Generatory sinusoidalne

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Generatory sinusoidalne"

Transkrypt

1 Generatory sinusoidalne Instrukcja do ćwiczenia V.1.7 opracowali: dr inż. A. Błonarowicz dr inż. M. Magnuski

2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z zasadą działania budową i właściwościami sprzężeniowych generatorów sinusoidalnych. W trakcie ćwiczenia obserwowane są właściwości typowych generatorów LC pracujących w układach Colpittsa, Hartleya i Meissnera oraz klasycznych generatorów RC pracujących z mostkiem Wiena, czwórnikiem podwójne T ( TT ) i z czwórnikami łańcuchowymi. Opis stanowiska pomiarowego Układ pomiarowy wykorzystywany do badań generatorów tranzystorowych LC pracujących w układach Colpittsa, Hartleya i Meissnera znajduje się w lewej części modelu laboratoryjnego. Widok płyty czołowej sekcji modelu przeznaczonej do badań generatorów LC przedstawiony jest na rysunku 1. Rys. 1. Widok płyty czołowej sekcji modelu przeznaczonej do badań generatorów LC

3 Zastosowane rozwiązanie pozwala badać układy generatorów z tranzystorem pracującym w dowolnej konfiguracji (WE, WB, WC). Poszczególne generatory LC zestawia się z układu aktywnego skonstruowanego z wykorzystaniem tranzystora T i z czwórnika selektywnego w postaci równoległego układu rezonansowego LC. Układy poszczególnych generatorów uzyskuje się poprzez zbudowanie jednoobwodowego wzmacniacza rezonansowego, (nie wprowadzającego przesunięcia fazowego na częstotliwości roboczej) pracującego w wybranym układzie pracy tranzystora i objęcie go pętlą dodatniego sprzężenia zwrotnego (zwarcie wejścia wzmacniacza selektywnego z jego wyjściem). Istnieje również możliwość budowy generatorów złożonych z szerokopasmowego wzmacniacza oporowego i odpowiedniego czwórnika sprzężenia (rzadko stosowanych w praktyce). Zastosowany w modelu układ rezonansowy ma konstrukcję uniwersalną, co objawia się podzieleniem za pomocą odczepów cewki stanowiącej indukcyjność główną obwodu, podzieleniem za pomocą odczepów kondensatora stanowiącego pojemność równoległą obwodu, zastosowaniem stopniowanej cewki sprzęgającej oraz równoległego potencjometru P0 służącego do doboru dobroci Q obwodu. Zastosowanie stopniowania elementów składowych układu rezonansowego pozwala na budowanie z niego czwórnika selektywnego o zmiennej (w zależności od wybranego odczepu cewki czy kondensatora) przekładni, pozwala wybrać rodzaj sprzężenia (dzielnik pojemnościowy, dzielnik indukcyjny, transformator) oraz zmieniać dobroć układu (straty w układzie). Taka konstrukcja układu rezonansowego pozwala budować: wzmacniacze rezonansowe z dopasowaniem obciążenia za pomocą dzielnika pojemnościowego, z których po wprowadzeniu dodatniego sprzężenia zwrotnego powstają generatory Colpittsa, wzmacniacze rezonansowe z dopasowaniem obciążenia za pomocą dzielnika indukcyjnego, z których po wprowadzeniu dodatniego sprzężenia zwrotnego powstają generatory Hartleya, wzmacniacze rezonansowe z transformatorowym dopasowaniem obciążenia, z których po wprowadzeniu dodatniego sprzężenia zwrotnego powstają generatory Meissnera. Zastosowany w modelu układ aktywny jest zbudowany z jednego tranzystora bipolarnego z potencjometrycznym układem polaryzacji bazy wykonanym z rezystora RB1 i potencjometru P1. Potencjometr P1 służy do regulacji prądu kolektora. W emiterze tranzystora znajduje się szeregowe połączenie rezystora RE i potencjometru P2. Potencjometr P2 przewidziany jest do regulacji wzmocnienia. Do ewentualnego wykorzystania jako rezystory kolektorowe przewidziano rezystory RC1, RC2. W celu prowadzenia sygnału oraz zwierania poszczególnych węzłów układu do masy (dla składowej zmiennej) zastosowano kondensatory CB, CE, CC, CG. Schematy ideowe poszczególnych generatorów zamieszczono w tabeli 1.

4 T. 1. Schematy ideowe generatorów LC dla trzech układów pracy (WE,WB, WC) tranzystora bipolarnego Gen. Meissnera Gen. Hartleya Gen. Colpittsa W E W B W C Uwaga! W praktycznych rozwiązaniach generatorów LC nie używa się elementów regulacyjnych do ustalania punktu pracy elementu aktywnego i do ustalania wartości wzmocnienia (w układach tych nie występują żadne potencjometry). Zarówno punkt pracy jak i wzmocnienie ustalane są poprzez precyzyjny dobór wartości rezystancji, stosunków pojemności, stosunków indukcyjności lub przekładni.

5 Układ pomiarowy wykorzystywany do badań generatorów sinusoidalnych RC pracujących z mostkiem Wiena, czwórnikiem TT i z czwórnikami łańcuchowymi znajduje się w prawej części modelu laboratoryjnego. Widok płyty czołowej sekcji modelu przeznaczonej do badań generatorów RC przedstawiony jest na rysunku 2. Rys. 2. Widok płyty czołowej sekcji modelu przeznaczonej do badań generatorów LC Układ pomiarowy składa się z uniwersalnego wzmacniacza zbudowanego z zastosowaniem scalonego wzmacniacza operacyjnego i czterech czwórników sprzężenia zwrotnego: czwórnika Wiena, czwórnika TT, dolnoprzepustowego czwórnika łańcuchowego (3RC) i górnoprzepustowego czwórnika łańcuchowego (3CR). Oba czwórniki łańcuchowe mają możliwość dołączenia dodatkowej sekcji. Zastosowany w układzie wzmacniacz ma konstrukcję pozwalającą na uzyskanie odpowiednich dla poszczególnych czwórników wartości wzmocnienia i przesunięcia fazowego. Wartość wzmocnienia jest regulowana potencjometrem P3. Dla generatora z mostkiem Wiena wejście układu stanowi wejście nieodwracające wzmacniacza operacyjnego, rezystor R1 jest dołączony do masy układu. Rezystor R2 pozostaje odłączony. Dla pozostałych generatorów wejście nieodwracające wzmacniacza operacyjnego dołączone jest do masy układu, a wejście sygnałowe stanowi zacisk rezystora R2. Rezystor R1 pozostaje odłączony.

6 Wzmacniacz jest wyposażony w element nieliniowy wykonany jako dwójnik z diod D1, D2, przeznaczony do stabilizacji amplitudy sygnału wyjściowego, który można dołączyć równolegle do rezystora R3. Poszczególne generatory buduje się dołączając wyjście wybranego czwórnika sprzężenia zwrotnego do wejścia wzmacniacza z jednoczesnym połączeniem wyjścia wzmacniacza do wejścia wybranego czwórnika sprzężenia. Program ćwiczenia Program ćwiczenia jest przedstawiony w formie poleceń, które należy ściśle wykonywać w podanej kolejności. Sprawozdanie z ćwiczenia ma zawierać odpowiedzi na pytania zawarte w treści programu ćwiczenia. 1. Ustawianie statycznego punktu pracy tranzystora Zmontować wzmacniacz rezonansowy w układzie WE zgodnie z rys. 3a Uwaga! Kondensator blokujący zasilanie (dołączony do zacisku zasilania) znajduje się wewnątrz modelu. Ustawić potencjometry: P0 połowa skali; P1 0; P2 połowa skali. Dołączyć sondy oscyloskopowe: CH I do emitera tranzystora, CH II do kolektora tranzystora. Ustawić oscyloskop w obu kanałach: czułość 2V/dz, sprzężenie GND, pozycja dolna krawędź ekranu. Przełącznik sprzężenie w obu kanałach przestawić w pozycję DC. Włączyć zasilanie modelu. Lina CH II (kolektor) powinna pojawić się na środku ekranu, co odpowiada napięciu kolektora 8V. Linia CH I (emiter) powinna pozostać na 0V (tranzystor odcięty). Za pomocą potencjometru P1 można zmieniać położenia linii CH I (napięcie emitera) w zakresie od 0 do 3.2V. Ustawić P1 tak, aby napięcie emitera było równe 2.0V. Uwaga! Nastawy potencjometru P1 nie należy zmieniać przez cały czas trwania ćwiczenia. Rys.3. wzmacniacze rezonansowe, a) w układzie WE, b) w układzie WB 2. Badanie własności wzmacniacza rezonansowego WE Dołączyć generator sygnału sinusoidalnego do bazy tranzystora przez kondensator 1µF (wejście wzmacniacza WE). Ustawić częstotliwość generatora równą częstotliwości rezonansowej obwodu, wyliczonej z danych L 0, C 0. Dobrać poziom sygnału

7 z generatora tak, aby amplituda składowej zmiennej napięcia na kolektorze tranzystora wynosiła 4Vpp. Precyzyjnie skorygować częstotliwość generatora tak, aby uzyskać maksymalną amplitudę składowej zmiennej na kolektorze tranzystora. Dla skorygowanej częstotliwości (rzeczywistej częstotliwości rezonansowej obwodu) ustawić poziom sygnału z generatora tak, aby amplituda składowej zmiennej napięcia na kolektorze wynosiła 8Vpp. Sprawdzić jak zmienia się amplituda składowej zmiennej na kolektorze przy odstrajaniu częstotliwości generatora w górę i w dół od częstotliwości rezonansowej. Wyjaśnić przyczynę. Wyznaczyć pasmo przenoszenia wzmacniacza na podstawie pomiarów dolnej i górnej częstotliwości granicznej, przy której amplituda składowej zmiennej napięcia na kolektorze zmniejsza się o 6dB tzn. z 8Vpp do 4Vpp. Powrócić do rzeczywistej częstotliwości rezonansowej obwodu, przy której uzyskuje się maksymalną amplitudę składowej zmiennej na kolektorze. Zmieniając położenie potencjometru P0 zaobserwować jak zmienia się amplituda składowej zmiennej na kolektorze. Wyjaśnić przyczynę. Powrócić do nastawy P0 w połowie skali. Zmieniając położenie potencjometru P2 zaobserwować jak zmienia się amplituda składowej zmiennej napięcia na kolektorze. Wyjaśnić przyczynę. Powrócić do nastawy P2 w połowie skali. Zwiększając poziom sygnału z generatora doprowadzić do stanu, w którym minimalna wartość napięcia na kolektorze osiąga wartość napięcia na emiterze 2V (tranzystor nasyca się U CE =0). Maksymalna wartość napięcia na kolektorze osiąga wówczas 13 14V, a więc jest większa od napięcia zasilania prawie 2 razy. Powrócić do amplitudy 8Vpp składowej zmiennej na kolektorze. 3. Ustawianie warunku generacji w układzie WE Odłączyć sondy oscyloskopowe od emitera i kolektora tranzystora. Sondę CH I podłączyć do wejścia wzmacniacza (równolegle z generatorem sygnałowym). Sondę CH II podłączyć do cewki sprzęgającej obwodu rezonansowego: masa do zacisku 0.000, gorący do zacisku W obu kanałach oscyloskopu ustawić: czułość 0.1V/dz, sprzężenie AC, pozycja środek ekranu. Zaobserwować jak zmienia się amplituda i faza obu sygnałów przy niewielkim odstrajaniu od częstotliwości rezonansowej. Powrócić do częstotliwości rezonansowej. Pozostawiając masę sondy oscyloskopowej na zacisku cewki sprzęgającej, dołączać przewód gorący do innych zacisków cewki sprzęgającej, do zacisków (odczepów) cewki głównej obwodu rezonansowego oraz do zacisków dzielnika pojemnościowego obwodu rezonansowego. Należy zaobserwować, że napięcia na zaciskach cewki sprzęgającej, cewki głównej i dzielnika pojemnościowego mają zawsze jednakowe fazy i jednakowe amplitudy dla określonej wartości współczynnika podziału (U/U 0 =0.025, 0.050, 0.075, ). Dołączyć ponownie gorący przewód sondy do zacisku cewki sprzęgającej. Przełączyć oscyloskop w tryb pracy XY. Skorygować i zanotować częstotliwość, przy której przesunięcie fazowe pomiędzy sygnałem wejściowym i wyjściowym wynosi 180 (ukośna cienka linia na ekranie). Zamienić końcówki sondy CH II: masa do zacisku 0.050; gorący do zacisku Wyjaśnić przyczynę zmiany położenia linii ukośnej na ekranie. Przełączyć oscyloskop w tryb pracy napięcie-czas. Za pomocą potencjometru P2 doprowadzić do

8 precyzyjnego pokrycia się sygnałów w obu kanałach oscyloskopu. Pokrycie obu sygnałów oznacza, że wzmocnienie wzmacniacza wynosi 1 oraz przesunięcie fazowe wynosi 0, a zatem spełniony jest warunek generacji. Zanotować częstotliwość generatora. 4. Badanie generatora Meisnera WE Odłączyć generator sygnałowy i sondę CH II oscyloskopu oraz połączyć zacisk cewki sprzęgającej do masy wzmacniacza i zacisk cewki sprzęgającej do wejścia wzmacniacza. Na ekranie w CH I powinien pojawić się sygnał sinusoidalny o małej amplitudzie. Brak sygnału może wynikać z nieprecyzyjnego wykonania poprzednich operacji lub z powodu obciążenia uzwojenia sprzęgającego inną niż oscyloskop impedancją wejściową wzmacniacza. Należy wówczas nieznacznie zwiększyć wzmocnienie wzmacniacza obracając potencjometr P2 w prawo. Za pomocą miernika częstotliwości dołączonego do wejścia wzmacniacza (równolegle z sondą CH I oscyloskopu) zmierzyć częstotliwość generowanego sygnału. Sondę CH I oscyloskopu odłączyć od wejścia wzmacniacza i dołączyć do emitera tranzystora Sondę CH II dołączyć do kolektora tranzystora. W obu kanałach oscyloskopu ustawić: czułość 2V/dz, sprzężenie GND, pozycja dolna krawędź ekranu. Przełącznik sprzężenie w obu kanałach oscyloskopu przestawić w pozycję DC. Potencjometr P2 ustawić tak, aby amplituda składowej zmiennej napięcia na kolektorze tranzystora wynosiła 8Vpp. Zaobserwować wpływ dobroci, wzmocnienia oraz odczepu na cewce sprzęgającej obwodu rezonansowego na amplitudę, zniekształcenia i częstotliwość generowanego sygnału. Przy znacznym przekroczeniu warunku amplitudy i małej dobroci obwodu rezonansowego układ generuje sygnał o modulowanej amplitudzie lub wzbudza się i gaśnie cyklicznie. Drgania mają charakter relaksacyjny i polegają na cyklicznej zmianie punktu pracy. Praktycznie sprawdzić występowanie wymienionego efektu. Powrócić do nastawy P0 w połowie zakresu oraz P2 tak, aby amplituda składowej zmiennej na kolektorze wynosiła 8Vpp. 5. Badanie generatora Hartleya i Colpittsa WE Nie zmieniając nastaw potencjometrów P0 i P2, pozostawiając sondy oscyloskopowe na emiterze i kolektorze tranzystora oraz sondę miernika częstotliwości na wejściu wzmacniacza, przebudować układ na generator Hartleya WE, a następnie na generator Colpittsa WE. W układzie Colpittsa konieczne jest zastosowanie dodatkowego rezystora, umożliwiającego przepływ prądu stałego do kolektora tranzystora dołączonego tak, aby w minimalnym stopniu oddziaływał na dobroć obwodu rezonansowego. Zastosować rezystor 4.7k zgodnie ze schematem. Każdy z układów powinien generować na bardzo zbliżonej częstotliwości z podobną amplitudą składowej zmiennej sygnału na kolektorze tranzystora. Dla układu Hartleya i Colpittsa wyjaśnić w jaki sposób spełniony jest warunek fazy i amplitudy. Dlaczego w układzie Colpittsa nastąpiło przesunięcie składowej stałej napięcia na kolektorze? Zaobserwować wpływ dobroci, wzmocnienia oraz odczepu na cewce obwodu rezonansowego lub dzielniku pojemnościowym na amplitudę, zniekształcenia i częstotliwość generowanego sygnału. Sprawdzić skłonność układu do powstawania drgań relaksacyjnych przy znacznym przekroczeniu warunku amplitudy.

9 6. Ustawianie warunku generacji w układzie WB Pozostawiając sondy oscyloskopowe na emiterze i kolektorze tranzystora, odłączyć sondę miernika częstotliwości oraz przebudować układ na wzmacniacz rezonansowy WB zgodnie z rys. 3b. W stosunku do układu WE wystarczy dla składowej zmiennej odłączyć od masy suwak potencjometru P2 oraz dołączyć do masy bazę tranzystora. Ustawić potencjometry: P0 połowa zakresu; P2 połowa zakresu. Wykonane operacje nie powodują zmiany statycznego punktu pracy tranzystora ustawionego w pkt. 1, co potwierdzi położenie linii na ekranie oscyloskopu. Dołączyć generator sygnału sinusoidalnego do suwaka potencjometru P2 przez kondensator 1µF (wejście wzmacniacza WB). Ustawić częstotliwość generatora równą częstotliwości rezonansowej obwodu (maksymalna amplituda składowej zmiennej na kolektorze tranzystora). Dobrać poziom sygnału z generatora tak, aby amplituda składowej zmiennej napięcia na kolektorze tranzystora wynosiła 4Vpp. Odłączyć sondy oscyloskopowe od kolektora i emitera tranzystora. Sondę CH I podłączyć do wejścia wzmacniacza (suwak potencjometru P2 przez kondensator 1µF). Sondę CH II podłączyć do cewki sprzęgającej obwodu rezonansowego: masa do zacisku 0.000; gorący do zacisku W obu kanałach oscyloskopu ustawić: czułość 0.1V/dz, sprzężenie AC, pozycja środek ekranu. Zaobserwować jak zmienia się amplituda i faza obu sygnałów przy niewielkim odstrajaniu od częstotliwości rezonansowej. Powrócić do częstotliwości rezonansowej. Pozostawiając masę sondy oscyloskopowej na zacisku cewki sprzęgającej, dołączać przewód gorący do innych zacisków cewki sprzęgającej, do zacisków (odczepów) cewki głównej obwodu rezonansowego oraz do zacisków dzielnika pojemnościowego obwodu rezonansowego. Należy zaobserwować, że napięcia na zaciskach cewki sprzęgającej, cewki głównej i dzielnika pojemnościowego mają zawsze jednakowe fazy i jednakowe amplitudy dla określonej wartości współczynnika podziału (U/U 0 =0.025, 0.050, 0.075, ). Dołączyć ponownie gorący przewód sondy do zacisku cewki sprzęgającej. Przełączyć oscyloskop w tryb pracy XY. Skorygować i zanotować częstotliwość, przy której przesunięcie fazowe pomiędzy sygnałem wejściowym i wyjściowym wynosi 0 (ukośna cienka linia na ekranie). Przełączyć oscyloskop w tryb pracy napięcie czas. Za pomocą potencjometru P2 doprowadzić do precyzyjnego pokrycia się sygnałów w obu kanałach oscyloskopu. Pokrycie obu sygnałów oznacza, że wzmocnienie wzmacniacza wynosi 1 oraz przesunięcie fazowe wynosi 0, a zatem spełniony jest warunek generacji. Zanotować częstotliwość generatora. 7. Badanie generatora Meisnera WB. Odłączyć generator sygnałowy i sondę CH II oscyloskopu oraz połączyć zacisk cewki sprzęgającej do masy wzmacniacza i zacisk cewki sprzęgającej do wejścia wzmacniacza. Na ekranie w CH I powinien pojawić się sygnał sinusoidalny o małej amplitudzie. Brak sygnału może wynikać z nieprecyzyjnego wykonania poprzednich operacji lub z powodu obciążenia uzwojenia sprzęgającego inną niż oscyloskop impedancją wejściową wzmacniacza. Należy wówczas nieznacznie zwiększyć wzmocnienie wzmacniacza obracając potencjometr P2 w prawo. Za pomocą miernika częstotliwości dołączonego do wejścia wzmacniacza (równolegle z sondą CH I oscyloskopu) zmierzyć częstotliwość generowanego sygnału. Sondę CH I oscyloskopu odłączyć od wejścia wzmacniacza i dołączyć do emitera tranzystora. Sondę CH II dołączyć do kolektora tranzystora. W obu kanałach

10 oscyloskopu ustawić: czułość 2V/dz, sprzężenie GND, pozycja dolna krawędź ekranu. Przełącznik sprzężenie w obu kanałach oscyloskopu przestawić w pozycję DC. Potencjometr P2 ustawić tak, aby amplituda składowej zmiennej napięcia na kolektorze tranzystora wynosiła 8Vpp. Zaobserwować wpływ dobroci, wzmocnienia oraz odczepu na cewce sprzęgającej obwodu rezonansowego na amplitudę, zniekształcenia i częstotliwość generowanego sygnału. Sprawdzić skłonność układu do powstawania drgań relaksacyjnych przy znacznym przekroczeniu warunku amplitudy. Powrócić do nastawy P0 w połowie zakresu oraz P2 tak, aby amplituda składowej zmiennej na kolektorze wynosiła 8Vpp. 8. Badanie generatora Hartleya i Colpittsa WB Nie zmieniając nastaw potencjometrów P0 i P2, pozostawiając sondy oscyloskopowe na kolektorze i emiterze tranzystora oraz sondę miernika częstotliwości na wejściu wzmacniacza, przebudować układ na generator Hartleya WB, a następnie Colpittsa WB. W tym celu należy przewód podłączony do zacisku uzwojenia sprzęgającego przenieść do zacisku uzwojenia głównego (Hartley) a następnie do zacisku dzielnika pojemnościowego (Colpitts).Każdy z układów powinien generować na zbliżonej częstotliwości z podobną amplitudą składowej zmiennej sygnału na kolektorze tranzystora. Potwierdzić poznany w poprzednich układach generatorów wpływ dobroci, wzmocnienia oraz odczepu na cewce lub dzielniku pojemnościowym na amplitudę, zniekształcenia i skłonność do powstawania drgań relaksacyjnych. Powrócić do nastawy P0 w połowie zakresu oraz P2 tak, aby amplituda składowej zmiennej na kolektorze tranzystora wynosiła 8Vpp. 9. Badanie generatora Meisnera, Hartleya i Colpittsa WC Analizując schematy generatorów można wykazać, że odpowiednie układy generatorów WC powstają z układów WB przez odłączenie od masy bazy i dołączenie do masy (dla składowej zmiennej) kolektora tranzystora. Nie zmieniając nastaw potencjometrów P0 i P2, pozostawiając sondy oscyloskopowe na kolektorze i emiterze tranzystora oraz sondę miernika częstotliwości (na suwaku P2 przez kondensator 1µF), przebudować układ na dowolny generator WC. Zwrócić uwagę, że zacisk obwodu rezonansowego oznaczony kropką musi być podłączony do masy, a sprzężenie zwrotne realizowane jest przez podłączenie do zacisku Regulując potencjometrem P2 doprowadzić do pojawienia się na emiterze tranzystora sygnału sinusoidalnego o amplitudzie 2Vpp. Napięcie na kolektorze pozostaje stałe, równe napięciu zasilania wyjaśnić dlaczego. Sondę oscyloskopu CH II przenieść z kolektora na bazę tranzystora. Czym różnią się sygnały na bazie i emiterze tranzystora? Nie zmieniając nastaw potencjometrów P0 i P2 sprawdzić działanie pozostałych dwóch generatorów w układzie WC. W tym celu należy zmieniać podłączenie przewodu łączącego suwak potencjometru P2 z zaciskiem obwodu rezonansowego (zgodnie ze schematem w tablicy generatorów). Każdy z układów powinien generować na zbliżonej częstotliwości z podobną amplitudą składowej zmiennej na emiterze i bazie tranzystora. Potwierdzić poznany w poprzednich układach generacyjnych wpływ dobroci, wzmocnienia oraz odczepu na cewce lub dzielniku pojemnościowym na amplitudę, zniekształcenia i skłonność do drgań relaksacyjnych. Uwaga! Najczęściej stosowanym w praktyce generatorem LC (szczególnie w zakresach

11 w.cz.) jest układ Colpittsa WC. Pracuje przy małej amplitudzie napięcia na obwodzie rezonansowym, charakteryzuje się małą skłonnością do drgań relaksacyjnych przy przekroczeniu warunku amplitudy oraz dużą stałością częstotliwości w funkcji typowych czynników destabilizujących (zmiany napięcia zasilania, temperatury, obciążenia). 10. Badanie charakterystyki przejściowej wzmacniacza operacyjnego (WO) Wejście + WO podłączyć do masy, potencjometr P3 ustawić w połowie zakresu (500k). Sinusoidalny lub trójkątny sygnał z generatora o częstotliwości 300Hz podać na CH I (X) oscyloskopu oraz na wejście WO z rezystorem szeregowym 220k (zastosować trójnik BNC). Sondę CH II (Y) oscyloskopu dołączyć do wyjścia WO. Ustawić oscyloskop w tryb pracy XY ze sprzężeniem DC w obu kanałach. Czułość CH I (X) 0.5V/dz, czułość CH II (Y) 2V/dz. Dobrać amplitudę sygnału z generatora tak, aby uzyskać na ekranie charakterystykę przejściową wzmacniacza z widocznymi obszarami nasycenia. Zaobserwować wpływ nastawy potencjometru P3 na wzmocnienie wzmacniacza. Znając wartości rezystorów w układzie wyznaczyć teoretycznie i sprawdzić doświadczalnie zakres regulacji wzmocnienia za pomocą potencjometru P3. Powrócić do nastawy P3 w połowie zakresu. Dołączając i odłączając diody równolegle do rezystora 110k, zaobserwować, jakim zmianom podlega kształt charakterystyki przejściowej wzmacniacza. Wyjaśnić przyczynę zmiany kształtu charakterystyki przejściowej. Nie zmieniając nastaw generatora i oscyloskopu podłączyć sygnał z generatora do wejścia WO z rezystorem szeregowym 22k. Wyznaczyć teoretycznie zakres regulacji wzmocnienia, powtórzyć obserwację charakterystyki przejściowej przy zmianach nastawy P3 oraz dołączonych diodach równolegle do rezystora 110k. Powrócić do nastawy P3 w połowie zakresu. Nie zmieniając nastaw generatora i oscyloskopu podłączyć sygnał z generatora do wejścia + WO, uziemiając wejście WO z rezystorem 220k, następnie z rezystorem 22k. Za każdym razem wyznaczyć teoretycznie zakres regulacji wzmocnienia, powtórzyć obserwację charakterystyki przejściowej przy zmianach nastawy P3 oraz diod dołączanych równolegle do rezystora 110k. Powrócić do nastawy P3 w połowie zakresu. 11. Badanie charakterystyki częstotliwościowej czwórników: TT, Wiena, 3RC, 4RC, 3CR, 4CR Sygnał z generatora sinusoidalnego podać na wejście badanego czwórnika oraz na CH I oscyloskopu (zastosować trójnik BNC). Sondę CH II oscyloskopu dołączyć do wyjścia badanego czwórnika. Ustawić w obu kanałach oscyloskopu: sprzężenie AC, pozycja środek ekranu, czułość stosownie do potrzeb. Zmieniając częstotliwość sygnału w zakresie 500Hz 15kHz obserwować czy zmiany napięcia na wyjściu badanego czwórnika odpowiadają znanej z teorii jego charakterystyce częstotliwościowej. Przełączyć oscyloskop w tryb pracy XY, znaleźć i zanotować częstotliwość, przy której przesunięcie fazy pomiędzy sygnałami wejściowym i wyjściowym wynosi 0 lub 180. Oszacować wartość tłumienia czwórnika dla tej częstotliwości. Korzystając ze wzorów zamieszczonych w podręczniku wyznaczyć teoretyczne częstotliwości generacji i tłumienia badanych czwórników. 12. Ustawienie warunku generacji dla badanego czwórnika w połączeniu z WO Sondę CH II przenieść z wyjścia badanego czwórnika na wyjście WO. Wyjście

12 badanego czwórnika podłączyć do właściwego z punkty widzenia spełnienia warunku generacji wejścia WO. Pozostawiając oscyloskop w trybie pracy XY skorygować częstotliwość generatora oraz dobrać nastawę potencjometru P3 tak, aby spełnić warunki generacji. Zanotować wartość częstotliwości. 13. Badanie generatora RC Odłączyć generator i sondę CH I oscyloskopu, przełączyć oscyloskop w tryb pracy napięcie czas, ustawić w kanale CH II oscyloskopu: czułość 2V/dz; sprzężenie AC; pozycja środek ekranu. Dołączyć do wyjścia WO sondę miernika częstotliwości. Połączyć wyjście WO z wejściem badanego czwórnika. Na ekranie oscyloskopu powinien pojawić się sygnał sinusoidalny. Brak sygnału może wynikać z nieprecyzyjnego wykonania poprzednich operacji. Należy wówczas nieznacznie zwiększyć wzmocnienie wzmacniacza obracając potencjometr P3 w prawo. Zaobserwować jak zmienia się amplituda generowanego sygnału przy zmianie wartości potencjometru P3. W miarę możliwości ustawić P3 tak, aby generowany sygnał sinusoidalny miał amplitudę 8Vpp. Zanotować i porównać z poprzednimi punktami częstotliwość generowanego sygnału. Wyjaśnić, dlaczego pojawiają się trudności z nastawieniem pożądanej amplitudy generowanego sygnału. Dołączyć diody równolegle do rezystora 110k. Zaobserwować jak teraz zmienia się amplituda generowanego sygnału przy zmianie wartości potencjometru P3. Ustawić P3 tak, aby amplituda generowanego sygnału wynosiła 8Vpp. Zanotować i porównać z poprzednimi punktami częstotliwość generowanego sygnału. Wyjaśnić zaobserwowane zjawisko. Przygotowanie do ćwiczenia Dla poprawnego wykonania ćwiczenia bezwzględnie wymagane jest wysłuchanie wykładu Generatory sinusoidalne (przedmiot wariantowy Układy Analogowe II ) oraz zapoznanie się z jedną z wybranych obowiązkowych pozycji literaturowych. Przygotowanie sprawozdania Sprawozdanie z ćwiczenia ma zawierać odpowiedzi na pytania zawarte w treści programu ćwiczenia. Literatura obowiązkowa 1. J. Baranowski, G. Czajkowski, Układy Elektroniczne cz.ii. Układy analogowe nieliniowe i impulsowe, WNT 1993, str , 2. J. Pawłowski, Wzmacniacze i Generatory, WKŁ 1980, str , 3. M. Niedźwiedzki, M. Rasiukiewicz, Nieliniowe elektroniczne układy analogowe, WNT 1992, str Literatura pomocnicza 1. W. Golde, Układy elektroniczne tom II, WNT 1976, str , 2. A. Filipkowski, Układy elektroniczne analogowe i cyfrowe,wnt 1993, str , 3. U. Tietze, C. Schenk, Układy Półprzewodnikowe, WNT 1996, str

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1 Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory drgań sinusoidalnych Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Rodzaje generatorów. 2. Warunki generacji generatorów RC z przesuwnikiem

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h) ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych typów generatorów sinusoidalnych.

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Generatory drgań sinusoidalnych LC

Generatory drgań sinusoidalnych LC Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRAOWNIA ELEKTRONIKI Temat ćwiczenia: UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZZY INSTYTUT TEHNIKI Imię i Nazwisko BADANIE. 2. 3. GENERATORA OLPITTSA 4. Data wykonania Data oddania Ocena Kierunek Rok

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

BADANIE ELEMENTÓW RLC

BADANIE ELEMENTÓW RLC KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego

Bardziej szczegółowo

GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE

GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z trzech części. W pierwszej z nich, mającej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 8. Generatory

Ćwiczenie - 8. Generatory 1 U U 2 LABOATOIUM ELEKTONIKI Ćwiczenie - 8 Generatory Spis treści 1 el ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Wiadomości ogólne.................................. 2 3 Przebieg ćwiczenia 3 3.1 Badanie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDALNEGO

Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDALNEGO Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i Automatyki 1. Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Mechatronika (WM) Laboratorium Elektrotechniki Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDALNEGO

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w

Bardziej szczegółowo

Generatory sinusoidalne LC

Generatory sinusoidalne LC Ćw. 5 Generatory sinusoidalne LC. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY

WZMACNIACZ OPERACYJNY 1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy

LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie nr 2 Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE

GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z trzech części. W pierwszej z nich, mającej

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz operacyjny

Elektronika. Wzmacniacz operacyjny LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz operacyjny Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych wzmacniaczy operacyjnych. 2. Układów pracy wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Ćwiczenie składa się z dwóch części:

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Temat ćwiczenia: BADANIE WZMACNIA- CZA SELEKTYWNEGO Z OBWODEM LC NIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTT TECHNIKI. 2. 3. Imię i Nazwisko 4. Data wykonania Data oddania

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory sygnału prostokątnego Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Zasada działania, schemat i zastosowania tranzystorowego multiwibratora

Bardziej szczegółowo

PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE

PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE 1. WSTĘP Celem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczących struktury wewnętrznej, zasad działania i właściwości, klasycznych przerzutników bi- i mono-stabilnych

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki 2014 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 6 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2015 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 5 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Ćwiczenie składa się z dwóch części:

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Ćwiczenie - 9 Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Przebieg ćwiczenia 2 2.1 Wyznaczanie charakterystyki przejściowej U wy = f(u we ) dla ogranicznika napięcia

Bardziej szczegółowo

Generatory. Podział generatorów

Generatory. Podział generatorów Generatory Generatory są układami i urządzeniami elektronicznymi, które kosztem energii zasilania wytwarzają okresowe przebiegi elektryczne lub impulsy elektryczne Podział generatorów Generatory można

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i utomatyki 1. Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PĄDU SINUSOIDLNEGO

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz tranzystorowy

Wzmacniacz tranzystorowy Wzmacniacz tranzystorowy. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości jednostopniowego, tranzystorowego wzmacniacza napięcia. Wyniki pomiarów parametrów samego tranzystora jak i całego układu

Bardziej szczegółowo

Ćw. 5 Wzmacniacze operacyjne

Ćw. 5 Wzmacniacze operacyjne Ćw. 5 Wzmacniacze operacyjne. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania sygnałów analogowych. 2. Wymagane informacje Podstawowe

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i utomatyki 1) Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDLNEGO

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE

TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i Informatyki

Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i Informatyki Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i normatyki aboratorium Teorii Obwodów Przedmiot: Elektrotechnika teoretyczna Numer ćwiczenia: 4 Temat: Obwody rezonansowe (rezonans prądów i napięć). Wprowadzenie

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym 1. Cel ćwiczenia Generatory kwarcowe Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zagadnieniami dotyczącymi generacji przebiegów sinusoidalnych w podstawowych strukturach generatorów kwarcowych. Ponadto ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Wykonanie ćwiczenia 1. Zapoznać się ze schematem ideowym układu ze wzmacniaczem operacyjnym. 2. Zmontować wzmacniacz odwracający fazę o

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 Mostek pojemnościowy Ćwiczenie wraz z instrukcją i konspektem opracowali P.Wisniowski, M.Dąbek

Ćwiczenie 2 Mostek pojemnościowy Ćwiczenie wraz z instrukcją i konspektem opracowali P.Wisniowski, M.Dąbek Ćwiczenie 2 Mostek pojemnościowy Ćwiczenie wraz z instrukcją i konspektem opracowali P.Wisniowski, M.Dąbek el ćwiczenia elem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodą mostkową pomiaru pojemności kondensatora

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 3 Wzmacniacz operacyjny Grupa 6 Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania

Bardziej szczegółowo

Ćw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

Ćw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB Ćw. 6 Generatory. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter wprowadzenia,

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2014 r. Wzmacniacze operacyjne Ćwiczenie 4 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i wybranymi zastosowaniami wzmacniaczy

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz tranzystorowy

Wzmacniacz tranzystorowy Wzmacniacz tranzystorowy 5 Wydział Fizyki UW Pracownia Fizyczna i Elektroniczna - 2 - Instrukca do ćwiczenia Wzmacniacz tranzystorowy 5 I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia est zapoznanie się z tranzystorem

Bardziej szczegółowo

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Badanie wzmacniacza operacyjnego Badanie wzmacniacza operacyjnego CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów oraz możliwości wykorzystania ich do realizacji bloków funkcjonalnych poprzez dobór

Bardziej szczegółowo

ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 1/10 2/10 PODSTAWOWE WIADOMOŚCI W trakcie zajęć wykorzystywane będą następujące urządzenia: oscyloskop, generator, zasilacz, multimetr. Instrukcje

Bardziej szczegółowo

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.

Bardziej szczegółowo

Badanie właściwości multipleksera analogowego

Badanie właściwości multipleksera analogowego Ćwiczenie 3 Badanie właściwości multipleksera analogowego Program ćwiczenia 1. Sprawdzenie poprawności działania multipleksera 2. Badanie wpływu częstotliwości przełączania kanałów na pracę multipleksera

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

Temat: Wzmacniacze selektywne

Temat: Wzmacniacze selektywne Temat: Wzmacniacze selektywne. Wzmacniacz selektywny to układy, których zadaniem jest wzmacnianie sygnałów o częstotliwości zawartej w wąskim paśmie wokół pewnej częstotliwości środkowej f. Sygnały o częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE

Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów z układem A741. Analiza charakterystyk i podstawowych obwodów z układem LM555. Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTYTUT NAWIGACJI MORSKIEJ ZAKŁD ŁĄCZNOŚCI I CYBERNETYKI MORSKIEJ AUTOMATYKI I ELEKTRONIKA OKRĘTOWA LABORATORIUM ELEKTRONIKI Studia dzienne I rok studiów Specjalności: TM, IRM, PHiON, RAT, PM, MSI ĆWICZENIE

Bardziej szczegółowo

Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych

Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego (USZ) na pracę wzmacniacza operacyjnego WYMAGANIA: 1. Klasyfikacja sprzężeń zwrotnych. 2. Wpływ sprzężenia zwrotnego

Bardziej szczegółowo