Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Podobne dokumenty
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Uniwersytet Pedagogiczny

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Pomiar parametrów tranzystorów

Systemy i architektura komputerów

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

Badanie tranzystorów MOSFET

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY

Ćw. 2 Tranzystory bipolarne

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

Politechnika Białostocka

Uniwersytet Pedagogiczny

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

Tranzystory bipolarne

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

Politechnika Białostocka

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Politechnika Białostocka

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Politechnika Białostocka

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia

TRANZYSTORY BIPOLARNE

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Tranzystor bipolarny

Politechnika Białostocka

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Liniowe stabilizatory napięcia

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Dioda półprzewodnikowa

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Ćwiczenie 16. Temat: Wzmacniacz w układzie Darlingtona. Cel ćwiczenia

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Badanie tranzystora bipolarnego

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Tranzystory bipolarne

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.

Ćwiczenie 14. Sprawdzanie przyrządów analogowych i cyfrowych. Program ćwiczenia:

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Badanie tranzystorów bipolarnych.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302)

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Badanie diody półprzewodnikowej

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016)

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 1 Pomiar wielkości elektrycznych z wykorzystaniem instrumentów NI ELVIS II

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

TRANZYSTORY BIPOLARNE

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Transkrypt:

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena

1. Cel ćwiczenia: Badanie właściwości tranzystora bipolarnego o polaryzacji npn w konfiguracji wspólnego emitera oraz określenie: - rezystancji wejściowej, - rezystancji wyjściowej, - statycznego współczynnika wzmocnienia prądowego. 2. Wprowadzenie: Właściwością tranzystora są krzywe, które reprezentują związek między napięciem a natęŝeniem prądu stałego. Wyznaczenie charakterystyka wejściowej i wyjściowej ułatwia poznanie zasady działania tranzystora bipolarnego. W pliku tranzystor.pdf znajdują się podstawowe informacje na temat zasady działania tranzystora bipolarnego. Trzema waŝnymi charakterystykami tranzystora są: 1. Charakterystyka wejściowa. 2. Charakterystyka wyjściowa. 3. Charakterystyka współczynnika wzmocnienia prądowego. Charakterystyka wejścia: W konfiguracji wspólnego emitera, jest to krzywa wykreślona pomiędzy natęŝeniem prądu bazy I B, a napięciem baza-emiter U BE dla róŝnych stałych wartości napięcia kolektoremiter U CE. PrzybliŜony kształt charakterystyki wejściowej pokazano na rysunku 1. Rys. 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora npn.

Charakterystyka wyjścia: Jest to krzywa określająca zaleŝność natęŝenia prądu wyjściowego I C do napięcia wyjściowego U CE dla róŝnych stałych wartości natęŝenia prądu wejściowego I B. Na charakterystyce wyjściowa moŝna zaobserwować trzy podstawowe obszary pracy tranzystora. Przykładową charakterystykę wyjściową pokazano na rysunku 2. NaleŜy zakreślić róŝnymi kolorami obszar aktywny (active region), obszar odcięcia (cutoff region) oraz obszar nasycenia (saturation region). W obszarze aktywnym złącze baza-kolektor jest spolaryzowane zaporowa, a złącze bazaemiter w kierunku przewodzenia. Ten obszar jest obszarem pracy tranzystora jako wzmacniacz prądu. W obszarze odcięcia złącze baza-kolektor i baza-emiter tranzystora, są spolaryzowane zaporowo. W tym obszarze tranzystor działa jako wyłącznik. W obszarze nasycenia złącze baza-kolektor i emitera baza-emiter tranzystora są spolaryzowane w kierunku przewodzenia. W tym obszarze tranzystor działa jak włącznik. Rys. 2. Charakterystyka wyjściowa tranzystora. Scientech Technologies Pvt. Ltd 3 Instytut Techniki, UP Kraków

Statyczny współczynnik wzmocnienia prądowego: Jest to półprosta wyznaczająca zaleŝność między natęŝeniem prądu kolektora I C, a natęŝeniem prądu bazy I B przy stałej wartości napięcia kolektor-emiter U CE PrzybliŜony wykres dla tej cechy przedstawiono na rysunku 3. Rys. 3. Charakterystyka współczynnika wzmocnienia prądowego.. Scientech Technologies Pvt. Ltd 4 Instytut Techniki, UP Kraków

4. Przebieg ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki wejściowej: 1. Proszę obróć potencjometry P1 i P2 przeciwnie do ruchu wskazówek zegara (minimalna wartość rezystancji). 2. Następnie naleŝy podłączyć amperomierz multimetru między punktami testowymi 2 i 3 do pomiaru natęŝenia prądu wejściowego bazy I B (ma). 3. Podłączyć punkty testowe 4 i 5 przewodem (2mm). 4. Podłączyć woltomierz między punktem testowym 1 i masą układu, aby zmierzyć napięcie wejściowe U BE. Drugi woltomierz naleŝy połączyć między punktem testowym 6 i masą układy, aby zmierzyć napięcie wyjściowe U CE. 5. Następnie naleŝy w zasilaczu laboratoryjnym ustawić napięcia U Z1 =5 V oraz U Z2 =12 V. Przy wyłączonym zasilaczu naleŝy połączyć odpowiednie punkty układy do zasilacza i poprosić prowadzącego zajęcia o sprawdzenie układu połączeń. 6. Regulując potencjometrem P2 naleŝy ustawić kolejno napięcie U CE o stałej wartości U CE =1 V, U CE =3 V, U CE =5 V. 7. Zwiększając potencjometrem P1 wartość napięcia wejściowego U B =(0-0,8)V, co U=0,1 V i naleŝy odczytać wartości natęŝenia prądu wejściowego I B dla wcześniej ustawionej stałej wartości napięcia wyjściowego U CE. Wyniki proszę zapisać w tabeli pomiarowej 1. 8. Po zakończeniu pomiaru dla napięcia U CE =1 V, naleŝy obróć potencjometr P1 całkowicie w lewą stronę do pozycji U BE =0 V. 9. Następnie powtórzyć procedurę od kroku 6 dla pozostałych wartości napięcia U CE. 10. Wykreśl krzywe zaleŝności U BE napięcia wejściowego i wejściowego natęŝenia prądu I B, I B =f(u BE ) przy U CE =const, jak pokazano na rysunku 1. Tabela pomiarowa 1: Napięcie wejściowe I B (ma) I B (ma) Lp. U BE przy UCE = 3 V przy U CE = 5 V 1. 0,00 V 2. 0,50 V 3. 0,55 V 4. 0,60 V 5. 0,65 V 6. 0,70 V 7. 0,75 V 8. 0,80 V 9. 0,85 V Scientech Technologies Pvt. Ltd 5 Instytut Techniki, UP Kraków

Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej: 1. NaleŜy wyłączyć zasilanie. 2. Proszę obróć potencjometr P1 i P2 całkowicie w kierunku przeciwnym do wskazówek zegara. 3. Proszę podłączyć woltomierz między punktem testowym 6 i masą układu w celu wykonania pomiaru napięcia wyjściowego U CE. 4. Podłącz jeden amperomierz między punktami testowymi 2 i 3 do pomiaru natęŝenia prądu wejściowego I B (ma) i drugi amperomierz między punktami testowymi 4 i 5 do pomiaru natęŝenia prądu wyjściowego I C (ma). 5. Przy wyłączonym zasilaczu naleŝy poprosić prowadzącego zajęcia o sprawdzenie układu połączeń. 6. Potencjometrem P1 ustaw wartość natęŝenia prądu wejściowego I B (0mA, 10mA...). 7. Zmieniając wartość rezystancji potencjometru P2, naleŝy zwiększyć wartość napięcia wyjściowego U CE od zera do wartości maksymalnej. Zmierz odpowiednie wartości natęŝenia prądu wyjściowego I C dla róŝnych stałych wartości natęŝenia prądu wejściowego I B. Wyniki pomiarów naleŝy zapisać w tabeli pomiarowej 2. 8. Po zakończeniu pomiaru dla natęŝenia prądu bazy I B =0 ma, naleŝy obróć potencjometr P2 całkowicie w lewą stronę do pozycji U CE =0 V 9. Powtórz procedurę od kroku 6 dla róŝnych wartości netęŝenia prądu wejściowego I B. 10. NaleŜy wykreśl krzywą zaleŝności U CE napięcia wyjściowego i natęŝenia prądu wyjściowego I C, I C =f(u CE ) przy I B =const, jak pokazano na rysunku 2. Tabela pomiarowa 2: Napięcie I C (ma) Lp. wyjściowe U CE przy IB = 10 ua przy I B = 50 ua przy I B = 150 ua 1. 0,0 V 2. 0,5 V 3. 1,0 V 4. 2,0 V 5. 3,0 V 6. 4,0 V 7. 5,0 V 8. 6,0 V 9. 7,0 V 10. 8,0 V Scientech Technologies Pvt. Ltd 6 Instytut Techniki, UP Kraków

Wyznaczenie statycznego współczynnika wzmocnienia prądowego: 1. Wyłącz zasilanie. 2. Obracaj zarówno potencjometr P1 i P2 w pełni przeciwnie do wskazówek zegara. 3. Podłączyć woltomierz między punktem testowym 6 i uziemieniem by dokonać pomiaru V CE napięcia wyjściowego. 4. Podłącz jeden miernik między punktem testowym 2 i 3 by dokonać pomiaru prądu wejściowego I B (ma) i amperomierz między punktem testowym 4 i 5 by dokonać pomiaru prądu wyjściowego I C (ma). 5. Włącz zasilanie. 6. Weź potencjometr P2 i ustaw wartość V CE napięcia wyjściowego na maksymalną wartość. 7. Ustawiaj potencjometr P1 tak aby zwiększyć wartość prądu wejściowego I B od zera do 100uA co krok i zmierz odpowiednie wartości prądu wyjściowego I C. Wyniki pomiarów zapisz w 3-tabeli obserwacji. 8. Wykreśl krzywą prądu wyjściowego I C i prądu wejściowego I B, jak pokazano na rysunku 3. za pomocą odpowiedniej skali z pomocą tabeli obserwacji 3. Krzywa ta jest wymaganą cechą Transferu. Tabela pomiarowa 3: Lp. I B [µa] 1. 0 µa 2. 30 µa 3. 60 µa 4. 90 µa 5. 120 µa 6. 150 µa 7. 180 µa 8. 220 µa Ic przy U CE =5 V Scientech Technologies Pvt. Ltd 7 Instytut Techniki, UP Kraków

Obliczenia: 1. Oporność wejściowa: Jest to iloraz zmiany napięcia wejściowego U BE i zmiany natęŝenia prądu wejściowego I B przy stałej wartości napięcia wyjściowego 1 U BE RI = = I B I B U BE 2. Rezystancja wyjściowa: Jest to iloraz zmiany napięcia wyjściowego U CE i zmiany natęŝenia prądy wyjściowego I C przy stałej wartości natęŝenia prądu wejściowego I B. 3. Współczynnik wzmocnienia prądowego: Jest to iloraz przyrostu natęŝenia prądu wyjściowym I C i przyrostu natęŝenia prądu wejściowego I B przy stałej wartości napięcia wyjściowego U CE. I C β = I Wyniki: Rezystancja wejściowa R I = Rezystancja wyjściowa R O = Współczynnik wzmocnienia prądowego β = B Scientech Technologies Pvt. Ltd 8 Instytut Techniki, UP Kraków

Nota aplikacyjna: Scientech Technologies Pvt. Ltd 9 Instytut Techniki, UP Kraków

Scientech Technologies Pvt. Ltd 10 Instytut Techniki, UP Kraków

5. Wnioski: 6. Wykaz przyrządów pomiarowych: 1. Płyta analogowa AB04. 2. Zasilacz laboratoryjny U Z1 =12 V, U Z2 =5 V. 3. Multimetr (4 sztuki). 4. Przewody pomiarowe. 5. Redukcja 2 mm/3,5 mm. Układ stosowany do wyznaczania charakterystyk tranzystora pokazano na rysunku 4. Rys. 4. Płyta analogowa AB04. 7. Zagadnienia do samodzielnego opracowania: 1. Budowa zasada działania i charakterystyki tranzystora bipolarnego. 2. Charakterystyki wejściowa i wyjściowa tranzystora bipolarnego w układzie WE. 3. Tranzystor bipolarny w układach wzmacniaczy prądu stałego układ WE, WB, WC. 4. Parametry katalogowe diod i tranzystorów i obowiązujące oznaczenia zgodne z PN. 8. Wykaz literatury: 1. P.HOROWITZ, W.HILL: Sztuka elektroniki 2. S.SOCLOF: Zastosowania analogowych układów scalonych 3. A.CHWALEBA: Pracownia elektroniczna- elementy układów elektronicznych 4. U.TIETZE, CH.SCHENK: "Układy półprzewodnikowe" 5. K.MICHAŁOWSKI: Elektrotechnika z elektroniką 6. Instrukcje obsługi przyrządów pomiarowych: - multimetr: METEX M-3270D, - multimetr: METEX M-3650, - multimetr: METEX M-3660D, - zasilacz laboratoryjny: NDN DF1731SB3A, - uniwersalny system testowy: DF6911. Scientech Technologies Pvt. Ltd 11 Instytut Techniki, UP Kraków