Wydział Elektryczny ELEMENTY I UKŁADY DO OGRANICZANIA PRZEPIĘĆ

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Wydział Elektryczny ELEMENTY I UKŁADY DO OGRANICZANIA PRZEPIĘĆ"

Transkrypt

1 Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Telekomunikacji i Aparatury Elektronicznej Instrukcja do zajęć laboratoryjnych Temat ćwiczenia: ELEMENTY I UKŁADY DO OGRANICZANIA PRZEPIĘĆ Ćwiczenie nr 5. Laboratorium z przedmiotu: Zakłócenia w układach elektroenergetycznych Kod: EZ2C Opracowali: Dr inŝ. Renata Markowska Dr inŝ. Leszek Augustyniak Prof. dr hab. inŝ. Andrzej Sowa Białystok 2013

2 1. WPROWADZENIE Elementy i układy do ograniczania przepięć 2 Zapewnienie bezawaryjnego działania większości urządzeń elektronicznych wymaga zastosowania elementów lub układów zabezpieczających przed przepięciami powstającymi w sieci zasilającej i w liniach transmisji sygnałów. Pomimo róŝnic funkcjonalnych oraz konstrukcyjnych elementy zabezpieczające, pod wpływem pojawiającego się udaru, zmieniają wartość swojej impedancji. Elementy oraz tworzone z nich układy zabezpieczające moŝna, w zaleŝności od ich zadania oraz miejsca zainstalowania, podzielić na dwie podstawowe kategorie: zabezpieczenia pierwotne, zabezpieczenia wtórne. Zadaniem elementów i układów zabezpieczenia pierwotnego jest pochłanianie lub odbicie udarów o duŝych wartościach szczytowych np. przepięcia atmosferyczne, łączeniowe lub elektrostatyczne. Zabezpieczenia wtórne stosowane są najczęściej do bezpośredniej ochrony urządzeń elektronicznych przed przepięciami indukowanymi i przepuszczonymi przez stopnie zabezpieczenia pierwotnego (mniejsze wartości). W zaleŝności od występującego zagroŝenia oraz rozmieszczenia urządzeń systemu przesyłu sygnałów, ograniczniki przepięć mogą być instalowane: bezpośrednio przed chronionym urządzeniem (rys. 1a), w miejscu wprowadzania linii przesyłu sygnałów do obiektu (rys. 1b), w miejscach pomiędzy poszczególnymi strefami ochrony, zgodnie ze strefową koncepcją ochrony (rys. 1c). b) ŚCIANA a) Linie przesyłu sygnałów Chronione urządzenie Ogranicznik przepięć Linie przesyłu sygnałów Chronione urządzenie Ogranicznik przepięć WNĘTRZE OBIEKTU c) Ściana budynku Ogranicznik przepięć Ogranicznik przepięć Linie przesyłu sygnałów Chronione urządzenie Ściana pomieszczenia Rys. 1 Przykłady rozmieszczania ograniczników przepięć i systemach przesyłu sygnałów. 2. ELEMENTY ZABEZPIECZAJĄCE Idealny element ochrony przepięciowej powinna charakteryzować moŝliwość zmiany impedancji od wartości nieskończenie wielkiej do zera i odwrotnie. Czas przejścia z jednego stanu

3 Elementy i układy do ograniczania przepięć 3 pracy do drugiego powinien być moŝliwie najkrótszy. Jeśli w znamionowych warunkach pracy wartość impedancji jest równa nieskończoności, a w momencie przekroczenia określonej wartości napięcia wartość impedancji spada do zera, to taki element naleŝy włączyć równolegle do zacisków wejściowych chronionego urządzenia. W rzeczywistych elementach zabezpieczających nie udaje się osiągnąć nieskończonych wartości impedancji w warunkach znamionowych ZN i zerowej w momencie nadejścia udaru napięciowego ZU. Stosunek wartości obu impedancji, tzw. współczynnik przełączenia, jest często parametrem decydującym o zastosowaniu danego elementu ochronnego. Obecnie jako równolegle włączane elementy zabezpieczające stosuje się: o odgromniki gazowe, o warystory metalowo-tlenkowe, o specjalne diody półprzewodnikowe. Oprócz tego czasami wykorzystywane są tradycyjne diody Zenera oraz propagowane w ostatnich latach tyrystory diodowe. Znanymi szeregowymi elementami zabezpieczającymi o zmiennej impedancji są termistory PTC i nadprzewodniki. NaleŜy jednak zauwaŝyć, Ŝe tego typu elementy zabezpieczające praktycznie nie są stosowane. Innym sposobem ochrony jest zastosowanie filtrów pasywnych. Bardzo często filtry stosowane są równocześnie z elementami ochrony przepięciowej. NaleŜy zaznaczyć, Ŝe najczęściej wykorzystywane są układy zabezpieczające powstające z połączenia kilku powyŝszych elementów. Do ochrony przed przepięciami/przetęŝeniami wolnozmiennymi moŝna równieŝ zastosować następujące elementy: przekaźniki izolacyjne, elementy piezoelektryczne, transformatory izolujące. Przedstawione elementy zabezpieczające wykorzystywane są do ochrony przed udarami dochodzącymi do urządzeń z sieci zasilającej i z linii przesyłu sygnałów. W systemach przesyłu sygnałów coraz powszechniej stosowane są równieŝ rozwiązania wykorzystujące elementy optoelektroniczne. Dzięki temu istnieje moŝliwość galwanicznego oddzielenia chronionego urządzenia i przewodów, w których występują przepięcia. Schemat elementu optoelektronicznego oraz przykład rozwiązania konstrukcyjnego przedstawiono na rys. 2. a) wejściowy prąd I F wyjściowy prąd I C optoelement b) nadajnik ekran odbiornik Rys.2. Przykład stosowania elementu optoelektronicznego: a) schemat ogólny, b) przekrój.

4 Elementy i układy do ograniczania przepięć 4 Decyzja o wybraniu konkretnego elementu zabezpieczającego musi być poprzedzona: analizą istniejącego zagroŝenia przepięciowego chronionego urządzenia, określeniem jego odporności udarowej, określeniem wpływu zainstalowanego elementu lub układu zabezpieczającego na pracę urządzenia, oceną moŝliwości ograniczenia przepięć/przetęŝeń przez element lub układ zabezpieczający. Rozwiązanie powyŝszych problemów pozwala na dokonanie prawidłowego doboru elementów zabezpieczających, które zapewnią wymagane poziomy napięć/prądów przy jednoczesnym zminimalizowaniu kosztów ochrony. 3. WARYSTORY Warystory są napięciowo zaleŝnymi nieliniowymi rezystorami charakteryzującymi się właściwościami podobnymi do właściwości dwóch równolegle połączonych i przeciwnie spolaryzowanych diod Zenera. Symetryczne dla napięć o biegunowości dodatniej i ujemnej, gwałtownie narastające charakterystyki prądowo-napięciowe ( przebicia ) umoŝliwiają doskonałe tłumienie stanów nieustalonych przez warystor. Ograniczenie napięcia stanu nieustalonego do bezpiecznego poziomu następuje, jeśli poddana działaniu przepięcia impedancja warystora zmniejsza swą wartość o kilka rzędów wielkości, od stanu praktycznie rozwartego obwodu do stanu o wysokiej przewodności. Z tego powodu potencjalnie destrukcyjna energia szkodliwego impulsu jest absorbowana przez warystor, chroniący tym samym czułe miejsca obwodu. Jednym z dwóch powszechnie stosowanych materiałów proszkowych stosowanych do budowy warystorów jest węglik krzemu SiC. Warystory na bazie SiC są obecnie szeroko stosowane w telekomunikacji, energetyce i automatyce. Ze względu na charakterystyczny dla nich niski współczynnik nieliniowości rzędu 2 10 i łatwość ich zniszczenia po przebiciu, w zabezpieczeniach współczesnych układów elektronicznych naleŝy stosować elementy o lepszych parametrach elektrycznych. Drugim aktualnie szeroko stosowanym tworzywem warystorowym jest tlenek cynku ZnO. Warystory wykonane z ZnO znacznie przewyŝszają parametrami elektrycznymi elementy wykonane na bazie SiC. obudowa elektrody tlenek cynku ocynkowany drut miedziany mikrowarystor wypełniacz Ι = 10 µm warstwa półprzewodnika Rys. 3. Przekrój warystora Podstawowe parametry warystorów Parametry decydujące o wyborze warystora do konkretnych układów zilustrowano na rys. 4. za pomocą liniowej charakterystyki prądowo-napięciowej U-I.

5 Elementy i układy do ograniczania przepięć 5 I I p I NOM I D U U DCM U pkm U NOM U C Rys. 4. Charakterystyka prądowo-napięciowa warystora. Parametry warystora: U NOM - napięcie znamionowe - napięcie na warystorze przy konkretnym prądzie stałym (zazwyczaj I NOM = 1 ma) i określonym czasie pomiaru; U nom - szczytowe napięcie znamionowe - jak wyŝej, ale mierzone przy konkretnym prądzie zmiennym; U C - napięcie ograniczenia - szczytowe napięcie na warystorze podawane dla określonej szczytowej wartości prądu i kształtu fali (napięcie i prąd szczytowy nie muszą być koniecznie zgodne w czasie); U acm - maksymalna skuteczna wartość napięcia sinusoidalnego ciągłego, które moŝe być zastosowane; U pkm - szczytowe napięcie powtarzalne - maksymalne napięcie powtarzalne dla wymaganych cykli roboczych i kształtu fali; U DCM - maksymalne ciągłe napięcie stałe, które moŝe być zastosowane; I D - prąd warystora zmierzony przy napięciu U DCM ; U U C DCM U C U C,, napięciowy współczynnik ograniczania; U U acm pkm I P - wartość szczytowa prądu w stanie nieustalonym - jego wielkość jest funkcją kształtu impulsu, częstotliwości powtarzania impulsów i ich ogólnej liczby; P tam - średnia wartość mocy traconej w czasie stanów nieustalonych; Rezystancja izolacji (MΩ) - maksymalna rezystancja pomiędzy zwartymi wyprowadzeniami a powierzchnią obudowy; C - typowa wartość pojemności mierzona przy 0,1 1 MHz. Warystory są z natury matrycą ziaren ZnO rozmieszczonych w mieszaninie tlenku bizmutu i innych tlenków metali. ChociaŜ nazywa się je wciąŝ rezystorami nieliniowymi, to współczesne warystory są, ze względu na duŝy współczynnik nieliniowości, bardzo podobne w działaniu do półprzewodnikowych tłumienników stanów nieustalonych. Obydwa elementy charakteryzuje gwałtowne przebicie. Główną zaletą MOV (ang. Metal Oxide Varistor) jest ich duŝa zdolność pochłaniania udarów prądowych w stosunku do wymiarów geometrycznych. Osiągnięto szeroki zakres napięć i prądów roboczych. Jedną z wad tych przyrządów jest wysokie napięcie przełączania dla szybko narastających stanów nieustalonych. Posiadają one równieŝ stosunkowo duŝą pojemność - setki do tysięcy pf, która tłumi szybkozmienne sygnały robocze.

6 Elementy i układy do ograniczania przepięć 6 4. PÓŁPRZEWODNIKOWE DIODY ZABEZPIECZAJĄCE W charakterze przyrządów zabezpieczających często stosuje się tradycyjne diody Zenera oraz tzw. tłumienniki krzemowe (ang. silicon suppressor), które będziemy nazywali diodami zabezpieczającymi. Diody Zenera są powszechnie znanymi elementami i z tego powodu nie będą omawiane ich charakterystyki. Popularyzacji wymaga natomiast wiedza o specjalnych diodach zabezpieczających Konstrukcja diody zabezpieczającej Rysunek 5 przedstawia budowę diody zabezpieczającej na przykładzie przyrządu o nazwie firmowej TRANSIL francuskiej firmy THOMSON-CSF. Ze względu na konieczność odprowadzenia duŝej energii impulsowej tłumienniki krzemowe charakteryzują się duŝą powierzchnią złącza p-n i posiadają połączone ze strukturą półprzewodnikową radiatory. Miedziane wyprowadzenie Gazoszczelny szklany izolator przepustowy Fałdowanie i zgrzewanie elektryczne Azot Zabezpieczenie podzespołu aktywnego Srebrne radiatory Miedziane wyprowadzenie Półprzewodnikowa pastylka P-N złącza Złącza lutowane odporne na udary termiczne Rys. 5. Budowa diody TRANSIL w obudowie DO Parametry i charakterystyki diod zabezpieczających Właściwości ograniczające diod zabezpieczających przejawiają się po podaniu na jej wyprowadzenia wstecznie polaryzującego impulsu napięciowego. Na rys. 6. przedstawiona jest charakterystyka napięciowo-prądowa U-I tej diody. Wykorzystując charakterystykę U-I moŝna zdefiniować podstawowe parametry diody zabezpieczającej. Z punktu widzenia uŝytkownika najwaŝniejszymi parametrami tłumienników krzemowych są: I RM - prąd upływnościowy ( µa); U RM - napięcie neutralne - maksymalne napięcie, przy którym dioda jeszcze nie przewodzi (I RM = kilka ma); U BR - napięcie przebicia - odpowiada ono początkowi rozwoju zjawiska powielania lawinowego (przy napięciu powyŝej 8 V określa się je dla 1 ma); I RSM - maksymalna szczytowa wartość prądu płynącego przez diodę w czasie badań impulsem standardowym; U RSM - maksymalna szczytowa wartość napięcia przy prądzie I RSM. Wartość ta określa maksymalne napięcie, jakie moŝe się pojawić na zaciskach układu zabezpieczającego;

7 Elementy i układy do ograniczania przepięć 7 U U RSM U BR U RM I RM I R Rys. 6. Charakterystyka wstecznie spolaryzowanej diody zabezpieczającej. P RSM - udarowa niepowtarzalna szczytowa moc rozproszenia, P RSM = U RSM * I RSM ; I FSM - dopuszczalna szczytowa wartość prądu w kierunku przewodzenia przy badaniu impulsem standardowym; U RSM współczynnik ograniczania (ustalania) - charakteryzuje skuteczność napięciową diody i U BR zazwyczaj znajduje się w przedziale 1,2 1,4 T CL - czas niezbędny do rozpoczęcia ograniczania - czas potrzebny do wystąpienia zjawiska przebicia lawinowego ( s); C - pojemność diody ( pf). WaŜnymi zaletami tych diod są: I RSM bardzo krótki nanosekundowy czas reakcji (teoretycznie s), duŝa zdolność pochłaniania udarów, mała rezystancja szeregowa (R ON ) włączonego elementu. Przyrządy te produkowane są w szerokim zakresie mocowym 400 W 15 kw i mogą być łączone szeregowo lub równolegle dla zwiększenia wielkości odprowadzanej mocy. Wadą ograniczającą zastosowanie diod zabezpieczających przy częstotliwościach powyŝej 100 MHz jest stosunkowo duŝa pojemność struktury półprzewodnikowej ( pf, pojemność niŝszych napięciowo typów sięga 15 nf), która wytłumia wysokoczęstotliwościowe sygnały robocze. 5. UKŁADY FILTRUJĄCE Szkodliwy wpływ impulsów zakłócających dochodzących do urządzeń elektronicznych moŝna równieŝ ograniczyć stosując filtry na wejściu i wyjściu urządzenia. W większości przypadków impulsy wywołane przez zewnętrzne źródła zaburzeń charakteryzują się krótkimi czasami narastania i wysokoczęstotliwościowymi oscylacjami. Częstotliwość sieci zasilającej oraz sygnały robocze systemów elektronicznych znajdują się najczęściej w niŝszym paśmie częstotliwości. Do ograniczenia tego rodzaju zaburzeń najodpowiedniejsze są filtry dolno-przepustowe lub pasmowoprzepustowe typu T lub π o stałych skupionych (rys. 7). Dobierając filtr do zabezpieczonego urządzenia naleŝy uwzględnić moŝliwość występowania następujących zjawisk: rezonansu w układzie pojemności-obciąŝenie w filtrach dolno-przepustowych typu π. W takich przypadkach na kondensatorze wejściowym moŝe wystąpić wzrost napięcia doprowadzający do jego zniszczenia. I

8 Elementy i układy do ograniczania przepięć 8 rezonansu indukcyjności L1 i L2 (rys. 7a) z obciąŝeniem lub źródłem sygnału. Problem ten moŝna rozwiązać dodając do podłuŝnej gałęzi filtru dolnoprzepustowego dławiki z rdzeniem ferrytowym. Prawidłowo zaprojektowane dławiki umoŝliwiają uzyskanie minimalnej reaktancji i rezystancji w paśmie przepustowym filtru oraz znacznych wartości reaktancji w paśmie zaporowym. a) b) L 1 L 2 C L C 1 C2 Rys. 7. Filtry: a) typu T, b) typu π. Podsumowując dane o właściwościach ochronnych filtrów naleŝy stwierdzić, Ŝe są one szczególnie efektywne, jeśli sygnały robocze i impulsy zakłócające leŝą w innych pasmach częstotliwości niŝ sygnały robocze. Nie zawsze jednak tak jest. Powoduje to konieczność tworzenia układów zabezpieczających, w których filtry współpracują z innymi elementami lub układami ochronnymi. 6. UKŁADY OCHRONY PRZEPIĘCIOWEJ Układy zabezpieczające stosujemy w przypadkach, w których oddzielne zastosowanie pojedynczych elementów ochronnych nie zapewnia dostatecznego poziomu zabezpieczenia przed przepięciami/przetęŝeniami. Łączenie elementów zabezpieczających w układy umoŝliwia zsumowanie ich ochronnych zalet i wyeliminowanie niepoŝądanych efektów występujących podczas ich oddzielnego zastosowania. Układ zabezpieczający składa się z pojedynczych elementów zabezpieczających połączonych elementami wzdłuŝnymi, nazywanymi często elementami sprzęgającymi. Schemat najprostszego układu ochronnego przedstawia rys. 8. Najprostsze układy ochronne składają się z jednego lub dwóch elementów ograniczających napięcia i elementu wzdłuŝnego. W przypadku układu składającego się z dwóch elementów ochronnych element wzdłuŝny koordynuje ich wzajemne działanie oraz ogranicza wartość prądu, który moŝe popłynąć przez drugi z elementów ochronnych. Przykładowe rozwiązania typowych układów zabezpieczających przedstawia rys. 9. wejście wyjście Ochrona podstawowa - iskierniki, - odgromniki - warystory Elementy sprzęgające np. rezystory, kondensatory, filtry Ochrona dodatkowa np. diody, warystory Rys. 8. Przykład układu zabezpieczającego przed przepięciami/przetęŝeniami.

9 Elementy i układy do ograniczania przepięć 9 R lub L R lub L R lub L odgromnik odgromnik warystor warystor dioda dioda Rys. 9. Przykłady rozwiązań układów ochrony przepięciowej. Przeanalizujmy działanie układu dwustopniowego z diodami jako drugim stopniem ochrony (rys. 10). R I PP U ZD I sk D V CL gdzie: U ZD dynamiczne napięcie zapłonu odgromnika, I PP maksymalny szczytowy prąd diody, V CL maksymalne szczytowe napięcie na diodzie przy prądzie I PP Rys. 10. Dwustopniowy układ ochrony przepięciowej. Zasada działania powyŝszego układu polega na tym, Ŝe, gdy do układu przyjdzie udar napięciowy i napięcie na diodzie przekroczy napięcie zadziałania ( przebicia ) diody, to zaczyna ona przewodzić. Wówczas szybko rośnie prąd płynący przez diodę, który powoduje wzrost spadku napięcia na rezystorze pomiędzy diodą a odgromnikiem. Suma spadków napięć na rezystorze i diodzie odkłada się na odgromniku i gdy przekroczy ona wartość dynamicznego napięcia zapłonu odgromnika, nastąpi jego zapłon. W odgromniku następuje wyładowanie jarzeniowe, które przechodzi w łukowe a przepływający prąd udarowy odprowadza energię przepięcia do uziemienia. gdzie: I PP maksymalny szczytowy prąd diody V CL maksymalne szczytowe napięcie na diodzie przy prądzie I PP I RM prąd upływnościowy U RM napięcie neutralne U BR napięcie przebicia Rys. 11. Charakterystyka diody zabezpieczającej [8].

10 Elementy i układy do ograniczania przepięć 10 Wzory obliczeniowe rezystora dopasowującego oba stopnie ochrony (odgromnik z diodą): Stąd wartość rezystancji: U ZD = V U R = CL ZD Na rys. 12 poniŝej przedstawiono przykładowy schemat układu chroniącego linie transmisji sygnałów. I + I V PP PP CL R WE 1 WY 1 D1 D5 D3 D2 D4 WE 2 WY 2 Rys. 12. Przykład układu ochrony przepięciowej linii sygnałowych. Układ ten pracować moŝe zarówno w liniach symetrycznych (skrętka) jak i niesymetrycznych (kabel koncentryczny). Dla systemów, w których wykorzystywany jest kabel UTP lub STP odpowiednie wejścia i wyjścia ochronnika naleŝy podłączyć do odpowiednich przewodów pary. W drugim przypadku jedna z linii: WE1-WY1 lub WE2-WY2 połączona powinna być z ekranem przewodu koncentrycznego a druga z Ŝyłą środkową. W przypadku, gdy impuls pojawiający się na zaciskach 1 2 ochronnika ma wartość dodatnią, prąd udarowy płynie przez diody D1 D5 D4. Stabilizacja napięcia wyjściowego odbywa się dzięki elementowi D5 (dioda ochronna). Napięcie ochronne panujące na wyjściu jest równe podwojonemu spadkowi napięcia na diodzie D1 (D2), czyli ok. 1,7 V powiększonemu o wartość napięcia występującego na elemencie D5 (napięcie V CL ). W przypadku impulsu ujemnego, prąd udarowy płynąć będzie przez elementy D2 D5 D3. Funkcje przez nie spełniane są analogiczne jak w poprzednim przypadku. Przykładowe wartości parametrów elementów stosowanych w analizowanych układach zestawiono w tablicy 1 i 2. Tabl. 1: Parametry ochronników Comgap. Parametr Jednostka CG 75L PMT3(310) Statyczne napięcie zapłonu (U ST ) V Dynamiczne napięcie zapłonu (U ZD ) V Prąd udarowy DC ka Prąd udarowy AC A Pojemność pf 1 Zakres temperatur C od - 65 do + 125

11 Elementy i układy do ograniczania przepięć 11 Tabl. 2: Parametry diod i układu zabezpieczającego. Parametr Jednostka BZW06 5V8B 1,5KE91C ITA6V5 I PP udar 10/1000µs A I PP udar 8/20µs A V CL udar 10/1000µs V 10, V CL udar 8/20µs V 13, I RM ma 1 0,005 0,05 U RM V 5,8 77,8 5 U BR przy I R =1mA V 6,8 91 6,5 W przypadku zabezpieczenia szczególnie wraŝliwych urządzeń pracujących w strefie zagroŝenia przepięciami o znacznych wartościach szczytowych stosowane są układy ochronne składające się z trzech elementów ograniczających napięcie (rys. 13). R lub L R lub L odgromnik odgromnik warystor dioda Rys. 13. Trójstopniowy układ ochrony przepięciowej. 7. PROGRAM BADAŃ 1. Badanie właściwości ochronnych typowych układów zabezpieczających w przypadku doprowadzenia: napięć sinusoidalnych o zmiennych częstotliwościach, udarów napięciowych. 2. Sposób wykonywania badań: Zdejmowanie charakterystyk amplitudowych typowych układów zabezpieczających. Zasadę pomiaru przedstawia rys. 14. Generator funkcyjny Oscyloskop dwukanałowy Badany element/układ ochronny Rys. 14. Ogólny układ pomiarowy stosowany podczas badania charakterystyk amplitudowych.

12 Elementy i układy do ograniczania przepięć 12 W przypadku układów, do których sygnał jest doprowadzany za pomocą skrętki o impedancji falowej 100 Ω, w celu dopasowania wyjścia układów badanych obciąŝane są rezystorami o impedancji 100 Ω. PoniewaŜ impedancja wyjściowa generatora wynosi 50 Ω, w celu eliminacji odbić na wejściu układów zastosowano rezystancyjny dzielnik dopasowujący generator rys Ω We1 Wy1 G 50Ω Badany układ 100Ω 25Ω We2 Wy2 Kanał A OS Kanał B Rys. 15. Układ pomiarowy stosowany podczas badania charakterystyk amplitudowych elementów i układów o impedancji wejściowej i wyjściowej 100Ω. W układzie z rys. 14 naleŝy dokonać pomiarów wartości między-szczytowych (peak-to-peak) napięć sinusoidalnie zmiennych na wejściach i wyjściach badanych ograniczników przepięć oraz wykreślić charakterystyki tłumienia tych układów w funkcji częstotliwości. Obserwacje właściwości ochronnych typowych układów zabezpieczających w przypadku doprowadzenia udarów napięciowych 1,2/50 (µs/µs) o regulowanej amplitudzie od V. Ogólną zasadę pomiaru przedstawia rys. 16, zaś przykład badania układów, w przypadku których sygnał jest doprowadzany za pomocą skrętki o impedancji falowej 100 Ω rys. 17. Generator udarów probierczych Oscyloskop dwukanałowy GUP Badany element/układ ochronny Sondy napięciowe lub dzielniki napięcia Rys. 16. Ogólny układ pomiarowy stosowany podczas badania udarowego. GUP 2,7kΩ We1 Badany układ Wy1 100Ω Sonda OS We2 Wy2 Rys. 17. Układ pomiarowy stosowany podczas badania udarowego elementów i układów o impedancji wejściowej i wyjściowej 100Ω.

13 Elementy i układy do ograniczania przepięć 13 NaleŜy zarejestrować przebiegi czasowe napięć panujących na zaciskach badanych układów zabezpieczających oraz prądów udarowych płynących przez te układy w trakcie ograniczania przepięć oraz dokonać pomiarów wartości szczytowych zarejestrowanych napięć i prądów. W przypadku układów stosowanych w liniach 3-przewodowych, rejestracji i pomiarów naleŝy dokonać w odniesieniu do kaŝdej pary przewodów linii. 3. Opracowanie wyników badań: Wykreślenie charakterystyk amplitudowych (tłumienia) badanych układów (najlepiej na wspólnym wykresie w celu łatwiejszego porównania). Przedstawienie przebiegów zarejestrowanych napięć i prądów udarowych. Wykreślenie charakterystyk zaleŝności wartości szczytowych mierzonych napięć i prądów od wartości napięcia udarowego podawanego z generatora. Ocena porównawcza badanych układów pod względem tłumienia zaburzeń radioelektrycznych oraz pod względem właściwości ograniczania przepięć. PRZEPISY BHP Podczas badań naleŝy przestrzegać zasad i przepisów bezpieczeństwa pracy omówionych podczas zająć wstępnych w laboratorium, zawartych w Regulaminie porządkowym laboratorium Kompatybilności Elektromagnetycznej i Ochrony Przeciwzakłóceniowej z uwzględnieniem przepisów BHP. Regulamin dostępny jest w pomieszczeniu laboratoryjnym w widocznym miejscu. Dodatkowo z uwagi na specyfikę ćwiczenia naleŝy zachować szczególną ostroŝność podczas obsługi generatorów udarowych. Nie naleŝy przekraczać nastaw wartości szczytowych napięć lub prądów generatora powyŝej wartości podanych przez prowadzącego. Wszelkie zmiany konfiguracji obwodów naleŝy przeprowadzać przy odłączonym źródle napięcia probierczego. LITERATURA 1. Augustyniak L.: Laboratorium kompatybilności elektromagnetycznej. Oficyna Wydawnicza Politechniki Białostockiej, Białystok, Sowa A.: Kompleksowa ochrona odgromowa i przepięciowa. Biblioteka COSiW SEP, Sowa A. W.: Ochrona urządzeń oraz systemów elektronicznych przed naraŝeniami piorunowymi. Oficyna Wydawnicza Politechniki Białostockiej. Białystok Markowska R., Sowa. A.: Ograniczanie przepięć w instalacjach elektrycznych w obiektach budowlanych. Seria: Zeszyty dla elektryków nr 9. Dom Wydawniczy MEDIUM. Warszawa Hasse P.: Overvoltage protection of low voltage systems. The institution of Electrical Engineers, London Alain Charoy: Zakłócenia w urządzeniach elektronicznych: zasady i porady instalacyjne; Tom 1, Źródła, sprzęŝenia, skutki; Tom 2, Uziemienia, masy, oprzewodowanie; Tom 3, Ekrany, filtry, kable i przewody ekranowane; Tom 4, Zasilanie, ochrona odgromowa, środki zaradcze; WNT, Warszawa, 1999/ Bem Józef Daniel i in.: Impulsowe naraŝenia elektromagnetyczne; Wrocław: Wydawnictwo Politechniki Wrocławskiej, Wydawnictwo ALFA WEKA Sp. z o.o. Certyfikat CE w zakresie kompatybilności elektromagnetycznej.

OGRANICZANIE PRZEPIĘĆ W SYSTEMACH POMIARÓW, AUTOMATYKI I STEROWANIA

OGRANICZANIE PRZEPIĘĆ W SYSTEMACH POMIARÓW, AUTOMATYKI I STEROWANIA OGRANICZANIE PRZEPIĘĆ W SYSTEMACH POMIARÓW, AUTOMATYKI I STEROWANIA Andrzej W. Sowa Politechnika Białostocka Cechą charakterystyczną współczesnych urządzeń systemów elektronicznych jest ich stosunkowo

Bardziej szczegółowo

Wykonanie prototypów filtrów i opracowanie ich dokumentacji technicznej

Wykonanie prototypów filtrów i opracowanie ich dokumentacji technicznej Wykonanie prototypów filtrów i opracowanie ich dokumentacji technicznej Skład dokumentacji technicznej Dokumentacja techniczna prototypów filtrów przeciwprzepięciowych typ FP obejmuje: informacje wstępne

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Telekomunikacji i Aparatury Elektronicznej Instrukcja do zajęć laboratoryjnych Temat ćwiczenia: GENERATORY UDAROWE Część 2: Badania odporności udarowej

Bardziej szczegółowo

. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α

. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α 2 CEL ĆWCENA Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z charakterystykami statycznymi oraz waŝniejszymi parametrami technicznymi diod stabilizacyjnych Są to diody krzemowe przeznaczone min do zastosowań

Bardziej szczegółowo

IO.UZ-2.02 APLISENS PRODUKCJA PRZEMYSŁOWEJ APARATURY POMIAROWEJ I ELEMENTÓW AUTOMATYKI. Edycja B WARSZAWA MARZEC 2010.

IO.UZ-2.02 APLISENS PRODUKCJA PRZEMYSŁOWEJ APARATURY POMIAROWEJ I ELEMENTÓW AUTOMATYKI. Edycja B WARSZAWA MARZEC 2010. IO.UZ-2.02 APLISENS PRODUKCJA PRZEMYSŁOWEJ APARATURY POMIAROWEJ I ELEMENTÓW AUTOMATYKI INSTRUKCJA UśYTKOWANIA UKŁAD ZABEZPIECZAJĄCY UZ-2/N UKŁAD ZABEZPIECZAJĄCY UZ-2/L Edycja B WARSZAWA MARZEC 2010. APLISENS

Bardziej szczegółowo

OCHRONA PRZECIWPRZEPIĘCIOWA W LINIACH TRANSMISJI DANYCH

OCHRONA PRZECIWPRZEPIĘCIOWA W LINIACH TRANSMISJI DANYCH X SYMPOZJUM ODDZIAŁU POZNAŃSKIEGO STOWARZYSZENIA ELEKTRYKÓW POLSKICH W CYKLU WSPÓŁCZESNE URZĄDZENIA ORAZ USŁUGI ELEKTROENERGETYCZNE, INFORMATYCZNE I TELEKOMUNIKACYJNE ZINTEGROWANE ZARZĄDZANIE ENERGIĄ W

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

SPIS TREŚCI 1. WSTĘP.......................................................................... 9 1.1. Podstawowy zakres wiedzy wymagany przy projektowaniu urządzeń piorunochronnych................................................

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Telekomunikacji i Aparatury Elektronicznej Instrukcja do zajęć laboratoryjnych Temat ćwiczenia: UKŁADY OGRANICZAJĄCE PRZEPIĘCIA W SYSTEMACH PRZESYŁU

Bardziej szczegółowo

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny

Uniwersytet Pedagogiczny Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

ODLEGŁOŚCI POMIĘDZY URZĄDZENIAMI DO OGRANICZANIA PRZEPIĘĆ A CHRONIONYM URZĄDZENIEM

ODLEGŁOŚCI POMIĘDZY URZĄDZENIAMI DO OGRANICZANIA PRZEPIĘĆ A CHRONIONYM URZĄDZENIEM ODLEGŁOŚCI POMIĘDZY URZĄDZENIAMI DO OGRANICZANIA PRZEPIĘĆ A CHRONIONYM URZĄDZENIEM Andrzej Sowa Politechnika Białostocka 1. Wstęp Tworząc niezawodny system ograniczania przepięć w instalacji elektrycznej

Bardziej szczegółowo

OCHRONA PRZEPIĘCIOWA. Ochrona przed przepięciami systemów bezawaryjnego zasilania. Odporność udarowa systemów bezawaryjnego zasilania.

OCHRONA PRZEPIĘCIOWA. Ochrona przed przepięciami systemów bezawaryjnego zasilania. Odporność udarowa systemów bezawaryjnego zasilania. OCHRONA PRZEPIĘCIOWA Ochrona przed przepięciami systemów bezawaryjnego zasilania Andrzej Sowa Układy ochrony przepięciowej w instalacji elektrycznej w obiektach budowlanych, w których pracują urządzenia

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Ć w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH

Ć w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH Ć w i c z e n i e 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH. Wiadomości ogólne Prostowniki są to urządzenia przetwarzające prąd przemienny na jednokierunkowy. Prostowniki stosowane są m.in. do ładowania akumulatorów,

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

ODLEGŁOŚCI POMIĘDZY URZĄDZENIAMI DO OGRANICZANIA PRZEPIĘĆ A CHRONIONYM URZĄDZENIEM

ODLEGŁOŚCI POMIĘDZY URZĄDZENIAMI DO OGRANICZANIA PRZEPIĘĆ A CHRONIONYM URZĄDZENIEM dr hab. inż. Andrzej SOWA Politechnika Białostocka ODLEGŁOŚCI POMIĘDZY RZĄDZENIAMI DO OGRANICZANIA PRZEPIĘĆ A CHRONIONYM RZĄDZENIEM 1. Wstęp Tworząc niezawodny system ograniczania przepięć w instalacji

Bardziej szczegółowo

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniczna aparatura Medyczna

Laboratorium Elektroniczna aparatura Medyczna EAM - laboratorium Laboratorium Elektroniczna aparatura Medyczna Ćwiczenie REOMETR IMPEDANCYJY Opracował: dr inŝ. Piotr Tulik Zakład InŜynierii Biomedycznej Instytut Metrologii i InŜynierii Biomedycznej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 3 Pomiary charakterystyk elementów biernych

Ćwiczenie nr 3 Pomiary charakterystyk elementów biernych Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary charakterystyk elementów biernych I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż i badanie wybranych układów,

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Ćw. III. Dioda Zenera

Ćw. III. Dioda Zenera Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,

Bardziej szczegółowo

Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie

Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie LABORATORIUM ZASILANIE URZĄDZEŃ ELETRONICZNYCH Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie Opracował: Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Budowa, parametry i zasada działania

Bardziej szczegółowo

Ochrona odgromowa anten na dachach obiektów budowlanych

Ochrona odgromowa anten na dachach obiektów budowlanych OCHRONA ODGROMOWA OBIEKTÓW BUDOWLANYCH Ochrona odgromowa anten na dachach obiektów budowlanych Andrzej Sowa Poprawnie zaprojektowane i wykonane urządzenie piorunochronne powinno przejąć prąd piorunowy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie F3. Filtry aktywne

Ćwiczenie F3. Filtry aktywne Laboratorium Podstaw Elektroniki Instytutu Fizyki PŁ 1 Ćwiczenie F3 Filtry aktywne Przed zapoznaniem się z instrukcją i przystąpieniem do wykonywania ćwiczenia naleŝy opanować następujący materiał teoretyczny:

Bardziej szczegółowo

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...

Bardziej szczegółowo

KIERUNEK STUDIÓW: ELEKTROTECHNIKA NAZWA PRZEDMIOTU: TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ. (dzienne: 30h wykład, 30h laboratorium) Semestr: W Ć L P S V 2E 2

KIERUNEK STUDIÓW: ELEKTROTECHNIKA NAZWA PRZEDMIOTU: TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ. (dzienne: 30h wykład, 30h laboratorium) Semestr: W Ć L P S V 2E 2 KIERUNEK STUDIÓW: ELEKTROTECHNIKA NAZWA PRZEDMIOTU: TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ (dzienne: 30h wykład, 30h laboratorium) Semestr: W Ć L P S V 2E 2 Cel zajęć: Celem zajęć jest podanie celowości i specyfiki

Bardziej szczegółowo

FILTRY PRZEWODÓW SYGNAŁOWYCH

FILTRY PRZEWODÓW SYGNAŁOWYCH FILTRY PRZEWODÓW SYGNAŁOWYCH Jedno i wielowejściowe filtry firmy MPE Limited przeznaczone dla linii kontrolno-sterujących i niskoprądowych linii zasilania. Mogą być stosowane w różnorodnych aplikacjach,

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy

LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie nr 2 Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń

Bardziej szczegółowo

1. Jako ochrona przed skutkami przepięć łączeniowych, powodowanych głównie załączeniami i wyłączeniami określonych odbiorników, mogą być stosowane:

1. Jako ochrona przed skutkami przepięć łączeniowych, powodowanych głównie załączeniami i wyłączeniami określonych odbiorników, mogą być stosowane: Temat: Środki i sposoby ochrony przed skutkami przepięć. Stosowane środki ochrony przeciwprzepięciowej mogą być przeznaczone do ochrony przed skutkami przepięć tylko określonego pochodzenia lub mogą mieć

Bardziej szczegółowo

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa

Bardziej szczegółowo

15. UKŁADY POŁĄCZEŃ PRZEKŁADNIKÓW PRĄDOWYCH I NAPIĘCIOWYCH

15. UKŁADY POŁĄCZEŃ PRZEKŁADNIKÓW PRĄDOWYCH I NAPIĘCIOWYCH 15. UKŁDY POŁĄCZEŃ PRZEKŁDNIKÓW PRĄDOWYCH I NPIĘCIOWYCH 15.1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z najczęściej spotykanymi układami połączeń przekładników prądowych i napięciowych

Bardziej szczegółowo

Podstawowe właściwości urządzeń ograniczających przepięcia w sieciach sygnałowych

Podstawowe właściwości urządzeń ograniczających przepięcia w sieciach sygnałowych OGRANIZANIE PRZEPIĘĆ W SYSTEMAH PRZESYŁU SYGNAŁÓW Podstawowe właściwości urządzeń ograniczających przepięcia w sieciach sygnałowych Andrzej Sowa 1. Wstęp Zapewnienie poprawnego i bezawaryjnego działania

Bardziej szczegółowo

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC Instytut Fizyki ul. Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 6 Pracownia Elektroniki. Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC........ (Oprac. dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia:

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne

Bardziej szczegółowo

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

LABORATORIUM ELEKTRONIKI LABOATOIM ELEKTONIKI ĆWICENIE 1 DIODY STABILIACYJNE K A T E D A S Y S T E M Ó W M I K O E L E K T O N I C N Y C H 21 CEL ĆWICENIA Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z charakterystykami statycznymi

Bardziej szczegółowo

Badanie półprzewodnikowych elementów bezzłączowych

Badanie półprzewodnikowych elementów bezzłączowych Instrukcja do ćwiczenia: Badanie półprzewodnikowych elementów bezzłączowych (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: Poznanie podstawowych właściwości i

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo

(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.

(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161056 (13) B2 (21) Numer zgłoszenia: 283989 (51) IntCl5: H02M 3/315 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.02.1990 (54)Układ

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Zalecenia projektowe i montaŝowe dotyczące ekranowania. Wykład Podstawy projektowania A.Korcala

Zalecenia projektowe i montaŝowe dotyczące ekranowania. Wykład Podstawy projektowania A.Korcala Zalecenia projektowe i montaŝowe dotyczące ekranowania Wykład Podstawy projektowania A.Korcala Mechanizmy powstawania zakłóceń w układach elektronicznych. Głównymi źródłami zakłóceń są: - obce pola elektryczne

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 10/16. JAROSŁAW GUZIŃSKI, Gdańsk, PL PATRYK STRANKOWSKI, Kościerzyna, PL

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 10/16. JAROSŁAW GUZIŃSKI, Gdańsk, PL PATRYK STRANKOWSKI, Kościerzyna, PL PL 226485 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 226485 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 409952 (51) Int.Cl. H02J 3/01 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny

Uniwersytet Pedagogiczny Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

NORMY I PRZEPISY PRAWNE Ochrona przeciwprzepięciowa

NORMY I PRZEPISY PRAWNE Ochrona przeciwprzepięciowa NORMY I PRZEPISY PRAWNE Ochrona przeciwprzepięciowa Opracował: Andrzej Nowak Bibliografia: http://www.ciop.pl/ 1. Kategorie ochrony Wymagania ogólne dotyczące ochrony instalacji elektrycznych przed przepięciami

Bardziej szczegółowo

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

BEZDOTYKOWY CZUJNIK ULTRADŹWIĘKOWY POŁOŻENIA LINIOWEGO

BEZDOTYKOWY CZUJNIK ULTRADŹWIĘKOWY POŁOŻENIA LINIOWEGO Temat ćwiczenia: BEZDOTYKOWY CZUJNIK ULTRADŹWIĘKOWY POŁOŻENIA LINIOWEGO 1. Wprowadzenie Ultradźwiękowy bezdotykowy czujnik położenia liniowego działa na zasadzie pomiaru czasu powrotu impulsu ultradźwiękowego,

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Podstaw Elektroniki i Energoelektroniki

Laboratorium Podstaw Elektroniki i Energoelektroniki Laboratorium Podstaw Elektroniki i Energoelektroniki Instrukcja do ćwiczeń nr 7 Prostowniki sterowane mostkowe Katedra Elektroniki Wydział Elektroniki i Informatyki Politechnika Lubelska Wprowadzenie Celem

Bardziej szczegółowo

Badanie diody półprzewodnikowej

Badanie diody półprzewodnikowej Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 2 Pracownia Elektroniki Badanie diody półprzewodnikowej Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: (Oprac dr Radosław Gąsowski) półprzewodniki samoistne

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 1/10 2/10 PODSTAWOWE WIADOMOŚCI W trakcie zajęć wykorzystywane będą następujące urządzenia: oscyloskop, generator, zasilacz, multimetr. Instrukcje

Bardziej szczegółowo

Zasilacze: prostowniki, prostowniki sterowane, stabilizatory

Zasilacze: prostowniki, prostowniki sterowane, stabilizatory Zakład Napędów Wieloźródłowych Instytut Maszyn Roboczych CięŜkich PW Laboratorium Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie E1 - protokół Zasilacze: prostowniki, prostowniki sterowane, stabilizatory Data

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost

Bardziej szczegółowo

PROFESJONALNY MULTIMETR CYFROWY ESCORT-99 DANE TECHNICZNE ELEKTRYCZNE

PROFESJONALNY MULTIMETR CYFROWY ESCORT-99 DANE TECHNICZNE ELEKTRYCZNE PROFESJONALNY MULTIMETR CYFROWY ESCORT-99 DANE TECHNICZNE ELEKTRYCZNE Format podanej dokładności: ±(% w.w. + liczba najmniej cyfr) przy 23 C ± 5 C, przy wilgotności względnej nie większej niż 80%. Napięcie

Bardziej szczegółowo

Ochrona przed przepięciami analogowych urządzeń abonenckich

Ochrona przed przepięciami analogowych urządzeń abonenckich OGRANICZANIE PRZEPIĘĆ SYSTEMACH PRZESYŁU SYGNAŁÓ Ochrona przed przepięciami analogowych urządzeń abonenckich Andrzej Sowa Środki ochrony przeciwprzepięciowej instalowane w systemach telekomunikacyjnych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy

Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy . el ćwiczenia. Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy elem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości filtrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów filtru.. Budowa

Bardziej szczegółowo

Podstawowe błędy przy projektowaniu i montażu systemów ograniczania przepięć w instalacji elektrycznej

Podstawowe błędy przy projektowaniu i montażu systemów ograniczania przepięć w instalacji elektrycznej OGRANICZANIE PRZEPIĘĆ W INSTALACJI ELEKTRYCZNEJ Podstawowe błędy przy projektowaniu i montażu systemów ograniczania przepięć w instalacji elektrycznej Andrzej Sowa W instalacji elektrycznej w większości

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Telekomunikacji i Aparatury Elektronicznej Instrukcja do zajęć laboratoryjnych Temat ćwiczenia: BADAIE FITÓW SIECIOWYCH Ćwiczenie nr 17. aboratorium

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE

TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 5 BADANIE ZABEZPIECZEŃ ZIEMNOZWARCIOWYCH ZEROWO-PRĄDOWYCH

ĆWICZENIE NR 5 BADANIE ZABEZPIECZEŃ ZIEMNOZWARCIOWYCH ZEROWO-PRĄDOWYCH ĆWCZENE N 5 BADANE ZABEZPECZEŃ ZEMNOZWACOWYCH. WPOWADZENE ZEOWO-PĄDOWYCH Metoda składowych symetrycznych, która rozwinęła się na początku 0 wieku, stanowi praktyczne narzędzie wykorzystywane do wyjaśniania

Bardziej szczegółowo

INSTYTUT FIZYKI JĄDROWEJ im. Henryka Niewodniczańskiego Polskiej Akademii Nauk ul. Radzikowskiego 152, Kraków

INSTYTUT FIZYKI JĄDROWEJ im. Henryka Niewodniczańskiego Polskiej Akademii Nauk ul. Radzikowskiego 152, Kraków INSTYTUT FIZYKI JĄDROWEJ im. Henryka Niewodniczańskiego Polskiej Akademii Nauk ul. Radzikowskiego 1, 31-3 Kraków www.ifj.edu.pl/reports/00.html Kraków, październik 00 Raport Nr 190/AP WOLTOMIERZ WARTOŚCI

Bardziej szczegółowo

Metody eliminacji zakłóceń w układach. Wykład Podstawy projektowania A.Korcala

Metody eliminacji zakłóceń w układach. Wykład Podstawy projektowania A.Korcala Metody eliminacji zakłóceń w układach Wykład Podstawy projektowania A.Korcala Ogólne zasady zwalczania zakłóceń Wszystkie metody eliminacji zakłóceń polegają w zasadzie na maksymalnym zwiększaniu stosunku

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -

Bardziej szczegółowo

4. Funktory CMOS cz.2

4. Funktory CMOS cz.2 2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz

Bardziej szczegółowo

2. ZASILANIE ELEKTRYCZNE KOTŁOWNI

2. ZASILANIE ELEKTRYCZNE KOTŁOWNI 2. ZASILANIE ELEKTRYCZNE KOTŁOWNI WYTYCZNE PROJEKTOWE www.immergas.com.pl 12 ZASILANIE ELEKTRYCZNE KOTŁOWNI 2. ZASILANIE ELEKTRYCZNE KOTŁOWNI NOWOCZESNE SYSTEMY GRZEWCZE Ogólnie Instalacje elektryczne

Bardziej szczegółowo

POMIAR NAPIĘCIA STAŁEGO PRZYRZĄDAMI ANALOGOWYMI I CYFROWYMI. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia

POMIAR NAPIĘCIA STAŁEGO PRZYRZĄDAMI ANALOGOWYMI I CYFROWYMI. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia Pomiar napięć stałych 1 POMIA NAPIĘCIA STAŁEGO PZYZĄDAMI ANALOGOWYMI I CYFOWYMI Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie: - parametrów typowych woltomierzy prądu stałego oraz z warunków poprawnej ich

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW Pracownia Układów Elektronicznych i Przetwarzania ELEKTRONICZNE SYSTEMY POMIAROWE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

Bardziej szczegółowo

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Spis treści Informacje podstawowe...2 Pomiar napięcia...3 Pomiar prądu...5 Pomiar rezystancji...6 Pomiar pojemności...6 Wartość skuteczna i średnia...7

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział

Bardziej szczegółowo

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA NWERSYTET TECHNOLOGCZNO-PRZYRODNCZY W BYDGOSZCZY WYDZAŁ NŻYNER MECHANCZNEJ NSTYTT EKSPLOATACJ MASZYN TRANSPORT ZAKŁAD STEROWANA ELEKTROTECHNKA ELEKTRONKA ĆWCZENE: E7 BADANE DODY PROSTOWNCZEJ DODY ZENERA

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia Ćwiczenie 01 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami

Bardziej szczegółowo

Kompleksowa i skuteczna ochrona przeciwprzepięciowa. Dariusz Szymkiewicz Kierownik Projektu

Kompleksowa i skuteczna ochrona przeciwprzepięciowa. Dariusz Szymkiewicz Kierownik Projektu Kompleksowa i skuteczna ochrona przeciwprzepięciowa Dariusz Szymkiewicz Kierownik Projektu 1 Ograniczniki iskiernikowe typu T1 i T1 kombinowane 2 OCHRONA PRZED SKUTKAMI WYŁADOWAŃ ATMOSFERYCZNYCH Ochrona

Bardziej szczegółowo

Liniowe stabilizatory napięcia

Liniowe stabilizatory napięcia . Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie

Bardziej szczegółowo

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z jednym

Bardziej szczegółowo

R 1 = 20 V J = 4,0 A R 1 = 5,0 Ω R 2 = 3,0 Ω X L = 6,0 Ω X C = 2,5 Ω. Rys. 1.

R 1 = 20 V J = 4,0 A R 1 = 5,0 Ω R 2 = 3,0 Ω X L = 6,0 Ω X C = 2,5 Ω. Rys. 1. EROELEKR Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 9/ Rozwiązania zadań dla grupy elektrycznej na zawody stopnia adanie nr (autor dr inŝ. Eugeniusz RoŜnowski) Stosując twierdzenie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie F1. Filtry Pasywne

Ćwiczenie F1. Filtry Pasywne Laboratorium Podstaw Elektroniki Instytutu Fizyki PŁ Ćwiczenie F Filtry Pasywne Przed zapoznaniem się z instrukcją i przystąpieniem do wykonywania ćwiczenia naleŝy opanować następujący materiał teoretyczny:.

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo