Przyrządy półprzewodnikowe część 2
|
|
- Aniela Borkowska
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Przyrządy półprzewodnikowe część 2 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2014
2 Literatura Literatura i źródła rysunków: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill, R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publ., B.G. Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice-Hall, D. Bell, Fundamentals of Electric Circuits, Oxford Univ. Press, T. Mouthaan, Semiconductor Devices Explained, John Willey&Sons W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, A. Świt, J. Pułtorak, Przyrządy półprzewodnikowe, WNT, B.G. Streetman, Przyrządy półprzewodnikowe, WNT
3 Przyrządy półprzewodnikowe Rozdział 3. Złącze p-n. Diody półprzewodnikowe. Budowa i zasada działania złącza p-n. Równanie Shockley a charakterystyka I-U złącza p-n. Idealne i rzeczywiste diody. Efekty temperaturowe. Polaryzacja napięciowa punkt pracy. Modele zastępcze diody. Przebicie złącza diody Zenera. Wpływ światła fotodiody, ogniwa fotowoltaiczne. Złącza metal-półprzewodnik - dioda Schottky ego. Układy prostowników i stabilizatorów napięcia.
4 Wytwarzanie złącz p-n (technologia) podłoże płytka Si utlenianie w temp. 1000ºC Si >>SiO 2 fotolitografia i trawienie okienek w SiO 2 dyfuzja domieszek donorowych, np. atomów fosforu kontakty metaliczne, np. naparowanie warstwy Al. w wysokiej prózni fotolitografia i trawienie wzoru w warstwie Al Proces fotolitografii odwzorowanie woru z maski na podłoże pp. Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
5 Idealne złącze p-n (the ideal p-n junction) Dioda rzeczywista i jej przybliżenie - idealne złącze p-n. V A - napięcie polaryzacji zewnętrznej I natężenie prądu (prąd) Kontakty zewn. (metalizacja) symbol A-anoda typ-p K-katoda typ-n silicon krzem, Si w pp. typu-p nośniki większościowe - dziury w pp. typu-n nośniki większościowe - elektrony Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
6 Bariera dyfuzyjna złącza p-n - elektrostatyka złącza formowanie złącza p-n V o - potencjał wbudowany, lub bariera dyfuzyjna, lub bariera kontaktowa złącza p-n w szerokość obszaru zubożonego (w nośniki) złącza Poziom Fermiego ustala się jednakowo w całej próbce jony domieszek gęstość ładunku dryft i dyfuzja nośników V o < E g /q Typowe wartości bariery dyfuzyjnej i (przerwy zabronionej) V o (E g ): Ge: 0,4V (0,7eV) Si: 0,7V (1,1eV) pole elektryczne Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
7 Idealne złącze p-n w równowadze i spolaryzowane Model pasmowy złącza z polaryzacją napięciem - V A p n p n V o unoszenie n. mniejszościowych elektronów V A <0 V A =0 I =0 Aktualna bariera - duża V o - -V A > V o E - pole elektryczne dyfuzja n. większościowych elektronów V A >0 Aktualna bariera - mała V o - V A < V o E Polaryzacja zaporowa unoszenie n. mniejszościowych dziur dyfuzja n. większościowych dziur Polaryzacja przewodzenia Charakterystyka I-V Pol. zaporowa: unoszenie nośników mniejszościowych Pol. przewodzenia: dyfuzja nośników większościowych Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
8 Model pasmowy złącza p-n (tutaj od strony - n czyli złącze n-p) formowanie złącza złącze spolaryzowane n p n p złącze p-n w równowadze termodynamicznej E F =const pol. przewodzenia pol. zaporowa złącze p-n w równowadze termodynamicznej E F =const Source: T. Mouthaan, Semiconductor Devices Explained, John Willey&Sons
9 Charakterystyka I-U idealnego złącza p-n Wzór Shockley a zależność prądowo-napięciowa dla złącza p-n - eksponencjalna (silna) zależność prądu od napięcia dla polaryzacji przewodzenia (dyfuzja n. większościowych) - ustalony, niewielki prąd dla polaryzacji zaporowej I o =const. prąd nasycenia (unoszenie n. mniejszościowych) współrzędne l - V współrzędne ln(i) - V dla pol. przewodz.: y = b + a x kt/q = 26 mv dla T=300K Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
10 Charakterystyka I-U idealnego złącza p-n Równanie Shockley a Polaryzacja przewodzenia Typowe spadki napięcia U F występujące na złączach p-n wykonanych z różnych półprzewodników Natężenie prądu, I jest funkcją eksponencjalną napięcia V A (inaczej U) polaryzującego złącze. kt/q = 26 mv (T=300 K) Przykład: dla złącza z I 0 = 1µA = 10-6 A dla polaryzacji napięciem V A = 260 mv (e 10 ), obliczony prąd: I =I 0 e 10 = 2, A = 22 ma. Aby uzyskać podobny prąd (20 ma) dla złącza z I 0 = 0,1pA =10-13 A należy ustalić polaryzację tego złącza V A = 680 mv (e 26 ) Ponieważ: U F(Ge) (Si) (GaAs) (GaP) 0,3V 0,7V 0,9V Dla różnych półprzewodników (różne E g ) gdy: E g > n i to I 0 oraz U F
11 Wpływ temperatury na charakterystykę I-V złącza p-n Rozpatrujemy wzór Shockley a I o =const. gdy T=const. ale, gdy T to I o Współczynnik temperaturowy : Napięciowy (dla k. przewodzenia) - wsp. bezwzględny dv/dt = -2 mv/k dla I=const. Prądowy (dla k. zaporowego) - wsp. względny (di/dt)(1/i) = +10%/K dla V=const. czyli wartość prądu w k. zaporowym podwaja się na każdy przyrost temperatury dt= 10K kt/q = 26 mv tylko dla T=300K Zastosowanie: dioda jako termometr Przykład: dioda Si, dt= 70K = 70 C pol.przewodzenia: dla 25 C V A = 620mV dla I = const. (I=1mA) dla 95 C V A = 620mV + 70K (-2 mv/k) = 620mV - 140mV= =480mV = 0.48V dv A = -140mV pol. zaporowa: dla 25 C I 0 = 10nA dla V A = const. (V A = -5V) dla 95 C I 0 = 2 7 x 10nA = 128 x 10nA= 1.28 A
12 Rzeczywiste złącze p-n dioda Wzór Shockley a daje dobre przybliżenie charakterystyki I-V dla diod rzeczywistych w przypadku polaryzacji przewodzenia. Bariera dyfuzyjna (potencjał wbudowany) złącza: V o < E g /q Typowe wartości: V o oraz (E g ) 300K Ge: 0,4V (0,7eV) Si: 0,7V (1,1eV) GaAs: 1,0V (1,4eV) Relacja napięcia kolana do wartosci E g podobna do zależności V o - E g Source: B.G.Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall. 0.6V 1.0V 1.4V 1.8V - napięcie kolana charakterystyki w temp. 77K W temp. 300K (27 C) napięcie to będzie mniejsze o ΔU= -2mV/K 223K = - 446mV ~ - 0.4V 0,2V 0,6V 1,0V 1,4V
13 Rzeczywiste złącze p-n dioda Dla polaryzacji zaporowej należy uwzględnić przebicie złącza oraz upływ prądu jako uzupełnienie do wzoru Shockleya. Przebicie złącza (breakdown) gwałtowny wzrost prądu Typowa zależność I-V diody Si Source: B.G.Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall. Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
14 Rzeczywiste złącze p-n dioda Upływ (leakage) prądu w kierunku zaporowym stopniowy wzrost ponad wartość I 0 Dodatkowe prądy związane z generacją termiczną i rekombinacją (g-r) nośników Pol. zapor. dominuje - prąd generacji Pol. przewodz. dominuje - prąd rekombinacji n współczynnik idealności złącza Source: B.G.Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall. Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
15 Zjawisko przebicia w złączu P-N przebicie Zenera - tunelowanie elektronów (przejście przez barierę energetyczną) przebicie lawinowe (powielanie nośników przez zrywanie wiązań sieci kryształu ) pierwotny elektron duże napięcie - elektron uzyskuje dużą energię - przebicie małe napięcie - brak przebicia pierwotny elektron +3 dziury 1+3 elektrony E pole elektryczne E Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
16 Rzeczywista dioda charakterystyki I-V BAV19 dioda uniwersalna charakterystyki I-V I o = I g prąd generacji Dopuszczalne wartości maksymalne (Absolute Maximum Rating) : I F = 500mA - dc forward current (k. przewodzenia) V R = 100V - dc reverse voltage (k. zaporowy) T j =175 C - junction temperature (temp. złącza) n wsp. idealności złącza n {1,2}
17 Parametry katalogowe (data sheet) diody Fairchild BAV19, -20, -21 Si diodes
18 Analiza stałoprądowa (dc) obwodu z diodą Koncepcja prostej pracy Znajdowanie punktu pracy (Q point ) diody Położenie punktu pracy wartości napięcia i prądu diody - znajdujemy metodą graficzną. Charakterystyka diody D1 z prawa Kirchhoffa równanie oczkowe: V T = R T i D + v D i D piszemy równanie prostej: i D = f(v D ) i D = -(1/ R T ) v D + V T /R T Dana jest też charakterystyka diody: i D = f(v D ) Punkt pracy znajdujemy z przecięcia wykresów (rozwiązanie dwóch równań): i DQ = 21mA, v DQ = 1.0 V v D Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
19 Małosygnałowy model zastępczy diody Wyliczamy z równania Shockley a: g = di/du = I Q /(kt/q) = I Q /26mV (dla 300K) konduktancja g -1 = r d - rezystancja dynamiczna (przyrostowa) diody C total - pojemność złączowa i dyfuzyjna diody R series - rezystancja szergowa diody Ważny dla małych częstotliwości: f<100khz Ważny dla wielkich częstotl.: f>100khz (uwzględnia pojemności diody) nachylenie = g 2 r d = g -1 I Q2 Q p2 R series Prąd stały polaryzacji diody I Q1 Q p1 nachylenie funkcji = pochodna = g = di/du Wartości elementów modelu zależą od punktu pracy Q (polaryzacji), z wyjątkiem rezystancji R series = const. I Q =10mA r d =2.6 Ω I Q = 1µA r d =26 kω Source: B.G.Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall. Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
20 Zjawisko przebicia w złączu P-N w diodach Zenera przebicie Zenera - tunelowanie elektronów (przejście przez barierę energetyczną) przebicie lawinowe (powielanie nośników przez zrywanie wiązań sieci kryształu ) pierwotny elektron duże napięcie - elektron uzyskuje dużą energię - przebicie małe napięcie - brak przebicia pierwotny elektron +3 dziury 1+3 elektrony E pole elektryczne E Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
21 Dioda Zenera stabilizująca napięcie Pracuje przy polaryzacji zaporowej w zakresie przebicia, z rezystorem R s tworzy układ stabilizatora napięcia V 0 =V z V z = napięcie Zenera (przebicia) I zm - max. prąd Zenera V z = const. I zm Duże tętnienia (zmiany napięcia) Napięcie wejściowe Source: B.G.Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall. Układ stabilizatora napięcia R s Małe tętnienia Napięcie wyjściowe _ V z 3.3 V 5 V 6.3 V 9.1 V 12 V 15 V 24 V 91 V + przykładowo BZX85C9V1 BZX85B12 tolerancja: C - 5% B - 2%
22 Fotodioda struktura i charakterystyki I-U Absorpcja fotonów w strukturze diody p-i-n region i poszerza obszar złącza z wbudowanym polem elektrycznym symbol Charakterystyka I-V oświetlonej diody hv fotony k. zaporowy praca fotodiody G - strumień fotonów k. przewodzenia self -biased ogniwo fotowoltaiczne Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
23 Mechanizm absorpcji fotonów absorpcja fotonów pole el. profil generowane nośniki obszar zubożony złącza z polem elektrycznym - współczynnik absorpcji danego materiału, jest funkcją długości fali świetlnej 0 Source: T. Mouthaan, Semiconductor Devices Explained, John Willey&Sons.
24 Krawędź absorpcji w półprzewodniku Widmo optyczne i krawędź absorpcji λ G dla różnych półprzewodników λ G [ m]=1.24/e g [ev] UV IR - podczerwień GaN AlGaAs InGaAs Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
25 Ogniwo słoneczne (solar cell) Ogniwo polaryzuje się samo w kierunku przewodzenia - na skutek oświetlenia. Jest źródłem mocy elektrycznej, a ściślej zamienia energię fotonów na energię elektryczną. V oc napięcie rozwartego ogniwa I sc prąd zwartego ogniwa Charakterystyka I-V diody oświetlonej V oc G - strumień fotonów - fotoprąd V oc I sc Złącze oświetlone: polaryzacja przewodzenia: V>0, lecz I<0 czyli P= I U < 0 - źródło mocy k. zaporowy fotodioda P>0 P<0 Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp. I sc k. przwodz. ogniwo słoneczne
26 Ogniwo słoneczne (solar cell) - pojedyncze złącze p-n Praca ogniwa słonecznego Punkt pracy - maks. mocy elektrycznej Widmo słoneczne: AM1 - poza atmosferą AM średnio na Ziemi P=100mW/cm 2 slope 1/R load Sprawność ogniwa: V m R load I m = [%} = 5% amorficzne = 10% polikrystaliczne = 20% monokrystaliczne = 35% hetrostruktura wielozłączowa = 40% skoncentrowane oświetlenie P in = P słońca FF wsp. wypełnienia (fill factor) charakterystyki I-V Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
27 Złącze metal półprzewodnik (dioda Schottky ego) Typ 1: złącze Schottky ego kontakt prostujący - dioda A metal K półprzewodnik Typ 2: kontakt omowy - o małej oporności R Pol. przewodzenia Pol. zaporowa przepływ elektronów gaz elektronów w metalu półprzewodnik typu-n dioda Schottky dioda p-n -prąd nasycenia - termoemisji wewn. ( z metalu do pp.) mniejsze napięcie kolana - mniejsza moc strat Source: Source: B.G.Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall. Dioda Schottky: małe pojemności - doskonała do pracy w.cz. oraz b.w.cz. (mikrofale) Source: J. Singh, Semiconductor Devices, John Willey&Sons
28 Układy prostownika prostownik 1-połówkowy prostownik 2-połówkowy Source: G.Rizzoni, Fundamentals of Electrical Eng., McGraw-Hill
29 Układ prostownika z filtrem układ mostka prostowniczego (mostek Graetz a) filtr wygładzający napięcie 1k R L 1k R L Source: G.Rizzoni, Fundamentals of Electrical Eng., McGraw-Hill
30 Układ zasilacza ze stabilizacją napięcia (constant voltage power supply) Prostownik z filtrem wygładzającym napięcie Układ zasilacza dc Stabilizator napięcia (z d. Zenera) duże tętnienia małe tętnienia V z = const. R s Input voltage Output voltage I zm Source: G.Rizzoni, Fundamentals of Electrical Eng., McGraw-Hill
31 Diody elektroluminescencyjne - LED Konstrukcje diod emitujących światło białe Schematy konstrukcji diody LED: konstrukcja diody zastosowana w ITME (a), konstrukcja wysokiej mocy diody, obecnie stosowana w przemyśle (b) luminofor RGB luminofor żółty Schemat obrazujący konstrukcje diod umożliwiających otrzymywanie światła białego [101] niebieska M. Rudziński, M. Wesołowski, W. Strupiński, Niebieskie, zielone i białe emitery światła wytwarzane z półprzewodników AIII-BN, Przegląd Elektrotechniczny, 7, 2014
32 Diody dla różnych zastosowań Podstawowe rodzaje diod i ich symbole d. Zenera stabilizatory napięcia, diody referencyjne d. uniwersalne (prostownicze, przełączające) d. elektroluminescencyjne, LED wyświetlacze, wskaźniki, lampy, oświetlenie, (także diody laserowe) d. pojemnościowe, układy dostrajane LC d. Schottky ego (metal - pp) prostowniki, przełączniki, detektory, układy mikrofalowe fotodiody fotodetektory, fotoogniwa
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 4
Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoI. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA
1 I. DIODA LKTROLUMINSCNCYJNA Cel ćwiczenia : Pomiar charakterystyk elektrycznych diod elektroluminescencyjnych. Zagadnienia: misja spontaniczna, złącze p-n, zasada działania diody elektroluminescencyjnej
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoDiody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)
Diody i tranzystory - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) bipolarne (NPN i PNP) i polowe (PNFET i MOSFET), Fototranzystory i IGBT (Insulated
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 8 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe cz II
Diody półprzewodnikowe cz II pojemnościowe Zenera tunelowe PIN Schottky'ego Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Politechniki Wrocławskiej TUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki = f(u) złącza p-n.. Zagadnienia do samodzielnego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław ynowiec, Bogusław
Bardziej szczegółowoWykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe
Wykład 7 Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Złącze p-n Złącze p-n Tworzy się złącze p-n E Złącze po utworzeniu Pole elektryczne na styku dwóch półprzewodników powoduje, że prąd łatwo
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoĆwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA
Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo
Bardziej szczegółowoBADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 70 Electrical Engineering 2012 Bartosz CERAN* BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH W artykule przedstawiono model matematyczny modułu fotowoltaicznego.
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 6
Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowo4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.
4. Diody 1 DIODY PROSTOWNICE Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. jawisko prostowania: przepuszczanie przez diodę prądu w jednym kierunku, wtedy gdy chwilowa polaryzacja diody jest
Bardziej szczegółowo1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza
Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,
Bardziej szczegółowoCzęść 1. Wprowadzenie. Przegląd funkcji, układów i zagadnień
Część 1 Wprowadzenie Przegląd funkcji, układów i zagadnień Źródło energii w systemie fotowoltaicznym Ogniwo fotowoltaiczne / słoneczne photovoltaic / solar cell pojedynczy przyrząd półprzewodnikowy U 0,5
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowo1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.
1 V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoV. Fotodioda i diody LED
1 V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod elektroluminescencyjnych. Wyznaczenie zależności prądu zwarcia i napięcia rozwarcia fotodiody od
Bardziej szczegółowoIV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego
1 V. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności fotoprądu zwarcia i fotonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii słonecznej.
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoPÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.
PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową. 1 Półprzewodniki Półprzewodniki to ciała stałe nieorganiczne lub organiczne o przewodnictwie
Bardziej szczegółowoRys.2. Schemat działania fotoogniwa.
Ćwiczenie E16 BADANIE NATĘŻENIA PRĄDU FOTOELEKTRYCZNEGO W ZALEŻNOŚCI OD ODLEGŁOŚCI ŹRÓDŁA ŚWIATŁA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie zależności natężenia prądu generowanego światłem w fotoogniwie od odległości
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoV. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA
1 V. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA Cel ćwiczenia : Pomiar charakterystyk elektrycznych diod elektroluminescencyjnych. Zagadnienia: Emisja spontaniczna, złącze p-n, zasada działania diody elektroluminescencyjnej
Bardziej szczegółowoFotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor
Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoInstytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka
Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa
Ćwiczenie 123 Ćwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa Cel ćwiczenia Poznanie własności warstwowych złącz półprzewodnikowych typu p-n. Wyznaczenie i analiza charakterystyk stałoprądowych dla różnych typów
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoBase. Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000
Złącze p-n Base Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000 Dyfuzja aż do stanu równowagi 6n+3p+6D Dipol ładunku elektrycznego 6p+3n+6A Pole elektryczne Nadmiarowe nośniki mniejszościowe
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK
Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika
Bardziej szczegółowoWykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoWykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Bardziej szczegółowoRys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)
Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE
Ćwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe rodzaje diod półprzewodnikowych................... 3 2.1.1 Dioda
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoE12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa
1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest poznanie podstaw zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną, zasad działania fotoogniwa oraz wyznaczenie jego podstawowych
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoFotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał
FOTODETEKTORY Fotodetektory Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał - detektory termiczne, wykorzystują zmiany temperatury
Bardziej szczegółowoWidmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka
dealna charakterystyka prądowonapięciowa złącza p-n ev ( V ) = 0 exp 1 kbt Przebicie złącza przy polaryzacji zaporowej Przebicie Zenera tunelowanie elektronów przez wąską warstwę zaporową w złączu silnie
Bardziej szczegółowoZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE
ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE, WEWNETRZNE I ICH RÓŻNE ZASTOSOWANIA ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE Światło padając na powierzchnię materiału wybija z niej elektron 1 ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowoDIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych
Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie
Bardziej szczegółowoOptyczne elementy aktywne
Optyczne elementy aktywne Źródła optyczne Diody elektroluminescencyjne Diody laserowe Odbiorniki optyczne Fotodioda PIN Fotodioda APD Generowanie światła kontakt metalowy typ n GaAs podłoże typ n typ n
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe - przypomnienie
Układy nieliniowe - przypomnienie Generacja-rekombinacja E γ Na bazie półprzewodników γ E (Si)= 1.14 ev g w.8, p.1 Domieszkowanie n (As): Większościowe elektrony pasmo przewodnictwa swobodne elektrony
Bardziej szczegółowoĆwiczenie Nr 5. Badanie różnych konfiguracji modułów fotowoltaicznych
Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Fotowoltaiki Ćwiczenie Nr 5 Badanie różnych konfiguracji modułów fotowoltaicznych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie
Bardziej szczegółowoZłożone struktury diod Schottky ego mocy
Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura
Bardziej szczegółowoIX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski
IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski 1 1 Dioda na złączu p n Zgodnie z wynikami, otrzymanymi na poprzednim wykładzie, natężenie prądu I przepływającego przez złącze p n opisane jest wzorem Shockleya
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[
Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z diodami półprzewodnikowymi poprzez pomiar ich charakterystyk prądowonapięciowych oraz jednoczesne doskonalenie techniki pomiarowej. Zakres ćwiczenia
Bardziej szczegółowoWykład VIII. Detektory fotonowe
Wykład VIII Detektory fotonowe Półprzewodnik w polu elektrycznym dep F dx dv e ( x) ( e) dx dv ( x) dx ( x) const c V cx E p cex Detektory fotoprzewodzące ( t) q[ n( t) p( t) ] n p n p g op n ( t) qg op
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowo6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE
6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy optoelektroniczne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne Są one elementami sterowanymi natężeniem
Bardziej szczegółowo4. DIODY 4.1. WSTĘP 4.2. DIODY PROSTOWNICZE
4. DIODY 4.1. WSTĘP Diodą nazywamy element dwukońcówkowy składający się z bryły półprzewodnika mającego złącze p-n, zamknięty w obudowie z wyprowadzeniami elektrycznymi osobno z obszaru typu p i obszaru
Bardziej szczegółowoBadanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II
1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Bardziej szczegółowoLaboratorium Półprzewodniki Dielektryki Magnetyki Ćwiczenie nr 2 Badanie złącz Schottky'ego metodą C-V
Laboratorium Półprzewodniki Dielektryki Magnetyki Ćwiczenie nr 2 Badanie złącz Schottky'ego metodą C-V I. Zagadnienia do przygotowania: 1. Pojęcia: obszar zubożony bariera Schottky'ego 2. Modele pasmowe
Bardziej szczegółowoUNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja
UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej
Bardziej szczegółowoElektrotechnika I stopień (I stopień / II stopień) ogólnoakademicki (ogólno akademicki / praktyczny) stacjonarne (stacjonarne / niestacjonarne)
Załącznik nr 7 do Zarządzenia Rektora nr 10/12 z dnia 21 lutego 2012r. KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu Nazwa modułu Podstawy elektroniki 1 Nazwa modułu w języku angielskim Fundamentals of Electronics
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowo