Rewolucja informatyczna od wewnątrz



Podobne dokumenty
Nanotechnologia. Nanotechnologia: gdzie jesteśmy i gdzie idziemy. Tomasz Dietl

Spintronika teraz i tu

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

Dynamika w magnetycznych złączach tunelowych

Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej

Technika cyfrowa Inżynieria dyskretna cz. 2

Elektronika z plastyku

PLAN STUDIÓW W UKŁADZIE SEMESTRALNYM

Grafen perspektywy zastosowań

PLAN STUDIÓW W UKŁADZIE ROCZNYM

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ZARZĄDZENIE NR 19 REKTORA UNIWERSYTETU WARSZAWSKIEGO. z dnia 30 marca 2012 r.

Zastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM

Maria Salomea Skłodowska-Curie

Kierunki i specjalności na stacjonarnych studiach I i II stopnia stanowiące ofertę edukacyjną w roku akademickim 2017/18

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a

Kierunki i specjalności na stacjonarnych studiach I i II stopnia stanowiące ofertę edukacyjną w roku akademickim 2017/18

Kierunki i specjalności na stacjonarnych i niestacjonarnych studiach I i II stopnia stanowiące ofertę edukacyjną w roku akademickim 2019/20

Skalowanie układów scalonych

Podstawy Mikroelektroniki

Kierunki i specjalności na stacjonarnych studiach I i II stopnia stanowiące ofertę edukacyjną w roku akademickim 2016/17

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Nagroda Nobla 2007 efekt GMR

Kierunki na stacjonarnych i niestacjonarnych studiach I i II stopnia stanowiące ofertę edukacyjną w roku akademickim 2019/20. studia stacjonarne

Nanostruktury, spintronika, komputer kwantowy

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style

GRAFEN. Prof. dr hab. A. Jeleński. Instytut Technologii MateriałówElektronicznych Ul.Wólczyńska Warszawa

Podzespoły i układy scalone mocy część II

Kierunki na stacjonarnych i niestacjonarnych studiach I i II stopnia stanowiące ofertę edukacyjną w roku akademickim 2019/20. studia stacjonarne

Kierunki i specjalności na stacjonarnych studiach I i II stopnia stanowiące ofertę edukacyjną w roku akademickim 2018/19

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Kierunki i specjalności na stacjonarnych studiach I i II stopnia stanowiące ofertę edukacyjną w roku akademickim 2018/19

Kierunki na stacjonarnych i niestacjonarnych studiach I i II stopnia stanowiące ofertę edukacyjną w roku akademickim 2019/20. studia stacjonarne

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Kierunki i specjalności na stacjonarnych studiach I i II stopnia zatwierdzone do uruchomienia w roku akademickim 2015/16

Materiały używane w elektronice

Ćwiczenie 1b. Silnik prądu stałego jako element wykonawczy Modelowanie i symulacja napędu CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

W książce tej przedstawiono:

Nierównowagowe kondensaty polarytonów ekscytonowych z gigantycznym rozszczepieniem Zeemana w mikrownękach półprzewodnikowych

Liceum Ogólnokształcące Nr VII im. Krzysztofa Kamila Baczyńskiego

Karta (sylabus) modułu/przedmiotu Inżynieria Materiałowa Studia I stopnia. Podstawy elektrotechniki i elektroniki Rodzaj przedmiotu: Język polski

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Studia stacjonarne INSTYTUT POLITECHNICZNY

Wolność, prywatność i bezpieczeństwo o polskiej szlachcie, Internecie, komputerach kwantowych i teleportacji

POMIARY i MODELOWANIE z programem INSIGHT - POMIARY

Edukacja przez badania. Internet dla Szkół 20 lat! Wolność, prywatność, bezpieczeństwo

Marcin Sikora. Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych

Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia

Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy?

KIERUNKI I SPECJALNOŚCI NAUKOWE UPRAWNIAJĄCE DO WYSTĄPIENIA O STYPENDIUM PREZYDENTA MIASTA SZCZECIN

WYDZIAŁ MECHANICZNY. Zakres rozmów kwalifikacyjnych obowiązujących kandydatów na studia drugiego stopnia w roku akademickim 2018/2019

Inicjatywa EUREKA nowe możliwo. liwości pozyskiwania międzynarodowych projektów tribologicznych

PL B BUP 21/07. Marek Kopeć,Kraków,PL Jarosław Krzysztofiński,Warszawa,PL Antoni Szkatuła,Rząska,PL Jan Tomaszewski,Warszawa,PL

Laureaci Nagrody Nobla z fizyki w 2007 r.

Co to jest fotowoltaika? Okiem praktyka.

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a

XV FESTIWAL NAUKI 2011 WPROWADZENIE DO BIOCYBERNETYKI

WYDZIAŁ MECHANICZNY. Zakres rozmów kwalifikacyjnych obowiązujących kandydatów na studia drugiego stopnia w roku akademickim 2017/2018

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Limity przyjęć na I rok studiów pierwszego i drugiego stopnia rozpoczynających się w semestrze zimowym roku akademickiego 2018/2019

Elementy przełącznikowe

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Kierunek: Elektrotechnika Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Niestacjonarne. Wykład Ćwiczenia

Liceum Ogólnokształcące Nr VII im. Krzysztofa Kamila Baczyńskiego

WYDZIAŁ MECHANICZNY. Zakres rozmowy kwalifikacyjnej obejmuje: automatyka i robotyka. energetyka. inżynieria materiałowa

CEZAMAT nowe miejsce współpracy nauki i biznesu na mapie polskiej infrastruktury laboratoryjnej. Piotr Wiśniewski

ENERGO-TERM Technika Grzewcza i Solarna BEZOBSŁUGOWE URZĄDZENIA ELIMINUJĄCE OSADZANIE SIĘ KAMIENIA KOTŁOWEGO

Dydaktyka Informatyki budowa i zasady działania komputera

Załącznik nr 9b Plan studiów dla kierunku: ELEKTROTECHNIKA (1/6) Studia niestacjonarne inżynierskie

Plan studiów dla kierunku: ELEKTROTECHNIKA Studia niestacjonarne inżynierskie

Budowa. Metoda wytwarzania

Momentem dipolowym ładunków +q i q oddalonych o 2a (dipola) nazwamy wektor skierowany od q do +q i o wartości:

DŁUGODYSTANSOWY. Ekonomiczne rozwiązanie dla pokonujących długie trasy. Sterownik LPG/CNG do silników Diesel.

INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK WARSZAWA, AL. LOTNIKÓW 32/46 Telef. (0-22) Fax. (0-22)

Badanie czujników pola magnetycznego wykorzystujących zjawisko gigantycznego magnetooporu

Załącznik nr 9a Plan studiów dla kierunku: ELEKTROTECHNIKA (1/6) Studia stacjonarne inżynierskie

Horyzont 2020 program ramowy na rzecz badań naukowych i innowacji. Rafał Rowiński Komisja Europejska Przedstawicielstwo w Polsce

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

PL B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1. (22) Data zgłoszenia:

MAKROKIERUNEK NANOTECHNOLOGIE i NANOMATERIAŁY

Poziom nieco zaawansowany Wykład 2

Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki

Seria Jubileuszowa. Rozwiązania informatyczne. Sprężarki śrubowe Airpol PRM z przetwornicą częstotliwości. oszczędność energii. ochrona środowiska

Wtryskarki JON WAI. seria TP to duże dwupłytowe maszyny

Luk Palmen Menedżer ds. Innowacji i Kooperacji SA&AM

Zakres rozmów kwalifikacyjnych obowiązujących kandydatów na studia drugiego stopnia w roku akademickim 2018/2019 WYDZIAŁ MECHANICZNY

Lista zagadnień kierunkowych pomocniczych w przygotowaniu do egzaminu dyplomowego magisterskiego Kierunek: Mechatronika

ECTS - program studiów kierunku Automatyka i robotyka, Studia I stopnia, rok akademicki 2015/2016

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Zastosowanie Safety Integrated na przykładzie obrabiarki Scharmann Heavycut

PLAN STUDÓW STACJONARNYCH II-GO STOPNIA dla kierunku Mechanika i Budowa Maszyn Etap podstawowy. Uniwersytet Zielonogórski Wydział Mechaniczny

INNOWACYJNE MATERIAŁY DO ZASTOSOWAŃ W ENERGOOSZCZĘDNYCH I PROEKOLOGICZNYCH URZĄDZENIACH ELEKTRYCZNYCH

WYDZIAŁ INŻYNIERII PRODUKCJI I TECHNOLOGII MATERIAŁÓW 1. KATEDRA ODLEWNICTWA 2. KATEDRA CHEMII

PROJEKTY INWESTYCYJNE UNIWERSYTETU IM. ADAMA MICKIEWICZA W POZNANIU WSPÓŁFINANSOWANE Z FUNDUSZY STRUKTURALNYCH W OKRESIE PROGRAMOWANIA

KSZTAŁCENIE ZAWODOWE TEORETYCZNE

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

FIZYKA. Kierunek studiów Elektrotechnika Studia III stopnia

studia na WETI PG na kierunku elektronika i telekomunikacja

Ekologiczne, odnawialne źródła energii

Transkrypt:

Rewolucja informatyczna od wewnątrz Tomasz Dietl Laboratorium Kriogeniki i Spintroniki Instytutu Fizyki PAN Instytut Fizyki Teoretycznej UW punkty widzenie: konsekwencje: ekonomiczne, społeczne, polityczne,... od wewnątrz

Rewolucja informatyczna Rewolucja informatyczna cena jednego tranzystora mniejsza od ceny druku jednej litery w książce nanotechnologia

Rozmiar tranzystora

zlewanie się fizyki, chemii, biologii

Nanostrukturyzacja zmniejsza: -- cenę -- zużycie energii -- wagę zwiększa: -- prędkość

Tranzystor polowy Tranzystor polowy MOS FET bramka źródło Al + + + + + + + + + + SiO 2 ---------- V G dren I SD Si V G FET: element pamięci: dwa stany: przewodzi/nie przewodzi element bramek logicznych: np. mnożenie (AND)

półprzewodnik Cu Cu 2 2 S ź ó podłoże szkło Canada, Patent Office, 1925 dren, Al dren, Al bramka folia folia Al Al MES FET

Juliusz Edgar Lilienfeld do Marii Skłodowskiej-Curie Juliusz Edgar Lilienfeld do Marii Skłodowskiej-Curie Wielce Szanowna Pani Lipsk, 3 maja 1921 Pozwalam sobie wręczyć ogłoszenie serii nowo rozpoczętej pracy z zapytaniem czy dana byłaby możliwość zademonstrowania odnośnych zjawisk przed publicznością francuską. Sytuacja Polaka w Niemczech jest taka, że o rozwój stanowiska naukowego trudno do Polski przenieść się znaczyłoby zrzec się na kilka lat naukowej pracy... Archiwum Muzeum MSC, M/320

Julius Edgar Lilienfeld (1882-1963) Julius Edgar Lilienfeld (1882-1963) Ur. 1882 i do 1899 we Lwowie Studia i doktorat 1905 w Berlinie Profesura 1910-26 w Lipsku Od 1926 w USA Phys. Today (11) 104 (1963); (2) 24; (5) 60 (1964); (5) 87 (1988); C. Kleint, Prog. Surf. Sci. 57, 253 (1998); M. Suffczyński, Postępy Fizyki 50, 313 (1999). J. Orton, The Story of Semiconductors (Oxford, 2004), p. 101

Znaczenie materiałów Trzy epoki (Europa środkowa) Kamień Cu Brąz Żelazo C.J. Thomsen (Copengagen) pzed Chr. po Chr.

Epoka krzemu Krzem 200 Mld.Euro/rok elektronika 3 Mld.Euro/rok ogniwa słoneczne Europa:1/3: STMElectronics, Infineon, Philips,... cf. Związki półprzewodnikowe J. Czochralski, 15 Mld. rokpl/d Pamięci magnetyczne, CD, DVD 100 Mld. Euro/year 30 cm 75% krzemu otrzymywane metodą Czochralskiego

Jan Czochralski (1885-1953) Jan Czochralski (1885-1953) Ur. 1885 i do 1904 w Kcynii Praca i studia w Berlinie i Frankfurcie/M Profesor Wydziału Chemii PW (1929-45) Zmarł w 1953 w Kcynii P. Tomaszewski, Wiadomości Chemiczne 41, 597 (1987). A. Pajączkowska, Postępy Fizyki 51, 146 (2000). J. Orton, The Story of Semiconductors (Oxford, 2004), p. 56

Układy scalone postęp przez miniaturyzację Układy scalone postęp przez miniaturyzację 2007 4 tranzystory 10 9 tranzystorów US Patent Office 1958 przetwarzanie i dynamiczne przechowywanie informacji; P i DRAM Nagroda Nobla 2000

Społeczna akceptacja technologii Społeczna akceptacja technologii technologie akceptowalne: np. samochody 6 tys/rocznie ofiar wypadków w Polsce; większa liczba ofiar spalin technologie nieakceptowalne: np. energia jądrowa GMO DC3

Obawy związane z nanotechnologią Obawy związane z nanotechnologią Dwa rodzaje nanostruktur o różnych zastosowaniach i potencjalnych zagrożeniach (nierozróżnialne przez niefachowców): 1. Niezwiązane nanostruktury (nanocząsteczki) -- zastosowania: kataliza, medycyna, energia -- zagrożenia typu DDT, azbestu, 2. Związane nanostruktury w układzie scalonym -- zastosowania: ICT -- zagrożenia ICT -- rozpowszechnianie terroryzmu, pornografii,.. -- zagrożenie prywatności (wszechobecność) -- zagrożenie zdrowia/życia (katastroficzne) zdalna scentralizowana kontrola pojazdów i zdrowia --

Przykłady aktywności anty-nanotech Przykłady aktywności anty-nanotech L. Laurent 06

Demonstracja uliczna w Grenoble Demonstracja uliczna w Grenoble lipca 06 demonstracja w Grenoble przeciwko otwarciu MINATEC nanotechnologia = nekrologia przeciw nanoproszkom i nanorobotom

Scenariusz stabilizacji Scenariusz stabilizacji energia jądrowa GMO 10 4 SPEED [km/h] 10 3 sound velocity DC3 DC3 Concord B747 10 2 Wright brothers 1900 1920 1940 1960 1980 2000 YEAR

Siły napędowe Siły napędowe -- przemysł rozrywkowy -- roboty przemysłowe -- oszczędność energii (automatyczne sterowanie pojazdami) -- ciągły dostęp do informacji -- inteligentny dom/samochód -- wieloskalowe obliczenia -- automatyczne tłumaczenie -- ochrona zdrowia (automatyczna pielęgnacja) nanoczujniki, nonomechanika (dozowniki) --... GHz THz, GIPS TIPS, GB TB Najważniejsze zastosowania prawdziwie innowacyjnej technologii są te, które dzięki niej powstały H. Kroemer, Nobel Lecture 2000

Drogi dalszego rozwoju Drogi dalszego rozwoju udoskonalanie istniejących technologii finansowanie przez przemysł technologie nieciągłe (nowe technologie) finansowanie budżetowe

Spintronika = połączenie możliwości ferromagnetyków i półprzewodników

Prawo Moore a dla sztywnych dysków Prawo Moore a dla sztywnych dysków

Nagroda Nobla 2007 spintronika Albert Fert (Paris) Peter Grünberg (Jülich) 1/2 of the prize 1/2 of the prize Czujnik pola magnetycznego Gigantyczny magnetoopór (GMR) odkryty 1988 w produkcji IBM 1997

Spintronika: nowe pomysły Spintronika: nowe pomysły bezstratne prądy spinowe przemagnesowanie prądem elektrycznym (zapis informacji bez części mechanicznych) I

Przemagnesowanie prądem elektrycznym fizyka: zmiana momentu spinowego przepływających elektronów wytwarza moment siły J. Slonczewski [IBM], JMMM 96, L. Berger, PRB 96

Logika energooszczędna złącza ferro CoFeB Ru CoFeB MgO CoFeB półprzewodnikowe CMOSy 4 MTJs + 32 MOSs Sumator: pobór mocy czterokrotnie mniejszy S. Matsunaga et al. (Tohoku) APEX 08

Półprzewodniki ferromagnetyczne materiały wielofunkcyjne

Przemagnesowanie polem elektrycznym fizyka: zmiana obsadzenia podpasm dziur o rożnych kierunkach momentu orbitalnego Chiba et al. [Tohoku, Warsaw] Nature 09

Konsekwencje

Ograniczenie pracy fizycznej

Wydłużenie życia

Postęp demokracji facebook data center in Oregon

Dostępność informacji

Dostępność informacji

Podsumowanie nanotechnologia u źródeł rewolucji informatycznej prekursorzy: J.E. Lilienfeld, J. Czochralski bariery rozwoju siły napędowe nanotechnologie przyszłości nieznane znaczne środki finansowe na poszukiwania Połączenie bogatej fizyki, chemii, biologii,.. i nowych możliwości technologicznych dalekosiężne zmiany w sposobie gromadzenia i przekazywania informacji