Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Podobne dokumenty
Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Politechnika Białostocka

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Systemy i architektura komputerów

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Politechnika Białostocka

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Politechnika Białostocka

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne

Politechnika Białostocka

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

TRANZYSTORY BIPOLARNE

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Politechnika Białostocka

Ćwiczenie 2 Mostek pojemnościowy Ćwiczenie wraz z instrukcją i konspektem opracowali P.Wisniowski, M.Dąbek

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Ćwiczenie 14. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia

Politechnika Białostocka

Ćwiczenie 8. Badanie zasilaczy i stabilizatorów napięcia stałego.

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

WZMACNIACZ OPERACYJNY

Politechnika Białostocka

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY

Liniowe stabilizatory napięcia

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Pomiar parametrów tranzystorów

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Wprowadzenie do programu MultiSIM

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Dioda półprzewodnikowa

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

SERIA V. a). b). c). R o D 2 D 3

Wzmacniacze różnicowe

Wzmacniacze operacyjne

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Politechnika Białostocka

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia

Transkrypt:

LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego

el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza oraz zapoznanie się z układami stabilizacji punktu pracy i ocena ich skuteczności. Wiadomości podstawowe Punkt pracy tranzystora powinien znajdować się w obszarze bezpiecznej pracy (rys. 1). I c I MAX P MAX U EMAX U E Rys. 1. Obszar bezpiecznej pracy tranzystora. Obszar ten jest ograniczony następującymi liniami: charakterystyką nasycenia dla I B = I BMAX, charakterystyką odcięcia dla I B = 0, maksymalnym dopuszczalnym prądem kolektora - przekroczenie powoduje przepalenie drucika łączącego nóżkę obudowy ze strukturą półprzewodnika, maksymalnym dopuszczalnym napięciem - przebicie lub utrata stabilności termicznej, mocą admisyjną - uwarunkowaną maksymalną temperaturą struktury w danych warunkach chłodzenia. Podstawowym kryterium wyboru punktu pracy jest dobro wzmacniacza. Rozumienie tego dobra jest różne w zależności od jego przeznaczenia. Może to być potrzeba osiągnięcia maksymalnej niezniekształconej amplitudy, minimalnych szumów, minimalnej mocy pobieranej przez wzmacniacz, maksymalnego wzmocnienia itp. W związku z tym odpowiedzi na pytanie gdzie powinien się on znajdować można udzielić posługując się analizą graficzną lub odpowiednimi charakterystykami tranzystora np. charakterystyką szumów, h 21 = f(i ) i in. W ćwiczeniu kryterium wyboru punktu pracy jest uzyskanie możliwie największej amplitudy niezniekształconego napięcia wyjściowego. Sposób graficznego znalezienia tak określonego optymalnego punktu pracy pokazany jest na rys.1 dla pracy bez dołączonego obciążenia i na rys.2 dla pracy z załączonym obciążeniem (rezystor R o = 200 ).

Rys. 1. Sposób wyznaczenia optymalnego z uwagi na maksymalną amplitudę położenia punktu pracy oraz wyznaczenia amplitudy maksymalnej dla pracy z obciążeniem. U Z wartość napięcia zasilającego, U X dowolna wartość napięcia (np. 2V lub 3V) potrzebna tylko do narysowania prostej obciążenia, R - rezystancja w obwodzie kolektora, R O - rezystancja obciążenia. W warunkach eksploatacji wzmacniacza położenie punktu pracy zależy zwykle od temperatury i od parametrów tranzystora wywołanych jego wymianą podczas naprawy (także przy budowie serii wzmacniaczy nie można zapewnić identycznych tranzystorów). Przeciwdziałanie temu zapewniają układy stabilizacji punktu pracy. Zasada działania tych układów oparta jest zwykle o własności ujemnego sprzężenia zwrotnego dla składowej stałej lub o własności specjalnego elementu zależnego od temperatury (metoda kompensacyjna). Takim elementem może być termistor, dioda, drugi tranzystor (wzmacniacz różnicowy). W tej ostatniej metodzie dobór charakterystyk termicznych elementu kompensującego zwykle udaje się tylko w niewielkim zakresie zmian temperatury i z uwagi na małą ich powtarzalność jest utrudniony. Do analizy układów przy zmianie temperatury można stosować np. schemat zastępczy tranzystora dla składowej stałej przedstawiony na rys.3.

Rys. 2. Sposób wyznaczenia punktu pracy i maksymalnej amplitudy przy pracy z obciążeniem. Icb0 B h11 Ib h12*uce Ube h21*ib h22 Rys. 3. Schemat zastępczy tranzystora dla składowej stałej. E W konkretnych zastosowaniach biorąc pod uwagę cel analizy oraz wartości wszystkich elementów schematu zastępczego układu można dokonać jego uproszczeń np. przyjmując h 12 i h 22

równe zeru. Dla konkretnego układu po dokonaniu niezbędnych obliczeń punkt pracy można przedstawić w postaci: I = f (U BE, I B0, h 21 ). Różniczka zupełna takiej funkcji wyniesie: di I U BE du BE I I B0 di B0 I h 21 dh 21 Przechodząc do przyrostów skończonych i zmieniając oznaczenia otrzymamy w przybliżeniu: I SU U BE SI IB0 S h 21 Wprowadzone w powyższych wyrażeniach współczynniki S U, S I, S nazywamy współczynnikami stabilizacji punktu pracy i służą one jako wskaźniki jakości układów stabilizujących punkt pracy. W literaturze można spotkać inne definicje współczynników stabilizacji punktu pracy różniące się od podanych tym, że zamiast wartości bezwzględnych stosowane są ich wartości względne. Wykonanie ćwiczenia Widok stanowiska pomiarowego oraz schematy układów pomiarowych pokazane są na rys. 4. Rodzaj pomiarów ustalamy przełącznikiem wybierając odpowiednią pozycję: 1. Wybór optymalnego punktu pracy, 2. Stabilizacja od zmian temperatury, 3. Stabilizacja od zmian współczynnika. Uwaga! Przed przystąpieniem do pomiarów sprawdzić zachowanie się badanego układu. Tzn. dokonać wszystkich możliwych regulacji i zaobserwować, w jakim zakresie zmieniają się poszczególne wielkości, jak się zmieniają (gwałtownie, wolno). W oparciu o te obserwacje ustalić zakres pomiarów, krok pomiarowy (niekoniecznie stały w całym zakresie pomiarowym). Dopiero wtedy przystąpić do właściwych pomiarów. 1a. Wybór punktu pracy tranzystora zezwalający na pracę z maksymalną amplitudą Przed przystąpieniem do pomiarów należy metodą graficzną określić optymalne położenie punktu pracy dla sytuacji bez obciążenia i z obciążeniem. Należy również określić, jaką największą amplitudę napięcia wyjściowego można uzyskać w obu przypadkach. Wyznaczyć także jaką co najwyżej amplitudę można uzyskać po dołączeniu obciążenia ale w punkcie pracy optymalnym dla pracy bez obciążenia. Przyjąć następujące założenia upraszczające: U Esat = 0,7V oraz I B0 = 0. Sygnał wejściowy sinusoidalny o częstotliwości 1 khz podajemy z generatora o regulowanej amplitudzie. Na ekranie oscyloskopu obserwujemy przebieg napięcia na wejściu i wyjściu wzmacniacza. Zmianę położenia punktu pracy tranzystora dokonujemy regulując prąd bazy potencjometrem R b (47k). Położenie punktu pracy określamy podając wartości I oraz U E. Wartość napięcia U E odczytujemy z miernika M2, prąd I należy obliczyć. Punkt pracy należy tak wybrać aby uzyskać na wyjściu wzmacniacza możliwie największą amplitudę niezniekształconego (sinusoidalnego) napięcia. Wyboru dokonać dla pracy bez obciążenia i z dołączonym obciążeniem (przełącznik zał-wył. ). Sprawdzić, jaką co najwyżej amplitudę niezniekształconego sygnału można otrzymać przy dołączonym obciążeniu w punkcie pracy optymalnym dla pracy bez obciążenia. Pomiary (wybór punktu pracy i uzyskane wartości amplitudy) należy porównać z wynikami otrzymanymi metodą graficzną.

Rys. 4. Widok stanowiska pomiarowego wraz ze schematami układów pomiarowych. 1b. Badanie wpływu punktu pracy na charakterystykę przejściową wzmacniacza Mierząc napięcie wyjściowe wzmacniacza przy pomocy oscyloskopu (wartość międzyszczytową V P-P ) zdjąć charakterystykę przejściową U WY = f(u WE ) dla trzech różnych punktów pracy (optymalnego, przy mniejszej i przy większej niż w punkcie optymalnym wartości prądu I ). Typowy kształt tej charakterystyki przedstawiono na rys.5. Otrzymane charakterystyki przedstawić na wspólnym wykresie. Wyjaśnić ich przebieg. Uwaga: Zniekształcenia niesymetryczne napięcia wyjściowego powodują zmianę średniej wartości napięcia na tranzystorze - nie należy uważać tego za zmianę punktu pracy.

U WY [V p-p ] U WE [V P-P ] Rys. 5. Typowe kształty charakterystyki przejściowej wzmacniacza dla różnych punktów pracy. 2. Badanie wpływu temperatury na punkt pracy tranzystora dla różnych układów polaryzacji Sprawdzić w dwóch różnych układach polaryzacji wpływ temperatury na położenie punktu pracy. Najpierw dokonać pomiarów w temperaturze pokojowej, następnie włączyć ogrzewanie (przełącznik grzanie ) i powtórzyć pomiary w temperaturze podwyższonej. Należy przyjąć, że temperatura ustaliła się, gdy ustalą się wskazania mierników (ok. 1 min.). Przyjąć, że po nagrzaniu tranzystory mają temperaturę 330 K. Napięcia U E odczytać z mierników M2 i M4, prądy I należy obliczyć. Porównać wrażliwość badanych układów na zmiany temperatury. Otrzymane wyniki uzasadnić. 3. Badanie w różnych układach polaryzacji wpływu zamiany tranzystora (zmiana współczynnika wzmocnienia prądowego ) na położenie punktu pracy Sprawdzić w trzech różnych układach polaryzacji (wybór układu przełącznikiem A-B- ), jak zmiana współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystora wpływa na zmianę punktu pracy. Pomiar przeprowadzić włączając do każdego z układów kolejno 2 tranzystory o różnych współczynnikach. Napięcie U E odczytać z miernika M2, prąd I należy obliczyć. Współczynniki wzmocnienia prądowego tranzystorów są następujące: T1 = 95, T2 = 180. Tranzystory wydaje prowadzący zajęcia. Porównać wrażliwość poszczególnych układów na zmiany współczynnika. Otrzymane wyniki uzasadnić. Literatura E.N. Lurch Podstawy techniki elektronicznej Z. Lisik - Podstawy fizyki półprzewodników, skrypt PŁ, 1994, A. Świt, J. Pułtorak Przyrządy półprzewodnikowe, W. Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone.