Laboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.

Podobne dokumenty
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA. Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej. Sprawozdanie

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Pomiar parametrów tranzystorów

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

spis urządzeń użytych dnia moduł O-01

Politechnika Białostocka

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

TRANZYSTORY BIPOLARNE

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY

Politechnika Białostocka

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Politechnika Białostocka

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Politechnika Białostocka

LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

SILNIK INDUKCYJNY STEROWANY Z WEKTOROWEGO FALOWNIKA NAPIĘCIA

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

Liniowe stabilizatory napięcia

. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PARAMETRYCZNY STABILIZATOR NAPIĘCIA

Systemy i architektura komputerów

Politechnika Białostocka

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

Zasilacze: prostowniki, prostowniki sterowane, stabilizatory

Ćw. III. Dioda Zenera

Uniwersytet Pedagogiczny

2.1. Charakterystyki statyczne i parametry fotodiody krzemowej

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO. 1. Wiadomości wstępne

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

Ćwiczenie 5: Pomiar parametrów i charakterystyk scalonych Stabilizatorów Napięcia i prądu REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II

Wzmacniacz operacyjny

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.

Badanie tranzystorów MOSFET

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

Uniwersytet Pedagogiczny

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

Badanie tranzystora bipolarnego

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe.

Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Pomiary Elektryczne Wielkości Nieelektrycznych Ćw. 7

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Transkrypt:

Laboratorium Elementów Elektronicznych Sprawozdanie nr 7 Tematy ćwiczeń: 13. Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych 14. Charakterystyki i parametry transoptorów Data wykonania ćwiczenia Grupa szkoleniowa Skład zespołu:.. Kolokwium wstępne Wykonanie ćwiczenia 1.. 2.. 3.. 4.. 5.. Ćwiczenie prowadził...

I F [ma] Tabela 1. Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowych I F = f(u F ) diod elektroluminescencyjnych. U F [V] D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 Tabela 2. Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowych fotorezystora I = f(u) przy E = const. U [V] Tabela 3. Pomiar charakterystyk sterowania fotorezystora I = f(e) przy U = const. polaryzacji U 1 =... U 2 =... 2

Tabela 4. Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowych fotodiody I R = f(u R ) przy E = const. U R [V] Tabela 5. Pomiar charakterystyk sterowania fotodiody I R = f(e) przy U R = const.. polaryzacji U R1 =... U R2 =... Rezystancja obciąŝenia R L = 0 Ω R LN =... R L = Tabela 6. Pomiar charakterystyk sterowania fotoogniwa I P = f(e) oraz U P = f(e) przy R L = const. U P [mv] Tabela 7. Pomiar charakterystyk obciąŝenia fotoogniwa I P = f(r L ) przy E = const. R L [Ω] 3

Tabela 8. Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowych fototranzystora I C = f(u CE ) przy E = const., R L =... U CE [V] polaryzacji U CE1 =... U CE2 =... Tabela 9. Pomiar charakterystyk sterowania fototranzystora I C = f(e) przy U CE = const., R L =... 4

Tabela 10. Pomiar charakterystyk wejściowych transoptorów I we = f(u we ) U we [V] TO1 TO2 TO3 prądu wej. I we1 =... I we2 =... I we3 =... Tabela 11. Pomiar charakterystyk wyjściowych transoptora TO1: I wy = f(u wy ) przy I we = const. U wy [V] prądu wej. I we1 =... I we2 =... I we3 =... Tabela 12. Pomiar charakterystyk wyjściowych transoptora TO2: I wy = f(u wy ) przy I we = const. U wy [V] 5

prądu wej. I we1 =... I we2 =... I we3 =... Tabela 13. Pomiar charakterystyk wyjściowych transoptora TO3: I wy = f(u wy ) przy I we = const. U wy [V] wyjściowe U wy1 =... U wy2 =... Tabela 14. Pomiar charakterystyk przejściowych transoptora TO1: I wy = f(i we ) przy U wy = const. wyjściowe U wy1 =... U wy2 =... Tabela 15. Pomiar charakterystyk przejściowych transoptora TO2: I wy = f(i we ) przy U wy = const. wyjściowe U wy1 =... U wy2 =... Tabela 16. Pomiar charakterystyk przejściowych transoptora TO3: I wy = f(i we ) przy U wy = const. 6

Opracowanie wyników. 1. Wykreślić na wspólnym wykresie charakterystyki I F = f(u F ) zbadanych diod elektroluminescencyjnych. 2. Wykreślić rodzinę charakterystyk I = f(u) fotorezystora. 3. Na podstawie charakterystyk statycznych obliczyć rezystancję R fotorezystora, przy kolejnych wartościach natęŝenia E. 4. Wykreślić charakterystyki sterowania I = f(e) fotorezystora. 5. Wykreślić rodzinę charakterystyk I R = f(u R ) fotodiody. 6. Korzystając z charakterystyk statycznych wyznaczyć statyczną czułość fotodiody. 7. Wykreślić rodzinę charakterystyk sterowania I R = f(e) fotodiody. 8. Wykreślić rodzinę charakterystyk sterowania I P = f(e) fotoogniwa. 9. Wykreślić rodzinę charakterystyk obciąŝenia I P = (R) fotoogniwa. 10. Wykreślić rodzinę charakterystyk wyjściowych I C = f(u CE ) fototranzystora. 11. Wykreślić rodzinę charakterystyk sterowania I C = f(e) fototranzystora. 12. Korzystając z charakterystyk sterowania wyznaczyć czułość fototranzystora. 13. Wykreślić charakterystyki wejściowe transoptora I we = f(u we ) przy ustalonej wartości U wy. 14. Na podstawie charakterystyki wejściowej określić jaki element optoelektroniczny znajduje się na wejściu badanych transoptorów. 15. Wykreślić charakterystyki przejściowe transoptora I wy = f(i we ) przy ustalonej wartości U wy. 16. Wykreślić charakterystyki wyjściowe transoptora I wy = f(u wy ) przy ustalonych wartościach prądu I we. 17. Na podstawie charakterystyki wyjściowej określić jaki element optoelektroniczny znajduje się na wyjściu badanych transoptorów. 18. Na podstawie otrzymanych charakterystyk obliczyć współczynnik wzmocnienia prądowego K. 19. Na przerysowanych przebiegach oscyloskopowych (dla kilku wartości obciąŝenia) zaznaczyć czasy narastania, opadania i przełączania transoptora. 20. Ocenić wpływ obciąŝenia i czasu trwania impulsu na własności dynamiczne zbadanych transoptorów. Do sprawozdania naleŝy dołączyć sporządzone wykresy, przykładowe obliczenia oraz wnioski. 7