Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Wzmacniacze mocy. Wrocław Wzmacniacze mocy
|
|
- Dominik Kwiecień
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Wzmacniacze mocy Wrocław 009 Wzmacniacze mocy Wzmacniaczem mocy nazywamy układ elektroniczny, którego zadaniem jest dostarczenie do obciążenia nie zniekształconego sygnału o odpowiednio dużej, elektrycznej, mocy użytecznej. Najważniejszymi parametrami wzmacniaczy mocy są: - LMAX - maksymalna moc wyjściowa przy nominalnym obciążeniu, - h zniekształcenia nieliniowe (harmoniczne) układu, i zniekształcenia intermodulacyne (TM) przy dużych sygnałach, - zniekształcenia liniowe związane z pasmem wzmacniacza (f d i f g ) przy małych sygnałach - η sprawność energetyczna.
2 odzaje Ze względu na rodzaj użytego elementu aktywnego: - zbudowane w oparciu o tranzystory bipolarne - zbudowane w oparciu o tranzystory MOS - wykorzystujące scalone wzmacniacze mocy Ze względu na klasę pracy elementu aktywnego: A, AB, B, C, D, E... Ograniczenia elementu aktywnego Cmax max moc strat wynikająca z możliwości rozproszenia średniej mocy wydzielonej w tranzystorze przy maksymalnej temperaturze struktury tranzystora nasycenie tranzystora krytyczna moc drugiego przebicia dopuszczalna moc strat przy dużych CE defekt struktury w obszarze bazy stopienie półprzewodnika CEmax
3 Odprowadzenie ciepła z tranzystora mocy Cieplny schemat zastępczy tranzystora (wymiana ciepła między tranz. a otoczeniem) C max T j max T thj C C T jmax temperatura półprzewodnika T C temperatura obudowy thj-c rezystancja termiczna półprzewodnik - obudowa Odprowadzenie ciepła z tranzystora mocy ezystancja termiczna T th ojemność cieplna C th Q T T różnica temperatur pomiędzy ośrodkami odprowadzana moc Q przyrost energii cieplnej zmagazynowanej w danym obszarze przy danej różnicy temperatur 3
4 Odprowadzenie ciepła z tranzystora mocy Aby temp. złącza nie przekroczyła T jmax, przy max temp. otoczenia T a musi być spełniony warunek: T max T j max T a max th C max T T j a C ( + ) thj C thc r + thr a ezystancja cieplna radiatora: thr a T j max T C max a max thj C thc r Odprowadzenie ciepła z tranzystora mocy Ze względów ekonomicznych stosuje się możliwie małe radiatory. Dlatego konieczne jest zastosowanie bardzo dobrej temperaturowej stabilizacji punktu pracy tranzystora ponieważ: 0 T β co powoduje zniszczenie tranzystora. C C T o zastosowaniu stabilizacji temperaturowej: T β 0 (ujemne sprzężenie zwrotne) BQ C C T 4
5 Klasa A kąt przepływu Bezpośrednie włączenie L w obwód C ma ograniczone zastosowanie praktyczne (składowa stała w obc., mała sprawność). Wzm. ten może jednak stanowić odniesie dla porównania innych rozwiązań. Klasa A Największą moc Cmax wydzieloną na rezystancji obciążenia L otrzymuje się dla punktu pracy tranzystora: CEQ CQ C max ezystancja obciążenia optymalna prosta pracy styczna do hiperboli mocy: CEQ CEQ Lopt CQ CQ CQ 4C max Moc sygnału na obciążeniu, przy u CE ( t) + L CEQ cm L cm sinωt 5
6 Klasa A cm cm L ξ CEQ cm CEQ min ξ ξ CEQ CEQ Współczynnik wykorzystania napięcia: cm min - max amplituda wy CEQ L + r Maksymalną moc wydzieloną na obciążeniu wyrażamy: C max L max ξ L CES Klasa A Sprawność energetyczna wzmacniacza η L max D gdzie: D C max -średnia moc dostarczona ze źródła rzy pominięciu napięcia nasycenia tranzystora: C max L max ηmax 5% 4 Mała sprawność duże straty dla prądu stałego: LDC CQ L 6
7 zrodla CQ L L obciazenia ul( t) il ( t) sin ωt sin ωt srednia L srednia 8 L obciazenia zrodla 4 5%!!!!!!!! Klasa A ze sprzęż.trafo. Wady zastosowania transformatora: - ograniczenie pasma przenoszonych sygnałów - wprowadzenie zniekształceń nieliniowych ze względu na nieliniowość krzywej magnesowania - duże rozmiary i ciężar - wysoka cena Zastosowanie gdy potrzeba odizolowania obciążenia. galwanicznego 7
8 Klasa B Kąt przepływu prądu wynosi π oznacza to, że T przewodzi tylko przez połowę okresu sygnału wejściowego. Z tego powodu wzm.klasy B budowane są najczęściej jako tzw. układy symetryczne (przeciwsobne) T, z których każdy przewodzi tylko w jednej połówce okresu. W przeciwsobnym połączeniu T, p.p. leżą w pobliżu odcięcia prądu dzięki temu moc tracona w T przy braku sterowania jest b.mała w przeciwieństwie do klasy A. Wzm. w klasie B ma dużo większą sprawność przy pełnym wysterowaniu (moc zależy od wysterowania). Klasa B cm C max CQ C max cm CEQ min ξ ξ CEQ Współczynnik wykorzystania napięcia: ξ min CEQ 8
9 Klasa B Moc wyjściowa wzmacniacza przy pełnym wysterowaniu: L max cm D max cm ξ Maksymalna moc dostarczona do wzmacniacza: Gdzie prąd średni (przeb. sinus.) jest wyrażony: o przekształceniach: sr CEQ C max C cm CQ sr π π π D max π max C max ( C max CQ ) C max π Klasa B Sprawność energetyczna wzmacniacza η L max max D max W przypadku pominięcia CEsat tranzystorów: η π 4 max π ξ % W rzeczywistości sprawność wynosi %. Maksymalna moc tracona w tranzystorach: C max π CEQ C max π C max 9
10 Klasa B Wadą wzm. są zniekształcenia skrośne wynikające z nieliniowości ch-yk wej.t. Zniekształcenia te są szczególnie widoczne dla małych amplitud sygnału wejściowego. Z tego powodu wzm. klasy B (w podstawowej strukturze) nie są stosowane jako wzmacniacze audio. Klasa AB Aby znaczne zmniejszyć zniekształcenia skrośne wstępnie polaryzuje się T aby ustawić spoczynkowe prądy B i C. Zazwyczaj wymusza się niewielki prąd CQ rzędu kilku procent Cmax.. Gdy rośnie CQ maleją zn.skr. oraz spr.energ. Dlatego dobór CQ jest kompromisem. Klasa AB jest pośrednia między A i B a kąt przepływu mieści się w granicach: π < θ < π 0
11 Klasa AB Diody D wprowadzone do układu powinny pracować w tych samych warunkach termicznych co T (zmiana D i BE f(t) jest taka sama). W układach scalonych możliwe uzyskanie 00% sprzężenia termicznego. Dla układów dyskretnych stosuje się dodatkowe SZ dla każdego T. Klasa AB
12 Klasa AB We wzm. większej mocy w celu zmniejszenia wymaganego WE stopnia mocy zamiast pojedynczych T stosuje się ukł. Darlingtona uzyskując znaczne wzmocnienie prądowe. Wada układu kompensacja czterech napięć BE. Eliminacja problemu przepływ prądu spoczynkowego tylko przez tranzystory T i T (, 0.4V) Klasa AB tranzystory MOS Zalety zastosowania tranzystorów MOS: - większa szybkość działania - mniejszy wpływ temperatury na parametry tranzystora lepsza stabilność temperaturowa prądu spoczynkowego wzmacniacza mocy - duża impedancja wejściowa - dobra liniowość charakterystyk przejściowych dla dużych prądów
13 Klasa AB ograniczenie prądowe onieważ wzm. mocy ze względy na małą WY można łatwo przeciążyć i uszkodzić, celowe jest stosowanie organiczników WE. Ograniczenie działa gdy zaczynają przewodzić D3 lub D4. Wówczas spadek na lub nie może wzrosnąć. + Wy max D3 BE 0.7V ( n ) 3 Wy max D4 BE 0.7V ( n ) 4 Klasa AB ograniczenie prądowe Gdy spadek na lub przekroczy 0,7V zaczyna przewodzić odpowiednio T3 lub T4. Ograniczy to wzrost prądu bazy T lub T Ogranicznik ogranicza WY do poziomu: + Wy max BE3 Wy max BE 4 3
14 Wtórniki wyjściowe olaryzacja stopnia mocy ustalenie klasy AB sprzężenie termiczne + BE olaryzacja wstępna - prąd spoczynkowy 4
15 Zakres napić wyjściowych + V + 3 5V +V ( + V 3V ) ( V + V ) u out 3 V 3 5V V Klasa AB ukł.sterujące (przedwzmacniacze) We wzm. występują również zniekształcenia skrośne aby je eliminować stosuje się -SZ. W tym celu przed stopniem WY włącza się układ sterujący wzmacniający napięcie (przedwzmacniacz) i obejmuje obie części układu SZ ( 7, 8 ). 5
16 Klasa AB ukł.sterujące (przedwzmacniacze) Stopień WY jest sterowany ze źródła T 3, który wtóruje C6. ara T 6 i T 5 wzmacnia napięcie. obc wzm.różn. Jest stosunkowo dużą (równoległe połączenie źródłat3, źródłat4, wet, wet ). Wzmocnienie napięciowe całego układu: K f ail to rail na wyjściu 6
17 Sziklai output amplifier Katy przepływu w zależności od klasy 7
18 Klasa C rzy przejściu od klasy A do kolejnych, wzrasta sprawność energetyczna i stopień mocowego wykorzystania tranzystora, lecz zwiększają się zniekształcenia nieliniowe tranzystora. Z tego względu jako wzmacniacze akustyczne (o małej częstotliwości) stosowane są tylko klasy A, AB i B. Klasa C duże zniekształcenia, sprawność teoretycznie 00% dla kąta θ dążącego do zera (praktycznie - 80%). Zastosowanie tylko w selektywnych wzm. mocy wielkiej f, w układach powielaczy f, w stopniach końcowych nadajników radiowych, itp. Klasa C Wzmacniacze selektywne Wzmacniają sygnał w wąskim paśmie w około f 0. owinny mieć ch-yki selektywne idealnie w kształcie prostokąta. Odstępstwo ch-yki rzeczywistej od idealnej określa się tzw. Współczynnikiem prostokątności, który jest miarą selektywności wzmacniacza. f p f 0 8
19 Klasa C Wzmacniacze selektywne Ze względy na rodzaj stosowanego obwodu selektywnego rozróżnia się wzmacniacze: - z obwodami rezonansowymi LC, - z pasmowymi filtrami ceramicznymi, - z filtrami C włączonymi w obwód -SZ Klasa C Wzmocnienie K dla WE zależy od obc w tym przypadku od impedancji obwodu rezonansowego, który zależy od f. W związku z tym K będzie zależało od f i największe będzie dla f 0 rezonansowej. f 0 LC π asmo wzmacniacza f będzie zależało od dobroci obwodu rezonansowego. f Q 0 f Q r L L C r L szeregowa rezystancja strat indukcyjności Dla wzmacniacza z jednym obwodem rezonansowym współczynnik prostokątności p 0,. 9
20 Klasa C kład z dwoma obwodami rezonansowymi sprzężonymi trafo. stosowany w sprzęcie TV. Kształt chyki amplitudowej oraz szerokość pasma zależy głównie od wsp. sprzężenia obwodów rezonansowych. M k L L M indukcyjność wzajemna Jeśli oba obwody rezonansowe mają te same f 0 i Q to dla k/q (optymalny wsp.) uzyskuje się max płaską ch-kę amplitudową o szerokości pasma: f0 f Q Dla tego układu p 0,3 Klasa C Wzmacniacz z obwodem rezonansowym i filtrem ceramicznym. Ch-ka amplitudowa ściśle zależy od właściwości transmisyjnych filtru (jego struktury). Szeroko stosowane jako wzmacniacze pośredniej częstotliwości w odbiornikach radiowych i telewizyjnych 0
21 Klasa D we Modulator szerokości impulsu (WM) kład całkujący L wy Wzmacniacze impulsowe. WE zamieniane jest na impulsy, których szerokość jest wprost proporcjonalna do wyniku pomiaru próbki sygnału, dokonywanego z częstotliwością ponad-akustyczną (od 00 do 500 khz). mpulsy te są wzmacniane przez stopień mocy, a następnie wygładzane i filtrowane za pomocą filtrów o dużym nachyleniu charakterystyki. Sprawność około 90%. Mała wrażliwość na zmiany temperatury. Dla tranzystora o CMAX 5W wzmacniacz pracujący w klasie A może osiągnąć LMAX.5 W. Natomiast wzmacniacz w klasie D zbudowany w oparciu o ten sam tranzystor pozwala osiągnąć moc wyjściową z zakresu (50-600) W. Ograniczenia: duże zniekształcenia nieliniowe, aliasing. Klasa D rzebieg napięć w poszczególnych pkt. układu
22 nne wzmacniacze mocy Klasa T w przeciwieństwie do klasy D zastosowano tu cyfrowy układ inteligentnie dostosowujący sposób próbkowania do charakteru sygnału, parametrów stopnia wyjściowego i wielu innych czynników. To sprawia, że od wzmacniaczy w klasie T możemy oczekiwać lepszej jakości dźwięku niż w przypadku wzmacniaczy pracujących w klasie D, gdzie proces próbkowania pozostawał bez zmian. Klasa G i H wzmacniacze o najwyższej mocy - do 5000 watów na kanał. dea sprowadza się do założenia,że wzm.nie potrzebuje dużego napięcia zasilania przez cały czas, a jedynie podczas przetwarzania sygnałów o dużej amplitudzie. Z analizy typowych przebiegów audio wynika, że sygnały takie stanowią 50% całości sygnałów przetwarzanych przez aparaturę nagłaśniającą. kładu załącza zatem większe napięcie zasilania tylko wtedy, gdy sygnał wejściowy wzrośnie powyżej pewnej wartości. Wzm. te pozwalają na zwiększenie sprawności (zmniejszenie wydzielanego ciepła) i redukcję kosztów (mniejsze wymagania odnośnie radiatorów chłodzących i tranzystorów mocy). nne wzmacniacze mocy Klasa E Wzmacniacze pracują w zakresie od kilkuset khz do kilku GHz, przy czym ich moc wyjściowa wynosi od setek miliwatów do kilkudziesięciu kilowatów. Z technicznego punktu widzenia, układy te nie są klasycznymi wzmacniaczami (gdyż napięcie wyjściowe nie odwzorowuje liniowo napięcia wejściowego), lecz przetwornicami DC/AC, w których kluczowanie napięcia wyjściowego przebiega w rytm przebiegu wejściowego. Bardzo wysoka sprawność, powtarzalność konstrukcji, niski koszt elementów i prostota układowa spowodowały, że w pewnych obszarach zastosowań, z powodzeniem wypierają klasyczne wzmacniacze mocy. Cechą szczególną jest możliwość regulacji mocy wyjściowej przez zmianę napięcia zasilania.
23 Zapamiętać klasa A, B, C, AB, D Stopień wyjściowy w klasie AB wzmacniacz mocy w całości (schemat) i rozróżnienie poszczególnych bloków funkcjonalnych globalne sprzężenie zwrotne obwód rezonansowy częstotliwość dobroć, pasmo 3
Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Wzmacniacze mocy
Wzmacniacze mocy Wrocław 2013 Wzmacniacze mocy Wzmacniaczem mocy nazywamy układ elektroniczny, którego zadaniem jest dostarczenie do obciążenia nie zniekształconego sygnału o odpowiednio dużej, elektrycznej,
ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...
Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy
11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
WZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe.
WZMACACZE MCY Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. Wymagania i klasyfikacja uzyskanie małej rezystancji wyjściowej aby dostarczyć
1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.
Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu
Układy zasilania tranzystorów
kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Temat: Wzmacniacze selektywne
Temat: Wzmacniacze selektywne. Wzmacniacz selektywny to układy, których zadaniem jest wzmacnianie sygnałów o częstotliwości zawartej w wąskim paśmie wokół pewnej częstotliwości środkowej f. Sygnały o częstotliwości
Wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych
Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych Mgr inż. Łukasz Kirchner Lukasz.kirchner@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/lkirchner Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill kłady półprzewodnikowe.tietze,
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Wzmacniacze selektywne Filtry aktywne cz.1
Wzmacniacze selektywne Filtry aktywne cz.1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacze selektywne
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego
Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Stabilizatory impulsowe
POITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ EEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory impulsowe 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Przekształtnik obniżający 4. Przekształtnik
Liniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o
Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny
Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax
Zasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Układy akwizycji danych. Komparatory napięcia Przykłady układów
Układy akwizycji danych Komparatory napięcia Przykłady układów Komparatory napięcia 2 Po co komparator napięcia? 3 Po co komparator napięcia? Układy pomiarowe, automatyki 3 Po co komparator napięcia? Układy
12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych
. Zasilacze Wojciech Wawrzyński Wykład z przedmiotu Podstawy Elektroniki - wykład Zasilacz jest to urządzenie, którego zadaniem jest przekształcanie napięcia zmiennego na napięcie stałe o odpowiednich
Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Liniowe układy scalone. Filtry aktywne w oparciu o wzmacniacze operacyjne
Liniowe układy scalone Filtry aktywne w oparciu o wzmacniacze operacyjne Wiadomości ogólne (1) Zadanie filtrów aktywnych przepuszczanie sygnałów znajdujących się w pewnym zakresie częstotliwości pasmo
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Dr inż. Adam Klimowicz konsultacje: wtorek, 9:15 12:00 czwartek, 9:15 10:00 pok. 132 aklim@wi.pb.edu.pl Literatura Łakomy M. Zabrodzki J. : Liniowe układy scalone
Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego
Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Wzmacniacz operacyjny zastosowania liniowe. Wrocław 2009
Wzmacniacz operacyjny zastosowania linio Wrocław 009 wzmocnienie różnico Pole wzmocnienia 3dB częstotliwość graniczna k D [db] -3dB 0dB/dek 0 db f ca f T Tłumienie sygnału wspólnego - OT ins M[ V / V ]
Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12
PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu
Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach
Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika Elementy sygnalizacyjne Wejścia logiczne (dwustanowe)
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze
Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy
Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITEHNIKA BIAŁOSTOKA WYDZIAŁ ELEKTRYZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 5. Wzmacniacze mocy Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy AD w elektronice TS1422 380 Opracował:
Wzmacniacz operacyjny
Wzmacniacz operacyjny opisywany jest jako wzmacniacz prądu stałego, czyli wzmacniacz o sprzężeniach bezpośrednich, który charakteryzuje się bardzo dużym wzmocnieniem, wejściem różnicowym (symetrycznym)
Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające Wiadomości podstawowe Budowa wzmacniaczy pośredniej częstotliwości
06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające 1. Jakie są wymagania stawiane wzmacniaczom p.cz.? 2. Jaka jest szerokość pasma sygnału AM i FM? 3. Ile wynosi częstotliwość
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Stabilizatory liniowe (ciągłe)
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory liniowe (ciągłe) 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Stabilizatory parametryczne 4.
Liniowe układy scalone. Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące
Liniowe układy scalone Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące Wzmacniacze o wejściu symetrycznym Do wzmacniania małych sygnałów z różnych czujników, występujących na tle dużej składowej sumacyjnej (tłumionej
BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH
1 ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 14.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest pomiar wybranych charakterystyk i parametrów określających podstawowe właściwości statyczne i dynamiczne
Temat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Laboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Lekcja 21. Temat: Wzmacniacze mocy m.cz.
Lekcja 21 Temat: Wzmacniacze mocy m.cz. Wzmacniacz mocy dostarcza do obciąŝenia wymaganą duŝą moc wyjściową. Wzmacniacz mocy jest końcowym ogniwem wzmacniania sygnału - jeśli wzmacniany sygnał jest słaby
Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Liniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Układy wzmacniaczy operacyjnych z elementami nieliniowymi: prostownik liniowy, ograniczniki napięcia, diodowe generatory funkcyjne układy logarytmujące i alogarytmujące, układy mnożące
Wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Wrocław 2015 Wprowadzenie jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). Wzmacniacz ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne.
III. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Zasilacze: - prostowniki, - filtry tętnień, - powielacze napięcia. Rodzaje transformatorów sieciowych
Zasilacze: - prostowniki, - filtry tętnień, - powielacze napięcia Główne parametry transformatora sieciowego Moc (jednofazowe do 3kW) Znamionowe napięcie wejściowe (np. 3V +% -%) zęstotliwość pracy (np.
Wzmacniacze operacyjne
e operacyjne Wrocław 2018 Wprowadzenie operacyjny jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne. N P E
A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)
A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) Jacek Grela, Radosław Strzałka 17 maja 9 1 Wstęp Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1. Charakterystyka
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Laboratorium elektroniki i miernictwa
Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Budowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Właściwości przetwornicy zaporowej
Właściwości przetwornicy zaporowej Współczynnik przetwarzania napięcia Łatwa realizacja wielu wyjść z warunku stanu ustalonego indukcyjności magnesującej Duże obciążenie napięciowe tranzystorów (Vg + V/n
Generatory drgań sinusoidalnych LC
Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck
STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO. 1. Wiadomości wstępne
STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO 1. Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych granicach:
Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
z 0 0-0-5 :56 PODSTAWY ELEKTONIKI I TECHNIKI CYFOWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie Badanie wzmacniaczy operacyjnych POLITECHNIKA KAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej Kierunek informatyka
Zasilacze sieciowe. Rodzaje transformatorów sieciowych. Główne parametry transformatora sieciowego
Zasilacze sieciowe Główne parametry transformatora sieciowego Moc (jednofazowe do 3kW) Znamionowe napięcie wejściowe (np. 3V +% -%) zęstotliwość pracy (np. 5Hz) Napięcie i prąd wtórny (lub przekładnia)
Projektowanie wzmacniaczy mocy
Projektowanie wzmacniaczy mocy Zaprojektować akustyczny wzmacniacz mocy w oparciu o układ TDA 006. kład powinien posiadać następujące parametry: maksymalną moc wyjściową P Wy 0W przy maksymalnej wartości
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych Wrocław 2009 kłady logarytmjące kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. = k D log = k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania, k D = k
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Przekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc)
Przekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc) Wprowadzenie Sterowanie napięciem przez Modulację Szerokości Impulsów MSI (Pulse Width Modulation - PWM) Przekształtnik obniżający napięcie (buck converter)
Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Prostowniki małej mocy
Prostowniki małej mocy Wrocław 3 Wartość sygnału elektrycznego Skuteczna Wartość skuteczna sygnału (MS oot Mean Square) odpowiada wartości prądu stałego, który przepływając przez o stałej wartości, spowoduje
Demodulowanie sygnału AM demodulator obwiedni
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny Laboratorium Teletechniki Skrypt do ćwiczenia T.12 Demodulowanie sygnału AM demodulator obwiedni 1. Demodulowanie sygnału AM demodulator obwiedni Ćwiczenie to
WSTĘP DO ELEKTRONIKI
WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część VI Sprzężenie zwrotne Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny w układach z ujemnym i dodatnim sprzężeniem zwrotnym Janusz Brzychczyk IF UJ Sprzężenie zwrotne Sprzężeniem
Podzespoły i układy scalone mocy część II
Podzespoły i układy scalone mocy część II dr inż. Łukasz Starzak Katedra Mikroelektroniki Technik Informatycznych ul. Wólczańska 221/223 bud. B18 pok. 51 http://neo.dmcs.p.lodz.pl/~starzak http://neo.dmcs.p.lodz.pl/uep
Laboratorium układów elektronicznych. Wzmacniacze mocy. Ćwiczenie 3. Zagadnienia do przygotowania. Literatura
Ćwiczenie 3 Wzmacniacze mocy Zagadnienia do przygotowania Podstawowe parametry wzmacniaczy mocy Budowa i zasada działania wzmacniacza klasy B (AB) Budowa i zasada działania wzmacniacza mocy klasy D Pojęcia:
Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1
Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie
Motywacje stosowania impulsowych przetwornic transformatorowych wysokiej częstotliwości
Motywacje stosowania impulsowych przetwornic transformatorowych wysokiej częstotliwości Podwyższenie napięcia w dużym stosunku (> 2 5) przy wysokiej η dzięki transformatorowi Zmniejszenie obciążeń prądowych
Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych Wrocław 009 kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. = kd log = k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania, k D = k E ln0 napięcie normjące,
Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4
Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie
Projektowanie i produkcja urządzeń elektronicznych
Projektowanie i produkcja urządzeń elektronicznych AMBM M.Kłoniecki, A.Słowik s.c. 01-866 Warszawa ul.podczaszyńskiego 31/7 tel./fax (22) 834-00-24, tel. (22) 864-23-46 www.ambm.pl e-mail:ambm@ambm.pl
Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
1. Nadajnik światłowodowy
1. Nadajnik światłowodowy Nadajnik światłowodowy jest jednym z bloków światłowodowego systemu transmisyjnego. Przetwarza sygnał elektryczny na sygnał optyczny. Jakość transmisji w dużej mierze zależy od
Ogólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym
1. Definicja sprzężenia zwrotnego Sprzężenie zwrotne w układach elektronicznych polega na doprowadzeniu części sygnału wyjściowego z powrotem do wejścia. Częśd sygnału wyjściowego, zwana sygnałem zwrotnym,
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES