LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 13 Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych - I I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania - podstawowe pojęcia dotyczące celowości i efektów scalania układów, skali integracji, gęstości upakowania układów, - klasyfikacja układów scalonych, technologie, dziedziny zastosowań - procesy technologiczne stosowane do wytwarzania monolitycznych układów scalonych, - konstrukcja i realizacja elementów czynnych ( tranzystory npn oraz pnp, diody) i biernych ( rezystory, kondensatory ) w monolitycznych układach scalonych, - wyznaczenie koncentracji domieszek i ruchliwości nośników z wykresów, - wyznaczanie parametrów rzeczywistego złącza p-n. II. Program zajęć - pomiary i obliczenia parametrów izolacji złączowej w monolitycznym układzie scalonym UL 1111 N: oszacowanie wartości rezystancji izolacji wyspy, wyznaczenie wartości rezystancji podłoża, obliczenie wartości pojemności złącza wyspa-podłoże; - analiza topologii i struktury wewnętrznej układu scalonego. III. Literatura 1. Notatki z wykładu 2. W. Marciniak - Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 3. B. W. Wilamowski - Układy scalone, WKiŁ, 1989 4. R. Ćwirko, M. Rusek, W. Marciniak - Układy scalone w pytaniach i odpowiedziach, WNT, 1987 5. Z. Kulka, M. Nadachowski - Liniowe układy scalone i ich zastosowania, WKŁ, 1974 i wyd. późniejsze Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń elektrycznych.

2 1. Wiadomości wstępne Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z krzemowymi układami scalonymi wykonanymi w technologii bipolarnej z izolacją złączową (dyfuzyjną). Schemat elektryczny układu UL 1111N wraz z oznaczeniem wyprowadzeń przedstawia rys. 1. Parametry elektryczne układu zamieszczono w instrukcji do Ćw. nr 14. Rys. 1. Schemat elektryczny układu UL 1111N Układ ten składa się z pięciu tranzystorów bipolarnych typu npn wykonanych w tym samym cyklu procesów technologicznych obróbki płytki krzemowej. Każdy z tranzystorów ma swój kolektor wykonany w izolowanej wyspie krzemu typu-n zanurzonej w krzemie typu-p (patrz rys.2). Właśnie to złącze p-n, pomiędzy podłożem a wyspą, w warunkach polaryzacji zaporowej przewodzi bardzo niewielki prąd i dzięki temu stanowi niezłą izolację elektryczną pomiędzy elementami (tranzystory, rezystory) wytworzonymi w jednym czipie układowym. W układzie UL1111 tranzystory (T4 i T5) są indywidualnymi elementami izolowanymi między sobą. Dwa tranzystory (T1 i T3) są izolowane od pozostałych, ale mają wspólny emiter. Jest to tzw. para różnicowa stosowana w układzie wzmacniacza różnicowego, który z kolei jest podstawowym układem wzmacniacza operacyjnego. Natomiast tranzystor T2 odizolowany od pozostałych ma emiter połączony galwanicznie z podłożem typu-p, które jest wspólną anodą złącza p-n stanowiącego izolację złączową. Ze względu na warunek polaryzacji zaporowej podłoże (S), zacisk 13, zawsze ma najniższy potencjał (przyłożone napięcie) ze wszystkich możliwych w układzie. Stąd też, emiter T2 będzie posiadał także taki potencjał. Jest to najczęściej niższy biegun zasilacza. W pierwszej części ćwiczenia zadaniem ćwiczących jest ocena jakości izolacji złączowej układu scalonego na podstawie obliczeń i pomiarów charakterystyki prądowonapięciowej złącza p-n podłoże-wyspa. W drugiej części zajęć ćwiczący mają za zadanie dokonać analizy topologicznej układu scalonego na podstawie zdjęcia i schematu układu otrzymanego od prowadzącego zajęcia.

3 2. Obliczanie parametrów izolacji Celem ćwiczenia jest zbadanie parametrów monolitycznego układu scalonego wykonanego w technologii bipolarnej z zastosowaniem izolacji złączowej (dyfuzyjną) jako izolacji oddzielającej poszczególne elementy składowe układu z wykorzystaniem układu UL 1111N. Uproszczony półprzekrój struktur tranzystorowych w monolitycznym układzie scalonym przedstawiono na rys.2. W podłożu krzemowym typu-p, z nałożoną uprzednio warstwą epitaksjalną typu-n dokonano podziału tej warstwy na szereg indywidualnych wysp typu-n, oddzielonych od siebie obszarami typu-p +, stosując proces dyfuzji domieszek akceptorowych (np. atomów boru). Wyspy stanowią obszar kolektorów tranzystorów typu npn. W kolejnych procesach technologicznych utworzono w wyspach, za pomocą domieszkowania, obszary bazy (typ-p) i emitera (typ-n+) tych tranzystorów. Na rysunku nie pokazano izolacji tlenkowej (warstwy SiO 2 ), metalicznych kontaktów i ścieżek połączeń aby nie zaciemniać obrazu. Rys.2. Półprzekrój struktur tranzystorowych npn w podłożu typu-p układu monolitycznego. Celem pomiarów i obliczeń jest określenie wartości elementów układu zastępczego izolacji złączowej (wyspa typu-n - podłoże typu-p), pokazanego na rys.3. Wyspa C R p Podłoże R i C - pojemność złącza p-n wyspa - podłoże R i - rezystancja izolacji wyspy (upływ złącza) R p - rezystancja podłoża (szeregowa rezystancja złącza wyspa-podłoże) Rys.3. Układ zastępczy izolacji złączowej.

4 Rezystancja izolacji wyspy R i oraz pojemność pasożytnicza izolacji C decydują o możliwościach pracy układu w zakresie wysokich częstotliwości i ograniczają pasmo przenoszenia układu. Wielkości te można obliczyć, znając parametry materiałowe odpowiednich warstw półprzewodnikowych, w których wykonano elementy układu scalonego. Natomiast rezystancję podłoża R p można oszacować przez pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej złącza p-n podłoże-wyspa i wyznaczenie rezystancji szeregowej tego złącza. Do obliczeń przyjmujemy, że wyspa w badanym układzie scalonym jest warstwą epitaksjalną typu-n o rezystywności =5 cm na podłożu typu-p o rezystywności =20 cm. Wyspa posiada kształt i wymiary jak pokazano na rys.4. Rys. 4. Wymiary i rezystywności wyspy o izolacji złączowej w badanym układzie scalonym W celu wyznaczenia rezystancji R i i pojemności C można skorzystać z zależności rezystywności półprzewodnika od koncentracji nośników (tzw. krzywa Irvinga) przedstawionej na rys.5 oraz zmian ruchliwości nośników w funkcji koncentracji nośników w krzemie przedstawionej na rys.6. Korzystając z tych wykresów wyznaczamy i zapisujemy w sprawozdaniu wartości koncentracji nośników: N d = dla Si n(=5cm) (1) N a = dla Si p(=20cm) (2) Wartościom koncentracji domieszek N a, N d odpowiadają ruchliwości n i p nośników większościowych i mniejszościowych: n =... dla N d (1) (3) p = dla N a (2) (4) W celu obliczenia parametrów układu zastępczego wyspy w układzie scalonym UL 1111N konieczna jest znajomość następujących wartości stałych fizycznych i materiałowych: ładunek elementarny q = 1,60210-19 C stała Boltzmanna k = 8,61610-5 ev/k

5 przenikalność elektryczna próżni o = 8,8510-12 F/m. względna przenikalność elektryczna krzemu Si = 12 koncentracja nośników samoistnych w Si n i = 1,510 10 cm -3 (w temp. 300K) średnia droga dyfuzji dziur, elektronów L p = L n = 310-2 cm do zapamiętania: kt/q = 26 mv dla T = 300 K Rys. 5. Rezystywność w funkcji koncentracji domieszek N a i N d w krzemie w temperaturze T = 300 K 1400 1200 2-1 [cm (Vs) ] Ruchliwość nośników 1000 800 600 400 p n 200 0 10 13 10 14 10 15 10 16 10 17 10 18 10 19 10 20-3 Koncentracja domieszek [cm ] (Si-n) Rys. 6. Ruchliwości nośników większościowych i mniejszościowych w krzemie typu-n.

6 2.1 Oszacowanie rezystancji izolacji wyspy R i. Powierzchnia złącza S wynosi S S dnawyspy S bocznawysp y???? (obliczyć) (5) Prąd I płynący przez złącze przy polaryzacji w kierunku zaporowym (izolacja złączowa) jest sumą prądu nasycenia I s oraz prądu generacji I g I I s I g (6) gdzie I s wyraża się wzorem I s S q n 2 i Dp LpN d Dn L N n a (7) a ponieważ składnik L D p p N d jest około pięciokrotnie mniejszy od Dn L N n a to wyrażenie na wartość I s można uprościć do postaci I s S q n 2 i Dn L N n a (8) przy czym D n = n kt/q [cm 2 /s] jest stałą dyfuzji elektronów (proporcjonalną do ruchliwości). Stosunek I g /I s zależy od koncentracji nośników samoistnych n i, a więc od szerokości pasma zabronionego i dla typowych parametrów materiałowych w złączach p-n wykonanych z krzemu I g 3000 I s I g =???? Znając wartość prądu płynącego przez złącze można, zatem oszacować wartość R i przy założonym napięciu polaryzacji zaporowej U R = 10V 2.2 Obliczanie pojemności wyspa-podłoże U R i?????? (9) I g Pojemność wyspy, C układu UL 1111N należy obliczyć ze wzoru na pojemność kondensatora płaskiego, który jest dobrym przybliżeniem pojemności złącza p-n: gdzie: S jest powierzchnią złącza, Si 0 S C d d jest szerokością warstwy zaporowej złącza, gdy bariera potencjału na złączu jest równa sumie napięcia dyfuzyjnego U D i zewnętrznego napięcia polaryzującego złącze U (10)

7 d 2 Si 0 Na N q N N a d d U D U (11) przy czym U D <0 (przyjmujemy, że wartość napięcia dyfuzyjnego U D = - 0,65 V). Do wzoru podstawia się wartość U dla kierunku zaporowego ze znakiem "-". Należy obliczyć wartości pojemności C dla polaryzacji U = 0 V oraz U = -10 V. 2.3 Pomiar rezystancji podłoża R p. Wartość rezystancji podłoża można wyznaczyć mierząc charakterystykę prądowonapięciową złącza wyspa-podłoże spolaryzowanego w kierunku przewodzenia. Po wykonaniu wykresu I=f(U) w układzie współrzędnych lin-log należy wyznaczyć parametry rzeczywistego złącza p-n: rezystancję R s, prąd nasycenia I s, i współczynnik doskonałości złącza n. 3 Konstrukcja elementów składowych bipolarnych układów scalonych Planarna technologia krzemowa elementów składowych monolitycznych układów scalonych bazuje na selektywnym wytwarzaniu w podłożu krzemowym odpowiednich obszarów. Obszary te mogą różnić się typem przewodnictwa oraz poziomem domieszkowania. Wytworzone obszary mogą stanowić elementy bierne (rezystory, kondensatory) lub czynne (tranzystory, diody) układu scalonego. W typowych układach bipolarnych podłożem wyjściowym jest płytka krzemowa typu-p z warstwą epitaksjalną typu-n. W kolejnych procesach utleniania powierzchni płytki, fotolitografii i dyfuzji domieszek wytwarza się poszczególne elementy układu. Na końcu definiuje się topografię metalizacji czyli sieć ścieżek metalicznych (np. Al, Au) tworzących wzajemne połączenia elektryczne elementów i wyprowadzenia do kontaktów zewnętrznych. Należy zaznaczyć, że powierzchnia układu jest pokryta cienką warstwą izolacyjną z dwutlenku krzemu SiO 2, który jest przeźroczysty dla fal widzialnych. Stąd, patrząc na układ, widzimy granice obszarów poszczególnych dyfuzji domieszek (granice złącz p-n) wykonanych wcześniej, a teraz znajdujących się pod warstwą SiO 2. Oczywiście ścieżki metalizacji leżą na tej niewidocznej warstwie izolacyjnej i łączą się z poszczególnymi obszarami elementów tylko w ściśle zdefiniowanych tzw. oknach kontaktowych (np. kontakt emitera, kontakt bazy, kontakt kolektora, kontakty rezystorów). W dalszych punktach przedstawione zostaną typowe konstrukcje wybranych elementów czynnych i biernych układu scalonego. Rozwiązania konstrukcyjnych elementów składowych układu scalonego przedstawiona zostanie na przykładzie układu wzmacniacza operacyjnego A 709 firmy Fairchild. Fotografię tego układu wykonana z mikroskopem optycznym przedstawia rys.7a, a schemat elektryczny tego wzmacniacza widzimy na rys.7b.

8 Układ ma 8 doprowadzeń (drut Au lub Al o średnicy 50 µm) z pól kontaktowych do wyprowadzeń (nóżek) obudowy, składa się z piętnastu tranzystorów i piętnastu rezystorów. W układzie występują zarówno tranzystory npn jak i pnp. W tym układzie nie występują inne elementy, ale w nowszych typach wzmacniaczy operacyjnych jak np. µa 741 znajdują się także kondensatory. Rys. 7a. Zdjęcie układu scalonego wzmacniacza operacyjnego A 709. Rys.7b. Schemat elektryczny wzmacniacza operacyjnego A 709.

9 3.1 Elementy czynne w układach scalonych 3.1.1. Tranzystory npn Pojedynczy tranzystor npn wykonany jest w izolowanej wyspie typu n (kolektor - C), w której w procesie dyfuzji wykonuje się najpierw obszar typu p (bazę - B), a w nim kolejną dyfuzją obszar typu n (emiter - E). Najczęściej stosowane w bipolarnych układach scalonych są tranzystory npn i cała konstrukcja układu jest projektowana pod kątem ich optymalnej pracy. W przykładowym układzie µa709 jest ich dwanaście. Wśród nich są takie tranzystory, które są odizolowane od pozostałych (leżą na wydzielonych wyspach) oraz takie, które mają wspólny kolektor, czyli leżą na wspólnej wyspie. Przykładem tych pierwszych są tranzystory T 1 lub T 2, natomiast drugim przykładem jest np. para tranzystorów T 4 i T 6. Przekrój poprzeczny oraz zdjęcie widoku z góry tranzystora na pojedynczej wyspie przedstawiono odpowiednio na rys.8 a, i rys. 8 b. Na zdjęciu zdefiniowano kontakty emitera, bazy i kolektora. Na rys.8 c. pokazano zdjęcie widoku z góry tranzystorów T 4 i T 6 umieszczone na wspólnej wyspie z oznaczeniem ich kontaktów. a) c) b) Rys.8. Tranzystory npn: a) Przekrój poprzeczny tranzystora n-p-n leżącego na izolowanej wyspie [4], b) zdjęcie widoku z góry tranzystora npn leżącego na izolowanej wyspie, c) zdjęcie widoku z góry dwóch tranzystorów npn leżących na wspólnej wyspie. 3.1.2 Tranzystory pnp Rzadziej stosowane w układach są tranzystory typu pnp. Wytworzenie ich nie wymaga zastosowania dodatkowych operacji technologicznych - są wytwarzane równolegle z obszarami tranzystorów npn - a jedynie odpowiedniej konfiguracji tych obszarów. Tranzystor typu pnp może być wytworzony w dwóch wersjach: tranzystora podłożowego (substrate transistor) tranzystora bocznego (lateral transistor)

10 W tranzystorze podłożowym podłoże jest kolektorem, warstwa wyspy typu-n jest bazą (w tranzystorze npn jest kolektorem), a warstwa typu p jest emiterem (w tranzystorze npn jest ona bazą). Taki tranzystor ma kolektor podłączony na stałe do niskiego bieguna zasilacza. Tranzystorem podłożowym w układzie µa709 jest tranzystor T 13. Przekrój poprzeczny i zdjęcie widoku z góry tranzystora podłożowego przedstawia rys.9. Tranzystor T 13 tworzy parę komplementarną z tranzystorem npn T 14. Jest to typowy układ stopnia wyjściowego we wzmacniaczu operacyjnym. Jak można zauważyć wzmacniacz operacyjny ma zasilanie symetryczne +U CC, U EE względem masy układu i stąd zastosowanie w tym miejscu tranzystora podłożowego pnp. a) Rys.9. Tranzystor pnp podłożowy: a) przekrój poprzeczny [5], b) zdjęcie widoku z góry Przykładem tranzystora bocznego w układzie µa709 jest tranzystor T 9, który musi mieć kolektor odizolowany. Konstrukcja tranzystora bocznego (jak wynika z nazwy) to układ obszarów typu p wytworzonych w wyspie typu n. Odpowiednie obszary typu p stanowią obszary kolektora i emitera, a wyspa typu n, w której te obszary wytworzono stanowi bazę tranzystora. Przekrój poprzeczny bocznego tranzystora pnp oraz zdjęcie widoku z góry tranzystora T 9 przedstawia rys.10. a) b) Rys.10. Tranzystor pnp boczny: a) przekrój poprzeczny [5], b) zdjęcie widoku z góry 3.1.3 Diody. W układzie µa709 nie ma pojedynczych struktur diodowych, ale oczywiście nie ma najmniejszego problemu, aby wykonać ten element w technologii bipolarnej. Można wykorzystać złącze kolektor-baza lub baza-emiter tranzystora n-p-n. Pierwsze rozwiązanie

11 umożliwia uzyskanie diody o wyższym napięciu przebicia kosztem czasu przełączania, drugie diody z krótkim czasem przełączania kosztem niższego napięcia przebicia. W układach bipolarnych możliwe jest również wykonanie diod Schottky ego czyli struktur złączowych metal-półprzewodnik typu-n. 3.2 Elementy bierne w układach scalonych. Elementami biernymi w układach scalonych są rezystory, kondensatory oraz cewki indukcyjne. Dalej przedstawione zostaną konstrukcje tych elementów, przy czym na początku trzeba stwierdzić, że w typowej technologii bipolarnej cewki indukcyjne dla układów średniej częstotliwości nie są stosowane. Zapewnienie odpowiedniej wartości indukcyjności wymagałoby przeznaczenia na cewkę dużej powierzchni czipa, a dobroć takiej cewki planarnej jest niewielka. Struktury cewek wykonanych w układach scalonych jako spirali ścieżki metalizacji są czasem stosowane w układach mikrofalowych (f>1 GHz), w których wystarcza niewielka wartość indukcyjność (kilka nh). W związku z tym, w układach bipolarnych przeznaczonych do pracy w zakresie częstotliwości radiowych i w układach cyfrowych, gama elementów biernych ograniczona jest do rezystorów i kondensatorów. 3.2.1 Rezystory Rezystory w układach scalonych wytwarza się wykorzystując, w zależności od wymagań, warstwy domieszkowane bazy lub emitera tranzystora n-p-n. Są to tzw. rezystory dyfuzyjne ponieważ domieszkowanie tych obszarów następuje w procesie dyfuzji domieszek. W każdym przypadku wartość rezystancji zależy od tzw. rezystancji powierzchniowej warstwy R/ oraz ilości kwadratów wykonywanego rezystora wg zależności: R= n R/ (12) gdzie: n to ilość kwadratów, z których można złożyć rezystor o danej długości R/ jest rezystancją danej warstwy o powierzchni kwadratu (nie zależy od wymiaru kwadratu) Rezystancja powierzchniowa warstwy bazowej wynosi zwykle ok. 200 /, co pozwala wykonać rezystory w zakresie od 50 (cztery kwadraty połączone równolegle) do 20 k (100 kwadratów połączonych szeregowo). W celu wytworzenia rezystorów o mniejszej rezystancji wykorzystuje się obszary domieszkowane emitera (5 /). Dla uzyskania rezystorów o większej rezystancji wykorzystuje się obszar bazowy z wkomponowanym obszarem domieszkowanym emitera do wykonania tzw. rezystora ściśniętego. Wówczas rezystor wykorzystuje obszar bazowy o zmniejszonym przekroju. Przekrój poprzeczny

12 struktury rezystora bazowego pokazano na rys.11.a, rezystora ściśniętego na rys.11.b, a widok z góry dwóch wybranych rezystorów na rys.11.c. Pokazane na zdjęciu (rys.11.c) to rezystory bazowe : R 12 =10 k oraz R 13 =75. Widać, że rezystor R 13 jest krótki, a szeroki czyli można powiedzieć, że jest utworzony z kilku (ok. 3) kwadratów ułożonych równolegle. Wyraźnie widoczny obrys rezystorów to granica obszaru dyfuzji domieszek utworzona podczas wykonywania bazy tranzystorów n-p-n. a) b) c) Rys.11. Rezystory dyfuzyjne w układach monolitycznych: a) przekrój typowego rezystora bazowego [4], b) przekrój rezystora ściśniętego [4], c) zdjęcie widoku z góry wybranych rezystorów bazowych układu ua709. 3.2.2 Kondensatory Kondensatory są rzadziej stosowane w monolitycznych układach scalonych. Ich pojemność jest proporcjonalna do powierzchni okładki, tak jak w kondensatorach płaskorównoległych, czyli są one nie ekonomiczne jeśli chodzi o wykorzystanie powierzchni układu. Pojemność może być realizowana jako: kondensator dielektryczny (tlenkowy) kondensator wykorzystujący pojemność złącza p-n Te dwie pojemności różnią się diametralnie. W pierwszym przypadku kondensator realizowany jest wg schematu przedstawionego na rys. 12.a. W tym kondensatorze okładką dolną (B) jest półprzewodnik typu-n +, o dużej przewodności (np. warstwa emiterowa), dielektrykiem jest tlenek SiO 2, a okładką górną (A) jest rozwinięta ścieżka metalizacji układu. Zaletę takiego kondensatora jest niezależność jego pojemności od przyłożonego do okładki napięcia oraz brak upływności. W przypadku zastosowania diody jako pojemności wymagana jest stała polaryzacja zaporowa złącza dla uzyskania stałej pojemności. Wadą jest upływność takiego kondensatora (prąd nasycenia złącza p-n).

13 a) b) Rys.12. Przekrój kondensatorów stosowanych w układach monolitycznych a) kondensator dielektryczny, b) złącze p-n jako kondensator [4]. 3.2.3 Skrzyżowanie ścieżek. Skrzyżowanie ścieżek jest pomocniczym elementem układu i ma zastosowanie w technologii bardziej rozbudowanych układów, kiedy trudne staje się połączenie elementów przy pomocy ciągłej ścieżki metalizacji. Skrzyżowania możemy zrealizować jako: metalizację wielopoziomową przejście przez podłoże (warstwę emiterową) W metalizacji wielopoziomowej kolejne warstwy wykonuje się naparowując metal w próżni i oddzielając je rozpylanym tlenkiem SiO 2 tworząc mostek na tym dielektryku. Wymaga to dodatkowych procesów technologicznych. Łatwiejsza metoda to wykonanie skrzyżowania przez warstwę domieszkowaną emitera co pokazano na rys.13. Jak widać na rys.13.a, w miejscu skrzyżowania jedna ze ścieżek jest połączona pod tlenkiem SiO 2 obszarem domieszkowanym typu-n+ emitera. Na rys.13.b pokazano przykładowe zdjęcie takiego skrzyżowania zrealizowanego w scalonym układzie bipolarnym bramki TTL. a) b) Rys.13. Skrzyżowanie ścieżek metalizacji Al przez podłoże Si z wykorzystaniem silnie domieszkowanej warstwy emiterowej: a) przekrój poprzeczny [4], b) zdjęcie widoku z góry widoczne są, przez przeźroczystą warstwę SiO 2, obszary okien pozostałe po procesach dyfuzji domieszek do podłoża.

14 4. Przebieg ćwiczenia 1. Zmierzyć charakterystykę prądowo napięciową I=f(U) w układzie przedstawionym na rys.14 i przedstawić ją w układzie współrzędnych log - lin. Z przebiegu otrzymanej charakterystyki wyznaczyć parametry złącza wyspa-podłoże rezystancję szeregową podłoża R p oraz prąd nasycenia I s. Wykorzystujemy tranzystor T 2, którego emiter połączony jest z podłożem. Rys.14. Układ pomiarowy do pomiaru charakterystyki prądowo-napięciowej złącza wyspa-podłoże. 2. Obliczyć wartości elementów układu zastępczego (R p, R i, C) izolacji złączowej przedstawionego na rys. 3. N a = N d = p =. n =. I s =. I g =... R i = R p = C U=0V = C U=-10V =.. 3. Na fotografii struktury wybranego układu scalonego, którą wraz z elektrycznym schematem zastępczym studenci otrzymują od prowadzącego w czasie trwania zajęć, należy odszukać i oznaczyć elementy składowe tego układu. Tak opisane zdjęcia wraz ze schematem zastępczym należy załączyć do sprawozdania. Wskazana jest analiza przekroju struktury układu scalonego w miejscu zaznaczonym na fotografii układu przez prowadzącego zajęcia. 4. Przeprowadzić analizę topologii wybranego układy scalonego i narysować przekrój poprzeczny zadanego przez prowadzącego elementu składowego układu scalonego.