Ćwiczenie E5 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA WARSTWOWEGO

Podobne dokumenty
Ćwiczenie 2 BADANIE DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ I TRANZYSTORA

Zasada działania tranzystora bipolarnego

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK DIÓD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Pomiar parametrów tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Budowa. Metoda wytwarzania

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wiadomości podstawowe

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

Systemy i architektura komputerów

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY

SPRAWDZENIE PRAWA OHMA POMIAR REZYSTANCJI METODĄ TECHNICZNĄ

5. Tranzystor bipolarny

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Politechnika Białostocka

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

Politechnika Białostocka

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

IV. TRANZYSTOR POLOWY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Politechnika Białostocka

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

Tranzystory bipolarne

Badanie diody półprzewodnikowej

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Politechnika Białostocka

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Ćwiczenie nr 23. Charakterystyka styku między metalem a półprzewodnikiem typu n. str. 1. Cel ćwiczenia:

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Ćwiczenie C2 Tranzystory. Wydział Fizyki UW

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Ćw. 2 Tranzystory bipolarne

Uniwersytet Pedagogiczny

METROLOGIA EZ1C

Tranzystor bipolarny

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

tranzystora bipolarnego, która umożliwia działanie wzmacniające i przełączające tranzystora, jest niewielka grubość obszaru bazy (typu p w tranzystorz

XXIX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Laboratorium elektroniki i miernictwa

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.

Laboratorium Metrologii

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Ćwiczenie 22. Tranzystor i układy tranzystorowe

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Ćwiczenie 16. Temat: Wzmacniacz w układzie Darlingtona. Cel ćwiczenia

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Ćwiczenie M2 POMIARY STATYSTYCZNE SERII OPORNIKÓW

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Układy nieliniowe - przypomnienie

Badanie charakterystyki prądowo-napięciowej opornika, żarówki i diody półprzewodnikowej z wykorzystaniem zestawu SONDa

BADANIE EFEKTU HALLA. Instrukcja wykonawcza

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika

35 KATEDRA FIZYKI STOSOWANEJ

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Transkrypt:

Laboratorium Podstaw Elektroniki Wiaczesław Szamow Ćwiczenie E5 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA WARSTWOWEGO opr. tech. Mirosław Maś Krystyna Ługowska Uniwersytet Przyrodniczo - Humanistyczny Siedlce 2011

1. Wstęp Celem ćwiczenia jest poznanie budowy i zasady działania tranzystora warstwowego. Tranzystor badamy w układzie wspólnego emitera, mierząc odpowiednie charakterystyki. W oparciu o te charakterystyki wyznacza się wybrane parametry tranzystora. W skład zestawu pomiarowego wchodzą: 1. zasilacz stabilizowany ZT-980-1 2. miliamperomierz LM-3 3. mikroamperomierz TLME-2 4. woltomierz cyfrowy V 540 5. płytka pomiarowa z tranzystorem ASY 35 6. cztery pary przewodów UWAGA: W tranzystorze ASY 35 plus napięcia zasilającego podaje się na emiter Przed rozpoczęciem ćwiczenia sprawdź czy zestaw pomiarowy jest kompletny. Do ćwiczenia należy przygotować następujące zagadnienia teoretyczne: zakres i klasa mierników elektromagnetycznych półprzewodniki typu p i n złącze p-n podstawowe typy tranzystorów układy pracy WE, WB, WK współczynnik wzmocnienia prądowego oporność wejściowa i wyjściowa tranzystora 3

2. Półprzewodniki typu p i n, złącze p-n Półprzewodniki typu p i n otrzymuje się odpowiednio domieszkując półprzewodniki samoistne. Przykładowo, jeżeli do czystego krzemu Si wprowadzimy domieszkę pierwiastka z grupy V (np. fosfor P lub antymon Sb), to otrzymamy materiał typu n, w którym ilość elektronów jest wielokrotnie większa niż ilość dziur. Domieszka pierwiastka z grupy III (np. bor B, glin Al ) daje półprzewodnik typu p, w którym nośnikami większościowymi są dziury a nośnikami mniejszościowymi są elektrony. Łącząc ze sobą półprzewodniki typu p i n dostajemy tzw. złącze p-n. Złącze to schematycznie ilustruje Rys. 1 Rys. 1 Różnica koncentracji dziur i elektronów wymusza częściowy przepływ dziur z obszaru p do obszaru n i odwrotnie - elektrony z obszaru n przepływają do obszaru p. Wskutek tego na granicy rozdziału obszaru powstaje napięcie elektryczne U kt zwane napięciem kontaktowym. Proces ten trwa do momentu, gdy powstające napięcie U kt zniweluje przepływ dziur i elektronów. Jednocześnie w warstwie granicznej dochodzi do wzmożonej rekombinacji par dziura elektron. W rezultacie, w warstwie granicznej ilość swobodnych nośników prądu elektrycznego radykalnie maleje. Stąd warstwa graniczna złącza p-n nazywa się inaczej warstwą zubożoną lub warstwą zaporową. Warstwa zubożona znacznie gorzej przewodzi prąd elektryczny niż obszary p i n. Grubość warstwy zubożonej jest rzędu µm i silnie zależy od polaryzacji napięcia podawanego na złącze p-n. Jeżeli złącze p-n spolaryzujemy w kierunku przewodzenia, grubość warstwy zubożonej maleje i złącze dobrze przewodzi prąd elektryczny. W tym przypadku udział w przewodzeniu prądu biorą nośniki większościowe, których koncentracja jest duża. Przy polaryzacji zaporowej warstwa zubożona rozszerza się i złącze źle przewodzi prąd elektryczny. W tym przypadku prąd przenoszą nośniki mniejszościowe, których koncentracja jest znacznie mniejsza od koncentracji nośników większościowych. 3. Tranzystor warstwowy Tranzystor wynaleźli w roku 1948 J. Bardeen i W.H. Brattain, a teorię działania tranzystora stworzył W. Schocley. Za to odkrycie uczeni ci w roku 1956 dostali nagrodę Nobla. Wynalezienie tranzystora było początkiem rewolucji naukowo-technicznej, która trwa do czasów współczesnych. Obecnie produkuje się wiele różnych rodzaj tranzystorów, głównie w technice krzemowej, przy tym generalnie rozróżnia się dwa typy: tranzystory warstwowe i tranzystory polowe Tranzystory warstwowe inaczej nazywamy tranzystorami bipolarnymi, a tranzystory polowe tranzystorami unipolarnymi. 4

Tranzystor warstwowy składa się z trzech różnie domieszkowanych obszarów. Rozróżniamy dwa typy tranzystorów bipolarnych npn i pnp. Konstrukcja i zasada działania obu typów jest podobna. Przykładowo, w tranzystorze pnp dwa obszary p są przedzielone wąskim obszarem n. Ten środkowy obszar nazywa się bazą, a dwa pozostałe obszary odpowiednio emiterem i kolektorem, Obszar emitera domieszkuje się najsilniej tak, aby ze wszystkich obszarów posiadał on największą koncentrację nośników. Obszary tranzystora tworzą dwa złącza p-n, którymi są złącze emiter-baza i złącze baza-kolektor. W normalnym reżimie pracy tranzystora złącze emiter-baza polaryzuje się w kierunku przewodzenia a złącze baza-kolektor w kierunku zaporowym. Dla tranzystora pnp ilustruje to Rys. 2. Rys. 2 Ponieważ złącze emiter-baza jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to z emitera do bazy wpływa duża ilość dziur. Dziury te są w bazie nośnikami mniejszościowymi i częściowo rekombinują z elektronami swobodnymi bazy. Aby zmniejszyć straty dziur, obszar bazy powinien być jak najwęższy i być słabiej domieszkowany niż obszar emitera. Przy zaporowej polaryzacji złącza baza-kolektor dziury wyemitowane przez emiter do bazy swobodnie przepływają do obszaru kolektora. Z drugiej strony elektrony z bazy przepływają do emitera tworząc prąd bazy. Zgodnie z Rys. 2. i e = i k + i b gdzie: i e, i k, i b - natężenie prądów emitera, kolektora i bazy odpowiednio. Ponieważ obszar bazy jest znacznie słabiej domieszkowany niż obszar emitera, prąd bazy jest znacznie mniejszy niż prąd emitera. Stąd prądy kolektora i emitera są prawie równe i e i k. Prąd kolektora w liniowym zakresie pracy tranzystora jest proporcjonalny do prądy bazy. Mała zmiana prądu bazy i b powoduje dużą zmianę prądu kolektora i k. Iloraz i = i k β (1) b nazywa się współczynnikiem wzmocnienia prądowego tranzystora. Wzmocnienie dobrych tranzystorów małej mocy jest większe niż trzysta (β > 300). Jak widać natężenie prądu przepływającego pomiędzy emiterem i kolektorem silnie zależy od prądu bazy. Stąd tranzystor warstwowy można traktować jako opornik, którego wielkość jest regulowana prądem bazy. Przy tym, gdy prąd bazy rośnie, opór tranzystora maleje, a napięcie na 5

tranzystorze jest małe. Przy małym prądzie bazy oporność tranzystora jest duża i napięcie na tranzystorze rośnie. Tranzystory pnp i npn oznaczamy symbolami: 4. Układy pracy WE, WB, WK Skoro tranzystor warstwowy posiada trzy elektrody (emiter, baza, kolektor), to może on pracować w trzech różnych konfiguracjach: wspólny emiter WE, wspólna baza WB lub wspólny kolektor WK. Schematycznie poszczególne układy pracy ilustruje Rys. 3 a,b,c a układ WE b układ WB c układ WK Rys. 3 Układy te narysowano dla tranzystora npn. Dla tranzystora pnp wszystkie strzałki i znaki należy zamienić na przeciwne. Oczywiście układy pracy WE, WB, WK realizowane w praktyce są bardziej złożone i zawierają również inne elementy elektroniczne, zwykle 6

oporniki i kondensatory. Elementy te są niezbędne do wyboru odpowiedniego punktu pracy tranzystora. Właściwości wzmacniaczy pracujących w układach WE, WB, WK podaje Tab. 1 wzm. wzm. wzm. nap. opor. wej. opor.wyj. faza prąd. mocy WE duże duże największe mała duża 180 0 WB największe małe duże najmniejsza największa 0 WK małe największe małe największa najmniejsza 0 Tab. 1 Najczęściej stosowane z uwagi na największe wzmocnienie mocy są wzmacniacze w układzie WE. Układ WK nazywamy inaczej wtórnikiem emiterowym i ze względu na swoje właściwości stosuje się go jako układ dopasowania pomiędzy różnymi stopniami układów elektronicznych. 5. Układ pomiarowy W ćwiczeniu bada się tranzystor ASY 35, który jest tranzystorem typu pnp małej mocy. Położenie emitera w tym tranzystorze wskazuje występ w obudowie, wyprowadzenie bazy umieszczone jest w środku, a kolektor jest trzecią elektrodą. gdzie wprowadzono oznaczenia: Rys. 4 zas. - zasilacz P 1, P 2 - potencjometry µa - mikroamperomierz V - woltomierz ma - miliamperomierz Opornik 32,8kΩ służy do ograniczenia prądu bazy i b, a opornik 750Ω ogranicza prąd kolektora i k. Potencjometrami P 1 i P 2 ustala się wielkość prądu bazy i prądu kolektora. 7

Cały układ zasilamy jednym napięciem U z = 10V. Do pomiarów służy płytka montażowa jak na Rys. 5 Rys. 5 Aby zrealizować układ pomiarowy z Rys. 4 wystarczy dołączyć do odpowiednich punktów niezbędne mierniki i zasilacz. Badany tranzystor umocowano na płytce w podstawce ceramicznej. UWAGA: Nie pomyl polaryzacji napięcia zasilającego płytkę 6. Przebieg pomiarów a. rozpoznaj elementy znajdujące się na płytce montażowej b. do płytki montażowej podłącz zasilacz i mierniki UWAGA: Zasilacz włącza technik lub prowadzący zajęcia po sprawdzeniu układu pomiarowego c. zmieniając prąd bazy i b co 20µA zmierz prąd kolektora i k dla ustalonych napięć U ke = 1V, 2V, 3V. Prąd kolektora mierz na zakresie 15mA. d. zmieniając napięcie U ke co 0,5V zmierz prąd kolektora dla ustalonych prądów bazy i b = 40 µa, 80 µa, 120 µa. Prąd kolektora mierz na zakresie 7,5mA. e. wyniki zamieść w dwóch tabelkach jak niżej Charakterystyki przejściowe Charakterystyki wyjściowe i b [µa] i e [ma] dla U ke : i e [ma] dla i b : U ke [V] 1V 2V 3V 40µA 80µA 120µA 8

7. Opracowanie wyników 1. na papierze milimetrowym formatu A4 i na jednym wykresie narysuj różnymi kolorami przebieg trzech charakterystyk i k =f(i b ) dla U ke = 1V, 2V, 3V 2. na drugiej kartce papieru milimetrowego A4 i na jednym wykresie narysuj przebiegi trzech charakterystyk i k =f(u ke ) dla i b = 40 µa, 80 µa, 120 µa 3. w oparciu o charakterystyki z p. 2 wyznacz oporności statyczne i dynamiczne tranzystora dla U ke = 2V i prądów bazy i b = 40 µa, 80 µa, 120 µa. Wyniki umieść w tabeli oporn. stat.[ω] oporn. dyn.[ω ] prąd bazy 40µA 80µA 120µA 4. oszacuj błędy popełnione przy wyznaczaniu oporności tranzystora, porównaj te oporności i wyciągnij wnioski. 5. w oparciu o charakterystyki z punktu 1 wyznacz średnie wzmocnienie prądowe β i oszacuj błąd. 6. omów przebieg pomierzonych charakterystyk i wyjaśnij dlaczego nie dało się ustawiać napięcia U ke dla dużych prądów bazy. 8. Literatura [1] M. Rusek, J. Pasierbiński, Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach, WNT, Warszawa 2006 [2] D.Halliday, R.Resnick, J.Walker, Kurs fizyki, PWN, Warszawa 2003 [3] T. Rewaj, Ćwiczenia laboratoryjne z fizyki w politechnice [4] Wprowadzenie do Laboratorium Podstaw Elektroniki 9