LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Komputerowe pomiary parametrów bramki NAND TTL

Podobne dokumenty
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Komputerowe pomiary parametrów bramki NAND TTL

Komputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS

Komputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS

Komputerowa symulacja generatorów cyfrowych

Komputerowa symulacja przetworników A/C i C/A

Komputerowa symulacja koderów i dekoderów

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Badanie układów cyfrowych

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Komputerowa symulacja układów różniczkujących

LABORATORIUM ELEKTRONIKI. Komputerowa symulacja liczników

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK

Komputerowa symulacja rejestrów

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK

LABORATORIUM ELEKTRONIKI TRANZYSTOR UNIPOLARNY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PARAMETRYCZNY STABILIZATOR NAPIĘCIA

LABORATORIUM ELEKTRONIKI FILTRY AKTYWNE

LABORATORIUM ELEKTRONIKI UKŁAD REGULACYJNY STABILIZATORA

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI OBWODY REZONANSOWE

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Badanie przerzutników cyfrowych

Liniowe stabilizatory napięcia

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

z ćwiczenia nr Temat ćwiczenia: BADANIE UKŁADÓW FUNKCJI LOGICZNYCH (SYMULACJA)

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Badanie wzmacniacza operacyjnego

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

Uniwersytet Pedagogiczny

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Ćw. 8 Bramki logiczne

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

Ćwiczenie 3 Badanie obwodów prądu stałego

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

Ćw. 9 Przerzutniki. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

Systemy cyfrowe z podstawami elektroniki i miernictwa Wyższa Szkoła Zarządzania i Bankowości w Krakowie Informatyka II rok studia

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

Politechnika Białostocka

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

Ćwiczenie 5: Pomiar parametrów i charakterystyk scalonych Stabilizatorów Napięcia i prądu REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

U 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA

Uniwersytet Pedagogiczny

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

TECHNIKA CYFROWA ELEKTRONIKA ANALOGOWA I CYFROWA. Układy czasowe

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Politechnika Białostocka

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Układy Elektroniczne Analogowe. Prostowniki i powielacze napięcia

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016)

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia

Elektronika. Wzmacniacz operacyjny

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa. Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

GENERATORY KWARCOWE. Politechnika Wrocławska. Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski

Tranzystory w pracy impulsowej

Politechnika Białostocka

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

Ćw. 7 Przetworniki A/C i C/A

Politechnika Białostocka

Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki

Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych

Statyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3

Systemy i architektura komputerów

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

TECHNIKA CYFROWA ELEKTRONIKA ANALOGOWA I CYFROWA. Badanie rejestrów

WSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Sprzęt i architektura komputerów

Systemy cyfrowe z podstawami elektroniki i miernictwa Wyższa Szkoła Zarządzania i Bankowości w Krakowie Informatyka II rok studia dzienne

P-1a. Dyskryminator progowy z histerezą

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

Politechnika Białostocka

Scalony stabilizator napięcia typu 723

UKŁADY PROSTOWNICZE 0.47 / 5W 0.47 / 5W D2 C / 5W

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych prądu stałego i przemiennego

Ćw. 5 Wzmacniacze operacyjne

Transkrypt:

ZESPÓŁ LBORTORIÓW TELEMTYKI TRNSPORTU ZKŁD TELEKOMUNIKJI W TRNSPORIE WYDZIŁ TRNSPORTU POLITEHNIKI WRSZWSKIEJ LBORTORIUM PODSTW ELEKTRONIKI INSTRUKJ DO ĆWIZENI NR Komputerowe pomiary parametrów bramki NND TTL DO UŻYTKU WEWNĘTRZNEGO WRSZW 08

. el ćwiczenia elem ćwiczenia jest zapoznanie się z parametrami układów logicznych na podstawie podstawowej bramki NND. Wszystkie pomiary zostaną wykonane za pomocą programu LabView na komputerze wyposażonym w odpowiednią kartę wejść/wyjść. W celu rozpoczęcia pomiarów należy uruchomić komputer i wywołać program LabView. Następnie otworzyć projekt o nazwie harakterystyka.vi. Pojawi się obraz jak na rysunku poniżej. Rys.. Pulpit projektu harakterystyka Otwarty projekt umożliwia pomiary dwóch napięć i jednego prądu oraz regulację napięcia na jednym wyjściu od 0 do 5 V. Opracowali: dr inż. Marek Stawowy, dr hab. inż. dam Rosiński prof. PW, inż. ndrzej Szmigiel

B. Przebieg ćwiczenia ) harakterystyka przejściowa bramki NND - Bramka standardowa Regulując rezystorem suwakiem należy odczytać wartości napięcia wejściowego i wyjściowego, odpowiednio na woltomierzach U i U (patrz rys. i rys. ). Następnie z uzyskanych pomiarów wykreślić charakterystykę = f (). Liczba pomiarów 0. W celu uzyskanie odpowiedniej jakości pomiarów należy zagećsić pomiary w zakresie przełączania bramki oraz wykonać pomiary narastająco lub opadająca. POMIR (U ) U = 5V POMIR (U ) SUWK ¼ 400 Rys.. Schemat ideowy układu do zdejmowania charakterystyki przejściowej bramki NND Tabela : Pomiary do charakterystyki przejściowej bramki NND TTL. Opracowali: dr inż. Marek Stawowy, dr hab. inż. dam Rosiński prof. PW, inż. ndrzej Szmigiel

Regulując suwakiem należy odczytać wartości napięcia wejściowego i prądu zasilającego bramkę I, odpowiednio na woltomierzu U i amperomierzu I, (patrz rys. i rys. ). Następnie z uzyskanych pomiarów wykreślić charakterystykę I = f (). Liczba pomiarów 0. U = 5V POMIR (U ) R POMIR (I ) SUWK ¼ 400 I POMIR (U ) Rys.. Schemat ideowy układu do zdejmowania charakterystyki I = f (UWE) bramki NND Tabela : Pomiary do charakterystyki prądu zasilania bramki NND TTL. Icc Opracowali: dr inż. Marek Stawowy, dr hab. inż. dam Rosiński prof. PW, inż. ndrzej Szmigiel 4

Bramka linearyzowana Regulując suwakiem należy odczytać wartości napięcia wejściowego i wyjściowego, odpowiednio na woltomierzach U i U (patrz rys. i rys. 4). Następnie z uzyskanych pomiarów wykreślić charakterystyki = f () dla różnych wartości rezystancji R. Powtórzyć pomiary dla różnych wartości rezystancji R. Liczba pomiarów 0. U = 5V POMIR (U ) R POMIR (I ) SUWK ¼ 400 I R POMIR (U ) Rys. 4. Schemat ideowy układu do zdejmowania charakterystyki przejściowej linearyzowanej bramki NND Tabela : Pomiary do charakterystyki przejściowej linearyzowanej bramki NND TTL. Wartość rezystancji w sprzężeniu zwrotnym R= ohm Wartość rezystancji w sprzężeniu zwrotnym R= ohm Wartość rezystancji w sprzężeniu zwrotnym R= ohm Opracowali: dr inż. Marek Stawowy, dr hab. inż. dam Rosiński prof. PW, inż. ndrzej Szmigiel 5

Bramka Schmitt a Regulując suwakiem należy odczytać wartości napięć wejściowego i wyjściowego, na woltomierzach odpowiednio U i U (patrz rys. i rys. 5). Pomiary przeprowadzić zmieniając od 0 do 5V i w odwrotnym kierunku. Następnie z uzyskanych pomiarów wykreślić charakterystyki = f (). Liczba pomiarów 0 w każdym kierunku zmian. POMIR (U ) U = 5V POMIR (U ) SUWK ¼ 45 ¼ 400 Rys. 5. Schemat ideowy układu do zdejmowania charakterystyki przejściowej bramki NND Schmitt a Tabela 4: Pomiary do charakterystyki przejściowej bramki NND Schmitt a. Pomiary dla rosnącego od 0 do 5 V. Pomiary dla malejącego od 5 do 0 V. Opracowali: dr inż. Marek Stawowy, dr hab. inż. dam Rosiński prof. PW, inż. ndrzej Szmigiel 6

) harakterystyka wejściowa bramki NND Regulując suwakiem należy odczytać wartości napięć i prądu Iwe wejściowego, na woltomierzu U i amperomierzu I (patrz rys. i rys. 6). Następnie z uzyskanych pomiarów wykreślić charakterystykę Iwe = f (). Liczba pomiarów 0. Pomiary należy wykonywać na zakresie od - do 5 V. U = 5V SUWK R ¼ ¼ 400 400 POMIR (I ) POMIR (U ) I we Rys. 6. Schemat ideowy układu do zdejmowania charakterystyki wejściowej bramki NND Tabela 5: Pomiary do charakterystyki wejściowej bramki NND TTL. Iwe Opracowali: dr inż. Marek Stawowy, dr hab. inż. dam Rosiński prof. PW, inż. ndrzej Szmigiel

) harakterystyki wyjściowe bramki NND - W stanie wysokim Regulując rezystorem R należy odczytać wartości napięć i prądu Iwy wyjściowego, odpowiednio na woltomierzu U i amperomierzu I (patrz rys. i rys. ). Następnie z uzyskanych pomiarów wykreślić charakterystykę = f (Iwy) w stanie wysokim. Liczba pomiarów 0. U = 5V ¼ ¼ 400 400 POMIR (U ) R POMIR (I ) R I wy Rys.. Schemat ideowy układu do zdejmowania charakterystyki wyjściowej w stanie wysokim bramki NND Tabela 6: Pomiary do charakterystyki wyjściowej, w stanie wysokim, bramki NND TTL. Iwy Opracowali: dr inż. Marek Stawowy, dr hab. inż. dam Rosiński prof. PW, inż. ndrzej Szmigiel 8

- W stanie niskim Regulując rezystorem R należy odczytać wartości napięć i prądu Iwy wyjściowego, odpowiednio na woltomierzu U i amperomierzu I (patrz rys. i rys. 8). Następnie z uzyskanych pomiarów wykreślić charakterystykę = f (Iwy ) w stanie niskim. Liczba pomiarów 0. U = 5V ¼ ¼ 400 400 POMIR (U ) R POMIR (I ) R I wy U = 5V Rys. 8. Schemat ideowy układu do zdejmowania charakterystyki wyjściowej w stanie niskim bramki NND Tabela : Pomiary do charakterystyki wyjściowej, w stanie niskim, bramki NND TTL. Iwy E. Wyposażenie Elementy układu: Układ scalony 400... szt. Układ scalony 4 (lub 4)... szt. Rezystor ohm... szt. Rezystor 4 ohm... szt. Sprzęt pomiarowy: Interfejs przetworników / i /... szt. Komputer P z oprogramowaniem LabView... szt. Opracowali: dr inż. Marek Stawowy, dr hab. inż. dam Rosiński prof. PW, inż. ndrzej Szmigiel 9

. Zagadnienia do opracowania Należy przygotować się z zakresu wiedzy obejmującej takie zagadnienia jak: cyfrowe bramki w technice TTL a w szczególności, należy przygotować odpowiedzi na poniższe pytania i polecenia: ) Wymień znane i techniki realizacji bramek. Wymień ich wady i zalety. ) Narysuj schemat budowy bramki NND zrealizowanej w technice DTL (Diode Transistor Logic). Jaką rolę spełniają tam poszczególne elementy? ) o to jest obciążalność bramki? 4) Przedstaw na wykresie zjawisko histerezy powstające w bramce NND Schmitt a. 5) Podaj podstawowe parametry elementów logicznych w technice TTL (Transistor Transistor Logic). 6) Narysuj schemat budowy bramki NND zrealizowanej w technice TTL (Transistor Transistor Logic). W jakich stanach są poszczególne tranzystory przy wysokim i niskim poziomie na wyjściu bramki? ) Narysuj i opisz charakterystykę przejściową bramki NND TTL. 8) Narysuj i opisz charakterystykę przejściową linearyzowanej bramki NND TTL. 9) Narysuj i opisz charakterystykę przejściową bramki NND Schmitt a TTL. 0) Narysuj symbol bramki ND, OR, NND, NOR, EX-OR, EX-NOR, NOT i podaj tabele prawdy. ) Wymień zalety i wady wykorzystania wspomagania komputerowego (na przykładzie programu LabView) jako narzędzia pomiarowego. D. Literatura. Dobrowolski., Jachna Z., Majda E., Wierzbowski M.: Elektronika - ależ to bardzo proste!. Wydawnictwo BT, 0.. Horowitz P., Hill W.: Sztuka elektroniki. Tom I i II. Wydanie zmianione. Wydawnictwa Komunikacji i Łączności, Warszawa 0. ISBN: 98806998.. Kaźmierkowski M., Matysik J.: Wprowadzenie do elektroniki i energoelektroniki. Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 005. 4. Pieńkos J., Turczyński J.: Układy scalone TTL w systemach cyfrowych. Wydawnictwa Komunikacji i Łączności, 986. 5. Tietze U., Schenk :,,Układy półprzewodnikowe. Wydawnictwa Naukowo Techniczne, 009. 6. Wawrzyński W.:,,Podstawy współczesnej elektroniki. Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, 00. Opracowali: dr inż. Marek Stawowy, dr hab. inż. dam Rosiński prof. PW, inż. ndrzej Szmigiel 0