu omów w świetle słonecznym. 81 Fotorezystory Najczęściej są to cienkie warstwy poli- lub monokrystalicznego półprzewodnika. Najpowszechniejsze są to warstwy CdS, który jest czuły na światło w zakresie widzialnym

42 Fotorezystory Fotorezystory CdS stosowane są praktycznie wszędzie: w światłomierzach, alarmach, światłach ulicznych. 83 Fotorezystory Inne materiały to PbS, PbSe i PbTe. Z tym, że są one czułe na promieniowanie elektromagnetyczne w zakresie podczerwieni. Jeszcze inne materiały: Ge:Cu. Są one najlepszymi (i najdroższymi) detektorami w dalekiej podczerwieni. Są stosowane w astronomii i spektroskopii

43 Fotodioda Złącze pn, spolaryzowane zaporowo; Światło zaabsorbowane generuje parę elektron-dziura; Płynie prąd. Charakterystyka prądowo napięciowa fotodiody

44 Fotodiody Istnieją różne rodzaje tych urządzeń. Główne, to: Fotodiody typu pin (złącze p-obszar samoistny-n) Celem takiej konfiguracji diody jest zmniejszenie niekorzystnej rekombinacji (jeżeli elektron i dziura zrekombinują zanim dotrą do elektrod, to prąd fotodiody nie wzrośnie). Fotodiody lawinowe; Padający foton generuje parę elektron-dziura. Elektrony i dziury przyspieszane są w polu elektrycznym. Zderzają się z neutralnymi atomami wzbudzając kolejne elektrony (elektrony wtórne) 87 Materiały: Materiały i technologia Si w zakresie do 0.8 µm; Ge do 1.8µm; Inne półprzewodniki; Złącza metal- półprzewodnik; Heterozłącza

45 Naturalne fotodetektory Nigel Sim i in. z Agency for Science Technology and Research zbudowali i zbadali fotodetektor wykorzystujący komórki fotoreceptora żaby. Phys. Rev. Lett. 109, (2012) 89 Naturalne fotodetektory Receptory żaby zliczają pojedyncze fotony. Komórki mają długość około 50 μm i średnicę 5 μm. Zewnętrzny segment każdej komórki zawiera fotopigment (rhodosin). Rodozyna z ciemności przewodzi jony sodu,potasu i wapnia. Absorpcja fotonu powoduje serię reakcji chemicznych,które blokują transport jonów. To powoduje polaryzację elektryczną komórki która stanowi sygnał elektryczny dla komórek nerwowych

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę

Bardziej szczegółowo

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę

Bardziej szczegółowo

Ogniwa fotowoltaiczne

Ogniwa fotowoltaiczne Ogniwa fotowoltaiczne Efekt fotowoltaiczny: Ogniwo słoneczne Symulacja http://www.redarc.com.au/solar/about/solarpanels/ Historia 1839: Odkrycie efektu fotowoltaicznego przez francuza Alexandre-Edmond

Bardziej szczegółowo

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał FOTODETEKTORY Fotodetektory Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał - detektory termiczne, wykorzystują zmiany temperatury

Bardziej szczegółowo

zasada działania, prawidłowy dobór wielkości instalacji, usytuowanie instalacji, produkcja energii w cyklu rocznym dr inż. Andrzej Wiszniewski

zasada działania, prawidłowy dobór wielkości instalacji, usytuowanie instalacji, produkcja energii w cyklu rocznym dr inż. Andrzej Wiszniewski Fotowoltaika w teorii zasada działania, prawidłowy dobór wielkości instalacji, usytuowanie instalacji, produkcja energii w cyklu rocznym dr inż. Andrzej Wiszniewski Technicznie dostępny potencjał energii

Bardziej szczegółowo

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują

Bardziej szczegółowo

ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE

ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE, WEWNETRZNE I ICH RÓŻNE ZASTOSOWANIA ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE Światło padając na powierzchnię materiału wybija z niej elektron 1 ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny

Repeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Energia emitowana przez Słońce

Energia emitowana przez Słońce Energia słoneczna i ogniwa fotowoltaiczne Michał Kocyła Problem energetyczny na świecie Przewiduje się, że przy obecnym tempie rozwoju gospodarczego i zapotrzebowaniu na energię, paliw kopalnych starczy

Bardziej szczegółowo

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

!!!DEL są źródłami światła niespójnego. Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Część 1. Wprowadzenie. Przegląd funkcji, układów i zagadnień

Część 1. Wprowadzenie. Przegląd funkcji, układów i zagadnień Część 1 Wprowadzenie Przegląd funkcji, układów i zagadnień Źródło energii w systemie fotowoltaicznym Ogniwo fotowoltaiczne / słoneczne photovoltaic / solar cell pojedynczy przyrząd półprzewodnikowy U 0,5

Bardziej szczegółowo

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego

Bardziej szczegółowo

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,

Bardziej szczegółowo

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. 1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego

Bardziej szczegółowo

Rozszczepienie poziomów atomowych

Rozszczepienie poziomów atomowych Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek

Bardziej szczegółowo

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska 1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej

Bardziej szczegółowo

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Wybrane elementy optoelektroniczne 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Podsumowanie a) b) Light Emitting Diode Diody elektrolumiscencyjne Light

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy

Bardziej szczegółowo

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa

Bardziej szczegółowo

Widmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka

Widmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka dealna charakterystyka prądowonapięciowa złącza p-n ev ( V ) = 0 exp 1 kbt Przebicie złącza przy polaryzacji zaporowej Przebicie Zenera tunelowanie elektronów przez wąską warstwę zaporową w złączu silnie

Bardziej szczegółowo

półprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski

półprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Czym jest prąd elektryczny

Czym jest prąd elektryczny Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n. Stan zaporowy

Złącze p-n. Stan zaporowy Anna Pietnoczka Stan zaporowy Jeżeli do złącza n-pprzyłożymy zewnętrzne napięcie U< 0, spowoduje to odsunięcie nośników ładunku od warstwy dipolowej i powiększenie bariery potencjału. Uniemożliwia to przepływ

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyki diody

Badanie charakterystyki diody Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

Wykład 3 Energia słoneczna systemy PV

Wykład 3 Energia słoneczna systemy PV WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA Odnawialne źródła energii dla budynków Wykład 3 Energia słoneczna systemy PV PV historia 1839 Edmund Becquerel odkrycie zjawiska fotowoltaicznego, pierwsze ogniwo wykonano

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,

Bardziej szczegółowo

Cienkowarstwowe ogniwa słoneczne: przegląd materiałów, technologii i sytuacji rynkowej

Cienkowarstwowe ogniwa słoneczne: przegląd materiałów, technologii i sytuacji rynkowej Cienkowarstwowe ogniwa słoneczne: przegląd materiałów, technologii i sytuacji rynkowej Przez ostatnie lata, rynek fotowoltaiki rozwijał się, wraz ze sprzedażą niemal zupełnie zdominowaną przez produkty

Bardziej szczegółowo

Rys.2. Schemat działania fotoogniwa.

Rys.2. Schemat działania fotoogniwa. Ćwiczenie E16 BADANIE NATĘŻENIA PRĄDU FOTOELEKTRYCZNEGO W ZALEŻNOŚCI OD ODLEGŁOŚCI ŹRÓDŁA ŚWIATŁA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie zależności natężenia prądu generowanego światłem w fotoogniwie od odległości

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII. Detektory fotonowe

Wykład VIII. Detektory fotonowe Wykład VIII Detektory fotonowe Półprzewodnik w polu elektrycznym dep F dx dv e ( x) ( e) dx dv ( x) dx ( x) const c V cx E p cex Detektory fotoprzewodzące ( t) q[ n( t) p( t) ] n p n p g op n ( t) qg op

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 10. Detekcja światła. Kondensator MOS. Plan na dzisiaj. fotopowielacz, część 2 MCP (detektor wielokanałowy) streak camera

Repeta z wykładu nr 10. Detekcja światła. Kondensator MOS. Plan na dzisiaj. fotopowielacz, część 2 MCP (detektor wielokanałowy) streak camera Repeta z wykładu nr 10 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 fotopowielacz,

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH

BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 70 Electrical Engineering 2012 Bartosz CERAN* BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH W artykule przedstawiono model matematyczny modułu fotowoltaicznego.

Bardziej szczegółowo

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia

Bardziej szczegółowo

Skończona studnia potencjału

Skończona studnia potencjału Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach

Bardziej szczegółowo

Elektronika z plastyku

Elektronika z plastyku Elektronika z plastyku Adam Proń 1,2 i Renata Rybakiewicz 2 1 Komisariat ds Energii Atomowej, Grenoble 2 Wydział Chemiczny Politechniki Warszawskiej Elektronika krzemowa Krzem Jan Czochralski 1885-1953

Bardziej szczegółowo

IX Lubelskie Targi Energetyczne ENERGETICS 2016 Lublin, dnia 16 listopada 2016 roku

IX Lubelskie Targi Energetyczne ENERGETICS 2016 Lublin, dnia 16 listopada 2016 roku IX Lubelskie Targi Energetyczne ENERGETICS 2016 Lublin, dnia 16 listopada 2016 roku Budowa ogniw fotowoltaicznych różnych generacji i ich wykorzystanie Stanisław Tryka Instytut Przyrodniczo-Techniczny

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa ciał stałych

Teoria pasmowa ciał stałych Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury

Bardziej szczegółowo

Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii

Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii P O L I T E C H N I K A G D A Ń S K A Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii Temat: Wyznaczanie charakterystyk prądowo-napięciowych modułu ogniw fotowoltaicznych i sprawności konwersji

Bardziej szczegółowo

W książce tej przedstawiono:

W książce tej przedstawiono: Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,

Bardziej szczegółowo

Projektowanie systemów PV. Produkcja modułu fotowoltaicznego (PV)

Projektowanie systemów PV. Produkcja modułu fotowoltaicznego (PV) Projektowanie systemów PV Wykład 3 Produkcja modułu fotowoltaicznego (PV) dr inż. Janusz Teneta C-3 pok. 8 (parter), e-mail: romus@agh.edu.pl Wydział EAIiIB Katedra Automatyki i Inżynierii Biomedycznej

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Przyrządy i układy półprzewodnikowe Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15

Bardziej szczegółowo

Wykład 3 Energia słoneczna systemy PV

Wykład 3 Energia słoneczna systemy PV WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA Odnawialne źródła energii dla budynków Wykład 3 Energia słoneczna systemy PV PV historia 1839 Edmund Becquerel odkrycie zjawiska fotowoltaicznego, pierwsze ogniwo wykonano

Bardziej szczegółowo

Przejścia promieniste

Przejścia promieniste Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 8 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania

Bardziej szczegółowo

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski 1 1 Dioda na złączu p n Zgodnie z wynikami, otrzymanymi na poprzednim wykładzie, natężenie prądu I przepływającego przez złącze p n opisane jest wzorem Shockleya

Bardziej szczegółowo

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów

Bardziej szczegółowo

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Wybrane Działy Fizyki

Wybrane Działy Fizyki Wybrane Działy Fizyki energia elektryczna i jadrowa W. D ebski 25.11.2009 Rodzaje energii energia mechaniczna energia cieplna (chemiczna) energia elektryczna energia jadrowa debski@igf.edu.pl: W5-1 WNZ

Bardziej szczegółowo

Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski

Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski Photovoltaic and Sensors in Environmental Development of Malopolska Region ZWIĘKSZANIE WYDAJNOŚCI SYSTEMÓW FOTOWOLTAICZNYCH Plan prezentacji

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Wykład 4 Energia słoneczna systemy PV

Wykład 4 Energia słoneczna systemy PV WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA Odnawialne źródła energii dla budynków Wykład 4 Energia słoneczna systemy PV page 2 PV historia 1839 Edmund Becquerel odkrycie zjawiska fotowoltaicznego, pierwsze ogniwo wykonano

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA 3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony

Bardziej szczegółowo

fotowoltaika Katalog produktów

fotowoltaika Katalog produktów fotowoltaika Katalog produktów Fotowoltaika: efektywne wytwarzanie prądu i ciepła Fotowoltaika, technologia umożliwiająca przemianę promieniowania słonecznego bezpośrednio na energię elektryczną, jest

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie Nr 5. Badanie różnych konfiguracji modułów fotowoltaicznych

Ćwiczenie Nr 5. Badanie różnych konfiguracji modułów fotowoltaicznych Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Fotowoltaiki Ćwiczenie Nr 5 Badanie różnych konfiguracji modułów fotowoltaicznych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,

Bardziej szczegółowo

EUROPEJSKIE SŁONECZNE DNI ENERGIA SŁOŃCA FOTOWOLTAIKA TECHNOLOGIE, OPŁACALNOSĆ, REALIZACJE Olsztyn 9 MAJA 2013 R.

EUROPEJSKIE SŁONECZNE DNI ENERGIA SŁOŃCA FOTOWOLTAIKA TECHNOLOGIE, OPŁACALNOSĆ, REALIZACJE Olsztyn 9 MAJA 2013 R. EUROPEJSKIE SŁONECZNE DNI ENERGIA SŁOŃCA FOTOWOLTAIKA TECHNOLOGIE, OPŁACALNOSĆ, REALIZACJE Olsztyn 9 MAJA 2013 R. Fotowoltaika - stan obecny oraz kierunki rozwoju w Polsce oraz UE Adam Cenian IMP PAN Słońce

Bardziej szczegółowo

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja

Bardziej szczegółowo

Produkcja modułu fotowoltaicznego (PV)

Produkcja modułu fotowoltaicznego (PV) Czyste energie Wykład 3 Produkcja modułu fotowoltaicznego (PV) dr inż. Janusz Teneta C-3 pok. 8 (parter), e-mail: romus@agh.edu.pl Wydział EAIiIB Katedra Automatyki i Inżynierii Biomedycznej AGH Kraków

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy optoelektroniczne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne Są one elementami sterowanymi natężeniem

Bardziej szczegółowo

Przewodność elektryczna półprzewodników

Przewodność elektryczna półprzewodników Przewodność elektryczna półprzewodników p koncentracja dziur n koncentracja elektronów Domieszkowanie półprzewodników donory i akceptory 1 Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku domieszkowanym

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Półprzewodnikami wykorzystywanymi w fotowoltaice, w zależności od technologii, są: krzem amorficzny,

Półprzewodnikami wykorzystywanymi w fotowoltaice, w zależności od technologii, są: krzem amorficzny, Generacja energii elektrycznej Panele fotowoltaiczne umożliwiają produkcję energii elektrycznej dzięki tzw. efektowi fotowoltaicznemu Jest to zjawisko, które powoduje powstawanie siły elektromotorycznej

Bardziej szczegółowo

Możliwości zastosowania technologii fotowoltaicznej w Polsce północnej w szczególności w domowych instalacjach autonomicznych.

Możliwości zastosowania technologii fotowoltaicznej w Polsce północnej w szczególności w domowych instalacjach autonomicznych. Możliwości zastosowania technologii fotowoltaicznej w Polsce północnej w szczególności w domowych instalacjach autonomicznych. Tomasz Karaś 1. Wykorzystanie zjawiska fotowoltaiki czyli wytwarzania napięcia

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia modulacyjna

Spektroskopia modulacyjna Spektroskopia modulacyjna pozwala na otrzymanie energii przejść optycznych w strukturze z bardzo dużą dokładnością. Charakteryzuje się również wysoką czułością, co pozwala na obserwację słabych przejść,

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów

Bardziej szczegółowo

Różne dziwne przewodniki

Różne dziwne przewodniki Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich

Bardziej szczegółowo

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) 152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,

Bardziej szczegółowo

Badanie ogniwa fotowoltaicznego

Badanie ogniwa fotowoltaicznego Badanie ogniwa fotowoltaicznego Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi wiadomościami na temat ogniw fotowoltaicznych oraz wyznaczenie: zależności prądu fotoogniwa od natężenia oświetlenia, charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne

Bardziej szczegółowo

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b) Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach

Bardziej szczegółowo

5. Tranzystor bipolarny

5. Tranzystor bipolarny 5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:

Bardziej szczegółowo

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent

Bardziej szczegółowo

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności

Bardziej szczegółowo

Wykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe

Wykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Wykład 7 Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Złącze p-n Złącze p-n Tworzy się złącze p-n E Złącze po utworzeniu Pole elektryczne na styku dwóch półprzewodników powoduje, że prąd łatwo

Bardziej szczegółowo