Podstawowe elementy elektroniczne strona 1

Podobne dokumenty
Dioda półprzewodnikowa

Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

X L = jωl. Impedancja Z cewki przy danej częstotliwości jest wartością zespoloną

Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy.

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

TABELA SYMBOLI elementów ELEKTRONICZNYCH

Elektryczne właściwości materiałów. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

WARYSTORY, TERMISTORY, DIODY.

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Dioda półprzewodnikowa

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.

Wiadomości podstawowe

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

2.3. Bierne elementy regulacyjne rezystory, Rezystancja znamionowa Moc znamionowa, Napięcie graniczne Zależność rezystancji od napięcia

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Dioda półprzewodnikowa

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

OPORNIKI POŁĄCZONE SZEREGOWO: W połączeniu szeregowym rezystancja zastępcza jest sumą poszczególnych wartości:

Elektryczne właściwości materii. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

ELEKTROTECHNIKA. Zadanie 1. Zadanie 2. Zadanie 3. Urządzenie elektryczne, którego symbol przedstawia poniższy rysunek:

Włączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 12/17. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 05/18

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania: 01

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

Multiwibrator astabilny, aleŝ to bardzo proste

WYMAGANE OSIĄGNIĘCIA EDUKACYJNE NA POSZCZEGÓLNE OCENY Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH w klasach III

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Tranzystory i ich zastosowania

Politechnika Białostocka

7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP

5. Tranzystor bipolarny

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Temat i plan wykładu. Elektryczność-prąd stały

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

IV. TRANZYSTOR POLOWY

UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18

UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422

Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

WZMACNIACZ OPERACYJNY. Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych. Rodzaj wzmacniacza Rezystancja wejściowa Rezystancja wyjściowa

Instrukcja nr 1. Zajęcia wstępne. Zapoznanie z programem MULTISIM. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P.

Ć wiczenie 2 POMIARY REZYSTANCJI, INDUKCYJNOŚCI I POJEMNOŚCI

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Elementy indukcyjne. Konstrukcja i właściwości

ZSME E. Karol Kalinowski kl. 1e 2010 / 2011

Badanie diod półprzewodnikowych

Katedra Elektroniki AGH, Godziny konsultacji zostaną podane po uzgodnieniu ze studentami

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

MGR Prądy zmienne.

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

Kondensatory. Konstrukcja i właściwości

Diody półprzewodnikowe cz II

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Politechnika Białostocka

Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422 (godziny konsultacji zostaną

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Rozmaite dziwne i specjalne

Budowa. Metoda wytwarzania

Zajęcia elektryczno-elektroniczne

Lekcja 43. Pojemność elektryczna

Plan wynikowy I wymagania edukacyjne z przedmiotu zajęcia techniczne- zajęcia elektryczno-elektroniczne

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Spis symboli elementów elektronicznych

Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści

Elektrotechnika I stopień (I stopień / II stopień) ogólnoakademicki (ogólno akademicki / praktyczny) stacjonarne (stacjonarne / niestacjonarne)

Diody półprzewodnikowe

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

II edycja konkursu ELEKTRON

Rozmaite dziwne i specjalne

Transkrypt:

Podstawowe elementy elektroniczne strona Materiały, z których wykonane są elementy elektroniczne, dzielą się na trzy grupy: przewodniki, półprzewodniki izolatory (dielektryki). Przewodniki Półprzewodniki Izolatory Ogólna charakterystyka materiały, które dobrze przewodzą prąd elektryczny. materiały, które przewodzą prąd elektryczny tylko po spełnieniu okreslonych warunków, np.. odpowiednia biegunowość, promieniowanie świetlne, temperatura. materiały, które nie przewodzą prądu elektrycznego. UŜyty materiał, z którego został wykonany grafit, Ŝelazo, stal, aluminium, złoto, miedź, srebro german, krzem, selen, tlenki i siarczki metali szkło, porcelana, guma, tworzywo sztuczne, drewno. Rezystor Jest to najprostszy element rezystancyjnym, który słuŝy do ograniczenia prądu w obwodzie. Jest elementem liniowym: spadek napięcia jest wprost proporcjonalny do prądu płynącego przez opornik. Elementem rezystancyjnym w rezystorze jest drut oporowy nawinięty na ceramiczny wałek lub rurkę. W rezystorze niedrutowym elementem rezystancyjnym jest warstwa rezystancyjna na podłoŝu izolacyjnym lub element oporowy stanowi cała objętość rezystora. symbol rezystora.. Podział rezystorów ze względu na zastosowanie.2. Oznaczenie rezystorów a) oznaczenie cyfrowo-literowe Przykład: 00R8 rezystancja 00,8Ω 4k7 rezystancja 4,7 kω 59k rezystancja 59 kω 60 M rezystancja 60 MΩ b) oznaczenie kodem barwnym

Podstawowe elementy elektroniczne strona 2.3. Łączenie rezystorów a) szeregowe b) równoległe R R + R 2 = = R R R2 + 2. Kondensator Element elektryczny (elektroniczny) zbudowany z dwóch przewodników (okładzin) rozdzielonych dielektrykiem. Jako izolator stosuje się: papier, powietrze, folie z tworzywa sztucznego, ceramikę itp.. Doprowadzenie napięcia do okładzin kondensatora powoduje zgromadzenie się na nich ładunku elektrycznego. symbol kondensatora 2.. Podział kondensatorów Ze względu na róŝną konstrukcję kondensatory moŝna podzielić na: elektrolityczne (dielektrykiem jest cienka warstwa tlenku, a osadzona elektrolitycznie na okładzinie dodatniej, drugą okładziną jest elektrolit), poliestrowe - foliowe (dielektrykiem jest folia poliestrowa) ceramiczne (dielektrykiem jest specjalna ceramika), powietrzne (dielektrykiem jest powietrze). 2.2. Parametry kondensatora Pojemność czyli zdolność kondensatorów do gromadzenia ładunków elektrycznych. Określa się ją w faradach (F), jednak najczęściej w jednostkach wielokrotnie mniejszych: milifarad (mf = 0-3 F) mikrofaradach (µf = 0-6 F). nanofaradach (nf = 0-9 F) pikofaradach (pf = 0-2 F), RównieŜ w przypadku wartości kondensatorów stosuje się skróty: n - nf; p - pf; 2p2-2,2pF; 4n7-47nF; p2-0,2pf Dopuszczalne napięcie pracy wartość informującą o tym, do jakiego napięcia moŝna włączyć kondensator bez obawy uszkodzenia.

Podstawowe elementy elektroniczne strona 3 2.3. Łączenie kondensatorów a) szeregowe b) równoległe + 2 = + = 2 Półprzewodniki są to substancje zachowujące się w pewnych warunkach jak dielektryk, a w innych jak przewodnik (odpowiednia biegunowość, temperatura, promieniowanie świetlne). Typowymi półprzewodnikami są: krzem, german, arsenek galu lub antymonek galu. Ze względu na typ przewodnictwa wyróŝnia się półprzewodniki:. Typu n - inaczej nadmiarowe, 2. Typu p - inaczej niedomiarowe, Odkrycie półprzewodników i wynalezienie licznych ich zastosowań spowodowało rewolucyjny postęp w elektronice. 3. Dioda półprzewodnikowa. Jest to element elektroniczny zbudowany z dwóch rodzajów półprzewodnika: typu p i typu n tworzących złącze p-n. Końcówka dołączona do obszaru n nazywa się katodą, a do obszaru p - anodą. Element ten charakteryzuje się jednokierunkowym przepływem prądu - od anody do katody, w drugą stronę prąd nie płynie (zawór elektryczny). Podstawową cechą diod półprzewodnikowych jest prostowanie (tj. umoŝliwianie przepływu prądu tylko w jedną stronę) prądu przemiennego, jednak ich gama zastosowań jest o wiele szersza:. dioda prostownicza - jej podstawową funkcją jest prostowanie prądu przemiennego 2. stabilizacyjne (stabilistory, diody Zenera) - stosowana w układach stabilizacji napięcia i prądu 3. tunelowe - dioda o specjalnej konstrukcji, z odcinkiem charakterystyki o ujemnej rezystancji dynamicznej 4. pojemnościowe (warikap) - o pojemności zaleŝnej od przyłoŝonego napięcia 5. LED (elektroluminescencyjne) - dioda świecąca w paśmie widzialnym lub podczerwonym 6. detekcyjne - niewielkiej mocy, uŝywane w układach demodulacji AM 7. fotodioda - dioda reagująca na promieniowanie świetlne (widzialne, podczerwone lub ultrafioletowe). Diody LED są równieŝ odmianą tradycyjnych diod. Potrafią one emitować światło! Zaczynają powoli zastępować tradycyjne Ŝarówki - są bardziej niezawodne. Istnieją równieŝ fotodiody, które róŝnią się od diod konwencjonalnych tym, Ŝe ich prąd w kierunku zaporowym nie jest bliski zeru, lecz zaleŝy od natęŝenia światła.

Podstawowe elementy elektroniczne strona 4 4. Tranzystor Tranzystory są to elementy umoŝliwiające wzmacnianie sygnałów elektrycznych. Składa się z trzech warstw półprzewodnika typu n-p-n i p- n-p. tworzących dwa złącza. Mają trzy elektrody: sterującą - bazę B oraz dwie, tworzące obwód prądu sterowanego - emiter E i kolektor. Pierwszy tranzystor, tzw. ostrzowy, opracowali 948 John Bardeen i Walter Brattain, a tranzystor warstwowy - 949 William Shockley; wszyscy zostali 956 laureatami nagrody Nobla. Ostatnio produkuje się tranzystory wyłącznie krzemowe, które mają lepsze parametry niŝ tranzystory germanowe. Pod względem budowy dzielą się na: tranzystory bipolarne tranzystory unipolarne Za pomocą tranzystora mimo ich bardzo niewielkich rozmiarów i wagi, moŝna uzyskiwać wzmocnienia sygnału rzędu dziesiątek tysięcy razy. Zastąpiono nimi lampy elektronowe, od których są znacznie mniejsze, lŝejsze, bardziej ekonomiczne, o wiele bardziej trwałe i niezawodne. Dało to początek coraz większej miniaturyzacji przyrządów i urządzeń elektronicznych. Podstawowe rodzaje tranzystorów Zasada działania tranzystora Zasada działania tranzystora W połoŝeniu potencjometru (patrz schemat powyŝej) Ŝarówka nie świeci, poniewaŝ pomiędzy emiterem a bazą płynie zbyt mały prąd. Przesuwając suwak potencjometru w kierunku pozycji 2, zmniejsza się rezystancja w obwodzie emiter-baza i zwiększa się prąd bazy. Przy prądzie bazy wynoszącym ok. 2mA przez kolektor przepływa prąd 50mA. śarówka świeci najjaśniej. Mały prąd bazy (2mA) wywołuje wielokrotnie większy prąd kolektora (50mA). Właściwość ta pozwala wykorzystać tranzystor jako wzmacniacz prądów o niskim natęŝeniu. 4.. Parametry tranzystorów dopuszczalne napięcie, maksymalne natęŝenie prądu, współczynnik wzmocnienia prądowego, β = I I B β współczynnik wzmocnienia prądowego I natęŝenie prądu kolektora I B natęŝenie prądu bazy 4.2. Oznaczenia tranzystorów B krzem, tranzystor małej i średniej mocy, małej częstotliwości, D tranzystor duŝej mocy, małej częstotliwości, P sprzęt powszechnego uŝytku, Y sprzęt profesjonalny, 07 numer serii, BD 35, BDP 279

Podstawowe elementy elektroniczne strona 5 5. Zwojnica ewka indukcyjna (zwojnica) jest elementem zdolnym do gromadzenia energii w polu magnetycznym. Składa się ona z korpusu (materiał izolacyjny) w kształcie walca lub szpulki i nawiniętego na nim przewodu miedzianego pokrytego emalią. 5.. Rodzaje zwojnic symbol zwojnicy 5.2. Parametry zwojnic Podstawowym parametrem zwojnic jest indukcyjność czyli Ilość zgromadzonej energii, która zaleŝy od: natęŝenia prądu, liczby zwojów, sposobu nawinięcia, rozmiarów, kształtów. Jednostką indukcyjności jest Henr (H) RóŜnice między zwojnicy dotyczą głównie rdzenia, na którym są nawinięte. Zastosowanie rdzenia ma za zadanie zwielokrotnić indukcyjność cewki. Rdzenie są budowane z Ŝelaza lub ferrytu (jest to nieprzewodzący materiał magnetyczny) i mogą mieć przeróŝne kształty np.: toroidu czyli pierścienia, prętu, "kubka" itd. ewki mają wiele zastosowań szczególnie w układach radiowych w róŝnych filtrach i dławikach. Literatura:. Technika i wych. komunikacyjne dla gimnazjum cz. I - Waldemar zyŝewski -, wyd. Nowa Era, 999. 2. Teoria i zastosowanie tranzystorów polowych - Richard S..obbold, WNT Warszawa 975 3. Podstawy elektroniki P. Fabijański, W. Wójciak, Wydawnictwo REA, Warszawa 2006. Zasoby internetowe: http://wiem.onet.pl http://pl.wikipedia.org/wiki/