POLITECHNIKA POZNAŃSKA FILIA W PILE LABORATORIUM ELEKTRONIKI I TEORII OBWODÓW. grupa: A

Podobne dokumenty
płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Generatory impulsowe przerzutniki

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Wzmacniacze operacyjne

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Wzmacniacz operacyjny

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Generatory impulsowe przerzutniki

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Systemy i architektura komputerów

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Generatory przebiegów niesinusoidalnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Białostocka

Tranzystor bipolarny

Tranzystory w pracy impulsowej

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Politechnika Białostocka

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

1. Nadajnik światłowodowy

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

AKADEMIA MORSKA KATEDRA NAWIGACJI TECHNICZEJ

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Ćw. 8 Bramki logiczne

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Liniowe układy scalone. Elementy miernictwa cyfrowego

Laboratorium Elektroniki

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

Komparatory napięcia. Wprowadzenie. Wprowadzenie. Definicja. Najważniejsze parametry komparatorów napięcia:

TRANZYSTORY BIPOLARNE

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Badanie diod półprzewodnikowych

WZMACNIACZ OPERACYJNY

Dioda półprzewodnikowa

A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Ćwiczenie A7 : Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Badanie właściwości tłumienia zakłóceń woltomierza z przetwornikiem A/C z dwukrotnym całkowaniem

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Liniowe układy scalone

Temat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Laboratorium Elektroniczna aparatura Medyczna

Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Ćwiczenie 22. Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

Własności dynamiczne przetworników pierwszego rzędu

3. Funktory CMOS cz.1

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI 2

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

Ujemne sprzężenie zwrotne, WO przypomnienie

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Statyczne i dynamiczne badanie przerzutników - ćwiczenie 2

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly

Badanie właściwości multipleksera analogowego

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH

Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW

LABORATORIUM ELEKTROTECHNIKI POMIAR PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO

Transkrypt:

POLTECHNKA POZNAŃSKA FLA W PLE LABORATORM ELEKTRONK TEOR OBWODÓW numer ćwiczenia: 4 data wykonania ćwiczenia: 07.11.2002 data oddania sprawozdania: 28.11.202 OCENA: tytuł ćwiczenia: Przerzutnik Schmitta wykonawcy: 1. OSTASZEWSK Paweł 2. PAWLCK Piotr. LEMAŃSK Radosław 4. KARMOWSK Sławomir grupa: A semestr: 1. Cel ćwiczenia: obserwacja przebiegów napięciowych B, E, C1, C2 przy piłokształtnym napięciu wejściowym obserwacja charakterystyki przejściowej C2 =f( B ), wyznaczanie charakterystyki wejściowej B = f( B ) układu traktowanego jako dwójnik czynny, obserwacja wpływu pojemności przyspieszającej C na szybkość przerzutu 2. Opis układu pomiarowego: 1

. Wykresy przebiegów napięciowych zaobserwowanych na oscyloskopie 4. Charakterystyka przejściowa zaobserwowana na oscyloskopie 2

5. Zdejmowanie charakterystyki wejściowej b [V] b [ua],01 8,7 2,9 0,0 2,89 18,4 2,74 1,9,95 8,,2 5, 2,90 2,9 2,07 2,0 1, 1, 1,17 1,2 0,92 0,9 0, 0, 0,20 0,2 0,08 0,1

Wyznaczenie wartości G1 i G2 : R G S B * R 100 k S B G 1 8, * 10 * 100 * 10,95 4,78V G 2 1,9 * 10 * 100 * 10 2,74 4,4V Aby wyznaczyć maksymalną wartość R G, przy której układ przestaje działać jak przerzutnik Schmitta korzystam z definicji funkcji tangens i odpowiedniego trójkąta na charakterystyce: tg R 1 tg i 2 i 2 2 1,9 A 2,74V 5,2V Powyższe wartości zostały odczytane z wykresu. 5,2 2,74 R G 145, 5k max 1,9 *10 Przerzutniki Schmitta są szeroko stosowane w układach elektronicznych. Znajdują zastosowanie zwłaszcza tam, gdzie mamy do czynienia z wolno narastającymi i opadającymi zboczami sygnałów cyfrowych czy tez sygnałami zakłóconymi lub o przebiegach różnych od prostokątnych, które wymagają zamiany właśnie na sygnały prostokątne. Przerzutniki Schmitta to swego rodzaju przerzutniki bistabilne, zmieniające swój stan wyjściowy po wystąpieniu na wejściu napięcia progowego. Charakteryzują się one dość dużą szybkością działania. nną ich cechą, wynikającą z ich budowy, jest fakt istnienia 4

różnicy pomiędzy poziomami granicznymi przy zmianie ze stanu niskiego na wysoki i z wysokiego na niski. Ta różnica określana jest mianem histerezy układu Schmitta. Należy o tym pamiętać przy projektowaniu układów z przerzutnikami Schmitta, zwłaszcza, gdy zwracamy uwagę na czasy okresy i wypełnienia przebiegów. W układzie tranzystorowym przy braku sygnału na wejściu tranzystor T1 jest zatkany, a T2 przewodzi. Podanie napięcia na bazę T1 powoduje, że T1 zaczyna przewodzić, co zmniejsza prąd bazy T2 i tym samym powoduje jego zatykanie. Proces ten przyspiesza jeszcze wzrost spadku napięcia na rezystorze emiterowym. T2 zostaje bardzo szybko odcięty i na jego kolektorze pojawia się stan wysoki. Widać tu, że wyjściem tego układu jest właśnie kolektor tranzystora T2. Tranzystory, bowiem pracują jako klucze i każdy z nich odwraca fazę sygnału podanego na bazę. Wymusza to konieczność podwójnego odwrócenia fazy, gdyż tylko wtedy przebieg wyjściowy będzie odzwierciedlał kształt przebiegu wejściowego. Także z tego faktu wynika różnica pomiędzy przebiegami występującymi na kolektorach tranzystorów. Są one w przeciwfazie, natomiast ich amplitudy niewiele się różnią. W czasie trwania stanu ustalonego na wejściu napięcie na rezystorze emiterowym ma ustaloną wartość. Przewodzi wtedy zawsze tylko jeden tranzystor Jednakże w czasie przerzutu przez pewien czas przewodzą obydwa tranzystory, a co za tym idzie, przez rezystor ten płyną prądy kolektorowe obydwu tranzystorów. Sumując się wymuszają one zwiększony spadek napięcia na RE. Ponieważ jednak, gdy jeden z tranzystorów się otwiera, drugi się zatyka, więc napięcie to najpierw rośnie, a potem maleje. Czyli, podsumowując, napięcie to najpierw narasta od wartości ustalonej, by następnie opaść do niej po zakończeniu przerzutu 5