Pomiar parametrów tranzystorów

Podobne dokumenty
Badanie tranzystorów MOSFET

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Badanie diody półprzewodnikowej

Pomiar podstawowych wielkości elektrycznych

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Politechnika Białostocka

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

Politechnika Białostocka

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Politechnika Białostocka

Systemy i architektura komputerów

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Laboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

Politechnika Białostocka

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Uniwersytet Pedagogiczny

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Uniwersytet Pedagogiczny

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PARAMETRYCZNY STABILIZATOR NAPIĘCIA

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

BADANIE EFEKTU HALLA. Instrukcja wykonawcza

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Liniowe stabilizatory napięcia

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

Politechnika Białostocka

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie nr 3 Sprawdzenie prawa Ohma.

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2

Ćwiczenie 14. Sprawdzanie przyrządów analogowych i cyfrowych. Program ćwiczenia:

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Tranzystor bipolarny

Ćw. 2: Analiza błędów i niepewności pomiarowych

Ćwiczenie 5: Pomiar parametrów i charakterystyk scalonych Stabilizatorów Napięcia i prądu REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

1 Ćwiczenia wprowadzające

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723

Tranzystory bipolarne

Ćwiczenie 3 Badanie obwodów prądu stałego

Ćwiczenie E5 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA WARSTWOWEGO

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa. Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji

SPRAWDZENIE PRAWA OHMA POMIAR REZYSTANCJI METODĄ TECHNICZNĄ

SENSORY i SIECI SENSOROWE

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Elementy i obwody nieliniowe

EFEKT FOTOELEKTRYCZNY ZEWNĘTRZNY

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe.

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

SPRAWDZANIE SŁUSZNOŚCI PRAWA OHMA DLA PRĄDU STAŁEGO

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO. 1. Wiadomości wstępne

Ćw. III. Dioda Zenera

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE

POLITECHNIKA WARSZAWSKA Wydział Elektryczny Zakład Systemów Informacyjno-Pomiarowych

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Katedra Energetyki. Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i Informatyki

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

BADANIE EFEKTU HALLA. Instrukcja wykonawcza

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

SERIA IV. 1. Tranzystor unipolarny: budowa, symbole, zastosowanie, parametry.

Ćwiczenie 4 Badanie uogólnionego przetwornika pomiarowego

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem

Transkrypt:

Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin Pracownia Elektroniki Pomiar parametrów tranzystorów (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: zasada działania tranzystora bipolarnego (podwójne złącze p-n); tranzystor jako czwórnik podstawowe układy pracy tranzystora, parametry tranzystora; typy tranzystorów stosowanych w elektronice; graficzne metody wyznaczania statycznych i dynamicznych parametrów

Przebieg ćwiczenia Połączenie układu pomiarowego Połączyć obwód według schematu Przed rozpoczęciem łączenia odczytać typ badanego tranzystora i sprawdzić na końcu instrukcji jego polaryzację (pnp lub npn) Właściwą polaryzację należy uwzględnić przy podłączeniu zasilaczy Ponadto należy odczytać parametry graniczne dla badanego tranzystora i nie należy ich przekraczać podczas pomiaru Niestosowanie się do powyższych zaleceń grozi zniszczeniem tranzystora Typ tranzystora i odczytane parametry zapisać na karcie pomiarowej i umieścić w sprawozdaniu Płytka pomiarowa ma I C - ZASILACZ + R R ma U BE I B V U CE V - ZASILACZ + Rys Pomiar charakterystyki I C =f(u CE ) Wykonać pomiary zależności I C =f(u CE ) dla ustalonych wartości prądu bazy (I B =const) Zagęścić pomiary w zakresie 0-V Nie przekraczać wartości dopuszczalnych dla danego tranzystora Wykonać minimum 5 pomiarów dla ustalonej wartości prądu bazy Tabela pomiarowa: Typ i nr amperom I B : Klasa: Typ i nr woltom U CE : Klasa: Typ i nr amperom I C : Klasa: I B [ma] Zakres[mA] Lp U CE [V] Zakres[V] I C [ma] Zakres[mA]

Pomiar charakterystyki I C =f(i B ) Wykonać pomiar zależności I C =f(i B ) przy zachowaniu U CE =const Wykonać minimum 5 pomiarów Tabela pomiarowa: Typ i nr woltom U CE : Klasa: Typ i nr amperom I B : Klasa: Typ i nr amperom I C : Klasa: U CE [V] Zakres[V] Lp I B [ma] Zakres[mA] I C [ma] Zakres[mA] 4 Pomiar charakterystyki U BE =f(i B ) Wykonać pomiar zależności U BE =f(i B ) przy zachowaniu U CE =const Wykonać minimum 5 pomiarów Tabela pomiarowa: Typ i nr woltom U CE : Klasa: Typ i nr amperom I B : Klasa: Typ i nr woltom U BE : Klasa: U CE [V] Zakres[V] Lp I B [ma] Zakres[mA] U BE [V] Zakres[V] 5 Pomiar charakterystyki U BE =f(u CE ) Wykonać pomiary zależności U BE =f(u CE ) dla ustalonych wartości prądu bazy (I B =const) Zagęścić pomiary w zakresie 0-V Nie przekraczać wartości dopuszczalnych dla danego tranzystora Wykonać minimum 5 pomiarów dla ustalonej wartości prądu bazy

Tabela pomiarowa: Typ i nr amperom I B : Klasa: Typ i nr woltom U CE : Klasa: Typ i nr woltom U BE : Klasa: I B [ma] Zakres[mA] Lp U CE [V] Zakres[V] U BE [V] Zakres[V] Opracowanie wyników Sporządzić dla poszczególnych punktów ćwiczeniowych odpowiednie tabele zastępując kolumny z zakresem kolumnami z dokładnością pomiarową: Tabela wyników dla punktu : Typ i nr amperom I B : Klasa: Typ i nr woltom U CE : Klasa: Typ i nr amperom I C : Klasa: I B [ma] I B [ma] Lp U CE [V] U CE [V] I C [ma] I C [ma] Tabela wyników dla punktu : Typ i nr woltom U CE : Klasa: Typ i nr amperom I B : Klasa: Typ i nr amperom I C : Klasa: U CE [V] U CE [V] Lp I B [ma] I B [ma] I C [ma] I C [ma] 4

Tabela wyników dla punktu 4: Typ i nr woltom U CE : Klasa: Typ i nr amperom I B : Klasa: Typ i nr woltom U BE : Klasa: U CE [V] U CE [V] Lp I B [ma] I B [ma] U BE [V] U BE [V] Tabela wyników dla punktu 5: Typ i nr amperom I B : Klasa: Typ i nr woltom U CE : Klasa: Typ i nr woltom U BE : Klasa: I B [ma] I B [ma] Lp U CE [V] U CE [V] U BE [V] U BE [V] Uzyskane wyniki przedstawić wraz z niepewnościami w postaci graficznej jako rodziny charakterystyk statycznych (rys) I C [ma] I B [ma] U CE [V] U BE [V] Rys 5

Wybrać i zaznaczyć na odpowiednich charakterystykach spoczynkowy punkt pracy Q UWAGA: Wartości prądów i napięć (I B, I C, U CE lub I B, U BE, U CE, zależnie od charakterystyki) określających położenie punktu pracy Q na poszczególnych charakterystykach powinny być takie same Korzystając z odpowiednich charakterystyk określić rezystancję wejściową r we, rezystancję wyjściową r wy oraz małosygnałowy współczynnik wzmocnienia prądowego β badanego tranzystora Wielkości te wyznaczyć jako iloraz przyrostów wartości odpowiednich napięć i (lub) prądów względem spoczynkowego punktu pracy Q a) Rezystancje wejściową r we wyznaczamy z charakterystyki wejściowej U BE =f(i B ) Na charakterystyce zaznaczyć dwa dodatkowe punkty i leżące po obu stronach punktu pracy Odczytać dla nich wartości U BE i I B Określić rezystancję wejściową korzystając ze wzoru: r we U BE U = BE I B I B b) Rezystancję wyjściową r wy wyznaczamy z wybranej charakterystyki wyjściowej I C =f(u CE ) Podobnie jak poprzednio należy zaznaczyć na charakterystyce dwa dodatkowe punkty i, odczytać dla nich wartości U CE i I C, a następnie określić rezystancję wyjściową zgodnie ze wzorem: r wy U CE U = CE I C I C c) Małosygnałowy współczynnik wzmocnienia prądowego β wyznaczamy z charakterystyki przejściowej I C =f(i B ) Zaznaczyć na charakterystyce dwa dodatkowe punkty i, odczytać dla nich wartości I B i I C oraz określić współczynnik wzmocnienia prądowego zgodnie ze wzorem: 6

I C I β = C I B I B Przedstawić na wykresach sposób wyznaczania poszczególnych wartości napięcia i natężenia stosowanych w powyższych wzorach Określić niepewności r we, r wy, β Uzyskane wyniki wraz z jednostkami przedstawić w tabeli: tranzystor r we [Ω] r we [Ω] r wy [Ω] r wy [Ω] β β Przykładowe obliczenia Dla każdego punktu ćwiczenia podać po przykładzie obliczenia wyznaczanej wielkości oraz jej niepewności, wg schematu: wzór końcowy = podstawione zmierzone wielkości wraz z jednostkami = wynik końcowy Dyskusja i wnioski Przeprowadzić analizę otrzymanych wyników i niepewności Zestaw przyrządów i wyposażenia Zasilacz ZT-980-M; Zasilacz stabilizowany IZS-5/7; Multimetr M-800 szt 4 Miernik uniwersalny LAVO-PT; 5 Tranzystory 4szt (BD40, BD55, BD54, BC); 6 Potencjometr R; 7 Przewody szt 7

Literatura Śledziewski R, Elektronika dla fizyków, PWN, Warszawa 98; Książkiewicz A, Elementy i podzespoły elektroniczne, WNT, Warszawa 987; Rusek M, Pasierbiński J, Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach, WNT, Warszawa 99; 4 Fulińska K (red), Opisy i instrukcje do ćwiczeń laboratoryjnych z fizyki cz III, PWN, Warszawa 97) 8