Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Podobne dokumenty
Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Tranzystory i ich zastosowania

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly

Tranzystor bipolarny

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Systemy i architektura komputerów

z ćwiczenia nr Temat ćwiczenia: BADANIE RÓWNOLEGŁEGO OBWODU RLC (SYMULACJA)

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania: 01

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

Elementy elektroniczne i przyrządy pomiarowe

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

I. Cel ćwiczenia: Poznanie własności obwodu szeregowego, zawierającego elementy R, L, C.

I. Cel ćwiczenia: Poznanie własności obwodu szeregowego zawierającego elementy R, L, C.

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

2 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Lekcja 14. Obliczanie rozpływu prądów w obwodzie

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 10/16. JAROSŁAW GUZIŃSKI, Gdańsk, PL PATRYK STRANKOWSKI, Kościerzyna, PL

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki. Opracował: Mgr inż. Marek Staude

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Liniowe układy scalone

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Test powtórzeniowy. Prąd elektryczny

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18

(54) RZECZPOSPOLITAPOLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H05B 41/29. (21) Numer zgłoszenia:

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

Politechnika Białostocka

Test powtórzeniowy Prąd elektryczny

Zaznacz właściwą odpowiedź

Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Wymagania edukacyjne: Elektrotechnika i elektronika. Klasa: 1Tc TECHNIK MECHATRONIK. Ilość godzin: 4. Wykonała: Beata Sedivy

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Pomiar indukcyjności.

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2019 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Wiadomości podstawowe

Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDALNEGO

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C

Politechnika Białostocka

Zaznacz właściwą odpowiedź (właściwych odpowiedzi może być więcej niż jedna)

LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW. Stany nieustalone

Temat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych

1) Wyprowadź wzór pozwalający obliczyć rezystancję R AB i konduktancję G AB zastępczą układu. R 1 R 2 R 3 R 6 R 4

STAŁY PRĄD ELEKTRYCZNY

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Scalony stabilizator napięcia typu 723

pobrano z serwisu Fizyka Dla Każdego - - zadania fizyka, wzory fizyka, matura fizyka

Wykład Drgania elektromagnetyczne Wstęp Przypomnienie: masa M na sprężynie, bez oporów. Równanie ruchu

Dioda półprzewodnikowa

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

Transkrypt:

Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia pojemności C2 i C3. Wzór potrzebny do obliczenia Cw ma postać: Odp.: Pojemność wypadkowa obwodu wynosi 5/6 nf. Zadanie 2. Wyznaczyć ładunki elektryczne w Kulombach (C) oraz napięcia elektryczne na okładkach kondensatorów układu po ich naładowaniu (w stanie ustalonym). Dane: E=10V, C1=1F, C2=2F. Szukane: Q1, Q2, U1, U2. Napięcie na Cw jest równe E. Za wzoru definicyjnego pojemności elektrycznej:

Ładunek całkowity Q jest równy sumie ładunków na kondensatorach (Q1+Q2). Ale przy połączeniu szeregowym Q1 = Q2. Gdyby tak nie było musiałoby to wywoływać przepływ prądu z miejsca gdzie jest ładunku więcej do miejsca gdzie jest go mniej. Ponieważ stan jest ustalony, to Q1 = Q2 i na każdym z kondensatorów jest połowa ładunku całkowitego Q. Zadanie 3. Zakładając brak sprzężenia magnetycznego pomiędzy cewkami indukcyjnymi wyznaczyć wypadkową indukcyjność dla przypadków: połączenia szeregowego a) oraz równoległego b). Dla przypadku a): Dla przypadku b):

Zadanie 4. Wyznaczyć częstotliwość rezonansową obwodu szeregowego i równoległego. Dane: R=1kohm, L=1nH, C=1nF. W obu przypadkach częstotliwość rezonansowa jest identyczna i obliczana ze wzoru Thomsona (lorda Kelvina), rezystancja nie ma wpływu na tę częstotliwość: Zadanie 5. Wyznaczyć natężenia prądów płynących przez diody krzemowe D1 i D2. Dane: E=10V, R=10 Z racji ww. połączenia, do wyższego potencjału źródła dołączona jest warstwa p diody D1 ona jest w stanie przewodzenia, dioda D2 zablokowana (w stanie wstecznym lub zaporowym). Napięcie na przewodzącej diodzie Si wynosi ok. 0,65V, dioda zablokowana nie przewodzi prądu (czyli od razu wiadomo, że I2 = 0 A). Natężenie prądu przewodzenia diody D1 oblicza się z prawa Ohma według wzoru:

Zadanie 6. Czerwona dioda świecąca ma sygnalizować obecność napięcia zasilania U=12V. Dobrać wartość rezystora R, aby prąd płynący przez diodę miał natężenie 20mA. Napięcie na przewodzącej diodzie czerwonej wynosi 2,4V. Dane: U=12V, Ud=2,4V Zgodnie z prawem Ohma (lub II prawem Kirchhoffa): Ze względów praktycznych (nie jest dostępny rezystor o wyliczonej wartości 480 ) należy wybrać popularną większą wartość 510. Spowoduje to nieznaczne zmniejszenie prądu diody, także jasności jej świecenia. Zadanie 7. Obciążenie o rezystancji R2=1k ma być zasilane stabilizowanym napięciem równym 9V. Dobrać rezystor R1, aby prąd diody Zenera wynosił maksymalnie 20mA. Napięcie na obciążeniu równe jest napięciu Zenera Uz. Prąd obciążenia I2 jest równy: Jeśli I1=20mA, a I2=9mA, to zgodnie z I prawem Kirchhoffa: I = I1 + I2 = 29mA. Zgodnie z II prawem Kirchhoffa: 103

Najbliższa, większa wartość z głównego szeregu rezystorów wynosi 120. Spowoduje ona nieznaczne zmniejszenie prądu I, nie wpłynie to istotnie na zmianę warunków pracy diody Zenera. Zadanie 8. Tranzystor krzemowy npn o współczynniku wzmocnienia prądowego =100 pracuje w układzie wzmacniacza akustycznego o wspólnym emiterze. Zaprojektować układ wzmacniacza nie przekraczając maksymalnego prądu kolektora równego 20mA. Wartości kondensatorów C1 i C2 nie podlegają aktualnie analizie, separują one tranzystor od innych obwodów oraz wpływają na charakterystykę częstotliwościową wzmacniacza. Jeśli wzmacniacz ma pracować liniowo (nie wprowadzać zniekształceń), to najlepiej by napięcie CE (kolektor-emiter) było równe połowie napięcia zasilania, czyli tu 6V. Brakujące do 12V napięcie odłoży się na rezystorze R1. Jeśli maksymalny prąd kolektora ma wynieść 20mA, to jego wartość wtedy wyniesie: (w szeregu jest taka wartość) Rezystor R2 polaryzuje bazę, czyli czyni przewodzenie złącza baza-emiter (BE). Ponieważ: Prąd ten płynie przez szeregowo połączony rezystor R2 i złącze krzemowe pn w kierunku przewodzenia. Napięcie na rezystorze R2 jest równe różnicy napięcia zasilania 12V i napięcia na przewodzącym złączu pn równe 0,65V, czyli 11,35V. Wartość rezystora R2 z prawa Ohma: = 56,75k Najbliższa, większa wartość z podstawowego szeregu rezystorów wynosi 62k. Zmniejszy ona nieznacznie prąd bazy i w efekcie kolektora (tranzystor będzie mniej obciążony). Wyżej pokazane obliczenia są przybliżeniem, które wymaga zwykle praktycznej niewielkiej korekty punktu pracy tranzystora.