POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA



Podobne dokumenty
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

Modelowanie diod półprzewodnikowych

Badanie diody półprzewodnikowej

Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził:

Laboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka

Dioda półprzewodnikowa

Badanie tranzystora bipolarnego

Ćwiczenie 2b. Pomiar napięcia i prądu z izolacją galwaniczną Symulacje układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE

Politechnika Białostocka

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Ćwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Ćwiczenie Stany nieustalone w obwodach liniowych pierwszego rzędu symulacja komputerowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

BADANIA SYMULACYJNE PROSTOWNIKA PÓŁSTEROWANEGO

Analiza komputerowa pracy wzmacniacza tranzystorowego jednostopniowego za pomocą programu PSpice wersja EDU.

Politechnika Białostocka

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Ćw. III. Dioda Zenera

Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

BADANIE ELEMENTÓW RLC

BADANIA SYMULACYJNE STABILIZATORA PRĄDU

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

ANALOGOWE I MIESZANE STEROWNIKI PRZETWORNIC. Ćwiczenie 3. Przetwornica podwyższająca napięcie Symulacje analogowego układu sterowania

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

ĆWICZENIE ZASILACZE. L a b o r a t o r i u m Elektroniki 2. Zakład EMiP I M i I B

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY

WZMACNIACZ OPERACYJNY

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe.

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe

Systemy i architektura komputerów

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia

INSTRUKCJA LABORATORIUM TECHNIK INFORMACYJNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych

WYMAGANIA EDUKACYJNE I KRYTERIA OCENIANIA Z PRZEDMIOTU POMIARY W ELEKTROTECHNICE I ELEKTRONICE

Przyjazna instrukcja obsługi generatora funkcyjnego Agilent 33220A

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PARAMETRYCZNY STABILIZATOR NAPIĘCIA

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

Wprowadzenie do programu MultiSIM

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK FILTRÓW BIERNYCH. (komputerowe metody symulacji)

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY

Diody półprzewodnikowe cz II

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Badanie układów aktywnych część II

Dioda półprzewodnikowa

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO. 1. Wiadomości wstępne

Badanie układów prostowniczych

Zajęcia 10. PSpice Komputerowa symulacja układów elektronicznych (analogowych i cyfrowych) Pspice Schematic evaluation version 9.1

Sprzęt i architektura komputerów

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

Dioda półprzewodnikowa

1. Opis płyty czołowej multimetru METEX MS Uniwersalne zestawy laboratoryjne typu MS-9140, MS-9150, MS-9160 firmy METEX

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

Ćw. 8 Bramki logiczne

Spis treści 3. Spis treści

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Badania symulacyjne wybranych układów elektronicznych

Wzmacniacz operacyjny

Zasilacze: prostowniki, prostowniki sterowane, stabilizatory

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA

Badanie diody półprzewodnikowej

Transkrypt:

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 1. Wybrane zastosowania diod półprzewodnikowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD w elektronice TS1C422 380 Opracował: dr inż. Andrzej Karpiuk Białystok 2013

1. Wykreślić charakterystykę prądowo-napięciową diody prostowniczej 1N4002 (model D1N4002) - analiza stałoprądowa DC Sweep. a) Swept Var. Type: b) Swept Var. Type: Start Value 0 End Value 0.85 V Increment 0.1 V Start Value 0 End Value 0.85 V Increment 1 mv Wyjaśnić różnice w kształcie charakterystyk oraz wartościach prądów. Uwaga! W laboratorium w takim układzie należy ustawić ograniczenie prądowe w zasilaczu. Na podstawie charakterystyki z punktu b) określić rezystancję statyczną R s oraz rezystancję dynamiczną r d diody przy prądzie diody równym 50 ma (wykorzystać kursory). U d d Rs = rd = Id Id 2. Wykreślić charakterystykę prądowo-napięciową diody prostowniczej 1N4002 (model D1N4002) - analiza stałoprądowa DC Sweep. a) Swept Var. Type: Current Source Sweep type: decade b) Swept Var. Type: Current Source Start Value 10 na End Value 100 ma Pts/decade 1000 Start Value -10 ma End Value 100 ma Increment 1 ua Wstawiamy etykietę (dwa szybkie kliknięcia myszką), np. ANODA, na przewodzie w pobliżu anody diody. Po uruchomieniu analizy otrzymamy na ekranie charakterystykę I = f(i). Żeby otrzymać charakterystykę prądowo-napięciową musimy zmienić zmienną na osi poziomej (dwa szybkie kliknięcia w dowolną wartość na osi poziomej Axis Variable V(ANODA) OK OK). 3. Wykreślić zależność spadku napięcia na diodzie 1N4002 od temperatury przy zadanym prądzie (np. 10 ma) - analiza stałoprądowa DC Sweep. Swept Var. Type: Start Value 0 Temperature End Value 100 Increment 1 d Wyznaczyć współczynnik temperaturowy: 4. Wykreślić pełną charakterystykę prądowo-napięciową (kierunek zaporowy i kierunek przewodzenia) diody Zenera 1N750 (model D1N750) - analiza stałoprądowa DC Sweep. Określić napięcie Zenera oraz rezystancję dynamiczną diody przy I Z = 10 ma. T 2

5. Wyznaczyć charakterystykę przejściową stabilizatora napięcia - analiza stałoprądowa DC Sweep. Swept Var. Type: Start Value 0 End Value 15 Increment 0.1 Jak zmieni się charakterystyka, jeżeli stabilizator obciążymy rezystancją, np. 100Ω? 6. Na wejście stabilizatora podać przebieg sinusoidalny o częstotliwości 100 Hz i amplitudzie 10V. Wykreślić przebiegi: wejściowy i wyjściowy analiza TRANSIENT. a) b) c) d) Print Step 20n 20n 40u 40u Final Time 40m 40m 40m 40m No-Print Delay 10m Step Ceiling 40u 40u 40u Zwrócić uwagę na różnice i podobieństwa przebiegów przy różnych ustawieniach parametrów analizy (punkty: a) d) ). 7. Na wejście stabilizatora podać przebieg sinusoidalny o częstotliwości 100 Hz i amplitudzie 1V i składowej stałej 15V. Wykreślić przebiegi: wejściowy i wyjściowy analiza TRANSIENT. Na podstawie przebiegów określić współczynnik stabilizacji układu. k st = 8. Ograniczniki napięcia. Wykreślić charakterystyki przejściowe (U wy = f(u we ) - DC Sweep) oraz przebiegi napięciowe (U we (t), U wy (t) TRANSIENT) dla wybranych konfiguracji układu oraz wybranych przebiegów wejściowych (sinus, prostokąt, trójkąt) o częstotliwości 100Hz i różnych wartościach amplitudy. wy we 3

9. Porównać przełączanie diod 1N4002 (prostownicza) oraz 1N4148 (szybka, uniwersalna). Ustawienia źródła VPULSE V1-10 V2 +10 TD 0 TR 1n TF 1n PW 0.75u PER 1.5u Ustawienia analizy TRANSIENT Print Step 1n Final Time 2.4u No-Print Delay 0.4u Step Ceiling 1n Porównać przebiegi napięć i prądów obu diod. Oszacować czasy opóźnienia włączania diod oraz czasy odzyskiwania zdolności zaworowych. Wnioski? 10. Obserwacja charakterystyki pojemnościowo-napięciowej diody pojemnościowej MV2201 w programie PARTS. a) uruchomić program PARTS (C:\MsimEv_8\Bin\Parts) b) otworzyć bibliotekę EVAL (FILE Open/Create Library C:\MsimEv_8\Lib\Eval) c) wybrać z listy diodę MV2201 (Part Get MV2201) d) wykreślić charakterystykę pojemnościowo-napięciową (Junction Capacitance Plot Display) e) określić zakres zmian pojemności diody przy zmianie napięcia zaporowego od 0.1 V do 10V Uwaga! Opisane wyżej czynności można znacznie przyspieszyć korzystając z odpowiednich ikon. 11. Przestrajanie obwodu rezonansowego za pomocą diod pojemnościowych (AC Sweep + Parametric) a) wykreślić charakterystykę amplitudową obwodu rezonansowego dla V2 = 5V (w zakresie od 1 MHz do 100 MHz dekadowo, 1000 pkt/dek) b) sprawdzić wpływ wartości R1 i R2 na charakterystykę rezonansową c) wykreślić rodzinę charakterystyk amplitudowych obwodu rezonansowego dla V2 = 0.1V, 1V, 3V, 5V, 10V. 4

Literatura: 1. Zachara Z., Wojtuszkiewicz K.: PSpice: przykłady praktyczne, MIKOM, 2000. 2. Zachara Z., Wojtuszkiewicz K.: PSpice: symulacje wzmacniaczy dyskretnych, MIKOM, 2001. 3. Walczak J., Pasko M.: Zastosowanie programu SPICE w analizie obwodów elektrycznych i elektronicznych, Gliwice, Wydawnictwo Politechniki Śląskiej, 2011. Materiały dydaktyczne przeznaczone dla studentów Wydziału Elektrycznego Politechniki Białostockiej. Do użytku wewnętrznego. 5