Wzmacniacz tranzystorowy



Podobne dokumenty
Wzmacniacz tranzystorowy

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory w pracy impulsowej

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Akustyczne wzmacniacze mocy

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Politechnika Białostocka

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Politechnika Białostocka

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

WZMACNIACZ OPERACYJNY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy

Tranzystor bipolarny

Liniowe stabilizatory napięcia

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

TRANZYSTORY BIPOLARNE

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

Laboratorium: Projektowanie pasywnych i aktywnych filtrów analogowych

Politechnika Białostocka

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

UKŁADY PROSTOWNICZE 0.47 / 5W 0.47 / 5W D2 C / 5W

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Elektronika. Wzmacniacz operacyjny

Przerzutnik astabilny z wykorzystaniem układu typu "555"

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

LABORATORIUM ELEKTRONIKI FILTRY AKTYWNE

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Ćwiczenie 14. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia

Laboratorium Elektroniki

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI 2

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych. Układ całkujący i różniczkujący

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki. Badanie własności wzmacniaczy napięciowych

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

LABORATORIUM ELEKTRONICZNYCH UKŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH. Badanie detektorów szczytowych

Synteza częstotliwości z pętlą PLL

I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI

Badanie właściwości multipleksera analogowego

Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Wzmacniacz operacyjny

Prostowniki. 1. Cel ćwiczenia. 2. Budowa układu.

Systemy i architektura komputerów

Układy i Systemy Elektromedyczne

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Analiza właściwości filtra selektywnego

Generatory sinusoidalne LC

FILTRY AKTYWNE. Politechnika Wrocławska. Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Politechnika Białostocka

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

Przerzutnik monostabilny z wykorzystaniem układu typu "555"

Wzmacniacze operacyjne

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

PROTOKÓŁ POMIARY W OBWODACH PRĄDU PRZEMIENNEGO

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym

Autorzy: Jan Szajdziński Michał Bujacz Karol Kropidłowski. Laboratorium: Projektowanie pasywnych i aktywnych filtrów analogowych

Transkrypt:

Wzmacniacz tranzystorowy. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości jednostopniowego, tranzystorowego wzmacniacza napięcia. Wyniki pomiarów parametrów samego tranzystora jak i całego układu wzmacniacza będą porównane z parametrami obliczonymi. Na podstawie porównania parametrów rzeczywistych i wyznaczonych teoretyczne możliwa będzie ocena dokładności stosowanej metody projektowania wzmacniacza.;. Opis układu badanego. Schemat i płytkę badanego układu przedstawiono w Dodatku (Rys. i ). Układ jest wzmacniaczem w konfiguracji wspólnego emitera, a przy braku kondensatora CE, w konfiguracji ze sprzężeniem emiterowym. Opornik Rg modeluje oporność wyjściową generatora. Dodatkowe oporniki R i R tworzą dzielnik ( krotny) napięcia wejściowego pozwalający na pomiary z większymi amplitudami sygnałów generatora pomiarowego. Dzielnik ten nie stanowi części wzmacniacza, co należy uwzględnić w pomiarach poprzez założenie, że napięcie wejściowe wzmacniacza jest około razy mniejsze niż generatora pomiarowego. 3. Przygotowanie. Szacowany czas przygotowania do zajęć wynosi do 6 godzin. 3.. Literatura [] Materiały Laboratorium i Wykładów Zespołu Układów Elektronicznych. [] U. Tietze, Ch. Schenk, Układy półprzewodnikowe, WNT, Warszawa, 9, s. 38-69. [3] J. Boksa, Analogowe układy elektroniczne, BTC, s. 56-79 [4] S. Kuta, Elementy i układy elektroniczne, AGH,, s. 3-. 3.. Pytania kontrolne. Jak oszacować punktu pracy tranzystora (ICQ, UCEQ) przy zadanych wartościach rezystorów polaryzujących oraz znanych parametrach tranzystora (β, UBEQ) i danym napięciu zasilania?. Jak oszacować parametry małosygnałowe wzmacniacza tranzystorowego w konfiguracji wspólnego emitera (wzmocnienie napięciowe, skuteczna wzmocnienie napięciowe, oporność wejściowa i wyjściowa, częstotliwości przenoszenia górną i dolną) przy zadanym punkcie pracy i znanych elementach układu? 3. Jak zmieni się punkt pracy tranzystora w zadanym układzie przy zmianie jednego wybranego rezystora polaryzacyjnego / przy zmianie temperatury / przy zmianie współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystora? 4. Jak zmienią się parametry wzmacniacza (wzmocnienie, rezystancja wejściowa i wyjściowa) w zadanym układzie przy zmianie jednego wybranego rezystora polaryzacyjnego / przy zmianie temperatury / przy zmianie współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystora? 5. Jak jest różnica między wzmocnieniem napięciowym, a wzmocnieniem napięciowym skutecznym?

6. Jak zmierzyć częstotliwości graniczne górna i dolną wzmacniacza? 7. Jak zmierzyć rezystancje wejściową i wyjściową wzmacniacza? 8. Co to jest decybel? 9. Co oznacz spadek lub wzrost sygnału napięciowego o 3, 6,, db?. Jakie wyróżniamy układy polaryzacji tranzystora bipolarnego.. Charakterystyki tranzystora bipolarnego, punkt pracy tranzystora, prosta pracy: statyczna i dynamiczna.. Modele tranzystora bipolarnego do analizy stało- i zmiennoprądowej dla różnych zakresów częstotliwości. 3. Jak ujemne sprzężenie zwrotne zastosowane we wzmacniaczu o wspólnym emiterze zmienia parametry wzmacniacza (gdy nie ma CE na schemacie z Rys.)? 4. Twierdzenia: Millera. 3.3. Przygotowanie do zajęć. Przy zadanych parametrach tranzystora (UBEQ, UCEsat, β, rbb, ft) oraz danych RL, Rg, Vcc zaprojektować wzmacniacz o zadanych parametrach (jeden z przypadków): a) zadanej amplitudzie napięcia wyjściowego Uwymax, (Vcc może nie być zadane), b) zadanym wzmocnieniu małosygnałowym i paśmie przenoszenia (ku, kusk, fd, fg), c) zadanym punkcie pracy (ICQ, UCEQ),. Oszacować pozostałe parametry wzmacniacza (te, które nie były zadane jako projektowe) oraz wypełnić Tabelę (zacieniowane pola) oraz nanieść obliczone wartości elementów na schemat układu z Rys.. 3. Zasymulować zaprojektowany układ pragramem typu SPICE i wydrukować wyniki, a w szczególności charakterystykę częstotliwościową (w db i logarytmicznej skali częstotliwości) i fazową. 4. Nie wykonanie powyższych trzech punktów może być powodem niedopuszczenia do wynania cwiczenia. Uwaga: Parametry dynamiczne należy wyznaczyć dla dwóch przypadków: gdy rezystor R4 jest zrównoleglony kondensatorem CE oraz przy barku CE. W drugim przypadku wzmacniacz jest objęty pętlą sprzężenia zwrotnego prądowo szeregowego. Jeżeli w zadaniu projektowym nie ma zadanej wartości częstotliwości dolnej wzmacniacza fd to do obliczeń przyjąć następujące wartości pojemność: C = nf, C = nf, CE= μf. W układzie przewidziano możliwość ograniczenia pasma wzmacniacza poprzez dołączenie pomiędzy bazę i kolektor tranzystora dodatkowej pojemności Cd. Zabieg taki jest powszechnie nazywany kompensacją częstotliwościową pasma wzmacniacza tzw. biegunem dominującym. Dlatego, jeżeli zadana jest częstotliwość górna wzmacniacza, należy dodatkowo wyznaczyć wartość Cd. 4. Przebieg ćwiczenia. Wszystkie elementy bierne wzmacniacza należy zmierzyć, a wartości nanieść na schemat (Rys.). Zmierzyć należy również wartość wzmocnienia prądowego β (h, hfe) tranzystora multimetrem dostępnym na stanowisku.

. Zmontować układ wzmacniacza zgodnie z Rys. i. Po zmontowaniu układu należy dołączyć do płytki przewody zasilające, zwracając uwagę na biegunowość napięcia zasilającego. Następnie dołączyć do wejścia wzmacniacza przewód koncentryczny zakończony jednostronnie wtykiem typu BNC. Wyjście układu poprzez sondę należy połączyć z jednym z wejść oscyloskopu. W celu kontroli napięcie sterującego układ drugie wejście oscyloskopu należy podłączyć z wejściem wzmacniacza. 3. Zmierzyć punkt pracy tranzystora: - napięcie UCEQ, - napięcie UBEQ, - prąd kolektora ICQ (mierząc spadek napięcia na rezystorze kolektorowym i korzystając z prawa Ohma). Wyniki umieścić na schemacie (Rys.) i w Tabeli Sprawdzić, czy wlutowany jest kondensator CE pomiary wykonujemy dla wzmacniacza bez sprzężenia zwrotnego. Wszystkie wyniki zapisujemy w Tabeli 4. Podłączyć wejście układu do generatora, a wyjście do oscyloskopu (użyć sondy z podziałem :). Ustawić częstotliwość pomiarową na ok. 5kHz i amplitudę tak, aby sygnał wyjściowy był niezniekształcony (czysta sinusoida). 5. Regulując amplitudę sygnału wejściowego określić wartość maksymalnej niezniekształconej amplitudy napięcia na wyjściu układ. Wszystkie następne pomiary wykonać dla napięć, gdy nie występują zniekształcenia. 6. Obserwując na oscyloskopie sygnał wejściowy i wyjściowy oszacować wzmocnienie napięciowe skuteczne wzmacniacza uwzględniając dzielnik napięciowy R-R: K = USK 7. Zwierając rezystor Rg za pomocą zwory określić wzmocnienie napięciowe (nie skuteczne). 8. Oszacować rezystancję wejściową wzmacniacza (pytanie kontrolne 7): r we = R KU K USK g u u WY WE r wy(dzielnika ) 9. Wykonując pomiary napięcia wyjściowego przy załączonym i odłączonym obciążeniu RL należy oszacować wartość rezystancji wyjściowej wzmacniacza (pytanie kontrolne 7).. Zmieniając częstotliwość generatora określić częstotliwości graniczne (-3dB): dolną fd i górną fg wzmacniacza.. Zmieniając częstotliwość generatora wykonać pomiar charakterystyki częstotliwościowej i fazowej sporządzić wykres.. Pomiary z punktów 4- powtórzyć dla wzmacniacza ze sprzężeniem zwrotnym (po wylutowaniu kondensatora CE) 3. Sprawozdanie zawierać powinno: Projekt wzmacniacza 3

Wyniki symulacji komputerowej, Wypełnioną tabelę pomiarową (Tab.), Schemat z naniesionym wartościami projektowymi i pomiarowym (Rys. lub 3), Charakterystyki częstotliwościowe amplitudowe i fazowe (). Wnioski zawierające dyskusję wyjaśniające różnicę, jeśli są, między wartościami oczekiwanymi i zmierzonymi. 5. Dodatki: Schematy: Tabela. Tabela wyników pomiarowych. Rys.. Schemat ideowy wzmacniacza tranzystorowego. Rys. Schemat montażowy wzmacniacza. Rys.3 Schemat wzmacniacza z naniesionymi wartościami napięć i prądów stałych, Rys.4 Charakterystyka amplitudowa i fazowa układu (siatki do pobrania ze strony laboratorium) 4

Tabela. Parametry wzmacniacza: obliczone i zmierzonych. Wzmacniacz bez sprzężenia zwrotnego (z CE) Wzmacniacz ze sprzężeniem zwrotnego (bez CE) Parametr Wartość zadana lub obliczona Wartość zmierzona Wartość zadana lub obliczona Wartość zmierzona U CEQ [V] U BEQ [V] I CQ [ma] u WYmaxP-P [V] K USK [V/V]; [db] K U [V/V]; [db] f d [Hz] f g [khz] r WY [kω] r WE [kω] 5

Rys. Schemat ideowy wzmacniacza tranzystorowego. 6

7 Rys. Schemat montażowy wzmacniacza. Emiter Baza Kolektor Widok od spodu BC 57 I β UCEsat [V] Cb'c [pf] ft [MHz] 8.3 4.5 5 4 5 7 C B E