Janusz Zarębski, Jacek Dąbrowski Akademia Morska w Gdyni WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK DIODY SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU Z WYKORZYSTANIEM MODELU ELEKTROTERMICZNEGO W artykule przedstawiono sformułowany dla programu SPICE elektrotermiczny model diody Schottky ego mocy z węglika krzemu. Model zweryfikowano eksperymentalnie oraz oceniono jego przydatność w modelowaniu charakterystyk komercyjnie dostępnych nowych diod z węglika krzemu. Badania eksperymentalne i symulacyjne przeprowadzono dla diody STPSC806D oferowanej na rynku od roku 2009. Słowa kluczowe: dioda Schottky ego mocy, węglik krzemu, model elektrotermiczny. WPROWADZENIE Czynnikiem, który istotnie kształtuje właściwości diod Schottky ego mocy z węglika krzemu (SiC), jest temperatura [1]. Wpływ temperatury otoczenia równej temperaturze wnętrza elementu jest uwzględniany w tzw. modelach izotermicznych [3]. Modele takie pozwalają na wyznaczenie charakterystyk izotermicznych. Ponadto ważnym zjawiskiem występującym w elementach półprzewodnikowych, szczególnie elementach mocy, jest samonagrzewanie, wynikające z zamiany energii elektrycznej, wydzielanej w elemencie, na ciepło przy nieidealnych warunkach chłodzenia. Prowadzi ono do nadwyżki temperatury wnętrza diody ponad temperaturę otoczenia. Samonagrzewanie uwzględniane jest w tzw. modelach elektrotermicznych (ETM) [3]. Modele te stanowią syntezę elektrycznego modelu izotermicznego o parametrach zależnych od temperatury wnętrza elementu, modelu termicznego, który wiąże moc wydzielaną w elemencie z temperaturą jego wnętrza i modelu mocy opisującego zależność wydzielanej mocy od prądów i napięć zaciskowych elementu oraz umożliwiają wyznaczenie tzw. charakterystyk nieizotermicznych. Na kształt tych charakterystyk wpływają parametry termiczne: przejściowa impedancja termiczna oraz rezystancja termiczna. Ocena właściwości diod Schottky ego zawierających złącze metal-półprzewodnik może być przeprowadzona na podstawie wyników symulacji komputerowych z wykorzystaniem wiarygodnego i zweryfikowanego eksperymentalnie ETM. Programem umożliwiającym analizę elementów i układów elektronicznych jest SPICE. Dla tego programu autorzy opracowali elektrotermiczny model diody
20 ZESZYTY NAUKOWE AKADEMII MORSKIEJ W GDYNI, nr 75, grudzień 2012 Schottky ego mocy SiC, opisany m.in. w pracach [1, 4], pozwalający wiernie modelować charakterystyki pierwszych diod z węglika krzemu oferowanych komercyjnie przez firmy Infineon Technologies oraz Cree Research. Należy podkreślić, iż na rynek wprowadzane są nowe typy diod Schottky ego SiC. Wśród producentów, którzy oferują obecnie diody Schottky ego z węglika krzemu, należy wymienić również SemiSouth, Semelab, GeneSiC Semiconductor, Rohm Semiconductor oraz STMicroelectronics. Firmy te nie udostępniają jednak własnych modeli dedykowanych dla tych elementów, dlatego też zachodzi potrzeba oceny przydatności modelu autorskiego dla nowych typów diod Schottky ego z węglika krzemu. W pracy przedstawiono elektrotermiczny model diody Schottky ego SiC mocy oraz dokonano oceny jego dokładności. Do badań wybrano diodę STPSC806D oferowaną od 2009 roku przez firmę STMicroelectronics [5]. Ocenę przydatności modelu przeprowadzono poprzez porównanie uzyskanych z wykorzystaniem modelu wyników symulacji z wynikami pomiarów charakterystyk statycznych i dynamicznych badanej diody Schottky ego. 1. POSTAĆ MODELU Reprezentację obwodową opracowanego modelu przedstawiono na rysunku 1. Model składa się z modelu elektrycznego (ME) obejmującego model pojemności złączowej (MPZ), modelu termicznego (MT) i modelu mocy wydzielanej w diodzie (MM). MT MIGP TJ A VIGP TA VTA ERTH AS MM IGP GP GD VIGD IGD GJCT u(uc1) VIGJCT IGJCT CCJ UC1 RCJ MPZ UCJ ECJ u(a,mid) MIGP R n R 2 R1 TJ MID ERS IGP Cn C2 C1 VIGP VTA TA ASP MM GP K ME Rys. 1. Reprezentacja obwodowa modelu elektrotermicznego diody Schottky ego mocy z węglika krzemu Fig. 1. Network form of the electrothermal model of the silicon carbide power Schottky diode
J. Zarębski, J. Dąbrowski, Wyznaczanie charakterystyk diody Schottky ego z węglika krzemu z wykorzystaniem... 21 Model elektryczny zawiera pięć zasadniczych elementów: sterowane źródło prądowe GD, które opisuje prąd diody, sterowane źródło prądowe GJCT opisujące prąd płynący przez pojemność złączową diody, sterowane źródło napięciowe ERS, które modeluje rezystancję szeregową, dwa niezależne źródła napięciowe VIGD i VIGJCT o wartościach napięcia równych zeru, które pełnią funkcję mierników prądu w poszczególnych gałęziach obwodu. Należy zaznaczyć, że pojemność złączowa diody jest modelowana przez układ różniczkowy, wykorzystujący źródło napięcia ECJ, rezystancję RCJ oraz pojemność CCJ. Wartość temperatury otoczenia jest ustalana przez źródło napięciowe VTA. Wartość prądu źródła GD opisuje zależność: I GD ( ID( u,t ) KLOW ( u,t ) + IGEN( u,t )) IBR( u,t ) ( u,t ) = (1) j j T j temperatura wnętrza, przy czym dla warunków izotermicznych równa jest temperaturze otoczenia, u napięcie pomiędzy węzłami A oraz MID, ID prąd emisji termojonowej, KLOW zjawisko obniżenia bariery złącza (Schottky barrier lowering effect), IGEN prąd generacyjny dla polaryzacji wstecznej, IBR prąd lawinowy w obszarze przebicia diody. Wartość prądu ID jest wyrażona przez formułę: d B q u ID ( u,t j ) = S AR T j exp 1 (2) T j k T N( u,t j ) skąd S powierzchnia złącza, A R stała Richardsona, d współczynnik temperaturowy, B stała proporcjonalna do wysokości bariery złącza φ B, q ładunek elektronu, k stała Boltzmanna. j j q φ B = B (3) k Z kolei współczynnik emisji N(u,T j ) jest opisany przez: 1+ TNF1 ( Tj TO ) NF dla u 0 = 2 N( u,t j ) + TNF 2 ( T j TO ) (4) NR dla u < 0 j
22 ZESZYTY NAUKOWE AKADEMII MORSKIEJ W GDYNI, nr 75, grudzień 2012 NF parametr dla polaryzacji diody w kierunku przewodzenia, TNF1, TNF2 współczynniki temperaturowe parametru NF, NR występuje w opisie diody spolaryzowanej w kierunku zaporowym, T O temperatura odniesienia. Zjawisko obniżenia wysokości bariery potencjału złącza wpływające na charakterystyki diody przy polaryzacji zaporowej, reprezentowane przez KLOW, jest opisane wzorem: p k 4 SCH u KLOW ( u,t j ) = exp T j (5) gdzie k SCH oraz p są parametrami modelu. Dla napięć dodatnich KLOW przyjmuje wartość równą jedności. Prąd generacyjny IGEN występujący w zależności (1) jest składnikiem prądu diody w zakresie polaryzacji wstecznej diod Schottky ego mocy wykonanych z węglika krzemu. Prąd IGEN w zaproponowanym modelu jest opisany wzorem: 1 ( ) = ( + 1 ) 2 g BGEN q u IGEN u,t j KGEN u V T j exp exp 1 T j k T j N( u,t j ) (6) KGEN parametr prądu generacyjnego, g potęgowy wykładnik temperatury, BGEN parametr odpowiadający wysokości bariery potencjału złącza dla prądu generacyjnego. W celu zamodelowania charakterystyki i(u) diody Schottky ego w zakresie przebicia, w opisie charakterystyk wstecznych wykorzystano dodatkowy składnik prądu opisany zależnością: IB BRV(T j ) ( BRV ( T ) u) j q IBR( u,tj ) = IB expk (7) k T j NBRV ( T j ) parametr modelu oznaczający wartość prądu dla napięcia przebicia diody, temperaturowa zależność napięcia przebicia diody, NBRV(T j ) temperaturowa zależność modelująca twardość charakterystyk w zakresie przebicia. Temperaturowa zależność napięcia przebicia od temperatury BRV(T j ) jest opisana formułą: BRV T ) = BRVV 1+ TBRVV ( T T ) (8) ( ) ( j j O BRVV wartość napięcia przebicia diody określona dla prądu IB w temperaturze odniesienia T O, TBRVV temperaturowy współczynnik zmian napięcia BRVV.
J. Zarębski, J. Dąbrowski, Wyznaczanie charakterystyk diody Schottky ego z węglika krzemu z wykorzystaniem... 23 Zależność NBRV(T j ) określa empiryczny wzór o postaci: NBRV T ) = NBR 1+ TNBR ( T T ) (9) ( ) ( j j O gdzie NBR jest parametrem, natomiast TNBR jest jego współczynnikiem temperaturowym. Sterowane źródło napięciowe ERS modeluje wpływ rezystancji szeregowej na charakterystyki diody. Wartość napięcia tego źródła opisuje wzór: U ERS = I = I VIGD VIGD RS( T ) j ( RSW ( 1+ TRS1 ( Tj TO ) + TRS2 ( Tj TO ) ) 2 I VIGD prąd przepływający przez źródło napięciowe VIGD, RS(T j ) zależność rezystancji szeregowej diody od temperatury, w której RSW reprezentuje rezystancję szeregową diody dla temperatury odniesienia, natomiast TRS1 i TRS2 są współczynnikami temperaturowymi. W modelu pojemności złączowej prąd źródła GJCT jest wyrażony zależnością: CJREV CJFOR I GJCT (10) du CJREV ( u,t j ) dla u 0 dt du ( u,t j ) = CJFOR( u,t j ) dla 0 < u FC VJW (11) dt du CJAPPROX ( u,t j ) dla u > FC VJW dt pojemność złączowa diody spolaryzowanej w kierunku zaporowym, pojemność złączowa dla polaryzacji diody w kierunku przewodzenia w zakresie napięcia od wartości 0 do wartości proporcjonalnej do iloczynu parametrów FC i VJW, CJAPPROX linearyzuje pojemność dla wartości napięcia większego od iloczynu parametrów FC i VJW, które oznaczają odpowiednio współczynnik linearyzacji pojemności złączowej oraz potencjał wbudowany. Pojemność CJREV opisuje wzór: MC LIMIT( u, 0,BRVV ) CJREV ( u,tj ) = CJS0( Tj ) + 1 VJ T (12) ( j ) CJS0(T j ) temperaturowa zależność pojemności złączowej dla zerowej polaryzacji złącza, VJ(T j ) temperaturowa zależność potencjału wbudowanego, MC parametr modelu. Wyrażenie LIMIT występujące we wzorze (12) jest standardową funkcją ograniczającą stosowaną w programie SPICE.
24 ZESZYTY NAUKOWE AKADEMII MORSKIEJ W GDYNI, nr 75, grudzień 2012 Temperaturowa zależność CJS0(T j ) jest z kolei wyrażona empirycznym wzorem o postaci: CJS ( T ) = CJ 0 1+ TCJ 0 ( T T ) (13) ( j ) 0 j O CJ0 pojemność złączowa diody przy zerowej polaryzacji złącza w temperaturze odniesienia, TCJ0 temperaturowy współczynnik zmian rozważanej pojemności. Temperaturowa zależność VJ(T j ) jest opisana formułą: Tj Tj B k Tj B k VJ ( Tj ) = VJW 3 UT ln + (14) TO TO q TO q gdzie U T jest potencjałem termicznym. Pojemności CJFOR i CJAPPROX występujące we wzorze (11) są opisane zależnościami: MC u CJFOR( u,tj ) = CJS0( Tj ) 1 VJ T (15) ( j ) oraz ( ) ( 1+ MC ) MC u ( ) CJAPPROX ( u,tj ) = CJ 0( Tj ) 1 FC 1 FC 1+ MC + (16) VJ ( Tj ) Model termiczny z rysunku 1 obejmuje model do analizy stałoprądowej (AS) oraz do analizy stanów przejściowych (ASP). Model AS składa się z trzech elementów: sterowanego źródła napięciowego ERTH modelującego rezystancję termiczną diody oraz dwóch niezależnych źródeł napięciowych VIGP i VTA, z których pierwsze o napięciu równym zeru pełni rolę miernika mocy wydzielanej w diodzie, natomiast drugie źródło pozwala ustalić wartość temperatury otoczenia (wartość potencjału w punkcie TA). Wartość temperatury wnętrza diody pobierana do obliczeń przez model elektryczny jest uzyskiwana w węźle TJ. Zadaniem sterowanego źródła napięciowego ERTH jest modelowanie przyrostu temperatury wnętrza, wynikającego z istnienia rezystancji termicznej diody pomiędzy złączem i otoczeniem. Napięcie tego źródła uwzględnia wpływ mocy wydzielanej w elemencie oraz temperatury otoczenia na wartość rezystancji termicznej, zgodnie ze wzorem: I ( ( )) = + + VIGP U ERTH IVIGP RTH α 1 kα Ta TO exp (17) β I VIGP prąd płynący przez źródło VIGP, o wartości odpowiadającej mocy wydzielanej w diodzie,
J. Zarębski, J. Dąbrowski, Wyznaczanie charakterystyk diody Schottky ego z węglika krzemu z wykorzystaniem... 25 RTH parametr modelu reprezentujący graniczną minimalną wartość rezystancji termicznej diody pomiędzy wnętrzem i otoczeniem dla określonych warunków odprowadzania ciepła z elementu, α parametr zależny od temperatury otoczenia T a, k α temperaturowy współczynnik zmian parametru α, β korekcyjny parametr modelu. Postać równania opisanego wzorem (17) opracowano na podstawie wyników badań eksperymentalnych rezystancji termicznej uzyskanych w specjalnym systemie pomiarowym [1]. Z kolei w modelu ASP właściwości termiczne diody są modelowane analogiem przejściowej impedancji termicznej w postaci łańcucha Fostera zbudowanego z elementów RC. Sposób wyznaczania tych elementów z wykorzystaniem pomierzonych przebiegów przejściowej impedancji termicznej opisano w pracy [2]. Model mocy wydzielanej w diodzie Schottky ego reprezentuje źródło prądowe GP. Prąd tego źródła uzależniony jest od rodzaju analizy (stałoprądowa (statyczna) dla czasu t = 0; dynamiczna dla czasu t > 0) i jest określony wzorem: γ IVIGD u( A,K) dla t = 0 IGP ( u,t j ) = (18) γ ( IVIGD u( A,K) + IVIGJCT u( MID,K) ) dla t > 0 γ parametr modelu decydujący o rodzaju uzyskiwanych charakterystyk, przyjmujący dwie wartości: 1 dla charakterystyk nieizotermicznych oraz 0 dla charakterystyk izotermicznych, u(a,k) napięcie pomiędzy węzłami A i K, u(mid,k) napięcie pomiędzy węzłami MID i K, natomiast prąd I VIGD oraz prąd I VIGJCT reprezentują kolejno wartości prądów mierzonych przez źródła napięciowe VIGD oraz VIGJCT. 2. WYNIKI POMIARÓW I SYMULACJI Przedstawiony w rozdziale 1 model diody Schottky ego SiC mocy zweryfikowano doświadczalnie dla diody SiC STPSC806D produkowanej przez firmę STMicroelectronics. W celu weryfikacji, na rysunkach 2 6 porównano uzyskane wyniki symulacji (linie ciągłe) wybranych charakterystyk statycznych izotermicznych i nieizotermicznych, a także charakterystyk dynamicznych izotermicznych badanej diody z uzyskanymi wynikami pomiarów (punkty). W symulacjach stosowano wartości parametrów modelu zebrane w tabeli 1, wyznaczone według procedur przedstawionych w pracy [1].
26 ZESZYTY NAUKOWE AKADEMII MORSKIEJ W GDYNI, nr 75, grudzień 2012 Tabela 1. Wartości parametrów ETM dla diody STPSC806D tytuł w j. angielskim!!! Parametr Wartość Parametr Wartość B [K] 12900 TNF2 [K 2 ] 1,64 10 6 S [cm 2 ] 0,0016 d 2 A R [A/cm 2 K 2 ] 146 g 1,5 RSW [mω] 61,7 TBRVV [K 1 ] -0,0015 NF 1,059 TNBR [K 1 ] -0,0023 BRVV [V] 610 TCJO [K 1 ] 85 10 5 NR 100 CJ0 [pf] 459 k SCH [K/V p/4 ] 90 VJW [V] 1,11 p 2 FC 0,5 BGEN [K] 1500 MC 0,46 KGEN [A/V ½ K g ] 1,5 10 12 RTH [K/W] 45 IB [A] 3 10 6 α [K/W] 18 NBR 2700 k α [K -1 ] -0,0048 TRS1 [K 1 ] 2,59 10 3 β [W] 2 TRS2 [K 2 ] 2,55 10 5 TNF1 [K 1 ] 5,29 10 4 T O [K] 299 Na rysunku 2 przedstawiono wyniki pomiarów i symulacji charakterystyk izotermicznych, a także charakterystyki katalogowe (linie przerywane) badanej diody, odpowiadające polaryzacji w kierunku przewodzenia. Jak widać, uzyskano bardzo dobrą zgodność charakterystyk obliczonych oraz charakterystyk zmierzonych. 6 5 4 STPSC806D pomiary symulacje katalog I F [A] 3 T a = 99 C 2 T a = 175 C 1 T a = 26 C 0 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 1,2 1,3 1,4 UF [V] Rys. 2. Izotermiczne charakterystyki statyczne diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia Fig. 2. Isothermal static characteristics of the forward-biased diode
J. Zarębski, J. Dąbrowski, Wyznaczanie charakterystyk diody Schottky ego z węglika krzemu z wykorzystaniem... 27 Z kolei na rysunku 3a) pokazano charakterystyki nieizotermiczne odpowiadające polaryzacji diody bez radiatora (obudowa TO220) w kierunku przewodzenia. W przypadku pomiarów charakterystyki uzyskano dla stanu termicznie ustalonego. W trakcie badań eksperymentalnych pomierzono również temperaturę obudowy badanej diody. Otrzymane wyniki pomiarów porównane z wynikami symulacji przedstawiono na rysunku 3b). W obliczeniach temperatury T c diody STPSC806D wykorzystano zależność: Tc = TjS PS Rthj-c (19) T js temperatura wnętrza diody otrzymana z symulacji, P S obliczona w symulacjach moc wydzielona w diodzie, R thj-c katalogowa rezystancja termiczna pomiędzy złączem i obudową elementu. Jak widać na rysunkach 3 i 4, uzyskano zarówno ilościową, jak i ilościową zgodność charakterystyk obliczonych oraz zmierzonych. a) I F [A] 4 3,5 3 2,5 2 1,5 1 STPSC806D pomiary symulacje T a = 100 C T a = 175 C b) 0,5 T a = 23 C 0 0,4 0,6 0,8 1 1,2 U F [V] T C [ C] 225 200 175 150 125 100 75 50 25 STPSC806D T a = 175 C T a = 100 C 0 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 1,2 1,3 U F [V] T a = 23 C pomiary symulacje Rys. 3. Nieizotermiczne charakterystyki diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia: a) zależność i(u), b) zależność temperatury obudowy od napięcia Fig. 3. Non-isothermal characteristics of the forward-biased diode: a) current-voltage dependence i(u), b) case temperature versus voltage
28 ZESZYTY NAUKOWE AKADEMII MORSKIEJ W GDYNI, nr 75, grudzień 2012 Na rysunku 4 przedstawiono obliczone, zmierzone oraz katalogowe izotermiczne charakterystyki diody spolaryzowanej w kierunku zaporowym. Zauważalne rozbieżności pomiędzy uzyskanymi charakterystykami występują głównie dla małych wartości napięcia polaryzującego w temperaturze 19 C. Na uwagę zasługuje znaczna wytrzymałość napięciowa diody, która przekracza katalogową wartość równą 600 V. U R [V] 800 700 600 STPSC806D pomiary symulacje 500 400 T a = 125 C 300 200 T a = 19 C 100 0 1,E-10 1,E-09 1,E-08 katalog 1,E-07 1,E-06 I R [A] 1,E-05 T a = 25 C T a = 175 C 1,E-04 1,E-03 Rys. 4. Izotermiczne charakterystyki diody spolaryzowanej zaporowo Fig. 4. Isothermal characteristics of the reverse-biased diode Na kolejnych dwóch rysunkach przedstawiono charakterystyki opisujące dynamiczne właściwości badanej diody Schottky ego z węglika krzemu. Rysunek 5 ilustruje zależność pojemności złączowej diody od ujemnego napięcia polaryzującego oraz wpływ temperatury otoczenia na tę pojemność. Na rysunku tym zamieszczono również charakterystykę katalogową. CJ0 [pf] 540 490 440 390 340 290 240 T a = 150 C T a = 19 C T a = 62 C STPSC806D pomiary symulacje katalog 190 T a = 25 C 140 0 2 4 6 8 10 12 U R [V] Rys. 5. Zależność pojemności złączowej diody od napięcia Fig. 5. Dependence of the junction diode capacitance on reverse voltage
J. Zarębski, J. Dąbrowski, Wyznaczanie charakterystyk diody Schottky ego z węglika krzemu z wykorzystaniem... 29 Natomiast rysunek 6 przedstawia izotermiczny przebieg prądu diody podczas jej wyłączania w dwóch różnych skrajnych temperaturach otoczenia. Wyniki pomiarów wykreślono linią ciągłą cienką. Jak widać na obu omawianych rysunkach, uzyskana zgodność charakterystyk otrzymanych sposobem eksperymentu oraz symulacji jest bardzo dobra. 0,1 0,08 0,06 0,04 T a = 20 C T a = 150 C STPSC806D pomiary symulacje I D [A] 0,02 0-1,0E-07-5,0E-08 0,0E+00-0,02 5,0E-08 1,0E-07 1,5E-07-0,04-0,06-0,08 t [s] Rys. 6. Czasowy izotermiczny przebieg prądu diody podczas jej wyłączania Fig. 6. Isothermal transient diode current waveform during turn-off the diode UWAGI KOŃCOWE W artykule przedstawiono opracowany przez autorów elektrotermiczny model diody Schottky ego mocy wykonanej z węglika krzemu należącego do klasy tzw. półprzewodników wysokotemperaturowych, posiadających szeroką przerwę energetyczną. Zaproponowany model pozwala modelować zarówno właściwości elektryczne statyczne oraz dynamiczne, jak i właściwości termiczne rozważanych w pracy diod Schottky ego SiC. W modelu uwzględniono m.in. zależność rezystancji termicznej od mocy wydzielanej w diodzie Schottky ego oraz od temperatury otoczenia. Jak pokazano w pracy, kształt charakterystyk statycznych diod z węglika krzemu silnie zależy od temperatury oraz zjawiska samonagrzewania. Natomiast w przypadku właściwości dynamicznych, takich jak np. odzyskiwanie zdolności zaworowych, wpływ temperatury jest pomijalnie mały. LITERATURA 1. Dąbrowski J., Modelowanie diod Schottky ego mocy z uwzględnieniem efektów termicznych, praca doktorska, Politechnika Łódzka, Łódź 2007. 2. Górecki K., Zarębski J., Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych, Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, 2006, nr 3, s. 347 360.
30 ZESZYTY NAUKOWE AKADEMII MORSKIEJ W GDYNI, nr 75, grudzień 2012 3. Zarębski J., Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1996. 4. Zarębski J., Dąbrowski J., Non-isothermal Characteristics of SiC Power Schottky Diodes, International Symposium on Power Electronics, Electrical Drives, Automation and Motion SPEEDAM, June 2008, Ischia, Italy, s. 1363 1367. Strony internetowe: 5. http://www.st.com/internet/analog/product/247766.jsp. EVALUATION OF USEFULNESS OF THE ELECTROTHERMAL MODEL OF THE SILICON CARBIDE POWER SCHOTTKY DIODE IN MODELING OF NEW TYPES OF DIODES CONTAINING THE METAL-SEMICONDUCTOR JUNCTION Summary In the paper the electrothermal model of the SiC power Schottky diode is presented. The model was experimentally verified and its usefulness for modeling new types of commercially accessible silicon carbide diodes was evaluated. The research were performed for diode STPSC806D offered on the market since 2009. Keywords: power Schottky diode, silicon carbide, electrothermal model.