I Konferencja. InTechFun



Podobne dokumenty
I Konferencja. InTechFun

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r.

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.

I Konferencja. InTechFun

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

I Konferencja. InTechFun

V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25

Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora

I Konferencja. InTechFun

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur

Publikacje naukowe Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Kubica Marek Marek Kubica Marek Kubica

ZAŁĄCZNIK 2. AUTOREFERAT przedstawiający opis dorobku i osiągnięć naukowych, w szczególności określonych w art. 16 ust. 2 ustawy

PLAN STUDIÓW. efekty kształcenia

Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych.

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

Marcin Miczek. Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan

Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego. Streszczenie rozprawy doktorskiej

Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu

dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL

Badania odpowiedzi sensorowej cienkich warstw oraz nanostruktur SnO 2

ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH DLA FOTONIKI

Zał. nr 4 do ZW 33/2012 aktualizacja WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim FIZYKA CIENKICH WARSTW

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

I Konferencja. InTechFun

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO

SYLABUS. Studia Kierunek studiów Poziom kształcenia Forma studiów Inżynieria materiałowa studia pierwszego studia stacjonarne

SESJA PLAKATOWA I wtorek , godz. 17:30 19:30

2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy, Uniwersytet Rzeszowski

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych

Uniwersytet Rzeszowski

Wykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej.

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym

KOMITET ELEKTRONIKI i TELEKOMUNIKACJI

SYLABUS. Chemiczna obróbka metali i półprzewodników

Wybrane przykłady zastosowania materiałów ceramicznych Prof. dr hab. Krzysztof Szamałek Sekretarz naukowy ICiMB

CZŁONEK MIĘDZYNARODOWEJ UNII NAUKI, TECHNIKI I ZASTOSOWAŃ PRÓŻNI ( IUVSTA )

Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT

CEZAMAT nowe miejsce współpracy nauki i biznesu na mapie polskiej infrastruktury laboratoryjnej. Piotr Wiśniewski

Rok akademicki: 2015/2016 Kod: IEL s Punkty ECTS: 3. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

PL B1. Układ do optycznego pomiaru parametrów plazmy generowanej wewnątrz kapilary światłowodowej. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL

Technologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk

III PANEL EKSPERTÓW PROGRAM. Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 10 stycznia 2013 r.

Mikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt.

MIĘDZYUCZELNIANE CENTRUM. Projekt realizowany przez Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu

RAPORT. zawierający wyniki realizacji projektu pt.:

Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r.

PLAN STUDIÓW. efekty kształcenia

OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU

Technologia elementów optycznych

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej

DOROBEK NAUKOWY ( )

Magister: Uniwersytet Śląski w Katowicach, Wydział Matematyczno Fizyczno - Chemiczny, s pecjalność: kierunek fizyka, 1977

PANEL EKSPERTÓW PROGRAM. Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 19 stycznia 2011 r.

Walne Zebranie Członków Polskiego Towarzystwa Pró niowego Zebranie sprawozdawczo-wyborcze Uchwała Zarz

Kierunek: Fizyka, rok I, specjalność: Akustyka i realizacja dźwięku

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Aparatura do osadzania warstw metodami:

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Warszawa, 24 marca 2014r. AUTOREFERAT. 1. Imię i Nazwisko: Eliana Kamińska

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy, ul. Krakowska 22

METODY CHARAKTERYZACJI GRAFENU WYKORZYSTYWANEGO W SENSOROWYCH UKŁADACH REZYSTANCYJNYCH

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA

ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

2. Innowacyjne elastyczne pokrycie fotowoltaiczne",

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych

Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN

ZAKŁAD MIKRO- I NANOTECHNOLOGII PÓŁPRZEWODNIKÓW SZEROKOPRZERWOWYCH

POLITECHNIKA ŚLĄSKA Gliwice, ul. Krzywoustego 2, tel (032) ,

ROZDZIAŁ 4. Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu

ZAKŁAD FIZYKI I TECHNOLOGII STRUKTUR NISKOWYMIAROWYCH

PLAN STUDIÓW STACJONARNYCH studia inżynierskie pierwszego stopnia

PRZEWAGA DZIĘKI TECHNOLOGII

Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy?

Ramowy Program Specjalizacji MODELOWANIE MATEMATYCZNE i KOMPUTEROWE PROCESÓW FIZYCZNYCH Studia Specjalistyczne (III etap)

Kierownik: prof. dr hab. Jacek Ulański

ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków,ul. Reymonta 25

Mechanika i Budowa Maszyn II stopień Ogólnoakademicki. Studia stacjonarne. inny. do wyboru polski Semestr pierwszy. Semestr Letni

KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK

Kierunek: Fizyka, rok I, specjalność: Akustyka i realizacja dźwięku Rok akademicki 2017/2018

METROLOGIA. MIERNICTWO

ROK AKADEMICKI 2012/2013 studia stacjonarne BLOKI OBIERALNE KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Transport I stopień Ogólnoakademicki. Studia niestacjonarne. kierunkowy. do wyboru polski Semestr siódmy. Semestr Zimowy

1. "Interaction of high-energy phonons with conduction electrons in semiconductors", W. Zawadzki, P. Boguslawski, Phys. Rev. Lett. 31, 1403 (1973).

Politechnika Koszalińska

Transkrypt:

I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

InTechFun Pakiet zadaniowy: PZ6. Promocja i upowszechnienie wyników Lider: Partnerzy: IF PAN,, PW, PŁ, WAT Czas trwania: M1 M60

PZ6 Cele Upowszechnianie informacji o projekcie i możliwościach wykorzystania jego wyników; Wdrożenia wyników naukowych i transfer wiedzy do przedsiębiorstw produkcyjnych przy zachowaniu dbałości o ochronę własności intelektualnej; Włączanie wiedzy o wynikach projektu w programy kształcenia wyższego i kształcenia III-go stopnia.

Publikacje 1. Maciej Kuc, Robert P. Sarzała 2. Maciej Kuc 3. 4. 5. PZ6 Upowszechnienie wyników M. Ekielski, R. Kruszka, K. Korwin-Mikke, M.A. Borysiewicz, M. Wzorek E. Kamińska, A. Piotrowska, I. Pasternak, M. A. Borysiewicz, M. Ekielski, K.Gołaszewska, W. Rzodkiewicz, T. Wojciechowski, E. Dynowska, P. Struk, T. Pustelny M. Kwoka, L. Ottaviano, N. Waczyńska, S. Santucci, J. Szuber Thermal model of nitride edge-emitting laser diodes Thermal properties of nitride materials employed in high-power InGaN laser diodes Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti3SiC2 Fabrication, processing and characterization of thin film ZnO for integrated optical gas sensors Influence of substrate preparation on surface chemistry and morphology of L- CVD SnO 2 thin films studied by XPS and AFM Optica Applicata XXXIX, 2009, pp. 663-672 Materials Science and Engineering B Special Issue MicroTherm (Manuscript Number MSB-D-09-01449 with editor) Elektronika, vol. L, nr. 10, str. 38-40 (2009) 2009 MRS Fall Meeting Proceedings, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 1201, 1201- H05-14 (2010) Applied Surface Science, DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.093 6. M. Sawicki Magnetism of dilute (Ga, Mn)N Phys. Rev. B IF PAN PŁ PŁ

PZ6 Upowszechnienie wyników Konferencje 1. P. Jakubas, P. Bogusławski 2. Maciej Kuc, Andrzej Brozi, Robert P. Sarzała, 3. J. Szuber 4. Maciej Kuc, Andrzej Brozi, Robert P. Sarzała 5. M. Sawicki ze współpracownikami 6. Maciej Kuc 7. 8. M. Ekielski, R. Kruszka, K. Korwin-Mikke, M. A. Borysiewicz, M. Wzorek B. Adamowicz, M. Miczek, D. Pundyk, M. Kępińska,J. Mazur, P. Bobek-Bidziński, A. Klimasek, T. Hashizume Microscopic crystalline stability of semiconductors: Generation of Frenkel Pairs Model cieplny lasera azotkowego o emisji krawędziowej Nanowarstwy dwutlenku cyny w aspekcie zastosowań w mikroelektronice Wpływ montażu chipu laserowego na wzrost temperatury w jego wnętrzu Fabrication and properties of metal-oxidesemiconductor structures of ferromagnetic semiconductor; wykład zaproszony Problems with thermal management of nitride diode lasers Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti3SiC2 Własności optyczne, chemiczne, elektronowe i morfologiczne struktur AlGaN/GaN March Meeting of the American Physical Society, Portland 2010 XI Seminarium: Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe, Szklarska Poręba Średnia, 19-22 maja 2009, streszczenia pp. 28, XI Seminarium: Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe, Szklarska Poręba Średnia, 19-22 maja 2009, III Krajowa Konferencja Nanotechnologii, Warszawa 22-26 czerwca 2009, streszczenia pp. 139, IF PAN PŁ Baltic Conf. on ALD, June 2009, Uppsala, Szwecja. IF PAN VIII International Conference on Microtechnology and Thermal Problems in Electronics MICROTHERM 2009: June 28-July 1, 2009,, VIII Krajowa Konferencja Elektroniki (KKE2009), Darłówko Wschodnie 07-10.06.2009, III Krajowa Konferencja Nanotechnologii NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. PŁ PŁ

9. J. Szuber PZ6 Upowszechnienie wyników Zastosowanie wiązki atomowego wodoru do oczyszczanie powierzchni GaAs dla celów MBE III Krajowa Konferencja Nanotechnologii NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. 10. P. Tomkiewicz, J. Szuber SPS and PYS studies of the electronic properties of GaAs surface cleaned by atomic hydrogen VI Workshop, SSP2009 Zakopane 11. M. Kwoka, L. Ottaviano, N. Waczynska, S. Santucci, J. Szuber 12. M. Sawicki Influence of substrate preparation on surface chemistry and morphology of L-CVD SnO 2 thin films studied by XPS and AFM Elektryczne sterowanie magnetyzmem rozcieńczonych półprzewodników ferromagnetycznych; wykład zaproszony VI Workshop, SSP2009 Zakopane XL Zjeździe Fizyków Polskich w Krakowie, wrzesień 2009 IF PAN 13. J. Szuber, M. Kwoka, L. Ottaviano XPS and AFM studies of initial state of Sn deposition on Si substrate for preparation of SnO 2 nanolayers for gas sensor application III GOSPEL Workshop GSSMO 2009, Niemcy 14. E. Kamińska, I. Pasternak, A. Piotrowska, O. Volnianska, P. Bogusławski, E.Dynowska, A. Barcz, E. Przeździecka A study of dual acceptor behavior In p-zno: Ag-N and Sb-N 15. E. Kamińska, A. Piotrowska, I. Pasternak, M.A. Borysiewicz, M. Ekielski, K.Gołaszewska, W. Rzodkiewicz, T. Wojciechowski, E. Dynowska, P. Struk, T. Pustelny Fabrication, processing and characterization of thin film ZnO for integrated optical gas sensors MRS Fall Meeting 2009,, 30.11-4.12.2009 16. M.A. Borysiewicz, M.-A. di Forte-Poisson, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, R. Jakieła, E. Dynowska, T. Wojciechowski Fabrication of thin film Ti-Si-C for reliable metallization to power AlInN/GaN HEMTs

PZ6 Upowszechnienie wyników Prace magisterskie / licencjackie 1. I. Pasternak 2. W. Walkiewicz 3. K. Kłosek 4. A. Taube Cienkie warstwy ZnO wytwarzane metodą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego Optymalizacja parametrów wzrostu warstw GaN techniką MBE z wykorzystaniem plazmowego źródła azotu. Uruchomienie podwójnego układu do epitaksji metodą MBE. Pilotowe procesy wzrostu warstw azotku galu Warszawa 2010 Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w węgliku krzemu Praca magisterska UKSW Promotor: dr inż. Eliana Kamińska Warszawa 2009 Praca magisterska UKSW Promotor : Prof. Z.R. Żytkiewicz; Warszawa 2009 Praca inżynierska PW, Warszawa 2010 Praca inżynierska, Promotor: Prof. Jan Szmidt; Warszawa 2010 IF PAN IF PAN PW / Patent 1. Michał Borecki, Michael Korwin Pawłowski, Jan Szmidt, Maria Beblowska, Andrzej Jakubowski, Henryk Zamojski Optyczna kapilara pomiarowa ze strukturą fotoniczną. Zgłoszenie Patentowe z dnia 28.08.2009 nr Z-388909 PW

PZ6 Promocja projektu

PZ6 Promocja projektu

I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun POIG.01.03.01-00-159/08 Współfinansowana przez Unię Europejską z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego 9 kwietnia 2010 r., Warszawa