Analiza komputerowa pracy wzmacniacza tranzystorowego jednostopniowego za pomocą programu PSpice wersja EDU.
|
|
- Liliana Milena Kaźmierczak
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Analiza komputerowa pracy wzmacniacza tranzystorowego jednostopniowego za pomocą programu PSpice wersja EDU. ZADANIA DO WYKONANIA: I. Przeprowadzić analizę czasową wzmacniacza klasy A w układzie OE z tranzystorem typu Q2N2222 (pkt. 1) określić współczynnik wzmocnienia napięciowego wzmacniacza. II. Przeprowadzić analizę wpływu temperatury pracy (-70 0 C 125 o C) na przebieg sygnału wyjściowego ze wzmacniacza. Określić współczynnik wzmocnienia napięciowego wzmacniacza dla wybranego zakresu temperatur (pkt. 2). III. Przeprowadzić podstawowa analizę częstotliwościową układu (pkt. 3) okreśłic współczynnik wzmocnienia układu w db oraz pasmo przenoszenia. IV. Przeprowadzić analizę wpływu temperatury pracy (-70 0 C 125 o C) na przebieg charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza. Określić współczynnik wzmocnienia napięciowego wzmacniacza w db oraz pasmo przenoszenia dla wybranego zakresu temperatur (pkt. 4). V. Przeprowadzić analizę stałoprądową DC na otrzymanej charakterystyce określić punkt pracy wzmacniacza (pkt. 5 i 6). VI. Przeprowadzić analizę wpływu pojemności wejściowej układu (C 1 ) na przebieg charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza. Określić współczynnik wzmocnienia napięciowego wzmacniacza w db oraz pasmo przenoszenia dla wybranego zakresu zmian pojemności (pkt. 7). VII. Przeprowadzić analizę wpływu rezystancji emiterowej układu (R 4 ) na przebieg charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza. Określić współczynnik wzmocnienia napięciowego wzmacniacza w db oraz pasmo przenoszenia dla wybranego zakresu zmian rezystancji (pkt. 8). VIII. Przeprowadzić analizę wpływu rezystancji emiterowej układu (R 4 ) na przebieg czasowy sygnału wyjściowego ze wzmacniacza. Określić współczynnik wzmocnienia napięciowego wzmacniacza (pkt. 9). IX. Przeprowadzić analizę wpływu rezystancji ustalającej punkt pracy tranzystora (R 1 ) na przebieg charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza. Określić współczynnik wzmocnienia napięciowego wzmacniacza w db oraz pasmo przenoszenia dla wybranego zakresu zmian rezystancji (pkt. 10). X. Przeprowadzić analizę wpływu rezystancji ustalającej punkt pracy tranzystora (R 1 ) na przebieg czasowy sygnału wyjściowego ze wzmacniacza. Określić współczynnik wzmocnienia napięciowego wzmacniacza (pkt. 11). XI. Przeprowadzić analizę wpływu pojemności wyjściowej układu (C 2 ) na prze- bieg charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza. Określić współczynnik wzmocnienia napięciowego wzmacniacza w db oraz pasmo przenoszenia dla wybranego zakresu zmian pojemności (pkt. 12). XII. DO OPRACOWANIA W DOMU OKREŚLIĆ WPŁYW POJEMNOŚCI EMITEROWEJ NA KSZTAŁT CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWO- ŚCIOWEJ (np. dla C E = µF) ORAZ WPŁYW POJEMNOŚCI SPRZĘGAJĄCEJ KOLEKTOR BAZA NA KSZTAŁT CHARAKTERY- STYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ (np. dla C S = pF). Określić współczynnik THD dla f=1khz. Wyznaczyć charakterystykę wyjściową tranzystora Q2N2222 i zaznaczyć na niej punkt pracy i prosta obciążenia. Określić rezystancję wyjściową i wejściową wzmacniacza. Wyniki zilustrować graficznie. 1
2 UWAGA: PODANY ZAKRES ĆWICZENIA NIE JEST MOŻLIWY DO ZREALIZOWANIA W CYKLU 2-h. NALEŻY WYKONAĆ JE- DYNIE PUNKTY PODANE PRZEZ PROWADZĄCEGO ZAJĘCIA. 1. Analiza podstawowa - czasowa 1. Uruchomić program SCHEMATICS z programu PSpice 2. Wczytać zbiór WT-TRANZYSTOROWY 3. Po wczytaniu winien pojawić się schemat przedstawiony na rys (Uz=30Vdc), Uwe=0.5Vac f=1khz 5. Analiza czasowa układu podstawowego: 1. Uaktywnić SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 2. Wybrać opcje: Bias Point Detal i Transient 2
3 3. Nacisnąć przycisk Transient pojawia się okno ustalające SE- TUP analizy czasowej 4. Po ustawieniu parametrów analizy jak na rysunku naciśnij OK i Close i przejdź do schematu głównego i do analizy Simulate (F11) (rys. 2). Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt. 3
4 2. Analiza podstawowa wpływ temperatury na przebieg sygnału wyjściowego ze wzmacniacza 1. Wczytać plik WT-TEMP-czasowa 2. Uaktywnić SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 3. Wybrać opcje: Bias Point Detal, Transient i Parametrics 4. Nacisnąć przycisk Parametrics i ustawić opcje wg rysunku (analiza dla temperatury (-70, 0, 25, 50, 125 o C) 4
5 5. Opcje analizy czasowej Transient pozostawić bez zmian 6. Po ustawieniu parametrów przejść do analizy wpływu temperatury na przebieg sygnału wyjściowego (rys. 3) 5
6 7. Wydrukować otrzymany wynik analizy ustawiając w opcjach wydruku: wydruk w nagłówku wydruk parametru zmienianego (klawisz #P). 3. Analiza podstawowa charakterystyka częstotliwościowa 1. Wczytać zbiór WT-Podstawowy-czestotliwosciowa 2. Po wczytaniu winien pojawić się schemat przedstawiony na rys Analiza częstotliwościowa układu podstawowego: 6
7 1. Uaktywnić SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 2. Wybrać opcje: Bias Point Detal i AC Sweep 3. Nacisnąć przycisk AC Sweep pojawia się okno ustalające SETUP analizy częstotliwościowej 4. Po ustawieniu parametrów analizy jak na rysunku naciśnij OK i Close i przejdź do schematu głównego i do analizy Simulate (F11) (rys. 5). Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt. 7
8 4. Analiza podstawowa wpływ temperatury na przebieg charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza 1. Wczytać plik WT-TEMP-czestotliwosciowa 2. Uaktywnić SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 3. Wybrać opcje: Bias Point Detal, AC Sweep i Parametrics 8
9 4. Nacisnąć przycisk Parametrics i ustawić opcje wg rysunku (analiza dla temperatury (-70, 0, 25, 50, 125 o C) 5. Opcje analizy częstotliwościowej AC Sweep pozostawić bez zmian 6. Po ustawieniu parametrów przejść do analizy wpływu temperatury na przebieg charakterystyki częstotliwościowej (rys. 6) 9
10 7. Wydrukować otrzymany wynik analizy ustawiając w opcjach wydruku: wydruk w nagłówku wydruk parametru zmienianego (klawisz #P). 5. Analiza stałoprądowa DC 1. Wczytać plik WT-DC (rys.7) 2. Uaktywnić SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 3. Wybrać opcje: Bias Point Detal, DC Sweep 10
11 4. Opcje analizy częstotliwościowej DC Sweep ustawić wg rysunku 5. Po ustawieniu parametrów przejść do analizy Simulate (rys. 8) 11
12 6. Wydrukować otrzymany wynik analizy i po wykonaniu następnego kroku zaznaczyć na nim punkt pracy tranzystora Q1 6. Analiza DC ustalenie napięć i prądów w poszczególnych punktach wzmacniacza: 1. Wczytać plik WT-PODSTAWOWY 2. Uruchomić process symulacji Simalate i po jego wykonaniu zamknąć okno z otrzymanymi wynikami. 3. Na ekranie podstawowym uaktywnić przycisk (V) Enable Bias Voltage Display i (I) Enable Bias Current Dispaly. Na schemacie pojawia się wartości napięć i prądów w poszczególnych punktach układu. Zwrócić uwagę na kierunek prądu emitera tranzystora Q1 i prądu płynącego przez rezystor emiterowy R4. (rys. 9). 12
13 4. Wyliczyć pobór mocy przez wzmacniacz 7. Analiza parametryczna wpływu poszczególnych elementów wzmacniacza na jego charakterystykę częstotliwościową wpływ pojemności wejściowej Wczytać plik WT-PAR-C1-czestotliwosciowa 1. Uaktywnić SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 13
14 2. Wybrać opcje: Bias Point Detal, AC Sweep i Parametric 3. Nacisnąć przycisk AC Sweep pojawia się okno ustalające SETUP analizy częstotliwościowej 4. Nacisnąć przycisk Parametric pojawia się okno ustalające SETUP zadane parametru C1 14
15 5. Po ustawieniu parametrów analizy jak na rysunku naciśnij OK i Close i przejdź do schematu głównego i do analizy Simulate (F11) (rys. 1). Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt ustal graficznie dolna częstotliwość graniczna wzmacniacza w zależności od pojemności kondensatora C1 15
16 8. Analiza parametryczna wpływu poszczególnych elementów wzmacniacza na jego charakterystykę częstotliwościową wpływ rezystancji emiterowej Wczytać plik WT-PAR-R4-czestotliwosciowa 1. Uaktywnić SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 2. Wybrać opcje: Bias Point Detal, AC Sweep i Parametric 3. Nacisnąć przycisk AC Sweep pojawia się okno ustalające SETUP analizy częstotliwościowej 16
17 4. Nacisnąć przycisk Parametric pojawia się okno ustalające SETUP zadane parametru R4 5. Po ustawieniu parametrów analizy jak na rysunku naciśnij OK i Close i przejdź do schematu głównego i do analizy Simulate (F11) (rys. 1). Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt ustal graficznie wzmocnienie wzmacniacza w zależności od rezystancji R4 17
18 9. Analiza parametryczna wpływu rezystancji R4 na charakterystykę czasową układu Wczytać plik WT-PAR-R4-czasowa 1. Uaktywnić SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 18
19 2. Wybrać opcje: Bias Point Detal, Transient i Parametric 3. Nacisnąć przycisk Parametric pojawia się okno ustalające SETUP 4. Nacisnąć przycisk Transient pojawia się okno ustalające SE- TUP 19
20 5. Po ustawieniu parametrów analizy jak na rysunku naciśnij OK i Close i przejdź do schematu głównego i do analizy Simulate (F11) (rys. 1). Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt. 20
21 10. Analiza parametryczna wpływu rezystancji R1 na charakterystykę czasową układu Wczytać plik WT-PAR-R1-czestotliwosciowa 6. Uaktywnić SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 7. Wybrać opcje: Bias Point Detal, AC Sweep i Parametric 8. Nacisnąć przycisk AC Sweep pojawia się okno ustalające SETUP analizy częstotliwościowej 21
22 9. Nacisnąć przycisk Parametric pojawia się okno ustalające SETUP zadane parametru R1 10. Po ustawieniu parametrów analizy jak na rysunku naciśnij OK i Close i przejdź do schematu głównego i do analizy Simulate (F11) Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt. 22
23 11. Analiza parametryczna wpływu rezystancji R1 na charakterystykę czasową układu Wczytać plik WT-PAR-R1-czasowa 12. Uaktywnić SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 23
24 13. Wybrać opcje: Bias Point Detal, Transient i Parametric 14. Nacisnąć przycisk Parametric pojawia się okno ustalające SETUP 15. Nacisnąć przycisk Transient pojawia się okno ustalające SE- TUP 24
25 16. Po ustawieniu parametrów analizy jak na rysunku naciśnij OK i Close i przejdź do schematu głównego i do analizy Simulate (F11). Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt. 12. Analiza parametryczna wpływu poszczególnych elementów wzmacniacza na jego charakterystykę częstotliwościową wpływ pojemności wyjściowej 25
26 Wczytać plik WT-PAR-C2-czestotliwosciowa 17. Uaktywnić SETUP ANALYSIS ( ANALYSIS, SETUP) 18. Wybrać opcje: Bias Point Detal, AC Sweep i Parametric 19. Nacisnąć przycisk AC Sweep pojawia się okno ustalające SETUP analizy częstotliwościowej 26
27 20. Nacisnąć przycisk Parametric pojawia się okno ustalające SETUP zadane parametru C2 21. Po ustawieniu parametrów analizy jak na rysunku naciśnij OK i Close i przejdź do schematu głównego i do analizy Simulate (F11) Po wykonaniu analizy wydrukuj jej efekt 27
28 28
29 Tabela z wynikami obliczeń: TABELA WYNIKÓW 1. U we [V] U wy [V] A u [V/V 2. t [ o C] U we [V] U wy [V] A u [V/V 3. A u [db] f g [Hz] f d [Hz] B [Hz] 4. t [ o C] A u [db] f d [Hz] f g [Hz] B [Hz] 5,6 U B U E U C U CC I B I E I C I CC P [V] [V] [V] [V] [ma] [ma] [ma] [ma] [mw] 7. C we [µf] A u [db] f d [Hz] f g [Hz] B [Hz] 8,9 R E [Ω] A u [db] f d [Hz] f g [Hz] B [Hz] A u [V/V] 29
30 10. R 1 [kω] A u [db] f d [Hz] f g [Hz] B [Hz] A u [V/V] 11. C wy [µf] A u [db] f d [Hz] f g [Hz] B [Hz] ZADANIE DOMOWE 1 C E [µf] A u [db] f d [Hz] f g [Hz] B [Hz] 2 C S [pf] A u [db] f d [Hz] f g [Hz] B [Hz] r we [kω] r wy [kω] THD [%] dla U we =100mV 30
31 31
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 3. Podstawowe układy wzmacniaczy tranzystorowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD
Bardziej szczegółowoBadanie tranzystora bipolarnego
Spis ćwiczeń: Badanie tranzystora bipolarnego Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego 2. Wyznaczanie rezystancji wejściowej 3. Rysowanie charakterystyk
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 2. Układy zasilania tranzystorów. Źródła prądowe. Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Bardziej szczegółowoData wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził:
W O J S K O W A A K A D E M I A T E C H N I C Z N A WYDZIAŁ ELEKTRONIKI Drukować dwustronnie T E C H N I K A O B L I C Z E N I O W A I S Y M U L A C Y J N A Grupa...+++... Nazwisko i imię: 1. 2. 3. Ocena
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoBADANIE FITRÓW AKTYWNYCH PAKIETEM PROGRAMOWYM PSPICE
Zakład Elektroniki I M i I B L a b o r a t o r i u m U k ł a d ó w E l e k t r o n i c z n y c h BADANIE FITRÓW AKTYWNYCH PAKIETEM PROGRAMOWYM PSPICE TEMATYKA ĆWICZENIA WYMAGANE WIADOMOŚCI Wstępne zapoznanie
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE
PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE 1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych diody półprzewodnikowej a) Jakie napięcie pokaże woltomierz, jeśli wiadomo, że Uzas = 11V, R = 1,1kΩ a napięcie Zenera
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1
Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITEHNIKA BIAŁOSTOKA WYDZIAŁ ELEKTRYZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 5. Wzmacniacze mocy Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy AD w elektronice TS1422 380 Opracował:
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6
Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoBadanie układów aktywnych część II
Ćwiczenie nr 10 Badanie układów aktywnych część II Cel ćwiczenia. Zapoznanie się z czwórnikami aktywnymi realizowanymi na wzmacniaczu operacyjnym: układem różniczkującym, całkującym i przesuwnikiem azowym,
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK FILTRÓW BIERNYCH. (komputerowe metody symulacji)
WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK FILTRÓW BIERNYCH (komputerowe metody symulacji) Zagadnienia: Filtr bierny, filtry selektywne LC, charakterystyka amplitudowo-częstotliwościowa, fazowo-częstotliwościowa, przebiegi
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2b. Pomiar napięcia i prądu z izolacją galwaniczną Symulacje układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
Bardziej szczegółowoWzmacniacz tranzystorowy
Wzmacniacz tranzystorowy. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości jednostopniowego, tranzystorowego wzmacniacza napięcia. Wyniki pomiarów parametrów samego tranzystora jak i całego układu
Bardziej szczegółowoZespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
Bardziej szczegółowo2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.
1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.
Bardziej szczegółowoWIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie Stany nieustalone w obwodach liniowych pierwszego rzędu symulacja komputerowa
INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ TEORIA OBWODÓW ELEKTRYCZNYCH LABORATORIUM Ćwiczenie Stany nieustalone w obwodach liniowych pierwszego rzędu symulacja komputerowa Grupa nr:. Zespół nr:. Skład
Bardziej szczegółowoZbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.
Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowo, , ,
Filtry scalone czasu ciągłego laboratorium Organizacja laboratorium W czasie laboratorium należy wykonać 5 ćwiczeń symulacyjnych z użyciem symulatora PSPICE a wyniki symulacji należy przesłać prowadzącemu
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Bardziej szczegółowoPracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne
Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy
Bardziej szczegółowoLaboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych
Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego (USZ) na pracę wzmacniacza operacyjnego WYMAGANIA: 1. Klasyfikacja sprzężeń zwrotnych. 2. Wpływ sprzężenia zwrotnego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia Opracował
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Elektrotechniki. Badanie własności wzmacniaczy napięciowych
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki Badanie własności wzmacniaczy napięciowych Ćwiczenie 2a, 2b Instrukcja do ćwiczeń symulacyjnych (2a) Instrukcja do ćwiczeń sprzętowych (2b)
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)
TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
Badanie diod półprzewodnikowych Proszę zbudować prosty obwód wykorzystujący diodę, który w zależności od jej kierunku zaświeci lub nie zaświeci żarówkę. Jak znaleźć żarówkę: Indicators -> Virtual Lamp
Bardziej szczegółowoLaboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW
Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW SYMULACJA UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Z ZASTOSOWANIEM PROGRAMU SPICE Opracował dr inż. Michał Szermer Łódź, dn. 03.01.2017 r. ~ 2 ~ Spis treści Spis treści 3
Bardziej szczegółowoDynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.
Bardziej szczegółowoProjekt z Układów Elektronicznych 1
Projekt z Układów Elektronicznych 1 Lista zadań nr 4 (liniowe zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych) Zadanie 1 W układzie wzmacniacza z rys.1a (wzmacniacz odwracający) zakładając idealne parametry WO a)
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoL ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych
WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Ćwiczenie składa się z dwóch części:
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI Temat ćwiczenia: Ćwiczenie nr 1 BADANIE MONOLITYCZNEGO WZAMACNIACZA MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚĆI 1. 2. 3. 4. Imię i Nazwisko
Bardziej szczegółowoBadanie diody półprzewodnikowej
Badanie diody półprzewodnikowej Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Wyznaczanie charakterystyki statycznej diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia Rysunek nr 1. Układ do wyznaczania
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 1. Wybrane zastosowania diod półprzewodnikowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego"
Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowoWzmacniacz tranzystorowy
Wzmacniacz tranzystorowy. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości jednostopniowego, tranzystorowego wzmacniacza napięcia. Wyniki pomiarów parametrów samego tranzystora jak i całego układu
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowoRys. 1. Wzmacniacz odwracający
Ćwiczenie. 1. Zniekształcenia liniowe 1. W programie Altium Designer utwórz schemat z rys.1. Rys. 1. Wzmacniacz odwracający 2. Za pomocą symulacji wyznaczyć charakterystyki częstotliwościowe (amplitudową
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI FILTRY AKTYWNE
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 11 FILTRY AKTYWNE DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego
ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia
Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 13 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OB. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OB. Czytanie schematów elektronicznych.
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2015 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 5 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Poznanie konfiguracji zasady pracy wzmacniacza w układzie OE. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OE. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoPROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE
PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE LABORATORIM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia 5 Nazwisko i imię Data wykonania. ćwiczenia. Prowadzący ćwiczenie Podpis Ocena sprawozdania
Bardziej szczegółowoNanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.
Nanoeletronika Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang. Active probe Wydział EAIiE Katedra Elektroniki 17 czerwiec 2009r. Grupa:
Bardziej szczegółowoZastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoSymulacje inwertera CMOS
Rozdział: Przygotowanie środowiska Symulacje inwertera CMOS * punktu opcjonalne 1 Przygotowanie środowiska 1. Uruchom komputer w systemie Linux (opensuse)*. 2. Otwórz konsole wykonując następujące kroki*
Bardziej szczegółowokierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody
Bardziej szczegółowoVgs. Vds Vds Vds. Vgs
Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoL ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1
Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 1/10 2/10 PODSTAWOWE WIADOMOŚCI W trakcie zajęć wykorzystywane będą następujące urządzenia: oscyloskop, generator, zasilacz, multimetr. Instrukcje
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE
Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Cel: Zapoznanie ze składnią języka SPICE, wykorzystanie elementów RCLEFD oraz instrukcji analiz:.dc,.ac,.tran,.tf, korzystanie z bibliotek
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoProjekt z Elektroniki
Projekt z Elektroniki Jan Niezbędny :) Sxxxx WID 2011/2012 Seria 4A dla wszystkich tranzystorów n-p-n proces obliczeń jest taki sam zmieniamy tylko wartości w PSpice i w obliczeniach zad2. Masz pnp masz
Bardziej szczegółowoWydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze
Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoA-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych
A-3. Wzmacniacze operacyjne w kładach liniowych I. Zakres ćwiczenia wyznaczenia charakterystyk amplitdowych i częstotliwościowych oraz parametrów czasowych:. wtórnika napięcia. wzmacniacza nieodwracającego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoL ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTRONIKI zima L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......
Bardziej szczegółowoBadanie właściwości dynamicznych obiektów I rzędu i korekcja dynamiczna
Ćwiczenie 20 Badanie właściwości dynamicznych obiektów I rzędu i korekcja dynamiczna Program ćwiczenia: 1. Wyznaczenie stałej czasowej oraz wzmocnienia statycznego obiektu inercyjnego I rzędu 2. orekcja
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję
Bardziej szczegółowoANALOGOWE I MIESZANE STEROWNIKI PRZETWORNIC. Ćwiczenie 3. Przetwornica podwyższająca napięcie Symulacje analogowego układu sterowania
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoPomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 5 Pracownia Elektroniki Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: wzmacniacz operacyjny,
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych
Liniowe układy scalone Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych 1. Wzmocnienie napięciowe z otwartą pętlą ang. open loop voltage gain Stosunek zmiany napięcia wyjściowego do wywołującej ją zmiany różnicowego
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE ZASILACZE. L a b o r a t o r i u m Elektroniki 2. Zakład EMiP I M i I B
Zakład EMiP I M i I B L a b o r a t o r i u m Elektroniki 2 ĆWICZENIE ZASILACZE TEMATYKA ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości źródeł zasilających: zasilacza niestabilizowanego,
Bardziej szczegółowoEL_w05: Wzmacniacze operacyjne rzeczywiste
EL_w05: Wzmacniacze operacyjne rzeczywiste Budowa zewnętrzna i wewnętrzna wzmacniacza Zasilanie wzmacniaczy Zakresy napięć wejściowych i wyjściowych Parametry statyczne wzmacniaczy operacyjnych Parametry
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych
STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI 2
Cel ćwiczenia: Praktyczne poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy operacyjnych oraz ich możliwości i ograniczeń. Wyznaczenie charakterystyki amplitudowo-częstotliwościowej wzmacniacza operacyjnego.
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Wprowadzenie do programu Multisim
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Wprowadzenie do programu Multisim Ćwiczenie 204 r. . Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSim, który jest wirtualnym
Bardziej szczegółowo2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 14. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia
Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 14 1 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OC. 2. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OC. INSTRUKCJA DO WYKONANIA
Bardziej szczegółowoZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH
ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru charakterystyk
Bardziej szczegółowo