Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET

Podobne dokumenty
Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.

Dioda półprzewodnikowa

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Laboratorium Elektroniki

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

Dioda półprzewodnikowa

Systemy i architektura komputerów

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

Budowa. Metoda wytwarzania

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

1. Wstęp teoretyczny.

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/15

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Tranzystor bipolarny wzmacniacz OE

Ogólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

WZMACNIACZ OPERACYJNY

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny

Politechnika Białostocka

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

IV. TRANZYSTOR POLOWY

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Wzmacniacz operacyjny

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Pętla fazowa

Zapoznanie z przyrządami stanowiska laboratoryjnego. 1. Zapoznanie się z oscyloskopem HAMEG-303.

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 22. Tranzystor i układy tranzystorowe

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Ćwiczenie - 8. Generatory

Wzmacniacze operacyjne

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

PL B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL

Uniwersytet Pedagogiczny

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 14. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia

Generatory sinusoidalne LC

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat.

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki

Generatory. Podział generatorów

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

Transkrypt:

Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1

Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest układem symetrycznym o dwóch wejściach (IN1- IN2) oraz dwóch wyjściach (OUT1- OUT2). Zbudowany jest z dwóch tranzystorów w konfiguracji wspólnego emitera (WE lub OE). W tej konfiguracji na drodze od bazy do kolektora sygnał zostaje wzmocniony (patrz Lab nr 4). Oba tranzystory posiadają wspólny obwód emiterowy (w najprostszej wersji rezystor). AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.2

Wzmacniacz różnicowy Ważną cechą wzmacniacza różnicowego jest jego symetrycznośd. W związku z tym oba tranzystory powinny mied jednakowe parametry oby zapewnid symetrię charakterystyk lewego oraz prawego wzmacniacza. Wzmocnienie wzmacniacza różnicowego definiujemy jako stosunek: (U OUT1 -U OUT2 )/(U IN1 -U IN2 ) AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.3

Wzmacniacz różnicowy Aby lepiej zrozumied funkcję wzmacniacza różnicowego rozważmy dwa przypadki: 1) Do obu wejśd podpięto jednakowe sygnały 2) Do każdego wejścia podpięto inny sygnał W przypadku 1) w związku z symetrią wzmacniacza oba wyjścia powinny wskazywad to samo. Ponieważ potencjały na obu wyjściach są jednakowe, mierząc napięcie (różnicę potencjałów) otrzymujemy wartośd 0 V. Wzmocnienie sygnałów wspólnych dla obu wejśd jest równe 0. Proszę sprawdzid jakie będzie mierzone napięcie na woltomierzu XMM1! Czy wszystko się zgadza? AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.4

Wzmacniacz różnicowy W przypadku 2) kiedy na każdym wejściu będzie inny sygnał otrzymamy dwie różne wartości na wyjściach. Proszę sprawdzid jakie będzie mierzone napięcie między wyjściami jeśli wejścia będą różne. Proszę sprawdzid jaka musi byd minimalna różnica między wejściami (U IN1 -U IN2 ) aby wzmocnienie wzmacniacza różnicowego było większe od 1. Wzmocnienie różnicowe (różnych sygnałów wejściowych) jest bardzo duże. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.5

Wzmacniacz różnicowy Na wejścia wzmacniacza zamiast napięcia stałego podano sygnał z generator. Prześledź jak będą wyglądały sygnały na wyjściach (oscyloskop). Czy są jednakowe? Zmiana ustawienia jednego z potencjometrów spowoduje podanie większego lub mniejszego napięcia na jedno z wejśd. Zaobserwuj zmianę przebiegów wyjściowych. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.6

Stabilizator napięcia z tranzystorem bipolarnym Tranzystor bipolarny jest często stosowany do budowy stabilizatorów napięcia. Celem takiego układu jest sprawid, aby jego napięcie wyjściowe było stałe i niezależne od napięcia wejściowego oraz obciążenia. W takich układach tranzystor podpina się w konfiguracji wtórnika emiterowego (sygnał wejściowy jest podawany na kolektor tranzystora, wyjście stanowi emiter). Prezentowane układy są najbardziej podstawowymi i nie zapewniają doskonałej stabilizacji. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.7

Stabilizator napięcia z tranzystorem bipolarnym Napięcie wyjściowe (OUT) jest równe napięciu na diodzie Zenera (działającej w kierunku zaporowym) minus napięcie baza-emiter tranzystora. Maksymalne napięcie wyjściowe stabilizatora będzie zatem ograniczone przez wartośd napięcia progowego diody (kierunek zaporowy). Można zauważyd, że od pewnego momentu zwiększanie napięcia wejściowego (IN) nie wpływa na wartośd napięcia wyjściowego (OUT). AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.8

Stabilizator napięcia z tranzystorem bipolarnym Wykorzystując dzielnik napięcia na diodzie Zenera można zbudowad regulowany zasilacz napięcia. Sprawdź wpływ nastawienia potencjometru na napięcie wyjściowe oraz dodatkowo, czy dla danego ustawienia tego potencjometru, napięcie wyjściowe nie zmienia się przy zmianach napięcia wejściowego. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.9

Generator z przesuwnikiem fazowym RC Generator drgao jest układem elektronicznym wytwarzającym zmienny przebieg elektryczny. Generator składa się z dwóch podstawowych elementów: wzmacniacza i obwodu dodatniego sprzężenia zwrotnego podającego sygnał z wyjścia wzmacniacza z powrotem na jego wejście. O częstotliwości drgao decyduje obwód sprzężenia zwrotnego, o ich amplitudzie parametry wzmacniacza. Są dwa warunki generacji drgao: amplitudy i fazy. Warunek amplitudy mówi o tym, że sygnał na wejściu wzmacniacza podawany z układu sprzężenia zwrotnego musi byd na tyle duży, aby na wyjściu wzmacniacza otrzymad sygnał o co najmniej takim samym lub większym poziomie. Warunek fazy oznacza, że chwila maksimum sygnału na wejściu wzmacniacza, po przejściu przez wzmacniacz i układ sprzężenie zwrotnego ma wypadad zawsze w tym samym momencie. Oznacza to, że przesunięcie fazy całego układu musi byd równe wielokrotności 360. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.10

Generator z przesuwnikiem fazowym RC Zbuduj układ jak na rysunku generator z przesuwnikiem fazowym i uruchom symulację. Zmieo parametry rezystancji i pojemności, czy drgania wystąpią zawsze? AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.11

Tranzystor MOSFET MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) technologia produkcji tranzystorów polowych z izolowaną bramką. Nazewnictwo w tranzystorach: Bipolarny MOSFET EMITER BAZA ŹRÓDŁO BRAMKA KOLEKTOR DREN AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.12

Tranzystor MOSFET W tranzystorze bipolarnym dużym prądem kolektora sterował mały prąd bazy. W tranzystorach polowych (MOSFET) dużym prądem drenu steruje napięcie bramki. Tranzystor MOS polaryzuje się tak, żeby jeden rodzaj nośników (nie ma nośników większościowych i mniejszościowych elektrony w kanale typu N, dziury w kanale typu P) płynął od źródła do drenu. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.13

Tranzystor MOSFET Klucz tranzystorowy z tranzystorem MOSFET-N. Zaobserwuj przy jakim napięciu bramki następuje załączenie klucza! AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.14

Tranzystor MOSFET Zaobserwuj przebiegi na wejściu (sinusoida) i na wyjściu (prostokąt- kluczowanie) Układ zachowuje się jak klucz tranzystorowy ale może byd wykorzystany jako inwerter (prostokąt na wejściu i odwracanie sygnału na wyjściu). AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.15

Tranzystor MOSFET Zastąp rezystor w drenie obciążeniem indukcyjnym, zauważ analogiczne jak w układzie z kluczem bipolarnym przepięcia, wyeliminuj je diodą włączoną zaporowo. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.16

Tranzystor MOSFET Zbuduj wzmacniacz różnicowy. Zaobserwuj napięcie na wyjściu (OUT1-OUT2) gdy napięcie na bramce tranzystora Q1 jest wyższe od napięcia na bramce Q2 i odwrotnie oraz dla równych napięd. Czy układ działa tak jak przy tranzystorach bipolarnych? AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.17

Lab 5 - ELVIS Zbuduj wzmacniacz różnicowy. Podając jednakowe napięcie na wejścia wzmacniacza sprawdź jakie jest wzmocnienie sygnału wspólnego. Z czego wynika iż jest ono niezerowe? Jako źródła napięcia wejściowego użyj zasilacza regulowanego, nie przekraczad napięcia 3V! AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.18

Lab 5 - ELVIS W tym samym układzie podaj napięcie na tylko jedno wejście. Drugie wejście wzmacniacza zewrzyj do masy. Zacznij pomiar od 0V na wejściu. Następnie stopniowo zwiększaj napięcie. Określ wzmocnienie sygnału różnicowego. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.19

Lab 5 - ELVIS Zbuduj układ stabilizatora napięcia. Jako napięcia zasilającego użyj ponownie zasilacza regulowanego. Zaobserwuj jak zmienia się napięcie wyjściowe w funkcji wzrostu napięcia wejściowego. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.20