Redukcja poziomu emisji zaburzeo elektromagnetycznych urządzenia zawierającego konwerter DC/DC oraz wzmacniacz audio pracujący w klasie D

Podobne dokumenty
Metody lokalizacji i redukcji zaburzeń elektromagnetycznych w obwodzie przetwornicy step-down z wykorzystaniem skanera EMC oraz oscyloskopu cz. I.

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

Kompatybilnośd elektromagnetyczna urządzeo górniczych w świetle doświadczeo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

LABORATORIUM. Zasilacz impulsowy. Switch-Mode Power Supply (SMPS) Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Pomiary napięć i prądów zmiennych

(54) (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 PL B1 C23F 13/04 C23F 13/22 H02M 7/155

Modelowanie i badania transformatorowych przekształtników napięcia na przykładzie przetwornicy FLYBACK. mgr inż. Maciej Bączek

Produkty firm SUPERTEX i MONOLITHIC POWER SYSTEMS w układach zasilających. Mariusz Kaczor, Contrans TI, 2005

Generatory sinusoidalne LC

WZMACNIACZ OPERACYJNY

Zakłócenia równoległe w systemach pomiarowych i metody ich minimalizacji

Politechnika Warszawska

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA

Ćwiczenie 4p. Tłumiki przepięć dla szybkich tranzystorów mocy OPTYMALIZACJA PARAMETRÓW PRZEKSZTAŁTNIKÓW

Wzmacniacze różnicowe

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych

Ćwiczenie 22. Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Tranzystory w pracy impulsowej

Kompatybilność elektromagnetyczna urządzeń górniczych w świetle doświadczeń

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 666

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 666

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Przekształtniki napięcia stałego na stałe

Dzień I r.

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Podzespoły i układy scalone mocy część II

Ćwiczenie 16. Temat: Wzmacniacz w układzie Darlingtona. Cel ćwiczenia

Zasilacz do zegara ( audio-clocka )

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED

Badanie właściwości multipleksera analogowego

Światłowodowy kanał transmisyjny w paśmie podstawowym

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Przetwarzanie energii elektrycznej w fotowoltaice. Ćwiczenie 12 Metody sterowania falowników

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Program XI Krajowych Warsztatów Kompatybilności Elektromagnetycznej Wrocław, czerwca 2017r.

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

ANALIZA DANYCH POMIAROWYCH:

Zworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED.

Laboratorium tekstroniki

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

TRANZYSTORY BIPOLARNE

PL B1. GRZENIK ROMUALD, Rybnik, PL MOŁOŃ ZYGMUNT, Gliwice, PL BUP 17/14. ROMUALD GRZENIK, Rybnik, PL ZYGMUNT MOŁOŃ, Gliwice, PL

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Research & Development Ultrasonic Technology / Fingerprint recognition

Temat ćwiczenia: Przekaźniki półprzewodnikowe

Raport z badań parametrów wzmacniaczy elektroakustycznych marki ITC Audio

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

RAPORT z badań tłumienia pola elektrycznego 50 Hz powłok ekranujących NoEM Electro Protektor (zastępuje raport z dnia

Systemy i architektura komputerów

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Protokół z pomiarów pól elektromagnetycznych w środowisku. Nr: LWiMP/056/2017. zakresu częstotliwości: poniżej 300 MHz

ZESTAWY INŻYNIERSKIE FAIR-RITE

Przepisy i normy związane:

Ćwiczenie 3p. Pomiar parametrów dynamicznych i statycznych diod szybkich OPTYMALIZACJA PARAMETRÓW PRZEKSZTAŁTNIKÓW

ZAŁĄCZNIK I DO SIWZ. Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego

UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH

REDUKCJA ELEKTROMAGNETYCZNYCH ZABURZEŃ PROMIENIOWANYCH W MULTIMEDIALNYM REJESTRATORZE PRZEJAZDÓW

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 4

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Elektrolityczny kondensator filtrujący zasilanie stabilizatora U12 po stronie sterującej

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STRATEGIA LABORATORIUM AUTOMATYKI I TELEKOMUNIKACJI IK W ZAKRESIE PROWADZENIA BADAŃ SYSTEMU GSM-R

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

Politechnika Białostocka

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

ANALOGOWE I MIESZANE STEROWNIKI PRZETWORNIC. Ćwiczenie 3. Przetwornica podwyższająca napięcie Symulacje analogowego układu sterowania

ELEMENTY RADIOLINII NEC500 W APARATURZE EME NA PASMO 6cm.

Badania kompatybilności elektromagnetycznej pojazdów w trakcyjnych w świetle obecnie zujących norm oraz przyszłych ych wymagań normatywnych

Projektowanie i produkcja urządzeń elektronicznych

Katedra Energetyki. Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

POMIAR NAPIĘCIA STAŁEGO PRZYRZĄDAMI ANALOGOWYMI I CYFROWYMI. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia

Transkrypt:

Szymon Ratajski, W2 Włodzimierz Wyrzykowski Redukcja poziomu emisji zaburzeo elektromagnetycznych urządzenia zawierającego konwerter DC/DC oraz wzmacniacz audio pracujący w klasie D Badanym obiektem jest urządzenie zawierające system mikroprocesorowy, który steruje pracą wzmacniacza audio klasy D. Całośd zasilana jest poprzez przetwornicę napięcia pracującą w konfiguracji step-down. Do badania wykorzystano skaner EMC firmy EM SCAN, analizator widma FSL-6 firmy Rohde & Schwarz, oscyloskop Tektronix MSO oraz sondy pola bliskiego. Do wstępnej lokalizacji źródła zaburzeo wykorzystano skaner EMC, natomiast do precyzyjnej lokalizacji wykorzystano analizator widma FSL-6 wraz z sondami pola bliskiego. Podejście takie pozwala na precyzyjne zlokalizowanie źródła zaburzeo (dokładnośd do pojedynczych milimetrów). Fot. 1.1. Zestawy sond pola bliskiego wykorzystywane do współpracy z analizatorem widma FSL-6 Ze względu na fakt, że pomiary wykonywane są w polu bliskim w pierwszej kolejności wykonano pomiar zaburzeo elektromagnetycznych pochodzących z otoczenia. Pomiar wykonano w zakresie 30MHz 1GHz.

Rys. 1.1. Poziom zaburzeo elektromagnetycznych generowanych przez otoczenie, zakres zmniejszony: 30MHz 200MHz Po wykonaniu pomiaru, włączono zasilanie badanego urządzenia i wykonano pomiar w zakresie 30MHz 1GHz. W związku z faktem, iż w zakresie 150MHz 1GHz nie występowały żadne zakłócenia, zmniejszono zakres pomiarowy na zakres 30MHz 200MHz (celem szybszego wykonywania pomiarów). Otrzymano wynik przedstawiony na Rys. 1.2. Rys. 1.2. Wstępny pomiar poziomu zaburzeo promieniowanych generowanych przez badany układ Jak widad na powyższym obrazie, układ generuje znaczne zaburzenia w zakresie częstotliwości 30MHz 80MHz, jak również zaburzenia dla częstotliwości 86,5MHz.

Rys. 1.3. Rozkład natężenia zaburzeo w badanym układzie stan wyjściowy Podczas wykonywania pomiarów typu SPATIAL za pomocą skanera można wstępnie zlokalizowad miejsca o znacznym poziomie emisji zaburzeo. Jak widad na powyższym obrazie, znaczne natężenie występuje w okolicach dławika przetwornicy impulsowej. Kolejnym etapem było lokalizowanie źródeł zaburzeo z podziałem na częstotliwości zaburzeo. Postanowiono wykonad dwa pomiary: pierwszy pomiar został wykonany przy wyłączonym wzmacniaczu mocy, drugi przy włączonym. Dzięki takiemu rozwiązaniu możemy zaobserwowad, wpływ pracy wzmacniacza mocy na generowanie zaburzeo.

Rys. 1.4. Rozkład natężenia zaburzeo w badanym układzie stan wyjściowy Na Rys. 1.4 przedstawiono wynik pomiarów przy wyłączonym wzmacniaczu mocy. Na podstawie otrzymanego wyniku możemy stwierdzid, że przyczyna leży w układzie zasilacza impulsowego. Wykonano pomiary oscyloskopem w miejscu połączenia diody z dławikiem, zaobserwowano że w momencie przełączania klucza przetwornicy występują znaczne oscylacje. Po dokładnym pomiarze częstotliwości oscylacji można powiedzied, że odpowiada ona częstotliwości szpilki zaburzeo przedstawionej na Rys. 1.4. Zdecydowano się na zastosowanie układu typu snubber. Na podstawie zmierzonej częstotliwości dobrano wartości elementów R, C. Po zamontowaniu układu w obwodzie drukowanym wykonano kolejny pomiar, tym razem z włączonym układem wzmacniacza.

Rys. 1.5. Rozkład natężenia zaburzeo w badanym układzie w zakresie częstotliwości 30MHz 80MHz. Pomiar wykazał, że udało się zlikwidowad znaczne zaburzenia pochodzące z zasilacza impulsowego, jednak nadal pozostał podwyższony poziom zaburzeo w zakresie częstotliwości 30MHz 80MHz. Rys. 1.6. Rozkład natężenia zaburzeo w zakresie częstotliwości 30MHz 80MHz.

Jak widad na Rys. 1.6. główne źródło zaburzeo znajduje się w obwodzie kluczowania tranzystorów mocy. Przeprowadzono pomiary oscyloskopem, zaobserwowano również znaczne oscylacje podczas przełączania tranzystorów mocy. Sytuacja analogiczna do sytuacji z przetwornicą step-down. Wyznaczono częstotliwośd oscylacji, dobrano elementy dla układów snubber dołączono je do tranzystorów, zastosowano również koraliki ferrytowe w sygnałach sterowania (Würth Elektronik serii WE-CBF), po wykonaniu zmian w układzie, otrzymano wynik pomiaru przedstawiony na Rys. 1.7. Fot. 1.2. Elementy oraz Design Kit dostępne dla użytkowników laboratorium Rys. 1.7. Rozkład natężenia zaburzeo w zakresie częstotliwości 30MHz 80MHz. W celu całkowitej eleminacji zaburzen zdecydowano się na zastosowanie materiału ekranującego. Po zastosowaniu materiału ekranującego ( Würth Elektronik 390 115 A5) dla częstotliwości, dla której obserwowano podwyższony poziom emisji zaburzeo otrzymano zadowalające wyniki pomiarów.

Po wykonaniu zmian, wykonano porównanie dwóch pomiarów: stanu wyjściowego urządzenia, jak również urządzenia po wykonaniu szeregu zmian podczas badao. Wyniki prac można zaobserwowad na Rys. 1.8. Rys. 1.8. Rozkład natężenia zaburzeo porównanie stanu wyjściowego oraz obecnego. Z powyższego rysunku wynika, że podczas prac w laboratorium udało się znacznie obniżyd poziom emisji zaburzeo elektromagnetycznych generowanych przez badany układ. Badania nad opisywanym przypadkiem trwały około 5 godzin. Dzięki dostępności sprzętu pomiarowego takiego jak: skaner EMC, analizator widma wraz z sondami oraz oscyloskop o dużej szybkości próbkowania możliwe jest precyzyjne lokalizowanie źródeł zaburzeo. Dzięki dostępowi do elementów EMC firmy Würth Elektronik możliwe jest przeprowadzenie zmian bezpośrednio w trakcie badao i co istotne można na bieżąco obserwowad wpływ montowanego elementu na pracę układu. W przypadku doboru elementów/rozwiązania pomocą służą pracownicy laboratorium W2 jak również przedstawiciele firmy Würth Elektronik. W przypadku pytao dotyczących badao zachęcamy do kontaktu z pracownikami laboratorium W2 laboratorium@w2.bydgoszcz.pl W przypadku pytao związanych z katalogami elementów EMC lub darmowymi próbkami prosimy o kontakt z pracownikami firmy WÜRTH ELEKTRONIK Würth Elektronik Polska Sp. z o.o. ul. Wagonowa 2 53-609 Wrocław Tel: +48 71 749 76 00 E-Mail: eisos-poland@we-online.com