Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Podobne dokumenty
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Laboratorium Elektroniki

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Wzmacniacze operacyjne

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystor bipolarny

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

Wzmacniacz operacyjny

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

Liniowe układy scalone

Ogólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Wiadomości podstawowe

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia

Systemy i architektura komputerów

Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET

Politechnika Białostocka

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/12

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL

POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI 2

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Politechnika Białostocka

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze

Scalony stabilizator napięcia typu 723

Układy zasilania tranzystorów

Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

Politechnika Białostocka

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Ćwiczenie 14. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Scalony stabilizator napięcia typu 723

Elektronika. Wzmacniacz operacyjny

Temat: Wzmacniacze selektywne

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Politechnika Białostocka

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny

OPIS PATENTOWY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Budowa. Metoda wytwarzania

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19

Liniowe układy scalone. Filtry aktywne w oparciu o wzmacniacze operacyjne

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

EL_w05: Wzmacniacze operacyjne rzeczywiste

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach

9. PODSTAWOWE UKŁADY WZMACNIACZY

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Transkrypt:

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego zadaniem jest wytworzenie na wyjściu sygnału o wartości większej, proporcjonalnej do sygnału wejściowego. Dzieje się to kosztem energii pobieranej z zewnętrznego źródła zasilania. 2. Wzmacniacz w konfiguracji OE dla tranzystora typu npn. Układ o wspólnym emiterze oznaczany OE, w którym sygnał jest doprowadzany między emiter i bazę, a obciążenie jest włączone między kolektor i emiter. Emiter stanowi elektrodę wspólną dla obwodu wejściowego i wyjściowego. Układ OE jest najpowszechniej stosowany we wzmacniaczu małej częstotliwości. 2.1. Właściwości układu OE: w zakresie małych i średnichh częstotliwości, przy obciążeniu rezystancyjnym, układa odwraca fazę sygnału wejściowego o 180 stopni układ zapewnia dość duże wzmocnienie napięciowe i prądowe oraz duże wzmocnienie mocy rezystancja wejściowa układu jest umiarkowanie mała, natomiast wyjściowa umiarkowanie duża. Rb - rezystor bazowy. Jego zadaniem jest odpowiednie spolaryzowanie bazy tranzystora. Ustala statyczny prąd bazy

Rc - rezystor kolektorowy; polaryzuje kolektor. Jego zadaniem jest wpływanie na wartość wzmocnienia napięciowego wzmacniacza. W praktyce jeśli zastosujemy w tym miejscu rezystor o większej wartości to nasz wzmacniacz silniej wzmocni sygnał wejściowy. W tym miejscu można stosować też potencjometr wtedy uzyskamy płynną regulacje wzmocnienia wzmacniacza. 2.2. Wzmacniacz OE z potencjometrycznym zasilaniem bazy. Rezystory R1 oraz R2 polaryzują bazę tranzystora; zazwyczaj R2 ma mniejszą wartość od R1. Zadaniem tych rezystorów jest ustalenie potencjału bazy względem masy. Rezystory te tworzą zwykły dzielnik napięcia. Ciekawych odsyłam do teorii na temat działania rezystorowego dzielnika napięcia. Taki układ pozwala nam na prawie dowolne regulowanie napięcia polaryzującego bazę tranzystora. Wartością tego napięcia ustalamy statyczny punkt pracy tranzystora. Polaryzacja bazy wpływa też na rodzaj klasy energetycznej w jakiej pracuje nasz wzmacniacz. W tym punkcie wymagana jest od czytelnika wiedza na temat budowy i zasady działania tranzystora oraz znajomość charakterystyk pracy tranzystora. Zachęcam też do poznania klas energetycznych pracy wzmacniaczy. Każda klasa ma swoje zalety i wady przykładowe klasy to A, B oraz AB. Rc - ma takie same zadanie jak we wcześniejszej konfiguracji; wpływa na wartość wzmocnienia układu. Re - rezystor emiterowy zwany rezystorem ujemnego sprzężenia zwrotnego (w skrócie USZ); stabilizuje statyczny punkt pracy wzmacniacza.; poprawia kulturę

pracy wzmacniacza.???dlaczego stosowanie USZ jest takie ważne w naszym wzmacniaczu??? Minusem stosowania dużych wartości rezystora RE jest to, że nasz wzmacniacz traci na wzmocnieniu sygnału. Plusem stosowania USZ jest to, że pasmo przenoszenia naszego wzmacniacza się poszerza. Poprawia też stabilność pracy wzmacniacza. Zmniejsza zniekształcenia nieliniowe i liniowe wzmacniacza. Jakość wzmocnionego sygnału jest lepsza. 2.3. Wzmacniacza OE z tranzystorem pnp. Rb2 - rezystor polaryzujący bazę Rf rezystor USZ stabilizuje punkt pracy tranzystora. 2.4. Wzmacniacz OE w pełnym zestawie elementów z wymuszonym prądem bazy.

C1 i C2 - kondensatory sprzęgające, wpływają na dolną pasma przenoszenia wzmacniacza. Kondensatory składową stałą sygnału wejściowego i wyjściowego. wzmacniacz zaczyna nabierać bardziej złożone formy. R0 - rezystancja obciążenia; praktyce jest to wyjście ożemy tu umieścić np. głośnik. 2.5. Układ wzmacniacza OE w potencjometrycznym zasilaniem bazy. pełnym częstotliwość graniczną sprzęgające odcinają Przydatne kiedy nasz naszego wzmacniacza, zestawie elementów z Re - wprowadza ujemne sprzężenie zwrotne. Ce - dla składowej zmiennej zwiera sygnał do masy. 3. Wzmacniacz w konfiguracji OC. Układ o wspólnym kolektorze (oznaczany OC), sygnał jest doprowadzany

między bazę i kolektor, a obciążenie jest włączone między emiter i kolektor. Kolektor stanowi elektrodę wspólną dla obwodu wejściowego i wyjściowego. 3.1. Właściwości układu OC: w zakresie małych częstotliwości, przy obciążeniu rezystancyjnym, układ nie odwraca fazy sygnału wyjściowego. wzmocnienie prądowe jest tego samego rzędu co w układzie OE. wzmocnienie napięciowe jest bliskie jedności, stąd nazwa wtórnik. rezystancja wyjściowa jest mała, a wejściowa może być duża. Wzmacnicz OC może być: wtórnikiem napięcia ( wtórnik emiterowy) wzmacniaczem prądowym - w tym przypadku nie występuje tu rezystor Rc. 4. Wzmacniacz w konfiguracji OB Układ o wspólnej bazie oznaczamy OB, w którym sygnał jest doprowadzony między emiter i bazę, a obciążenie jest włączone między kolektor i bazę. Baza stanowi elektrodę wspólną dla obwodu wejściowego i wyjściowego. 4.1. Właściwości układu OB: w zakresie małych częstotliwości, przy obciążeniu rezystancyjnym, nie odwraca fazy wzmocnienie napięciowe jest zbliżone do wzmocnienia w układzie OE wzmocnienie prądowe jest mniejsze od jedności. rezystancja wejściowa bardzo mała jest to główną wadą układu rezystancja wyjściowa zaś bardzo duża.

R1 i R2 - rezystory polaryzujące bazę. Rc - rezystor wyjściowy; rola jak w OE, wpływa na wzmocnienie napięciowe wzmacniacza. C1 i C2 - kondensatory sprzęgające 5. Układ Darlingtona. Nazywany też super alfa. Jest to połączenie dwóch tranzystorów. Jeśli dwa tranzystory połączono według schematu przedstawionego powyżej, to otrzymany układ zachowuje się jak pojedynczy tranzystor o współczynniku wzmocnienia prądowego równym iloczynowi współczynników wzmocnień prądowych obu tranzystorów. Układ ten bywa bardzo przydatny w zastosowaniach wymagających dużych prądów (stabilizatory mocy) lub w stopniach wejściowych wzmacniaczy o bardzo dużej impedancji wejściowej.

Poza tym taki złożony tranzystor zachowuje się jak zwykły tranzystor o dość małej szybkości działania, ponieważ tranzystor T1 nie może szybko wyłączyć tranzystora T2. Problem ten zazwyczaj usuwa się przez dołączenie rezystora R między bazę a emiter tranzystora T2. Rezystor R zapobiega również przewodzeniu tranzystora T2, wywoływanemu, przy braku R, przez prąd upływności T1. Tranzystory Darlingtona są obecnie produkowane jako pojedyncze elementy, z rezystorem baza - emiter zazwyczaj wbudowanym w strukturę. Typowym przykładem jest darlington mocy 2N682 typu npn, o współczynniku wzmocnienia prądowego równym 2400 A/A (wartość typowa) dla prądu kolektora o wartości 10A. Opracowane na podstawie: P. Horowitz, W. Hill Sztuka elektroniki, Wyd. Komunikacji i Łączności, wydanie 7, Wa-wa 2003 A. Chwaleba, B. Moeschke, G. Płoszajski Elektronika 5, Wyd. WSiP, Wa-wa 1996.