CWICZENIE 14 MOSTKOWA BRAMKA LINIOWA

Podobne dokumenty
CWICZENIE 6 PASYWNE UKLADY PRZYWRACANIA POZIOMU ZEROWEGO (BLR) Badanie efektu przesuwania poziomu podstawy impulsu przez czwórnik rózniczkujacy

SZEREGOWO-RÓWNOLEGLA BRAMKA LINIOWA

CWICZENIE 7 PRZEDWZMACNIACZ LADUNKOWY

CWICZENIE 4. FILTR AKTYWNY WZMACNIACZA Badanie wlasnosci transmisyjnych dolnoprzepustowego filtru aktywnego (FA) w konfiguracji

Tranzystory w pracy impulsowej

CWICZENIE 1 UKLADY ODCZYTU DETEKTORÓW PROMIENIOWANIA JONIZUJACEGO

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

Badanie układów aktywnych część II

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK. DZ

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Uniwersytet Pedagogiczny

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Politechnika Białostocka

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Politechnika Białostocka

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

SERIA IV. 1. Tranzystor unipolarny: budowa, symbole, zastosowanie, parametry.

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

CWICZENIE 16 STABILIZATOR SPEKTROMETRU

Politechnika Białostocka

Ćw. 8 Bramki logiczne

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Politechnika Białostocka

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE

WZMACNIACZ OPERACYJNY

Systemy i architektura komputerów

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Ćwiczenie nr 4. Badanie filtrów składowych symetrycznych prądu i napięcia

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

Zakłócenia równoległe w systemach pomiarowych i metody ich minimalizacji

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.

Politechnika Białostocka

Pomiar parametrów tranzystorów

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

UKŁADY RC oraz TIMER 555

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

Badanie właściwości dynamicznych obiektów I rzędu i korekcja dynamiczna

Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Badanie właściwości multipleksera analogowego

CWICZENIE 2. TRANSFORMATOR IMPULSOWY

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA

3. Funktory CMOS cz.1

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

Politechnika Białostocka

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Ćwiczenie 21. Badanie właściwości dynamicznych obiektów II rzędu. Zakres wymaganych wiadomości do kolokwium wstępnego: Program ćwiczenia:

Badanie diod półprzewodnikowych

Silnik obcowzbudny zasilany z nawrotnego prostownika sterowanego

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1

OPIS STEROWNIKA 821B USB

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Ćw. III. Dioda Zenera

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia

Układy i Systemy Elektromedyczne

Wzmacniacze operacyjne

Transkrypt:

CWICZENIE 14 MOSTKOWA BRAMKA LINIOWA I. Zakres cwiczenia Diagnostyka stalopradowa bramki. Pomiar parametrów znamionowych bramki. II. Przedmiot cwiczenia Przedmiotem cwiczenia jest uproszczona wersja konfiguracji mostkowej bramki transmisyjnej w ukladzie Avrahamiego, Grinberga i Seidmana, wykonana w formie labora-toryjnego MODULU CWICZENIOGO. Na rysunku 1 podano jej pelny schemat ideowy. +7V 390 0.3µ 510 BC107 T 3 C T 1 BC177 E D 1 A D 3 1k2 390 D 2 B D 4 1k5 BC107 F BC177 T 4 D T 2 5k 1k 75 0.3µ 560 PIEDEST 3k -7v Rys. 1. Schemat ideowy mostkowej bramki diodowej Uklad ten stanowi jedna z wielu mozliwych realizacji mostkowych bramek diodowych. Ich centralnym podzespolem funkcjonalnym jest mostek pelnodiodowy lub diodoworezystorowy. Stan przewodzenia na przekatnej transmisyjnej takich ukladów wymuszany jest na ich drugiej przekatnej sygnalem bramkujacym; z reguly para sygnalów (impulsów) komplementarnych, wprowadzajacych diody w sytuacjach alternatywnych w stan glebokiego nasycenia wzglednie glebokiego odciecia. W wersji bedacej przedmiotem cwiczenia dla uproszczenia ukladu dopuszczono asymetrie sygnalu bramkujacego. Przybiera on odpowiednio wysoki poziom w przypadku dodatniej polaryzacji diod (dla bramki przewodzacej), zapewniajacy ich wprowadzenie w stan glebokiego nasycenia. Zamkniecie bramki nastepuje natomiast w rezultacie odlaczenia zródla sygnalu bramkujacego, tj. przy zerowej polaryzacji diod. 1

Formowanie sygnalu przelaczajacego dokonywane jest w zespole komplementarnych zródel pradowych (T 1 -T 2 ), przy czym ich zasilanie ze zródel zasilania ogólnego uza-leznione jest od stanu przewodzenia, sterowanej sygnalem, zwory tranzystorowej (T 3 -T 4 ). W ukladzie przewidziano mozliwosc niewielkiej zmiany wydajnosci pradowej jednego zródla pradowego (T 2 ) dla ewentualnej kompensacji efektu piedestalu. Sluzacy temu celowi potencjometr 5 kω oznaczono na schemacie etykietka PIEDEST. W pelni symetryczne konfiguracje mostkowe bramek diodowych oprócz zdolnosci przenoszenia sygnalu informacyjnego dowolnej polarnosci (impulsów dodatnich, ujemnych i bipolarnych), charakteryzuja sie generalnie bardzo dobrymi wlasnosciami. Jakiekolwiek odstepstwa od zupelnego zbalansowania ukladu powoduja mniejsza lub wieksza ich degradacje. Tak tez prostota ukladowa badanej bramki okupiona zostala pogorszeniem jej wlasnosci, w szczególnosci zas wydatnym wzrostem efektu przesluchu. III. Program cwiczenia instrukcja szczególowa 1) Pomiary stalopradowe Celem tych pomiarów jest wyznaczenie zaleznosci potencjalów w zaznaczonych wezlach bramki w funkcji napiecia sterowania bramki w jej stanie jalowym (bez sygnalu informacyjnego) oraz charakterystyki statycznej przenoszenia bramki V = = f(v = ) w warunkach jej otwarcia ustalonych zadana (stala) wartoscia nominalna napiecia (ON ) = 0. Uklad pomiarowy dla wykonania pierwszego zadania ilustruje sche-matycznie rysunek 2. PUNKTY POMIARO V-540 Rys. 2. Schemat ukladu do statycznych pomiarów parametrów bramki Wykorzystano w nim zestaw zasilaczy niskiego napiecia zarówno do zasila-nia elementów aktywnych bramki (+ 7 V, 7 V), jak równiez w charakterze regulowanego zródla napiecia bramkujacego. Oprzyrzadowanie tej serii pomiarów stanowia dwa wielozakresowe woltomierze cyfrowe: pierwszy do pomiaru napiecia bramkujacego, a drugi, podlaczany stosownie do potrzeb cwiczenia, do odpowiednich zacisków na plycie czo-lowej modulu cwiczeniowego do pomiaru istniejacych w tych punktach napiec. Pomiary przeprowadzic w zakresie napiec bramkujacych od 0 do 6,0 V z dobieranym poskokiem napiecia stosownie do wielkosci wywolywanych nim zmian napiec mierzonych. Rezultaty pomiarów przedstawic graficznie w formie zaleznosci V C = f( ), V D = f( ), oraz {V A V B } = f( ). Na podstawie ich przebiegów sformulowac ewentualne wnioski i uwagi. Odnotowac dla sprawdzenia wartosci napiec V E i V F. Rysunek 3 pokazuje schemat ukladu do statycznego pomiaru charakterystyki przenoszenia bramki. Korzysta on z tych samych 2

urzadzen pomiarowych i zasilajacych, jakie zastosowano w przypadku poprzednim. Przez zwarcie gniazda wejsciowego () do masy wymusza sie trwale stan przewodzenia bramki. W tak zdeterminowanych warunkach nalezy przeprowadzic pomiary poziomu napiecia wyjsciowego bramki V = dla stopniowo zwiekszanych wartosci poziomu napiecia wejsciowego V =. Pomiarami objac caly zakres nominalny napiec wejsciowych (od 3 V do +3 V) z poskokiem poziomu V = Λ 0,2 V. Rys. 3. Schemat zestawu do pomiaru charakterystyki przenoszenia bramki Na podstawie uzyskanych wyników wykreslic charakterystyke przejsciowa V = =,f(v = ) oraz wyznaczyc dla tych warunków wartosc wspólczynnika przenoszenia bramki K ON=. 2) Pomiar opóznienia otwarcia bramki Dt ON Zestawic uklad pomiarowy wedlug rysunku 4. TDS 220 PGP-6 CH.1. CH.2. Rys. 4. Schemat zestawu do pomiaru opóznienia bramki Wejscie transmisyjne bramki spolaryzowac stalym napieciem o poziomie + 3,0 V, a na wejscie sterujace () podac z generatora impulsów PGP-6 uformowana w nim unipolarna fale prostokatna ujemnej polarnosci o amplitudzie = 2,0 V i okresie T i Λ 2 µs. Sygnal ten podac równolegle na kanal wiodacy (z przywiazana synchronizacja podstawy czasu) oscyloskopu, a na jego kanal podporzadkowany, sygnal wyjsciowy bramki V. Dokonac oscylograficznego pomiaru wzajemnego przesuniecia czasowego obu obserwowanych przebiegów. Wielkosc ta okresla wyznaczany parametr bramki t ON. 3

3) Pomiar poziomu przesluchu bramki Niniejsze zadanie cwiczeniowe wykonac równiez w ukladzie pomiarowym z rysunku 4. Pomiar przeprowadzic w warunkach odciecia bramki ( = 2 V) dla dwóch poziomów sygnalu informacyjnego: maksymalnie dopuszczalnego (+/ 3,0 V) oraz polo-wy tej wartosci. Skomentowac wyniki pomiaru. 4) Pomiar czasu narastania t r i wspólczynnika K ON ~ przenoszenia sygnalów impulsowych Zmodyfikowac uklad pomiarowy wykorzystywany w poprzednim zadaniu do postaci przedstawionej na rysunku 5. (Podlaczyc generator PGP-6 na wejscie transmisyjne bramki (), natomiast wejscie sterujace () zewrzec z masa)! TDS 220 PGP-6 CH.1. CH.2. Rys. 14. 5. Schemat zestawu do pomiaru czasu narastania i wspólczynnika przenoszenia bramki Wyniki pomiarów bezposrednich zestawic w tabelce, a na ich podstawie wyznaczyc wartosc wspólczynnika K ON ~. Porównac uzyskana wartosc z rezultatem zadania 1) (K ON= ). 5) Pomiar i kompensacja piedestalu Efekt piedestalu, to jest róznica poziomu jalowego bramki na wyjsciu w jej alternatywnych stanach przewodzenia, powstaje w wyniku niedoskonalego zbalansowania ukladu. Pomiar tej wielkosci daje sie wiec zrealizowac w prosty sposób na gruncie powyzszego okreslenia, mierzac skok potencjalu na wyjsciu bramki przy przelaczaniu jej stanu pracy nominalnym sygnalem bramkujacym ((ON/OFF) ) w warunkach zerowego sygnalu wejsciowego (V = 0). Praktycznie nalezy wykorzystac w tym celu uklad pomiarowy z rysunku 4, odlaczajac tylko wejscie transmisyjne bramki od zródla sygnalu. W tym przypadku przedmiotem obserwacji i pomiaru oscylograficznego bedzie amplituda formowanej na wyjsciu bramki odpowiedzi. W razie stwierdzenia zbyt duzej wartosci napiecia piedestalu nalezy dokonac kompensacji tej wielkosci za pomoca przewidzianego w tym celu potencjometru nastawczego (helitrimu dostepnego pod plyta czolowa modulu od strony wylacznika). 4

Uzyskane wyniki pomiarów porównac z rezultatami symulacji komputerowej zamieszczonymi w dodatku D. W ten sposób bramka utrzymywana jest w stanie trwalego przewodzenia ( = 0). Standardowa technika 10 90% przeprowadzic dwie serie pomiarów czasów narastania odpowiedzi (V ) bramki na wymuszenia (V ) impulsami prostokatnymi polarnosci dodatniej i ujemnej o amplitudzie równej odpowiednio ± 3,0 V. W tym samym ukladzie dokonac pomiaru charakterystyki przejsciowej V ~ = f(v ~ ) dla sygnalu impulsowego zadanego w formie bipolarnej fali prostokatnej. Generator im-pulsów nalezy w tym celu przelaczyc w odpowiedni tryb pracy. Pomiary poziomu wymuszenia i odpowiedzi przeprowadzic za pomoca oscyloskopu pomiarowego TDS 220. IV. Wyposazenie stanowiska cwiczeniowego Modul cwiczeniowy: BRAMKA LINIOWA BIPOLARNA Zasilacz niskiego napiecia typu Generator impulsów PGP-6 Woltomierze cyfrowe typu HP 34401 A Oscyloskop pomiarowy typu TDS-220 Kable i przewody laczace V. Literatura pomocnicza [1] Avrahami Z., Grinberg J., Seidman A.: A fast active linear gate. Nuclear Instruments and Methods, vol. 95, 1971, 61 [2] Instrukcje obslugi konwencjonalnej aparatury elektronicznej uzywanej w cwiczeniu [3] Korbel K.: Elektronika jadrowa. Cz. III. Uklady i systemy elektroniki jadrowej. Kraków, Wyd. AGH 1987 [4] Kowalski E.: Elektronika Jadrowa. Warszawa, OIEJ, Postepy Techniki Jadrowej, Seria: Aparatura i technika pomiarowa, nr 76 (359), 1973 5